单晶炉的加热装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及单晶硅制造设备技术领域，特别涉及一种单晶炉的加热装置。
【背景技术】
[0002]单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体，是一种良好的半导体材料，目前被广泛应用于半导体器件以及太阳能电池的制造。单晶硅使用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的，在市场上有很广阔的前景。目前单晶硅的拉制装置为单晶炉，单晶炉内的加热装置只要是石墨坩埚和支撑它的锅托体，随着硅单晶直径的加大，单晶炉热场的尺寸变得越来越大，相应的，石墨坩埚的重量也大大增大。目前，使用的坩埚由于结构简单，存在着导热不均匀，加热缓慢的缺点，而锅托体的承受重量不够而导致损坏。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种导热快，传热均匀，工作效率高且使用寿命长的单晶炉加热装置。
[0004]实现本发明的技术方案如下:
[0005]一种单晶炉的加热装置，包括石墨坩埚和锅托体，所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽，石墨坩埚底面上设有凸台，所述锅托体设置于石墨坩埚下面，锅托体由锅托台和支架构成，锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体，锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽，支架设置于锅托台的下表面。
[0006]所述凹槽为正方形，深度为边长为优点是导热块且均勻，而且美观。
[0007]所述凹槽均布于石墨坩埚表面。
[0008]所述石墨坩埚为一个直径逐渐减小的筒状结构。
[0009]本发明的有益效果是:石墨坩埚表面均布的凹槽能够在加热过程中实现导热快，温度均匀的效果，锅底的凸台与锅托台上的卡槽相连接，能起到更好的固定效果，锅托台大直径底部能够承受更大的压力，不易损坏，使用寿命变长。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的结构示意图；
[0011]附图中，I为石墨坩埚,2为凹槽,3为卡槽,4为锅托台，5为支架，6为凸台。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明进行进一步说明；
[0013]参见图1所示，一种单晶炉的加热装置，包括石墨坩埚I和锅托体，所述石墨坩埚I表面上设有若干个凹槽2，石墨坩埚I底面上设有凸台6，所述锅托体设置于石墨坩埚I下面，锅托体由锅托台4和支架5构成，锅托台4为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体，锅托台4与石墨坩埚I相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽3，支架5设置于锅托台4的下表面。
[0014]所述凹槽2为正方形，深度可以是2mm, 3mm或4mm,边长可以是5mm、8mm或1mm,
凹槽2均布于石墨坩埚I表面，石墨坩埚I为一个直径逐渐减小的筒状结构。
[0015]本发明并不局限于所述的实施例，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神即公开范围内，仍可作一些修正或改变，故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。
【主权项】
1.单晶炉的加热装置，包括石墨坩埚和锅托体，其特征在于:所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽，石墨坩埚底面上设有凸台，所述锅托体设置于石墨坩埚下面，锅托体由锅托台和支架构成，锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体，锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽，支架设置于锅托台的下表面。
2.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置，其特征在于:所述凹槽为正方形，深度为边长为 Smm-10mnin
3.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置，其特征在于:所述凹槽均布于石墨坩埚表面。
4.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置，其特征在于:所述石墨坩埚为一个直径逐渐减小的筒状结构。
【专利摘要】本发明涉及一种单晶炉的加热装置，包括石墨坩埚和锅托体，所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽，石墨坩埚底面上设有凸台，所述锅托体设置于石墨坩埚下面，锅托体由锅托台和支架构成，锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体，锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽，支架设置于锅托台的下表面。本使用新型具有导热快，加热均匀，装置牢固，结构简单，使用寿命长等特点。
【IPC分类】C30B15-14, C30B15-10
【公开号】CN104711669
【申请号】CN201310684221
【发明人】潘燕萍
【申请人】常州市天龙光电设备有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年12月12日