技术特征：
1.一种光检测装置，其包括：电流镜像电路，所述电流镜像电路包括第一电流镜像晶体管和第二电流镜像晶体管；像素阵列，所述像素阵列包括以行和列设置的多个像素，所述多个像素包括：第一像素，所述第一像素包括第一光电转换区域、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，所述第二像素包括第二光电转换区域、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管；多个信号线，所述多个信号线设置有所述第一像素和所述第二像素，所述多个信号线包括：第一信号线，所述第一信号线与所述第一电流镜像晶体管和所述第一选择晶体管连接；第二信号线，所述第二信号线与所述第二电流镜像晶体管和所述第二选择晶体管连接，所述第二信号线设置成输出像素信号；公共信号线，所述公共信号线与所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管连接；以及比较器，所述比较器设置成接收所述像素信号，其中，所述第一复位晶体管的源极或漏极连接至预定电位，所述预定电位不同于电源电压。2.根据权利要求1所述的光检测装置，其还包括与所述公共信号线连接的电流源。3.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，所述电流源包括晶体管。4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述电流源的所述晶体管的栅极设置成接收预定电压。5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述电流镜像电路、所述第一放大晶体管、所述第二放大晶体管形成设置成放大所述像素信号的差分放大器的至少一部分。6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一电流镜像晶体管和所述第二电流镜像晶体管与所述电源电压连接。7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述像素阵列包括多个第一像素，每个所述第一像素设置在所述像素阵列的行中。8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，包括所述多个第一像素的所述像素阵列的行是处于所述像素阵列边缘的行。9.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述多个信号线以与所述像素阵列的所述列相同的方向设置。10.根据权利要求1所述的光检测装置，其还包括与所述第二信号线和所述公共信号线连接的旁路电路。11.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，所述旁路电路包括晶体管(221)。12.根据权利要求11所述的光检测装置，其中，所述旁路电路的所述晶体管的栅极设置成接收偏置电压。13.一种光检测装置，其包括：像素阵列，所述像素阵列包括多个像素，所述像素阵列包括：
第一像素，所述第一像素包括第一光电转换区域、第一传输晶体管、第一复位晶体管和第一放大晶体管；第二像素，所述第二像素包括第二光电转换区域、第二传输晶体管、第二复位晶体管和第二放大晶体管；电源电路，所述电源电路包括电流镜像电路和电流源；列处理电路，所述列处理电路包括比较器；以及垂直信号线，所述垂直信号线与所述第二像素和比较器连接，其中，所述第一放大晶体管与所述电流镜像电路的一个晶体管和所述电流源的晶体管连接，并且其中，所述第二放大晶体管与所述电流镜像电路的另一个晶体管和所述电流源的所述晶体管连接。
技术总结
本申请公开一种光检测装置，包括：电流镜像电路，包括第一和第二电流镜像晶体管；像素阵列，包括多个像素；多个信号线，设置有第一和第二像素；比较器，设置成接收像素信号，第一复位晶体管的源极或漏极连接至电位不同于电源电压的预定电位。多个像素包括：第一像素，包括第一光电转换区域、第一复位晶体管、第一放大晶体管和第一选择晶体管；以及第二像素，包括第二光电转换区域、第二复位晶体管、第二放大晶体管和第二选择晶体管。多个信号线包括：第一信号线，与第一电流镜像晶体管和第一选择晶体管连接；第二信号线，与第二电流镜像晶体管和第二选择晶体管连接，且设置成输出像素信号；公共信号线，与第一放大晶体管和第二放大晶体管连接。晶体管连接。晶体管连接。
技术研发人员：佐藤守 加藤昭彦
受保护的技术使用者：索尼公司
技术研发日：2017.02.27
技术公布日：2021/9/9