专利名称：单晶电熔氧化铝晶粒控制装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置。
技术背景
在单晶电熔氧化铝生产过程中，晶粒的大小主要在熔体氧化铝凝固结晶时完成，结晶时 间短则晶体细小，结晶时间长则晶体粗大，以往单晶电熔氧化铝晶粒的大小无法得到有效控 制，从而无法满足成品不同的需要。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，该装置结构简单、设计 合理，有利于单晶电熔氧化铝晶粒大小的控制。 本实用新型通过以下技术方案来实现
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在 于-所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。
本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而 可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。
图1是本实用新型的构造示意图； 其中3为熔体氧化铝。
具体实施方式
本实用新型单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体l，模体外 围设置有一用于控制模体温度的温控层2。
为了实现快速降温以形成细小晶体，温控层具有与模体接触的冷却器，冷却器为水冷器 或冷却器为风冷器等。
为了实现缓慢降温以形成粗大晶体，温控层具有保温层。
权利要求1、一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装氧化铝熔体的模体，其特征在于所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。
2、 根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于所述温控层具有与模体接触的冷却器。
3、 根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于所述冷却器为水冷器。
4、 根据权利要求2所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于所述冷却器为风冷器。
5、 根据权利要求1所述的单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，其特征在于所述温控层具有保温层。
专利摘要本实用新型涉及一种单晶电熔氧化铝晶粒控制装置，包括用于盛装熔体氧化铝的模体，其特征在于所述模体外围设置有一用于控制模体温度的温控层。本实用新型在模体外围设置温控层，可以有效控制模体内熔体氧化铝结晶的时间，从而可有效控制单晶电熔氧化铝晶粒的大小，以满足成品的不同需要。
文档编号C30B29/20GK201265052SQ200820145769
公开日2009年7月1日 申请日期2008年10月7日 优先权日2008年10月7日
发明者叶旦旺 申请人:福建三祥工业新材料有限公司