电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及网络通信领域，尤其涉及一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法及系统。
【背景技术】
[0002]随着以太网包交换芯片的集成度、工作频率越来越高，其功耗也成了一个不可忽视的问题。
[0003]如图1所示，以太网包交换芯片制造工艺中，为了实现节能，降低以太网包交换芯片的功耗，各大以太网包交换芯片厂商均推出了自己的低功耗技术，到目前为止，普遍采用SVB技术制造以太网包交换芯片；SVB (Selective Voltage Binning)技术是一项独特的低功耗技术，该技术根据以太网包交换芯片的工艺角(Process Corner)来定义实际的工作电压。具体如图3所示，对于快片(Fast Chip)采用较低的工作电压，而对于慢片(slow chip)则采用较高的工作电压。这样既能够提高慢工艺(Slow Process)情况下以太网包交换芯片的性能，又能减小快工艺(Fast Process)情况下以太网包交换芯片的功耗，从而达到以太网包交换芯片低功耗尚性能的目标。
[0004]如此，以太网包交换芯片按其电压变化导致其类型多样化，相应的，为该以太网包交换芯片提供电压的电源芯片的工作方式也随之改变，尤为重要的是，现有技术中，由于以太网包交换芯片的运行电压值由4位的二进制SVB编码控制输入，而电源芯片的供电电压由8位的二进制VID编码控制输出，导致电源芯片不能自适应为以太网包交换芯片提供电压，通常情况下，由人工手动调节电源芯片的输出电压，以适应不同工艺制程的以太网包交换芯片，浪费人力资源，增加使用成本，且供电不稳定。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法及系统。
[0006]为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供了一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法，所述方法包括:识别所述以太网包交换芯片的等级，根据所述以太网包交换芯片等级获取其携带的SVB编码，所述SVB编码由4位二进制数字组成，所述SVB编码对应一组固定的电压值；
将所述SVB编码转换为电源芯片所能识别的VID编码，所述VID编码由8位二进制数字组成，每个所述VID编码对应一组固定的电压值；所述电源芯片的供应电压取值范围覆盖所述以太网包交换芯片的运行电压值，VID[7:0]=8’b0110 0101 + SVB[3:0]，VID[7:0]表示VID编码，其为8位二进制数字，SVB [3:0]表示SVB编码，其为4位二进制数字，8’b01100101表示8bit 二进制数字，其数值为0110 0101 ；
所述电源芯片按照所述VID编码对应的电压值为所述以太网包交换芯片供应电压。
[0007]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述以太网包交换芯片根据其工艺角划分为16个等级，每个等级对应一组SVB编码，16个所述以太网包交换芯片的运行电压范围为0.88750V-0.98750V，步长为 6.25mV。
[0008]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电源芯片为intelVRDll.1标准规范的电源芯片，所述intelVRDll.1标准规范为:所述电源芯片供应的电压范围为0.5V_1.6V，调节步长为6.25mV。
[0009]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述以太网包交换芯片为以太网包交换芯片 CTC8096。
[0010]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电源芯片为ISL6334D。
[0011]为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供了一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统，所述系统包括:
数据获取模块，用于识别所述以太网包交换芯片的等级，根据所述以太网包交换芯片等级获取其携带的SVB编码，所述SVB编码由4位二进制数字组成，所述SVB编码对应一组固定的电压值；
数据转换模块，用于将所述SVB编码转换为电源芯片所能识别的VID编码，所述VID编码由8位二进制数字组成，每个所述VID编码对应一组固定的电压值；所述电源芯片的供应电压取值范围覆盖所述以太网包交换芯片的运行电压值，VID[7:0]=8’bOllO 0101 +SVB[3:0]，VID [7:0]表示VID编码，其为8位二进制数字，SVB [3:0]表示SVB编码，其为4位二进制数字，8’bOllO 0101表示8bit 二进制数字，其数值为0110 0101 ；
数据输出模块，用于驱动所述电源芯片按照所述VID编码对应的电压值为所述以太网包交换芯片供应电压。
[0012]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述以太网包交换芯片根据其工艺角划分为16个等级，每个等级对应一组SVB编码，16个所述以太网包交换芯片的运行电压范围为
0.88750V-0.98750V，步长为 6.25mV。
[0013]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电源芯片为intelVRDll.1标准规范的电源芯片，所述intelVRDll.1标准规范为:所述电源芯片供应的电压范围为0.5V_1.6V，调节步长为6.25mV。
[0014]作为本发明一实施方式的进一步改进，所述以太网包交换芯片为以太网包交换芯片 CTC8096。
[0015]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明提供了一种电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法及系统，该方法及系统通过将交换机芯片携带的SVB编码自动转换为电源芯片所能识别的VID编码，使得电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压，并保证稳定供压，该方案简洁、易于实现，节约成本。
【附图说明】
[0016]图1是本发明现有技术中以太网包交换芯片的运行电压发展变化走势图；
图2是本发明一实施方式中电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法的流程图；
图3是本发明一实施方式中电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的系统的丰吴块图；
图4A是本发明一具体示例中以太网包交换芯片中，其SVB编码与其运行电压对照示意图；
图4B是本发明一具体示例中电源芯片中，其VID编码与其供应电压对照示意图。
【具体实施方式】
[0017]以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本发明进行详细描述。但这些实施方式并不限制本发明，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
[0018]如图1所示，本发明的一实施方式中，电源芯片自适应供应以太网包交换芯片运行电压的方法包括:
51、识别所述以太网包交换芯片的等级，根据所述以太网包交换芯片等级获取其携带的SVB编码，所述SVB编码由4位二进制数字组成，每个所述SVB编码对应一组固定的电压值；
相应的，所述以太网包交换芯片根据其工艺角划分为16个等级，每个等级对应一组SVB编码。
[0019]本发明中以太网包交换芯片采用16-binSVB技术生产制造，在生产过程中，将以太网包交换芯片按照其工艺角划分为16个等级，每个等级由4为二进制数字组成的SVB编码表示，进一步的，以太网包交换芯片使用过程中，通过其4个管脚与该SVB编码一一对应，同时，上述16个等级的以太网包交换芯片的电压值遵循一固定规则，S卩，在一定电压范围内，16个等级的以太网包交换芯片的电压值按照一固定步长依次升高或依次降低。
[0020]下述实施方式中，为了方便描述及理解，以一具体示例进行详细描述。
[0021]结合图4A所示，该示例中，所述以太网包交换芯片为以太网包交换芯片CTC8096，16个所述以太网包交换芯片的运行电压范围为0.88750V-0.98750V，步长为6.25mV，其中，每个等级的以太网包交换芯片对应一组不同的SVB编码，同时，每组SVB编码对应一组固定的电压值；进