管M6的漏极，其输出端连接NMOS管M6的栅极。NMOS管M6的源极接地，其漏极作为低电位电压钳位器13的输出端。
[0030]带预加重的反向驱动器12包括PMOS管M2、PM0S管M3、NM0S管M4和NMOS管M5。PMOS管M2的源极与PMOS管M3的源极相连，并作为带预加重的反向驱动器12的高电位输入端连接高电位电压钳位器11的输出端。PMOS管M2的栅极、漏极分别连接NMOS管M4的栅极、漏极，PMOS管M3的栅极、漏极分别连接NMOS管M5的栅极、漏极。NMOS管M4的源极与NMOS管M5的源极相连，并作为带预加重的反向驱动器12的低电位输入端连接低电位电压钳位器13的输出端。
[0031]输入端IN+、IN-分别连接到PMOS管M2的栅极、PMOS管M3的栅极，输出端0UT+、OUT-分别连接到PMOS管M3的漏极、PMOS管M2的漏极。输入端IN+依次串联电容元件Cl和电阻元件Rl连接到输出端0UT+，用于对输出端OUT+上的信号进行高频预加重；输入端IN-依次串联电容元件C2和电阻元件R2连接到输出端0UT-，用于对输出端OUT-上的信号进行高频预加重。电容元件Cl、电阻元件R1、电容元件C2和电阻元件R2形成高频通路121。
[0032]本实施方式提供的电容实现预加重电路的低压差分发送器实现预加重的工作原理为:在输入端IN+、IN-上加载串行差分的CMOS电平信号，CMOS电平信号输入到带预加重的反向驱动器12中，CMOS电平信号数据边沿跳变时的高频成分通过高频通路121传输到输出端OUT+、OUT-的低压差分信号中，对输出端的低压差分信号的高频成分进行补偿，达到预加重的效果。
[0033]本实施方式中，根据高频传输特性受电阻值和电容值影响的原理，可通过选择或控制高频通路121上电阻元件R1、R2电阻值或电容元件C1、C2电容值的大小，调节高频通路121的传输特性，进行不同的预加重补偿，以实现发送器输出端不同程度的预加重，既可以提高预加重的灵活性，又可以降低功耗。
[0034]本实施方式中，通过电阻元件和电容元件的配合，实现高频通路，其中，电阻元件Rl和R2均选用电阻阵列，以便调节其阻值；同理，电容元件Cl和C2也选用电容值可调的电容阵列。具体实施时，电阻元件Rl和R2还可以替换为MOS管，通过外部的数控选择或模拟电压控制其阻值；同理，电容元件Cl和C2也可以替换为Varactor (变容二极管)可调电容，通过外部的MOS开关数控选择或模拟电压控制其容值。
[0035]图3所示为本发明提供的电容实现预加重电路的低压差分发送器输出波形与未加预加重高频通路121的发送器输出波形的对比图。图3中，输出波形I为本发明提供的电容实现预加重电路的低压差分发送器输出波形，输出波形2为未加预加重高频通路121的发送器输出波形。对比输出波形I和输出波形2，可以看出输出波形I边沿陡峭，预加重效果明显，预加重大小为5.7dB。
[0036]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，包括:高电位电压钳位器(11)，带预加重的反向驱动器(12)和低电位电压钳位器(13); 高电位电压钳位器(11)的输出端与带预加重的反向驱动器(12)的高电位输入端相连，低电位电压钳位器(13)的输出端与带预加重的反向驱动器(12)的低电位输入端相连； 带预加重的反向驱动器(12)连接有输入端1奸、爪-和输出端0^'+、0^'_ ;带预加重的反向驱动器(12)中设有高频通路(121)，输入端IN+、IN-通过高频通路(121)连接输出端OUT+、OUT-ο
2.如权利要求1所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，高频通路(121)的尚频特性可调。
3.如权利要求1所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，高电位电压钳位器(11)包括比较器OPl和PMOS管Ml ；比较器OPl的反相输入端接入高电位参考电压VHref，其正相输入端连接PMOS管Ml的漏极，其输出端连接PMOS管Ml的栅极；PM0S管Ml的源极接电源电压，其漏极作为高电位电压钳位器(11)的输出端。
4.如权利要求1所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，低电位电压钳位器(13)包括比较器0P2和NMOS管M6 ；比较器0P2的反相输入端接入低电位参考电压VLref，其正相输入端连接NMOS管M6的漏极，其输出端连接NMOS管M6的栅极；NM0S管M6的源极接地，其漏极作为低电位电压钳位器(13)的输出端。
5.如权利要求1所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，带预加重的反向驱动器(12)包括PMOS管M2、PMOS管M3、NMOS管M4和NMOS管M5 ；PM0S管M2的源极与PMOS管M3的源极相连并作为带预加重的反向驱动器(12)的高电位输入端连接高电位电压钳位器(11)的输出端；PM0S管M2的栅极、漏极分别连接NMOS管M4的栅极、漏极，PMOS管M3的栅极、漏极分别连接NMOS管M5的栅极、漏极；NM0S管M4的源极与NMOS管M5的源极相连并作为带预加重的反向驱动器(12)的低电位输入端连接低电位电压钳位器(13)的输出端；输入端IN+、IN-分别连接到PMOS管M2的栅极、PMOS管M3的栅极，输出端OUT+、OUT-分别连接到PMOS管M3的漏极、PMOS管M2的漏极。
6.如权利要求5所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，高频通路(121)包括电阻元件R1、电阻元件R2、电容元件Cl和电容元件C2，输入端IN+依次串联电容元件Cl和电阻元件Rl连接到输出端0UT+，用于对输出端OUT+上的信号进行高频预加重；输入端IN-依次串联电容元件C2和电阻元件R2连接到输出端0UT-，用于对输出端OUT-上的信号进行高频预加重。
7.如权利要求6所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，电阻元件Rl和电阻元件R2可采用电阻阵列或MOS管。
8.如权利要求6所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，电容元件Cl和电容元件C2可采用电容阵列或Varactor可调电容。
9.如权利要求1至8任一项所述的电容实现预加重电路的低压差分发送器，其特征在于，所述发送器实现预加重的工作过程为:在输入端IN+、IN-上加载串行差分的CMOS电平信号，CMOS电平信号输入到带预加重的反向驱动器(12)中，CMOS电平信号数据边沿跳变时的高频成分通过高频通路(121)传输到输出端OUT+、OUT-的低压差分信号中，对输出端的低压差分信号的高频成分进行补偿。
【专利摘要】本发明提出的一种电容实现预加重电路的低压差分发送器，包括：高电位电压钳位器，带预加重的反向驱动器和低电位电压钳位器；高电位电压钳位器的输出端与带预加重的反向驱动器的高电位输入端相连，用于为带预加重的反向驱动器提供与高电位参考电压VHref相同的高电压；低电位电压钳位器的输出端与带预加重的反向驱动器的低电位输入端相连，用于为带预加重的反向驱动器提供与低电位参考电压VLref相同的低电压；带预加重的反向驱动器连接有输入端IN+、IN-和输出端OUT+、OUT-；带预加重的反向驱动器中添加有高频通路，输入端IN+、IN-通过高频通路连接输出端OUT+、OUT-。本发明与传统的带预加重的发送器相比，结构简单，功耗低，灵活度高。
【IPC分类】H04B1-04
【公开号】CN104579378
【申请号】CN201510020872
【发明人】陈浩, 黄鲁, 覃林
【申请人】中国科学技术大学先进技术研究院
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月15日