无接触功率和数据传送系统和方法

专利名称：无接触功率和数据传送系统和方法
无接触功率和数据传送系统和方法
背景技术：
本发明主要涉及光电半导体装置的供电。更具体地说，本发明涉及到或自光电半 导体装置的电力或信息的无接触传送。已知光电半导体装置、特别是基于有机材料的装置在暴露于湿气和氧气时将快速 老化。湿气和氧气经常被视为主要的非本征老化因素，其限制装置寿命。例如有机发光装 置(OLED)的典型的大面积装置成批或卷到卷(roll-to-roll)地使用密封封装方案来制造 以便保护OLED免受有害环境影响。一般情况下，根据装置结构，使用玻璃、金属箔(本质上 均是极佳的屏障)和具有薄膜屏障的塑料膜作为衬底和/或上层(superstrate)。薄膜屏 障也能应用作为用于光电半导体装置的顶部封装，这些光电半导体装置在用作衬底的这些 上述材料中的任何材料上构建。然而，装置仍有未应用封装或封装损坏的部分或区域，例如 连接封装的装置内部与外部电源的电源引线和接触焊盘(contact pad)的部分。未封装的 电源引线能过早腐蚀、脱层(delaminate)或以其它方式老化，为水蒸汽和氧气进入提供快 速通道，从而损害封装。测试屏障属性的一种方法是在封装的装置暴露于例如60oC/90%相对湿度(RH) 的恶劣环境时监视其性能。对于部分金属阴极触点延伸到封装外部的0LED，经常观察到此 触点极快速地(数小时内)脱层、破裂和/或腐蚀，形成对于水和氧气的快速渗入通道，从 而造成过早的装置失效。此外，还已知钼衬底上的例如基于CIGS(铜铟镓硒)的装置的光 伏装置由于水蒸汽和氧气渗透而恶化。因此，找到一种为此类装置供电、其中消除上述过早失效机制的方法是非常合乎 需要的。无接触功率/数据传送的附加优点在于通过消除例如如显示器和检测器阵列的此 类装置所要求的多个传导互连而实现的可能成本节约。

发明内容
本文中公开的一个实施例是一种系统，该系统包括至少部分地布置在屏障封装内 的封装的光电半导体装置和配置成跨屏障封装来传送功率和数据中的至少一个的无接触 功率传送系统。本文中公开的另一个实施例是一种系统，该系统包括至少部分地布置在屏障封装 内的封装的光电平面半导体装置和配置成跨屏障封装来传送功率和数据中的至少一个的 无接触功率传送系统。本文中公开的仍有的另一个实施例是一种制造集成的无接触供电的系统的方法。 该方法包括在衬底上提供装置、提供可操作地电耦合到装置的第一无接触功率传送元件、 提供包围该装置和第一无接触功率传送元件的屏障封装、以及提供可操作地电耦合到电 源、在屏障封装外部并在第一无接触功率传送元件对面的第二无接触功率传送元件以形成 集成的系统。本文中公开的另一个实施例是一种制造无接触功率传送光电半导体装置系统的 方法。该方法包括提供与光电半导体装置集成并布置在屏障封装内部的第一无接触功率传送元件，以及提供布置在衬底上并定位在屏障封装外部并且与光电半导体装置分离布置的 第二无接触功率传送元件。


参照附图阅读以下详细描述时，本发明的这些和其它特征、方面和优点将变得更 好理解，附图中类似的字符表示遍布这些图的类似部分，其中图1是根据本发明的一个实施例的电感无接触功率传送系统的示意顶视图和侧 视图。图2是根据本发明的一个实施例的电感无接触功率传送系统电路的示意表示。图3是根据本发明的一个实施例的电感无接触功率传送系统电路的示意表示。图4是根据本发明的一个实施例的在屏障封装的功率传送组件的截面视图的示
意表不。图5是根据本发明的一个实施例的电容无接触功率传送系统电路的示意表示。图6是根据本发明的一个实施例的电容无接触功率传送系统电路的示意表示。图7是根据本发明的一个实施例的在封装屏障的功率传送组件的截面视图的示
意表不。图8是根据本发明的一个实施例的在无接触功率传送系统中使用的整流器电路 的示意表示。图9是根据本发明的一个实施例的在无接触功率传送系统中使用的整流器电路 的示意表示。图10是根据本发明的一个实施例的无接触数据传送系统电路的示意表示。图11是根据本发明的一个实施例的无接触功率传送系统的示意表示，其中，功率 从屏障封装的装置传送出来。图12是根据本发明的一个实施例的封装的OLED装置的示意表示。图13是根据本发明的一个实施例的无接触功率传送系统电路的示意表示。
具体实施例方式本发明的实施例公开了用于无接触功率传送的系统和方法。在一个实施例中，电 力通过具有时变磁场或电场的绝缘屏障来传送，即，经电感或电容耦合来传送。在下面的说明书和随附的权利要求中，单数形式“一 (a) ”、“一 (an) ”和“该(the)，， 包括复数指示对象，除非上下文明确另外指出。在本文中使用时，术语“装置”指光电半导体 装置和/或多个光电半导体装置，装置的功能性基于半导体材料中光的量子机械效应。此 类装置的非限制性示例包括发光二极管和光电二极管。在本发明的一个实施例中，是一种包括封装的装置和无接触功率传送系统的系 统。装置的至少部分封闭在屏障封装内。可有利地被封装的装置的非限制性示例是有机发 光装置、有机光伏装置、薄膜无机光伏装置、检测器阵列和显示器。无接触功率传送系统配 置成跨屏障封装将功率和/或数据耦合进或出封装的装置。在一些实施例中，装置是完全 封装的。无接触功率传送系统的第一部分可布置在封装内部，并且无接触功率传送系统的第二部分可布置在封装外部，其中第一部分与第二部分没有接线的接触，并且第一部分和 第二部分配置成跨屏障封装来传送能量和/或数据。在一个实施例中，第一部分与第二部 分之间的距离大约为几厘米或更少。在一些实施例中，无接触功率传送系统是电感功率传送系统，其包括跨屏障封装 布置的至少一对变压器线圈。在一个示例中，屏障封装基本上对磁场是透明的。在一个实 施例中，基本上透明是指对磁场至少10%的透明度。在进一步的实施例中，基本上透明是指 对磁场至少50%的透明度。在一备选实施例中，无接触功率传送系统是电容功率传送系统。电容功率传送系 统包括至少一对功率传送电容器。每个电容器的极板(第一极板和第二极板)布置在屏障 封装的每一侧(either side)上，其中屏障封装被定位成充当所述至少一对电容器的每个 电容器的第一极板与第二极板之间的电介隔离物。图1示出本发明的一个实施例中的包括有机发光装置12的无接触功率传送系统 10。系统10包括具有屏障涂层16的前衬底14和具有屏障涂层20的后衬底18。在一个实 施例中，屏障涂层16和20以及相应衬底可形成部分的屏障封装，其将装置封装。该系统还 包括隔离元件24和垂直互连22。相比常规系统，不是将来自电源的电源引线直接连接到 装置12以对装置供电，而是图1的系统包括两个感应线圈分别布置在封装的内部和外部 的主线圈26和副线圈25，以将功率以无接触方式从源传送到装置。功率在感应线圈25与 26之间跨屏障封装磁耦合。电压在跨线圈26应用时将跨封装感应出线圈25中的电压，该 电压随后能应用于对发光装置12供电。在一个实施例中，装置是大面积薄膜装置，例如但 不限于区域照明有机发光装置。在某个实施例中，有机发光装置可使用薄膜技术来制造，其 在原子、分子或离子的极薄连续层中淀积。图2示出本发明的一个实施例中对发光光电半导体装置34供电的功率传送电路 32。AC源36用于提供电力到主线圈38，该线圈将它变换成电磁辐射，电磁辐射又由副线圈 40变换回到电信号。电容器42和桥式整流器电路44用于将AC功率转换为DC功率以对发 光光电半导体装置供电。在图3的示出的实施例中，示出集成例如图2中示出的电路的电感功率传送电路 的无接触供电发光系统46。系统46包括布置在封装60内并由出现在封装60外部的DC源 50来供电的发光装置组装件48。在一个实施例中，发光装置组装件是有机发光装置组装 件。在一非限制性示例中，DC源可以是由用于AC线路供电应用的AC公用电力来供电的整 流器。在示出的实施例中，DC功率先输送到逆变器52，该逆变器将DC功率转换成AC功率。 出自逆变器的AC电压Vaci随后应用到无接触链路54。该无接触链路包括变压器，其包括线 圈Lia 56和L1b58，其中，线圈56布置在封装60的外部，而线圈58在封装的内部。电压Vaci 应用到线圈L1A56，并且功率电感性地传送到L1B58，使得跨Lib形成电压VA。2。在一个实施例 中，封装60还充当分隔两个线圈的绝缘屏障，但封装基本上对磁场是透明的，以便功率可 通过封装来传送。出自线圈58的AC功率随后使用整流器62来整流，以供应对于发光光电 半导体装置所要求的DC功率。逆变器和整流器可选自大量多种公知电路的任何电路。在 进一步的实施例中，整流器可包括滤波元件以平滑到发光装置的电流。有利的是，高频逆变 器的使用能有助于消除由于整流器输出中的纹波电流而造成的可见闪烁(flicker)。在一些实施例中，逆变器或DC源可受到控制以控制通过发光光电半导体装置的电流并因此控制其光输出。此外，共同使用的谐振逆变器电路可配置成用作电流源，使得发 光装置电压中大的改变导致装置电流中极小的改变。装置本身可用作整流器或用作整流器 电路的部分。功率传送系统中的电感器线圈可具有相同的匝数或不同的匝数。当线圈具有不同 的匝时，变压器可在升压配置或降压配置中使用。在一个实施例中，变压器可以是具有可调 匝比的可变变压器，其中，至少一个线圈具有可调匝控制。因此，跨屏障封装的能量传送也 能够变化。图4示出在本发明的一个实施例中，在屏障封装70的磁耦合功率传送组件64的 截面。在示出的实施例中，第一线圈72布置在封装外部68，而第二线圈74布置在封装内部 66。磁芯层76和78分别与线圈72和74相邻布置。导体80和82将功率从电源带到线圈 72，并且导体84和85将功率从线圈74离开向装置传导。在一个实施例中，一个或多个磁芯层可与主和/或副电感器线圈相邻布置。在图 4的示出的实施例中，功率传送组件包括磁层，即磁芯76和78。这些层可由磁导率基本上 大于一的材料来制成。此类材料的示例包括但不限于铁、钴、镍及其合金。预期磁芯层将有 助于增强变压器的耦合系数，从而在给定频率实现比在无磁芯情况下更有效的操作。在一 些实施例中，电感器线圈的一侧上的磁芯可用于增加耦合系数。在其它实施例中，芯层可在 电感器线圈的两侧上存在，并且预期导致效率增加至少一个数量级。在某些实施例中，磁芯 是在线圈层外部而不是在其之间。磁芯还有利地降低包围线圈的杂散磁场，并因此降低电 磁干扰(EMI)的生成和对其的敏感性。在一个实施例中，磁芯层76是分开的层。由于许多磁性材料也是导电的，因此，在 芯层中可能出现涡电流损耗。这些损耗可通过将磁芯层分成如图4的示出的实施例中看到 的多个部分来降低。在一个示例中，此类径向分开的芯与圆平面绕组一起使用，例如，与芯 层同心的圆螺旋绕组。预期芯中的径向间隙以对磁耦合的极小影响来降低涡电流。相同的 原理适用于其它形状的线圈。例如，比方说功率以耦合效率大于90%在6MHz频率以24W/cm2的级别通过无磁芯 的平面变压器来传送。600kHz的频率因而将以相当的效率允许大约0.24W/cm2。如果芯损 耗保持为低，则在磁耦合的一侧上添加磁芯能允许为相当效率进一步降低15-30%的频率。 与无磁芯操作时相比，预期在两侧上均添加芯层在效率中提供5X-10X的改进。在操作频率增加时，预期能量传送的效率也将增加。在一个实施例中，高频发生器 (generator)由主源来供电，并且来自高频发生器的高频输出用于对主电感器线圈供电。在对于图4示出的实施例的备选实施例中，电容耦合可用于对封装的装置供电。 耦合电容器各自由两个导体层(极板)制成，一个导体层布置在屏障封装内部，另一个导体 层在屏障外部。屏障封装用作两个极板之间的电介质。图5示出本发明的一个实施例中的 电容耦合电路88。发光装置90由AC电源92以无接触方式来供电。电源92连接到耦合 电容器94和96的外部极板。负载(具有或不具有整流/调节电路的装置90)连接到电容 器的内部极板。桥式整流器电路98可用于将从耦合电容器96输出的AC电压转换成DC电 压，随后，DC电压跨装置90应用。在图6的示出的实施例中，示出集成例如图5中示出的电路的电容功率传送电路 的无接触供电发光系统100。系统100包括发光装置组装件110和供应DC电压VDa到逆变器114的DC电源。无接触链路116用于将功率从逆变器114传送到整流器124。无接触链 路包括第一电容器CiaIIS和第二电容器Cib 120。逆变器的AC电压输出Vaci应用到布置在 封装122外部的电容器118和120的电容器极板。从布置在封装内部的电容器极板，供应 到整流器124的输入AC电压VAe2。整流器124将AC电压VAe2转换成DC电压VDe2，之后，DC 电压应用到发光装置组装件110。图7示出包括电容器126和127的在屏障封装的电容耦合功率传送组件125的截 面。每个电容器126和127的导体极板定位在屏障封装的每一侧上。在一非限制性示例中，对于电容无接触功率传送，对于50微米厚聚合物屏障封 装，预期总串联电容大约为每cm27. 5pF-10pF(C1A和Cib的串联组合)。IOOkHz频率将允许 具有跨屏障大约200VRMS的大约50mA电流。在电容功率传送中，通过使用增加数量的更小 的串联的装置，有利地降低对于给定功率所要求的电流。通过降低绝缘屏障厚度、增加其介 电常数、或者通过增加操作频率，能改进电容能量传送。在操作频率增加时，能量传送的效率增加。在电容功率传送中，对于给定电流，跨 屏障的电压与频率成反比地增加，使得在低频率，电压能击穿屏障。因此，在电容无接触功 率传送系统的一个实施例中，频率发生器用于对电容器供电。在一非限制性示例中，应用的 频率在从大约50kHz到大约IMHz的范围内。对于功率传送系统的电感和电容实施例，大面积传送元件可替代为多个更小面积 的元件。因此，多个变压器可用于跨封装来传送功率。备选的是，多对电容器可用于跨封 装传送功率。这可允许降低对于给定总能量传送的峰值杂散场强度，并因此降低电磁干扰 (EMI)的生成和对其的敏感性。图8是用于在无接触功率传送系统中使用的全波整流器电路128的图示示例。整 流器电路128用于对装置129供电，并包括可选的阻塞电容器130、桥式整流器电路132及 电容滤波器134。在一个实施例中，电容滤波器134用于降低整流器输出的AC分量(纹波 电压或电流)。图9是半波整流器电路138的图示示 。可选的阻塞电容器142结合二极管144 和电容滤波器146来使用。在缺少阻塞电容器的情况下，二极管通过在发光光电半导体装 置反向偏置时传导，仍能起到最小化在发光光电半导体装置组装件140上出现的反向电压 的目的。如果二极管144选取成具有小于发光装置组装件上期望的最大反向电压的正向电 压降，则能发生这种情况。封装的无接触供电的系统的实施例包括例如有机发光装置和显示装置的发光装 置。在一个实施例中，无接触供电的系统配置用于持续供电，例如，用于连续供电几小时。封 装的无接触功率或数据传送装置的其它示例包括封装的检测器阵列，数据从其能无接触地 传送到封装的检测器阵列外部。此类检测器阵列的示例包括CCD装置。在一个实施例中， 装置是封装的光电平面半导体装置。在进一步的实施例中，平面半导体装置可以是能够被 卷成某个形状的柔性装置。在一个实施例中，屏障封装材料可包括有机材料、无机材料或其组合。屏障封装降 低了装置对例如但不限于水蒸汽和氧气的有害物质的暴露。屏障封装材料的非限制性示例 包括玻璃、聚合物、金属和其组合。在一些示例中，屏障封装可以是金属箔的形式。在一些实 施例中，可使用包括一种或多种屏障材料的多层封装。在一个实施例中，屏障封装充当防止氧气和/或水蒸汽渗透到装置中的屏障。有机_无机屏障涂层的示例在许多参考文献中有 描述，包括美国专利6746782和美国专利7015640。例如，此类屏障封装可提供低于0. Ig/ m2/天的水蒸汽传送率和低于lg/m2/天的氧气传送率。在一个实施例中，无接触功率传送系统是无接触数据传送系统。在一个非限制性 示例中，数据能发送到调制器，以便它能跨绝缘屏障在高频载波上携带，其中，信号经解调 并转送到附加的控制电路。此控制电路能用于控制一个或多个装置。具体而言，此控制能用 于控制显示器，例如计算机监视器或视频显示器。此类方案能用于消除当前使用的数百、数 千或更大数量的传导互连，具有大大降低此类显示器的成本并增加其可靠性的可能性。这 能应用到任何光电半导体装置系统，包括例如发光显示器和液晶显示器，其中，可要求密封 各个装置(或像素)以防止大气或其它环境状况。在一个实施例中，系统传送功率和数据。除功率外，电感或电容耦合能用于传送数 据。例如，可能使用逆变器作为调制器，以便它能传送功率和数据。此外，可生成调制的数 据信号，将其与功率传送波形组合，并且跨相同无接触链路来发送。备选的是，数据信号可 通过单独的无接触链路来传送。图10示出一无接触数据传送系统实施例。系统148包括接收要传送的数据信号 的调制器150。该调制器调制载频信号，载频信号在调制的数据信号中编码数据，调制的数 据信号输送到无接触链路152。无接触链路152包括布置在屏障封装158外部的电感器线 圈154和布置在屏障封装内部的电感器线圈156。电感器线圈156接收调制的数据信号，该 信号在解调器160解调以提取数据信号，并且数据信号被转送到附加的控制电路162，该控 制电路可配置成控制装置。在本发明的进一步的实施例中，是一种制造集成的无接触供电的光电半导体装置 系统的方法。该方法包括以下步骤在衬底上提供光电半导体装置，并且提供可操作地电 耦合到光电半导体装置的第一无接触功率传送元件。光电半导体装置可使用本领域技术人 员已知的技术来制造。电介质屏障封装包围装置和第一无接触功率传送元件来布置。第二 无接触功率传送元件可操作地电耦合到电源，在屏障封装外部并在第一无接触功率传送元 件对面以形成集成装置。在一个实施例中，第一和第二无接触功率传送元件是电感器，例如 薄膜电感器。在一备选实施例中，无接触功率传送元件是例如薄膜电容器的电容器的极板。 薄膜电容器或电感器能通过如本领域技术人员已知的多种方法来制造。在本发明进一步的 备选实施例中，是一种制造无接触供电的光电半导体装置系统的方法，其中，电耦合到电源 的第二功率传送元件布置在其自己的衬底上，并且可能与环境电隔离，从而提供系统的固 定部分。第一功率传送元件、光电半导体装置和屏障封装在单独的衬底上制造，从而提供系 统的可更换组件。虽然本发明的所有上述实施例教导了功率到封装的光电半导体装置中的无接触 传送，但本发明并不限于其中将功率传送到封装的光电半导体装置中的系统。其中从封装 的光电半导体装置传送出功率的无接触功率传送系统也落在本发明的范围内。例如，无接 触功率传送系统可包括从其传送出能量的封装的光伏装置。图11中示出一个此类示例。无接触功率传送系统164包括光伏组装件165，其包 括一个或多个光伏装置。来自DC组装件的DC输出Vio由逆变器166从DC转换成AC。AC 电压VAa输送到形成无接触链路的内部功率传送组件的电感器线圈Lia 167。光伏组装件165、逆变器166和线圈Lia 167全部封装在屏障封装168内。能量跨封装磁传送到电感器 线圈Lib 169。线圈的AC电压输出Vac2可供应到电网或者可转换成DC并存储在存储装置 中。在一个实施例中，光伏装置是有机光伏装置。示例 1在无接触供电的第一示例170中，在无接触模式中对500欧姆负载172供电。如 图13中示出的，低频或线路频率AC源174用于对高频发生器176供电。使用了具有主线 圈178和副线圈180的螺旋变压器。1密耳(mil)迈拉(Mylar)层形成变压器线圈之间的 屏障。电容滤波器193 (C = 0. 22uF)与全桥式整流器182 (4x MBR1100RLG)组合使用以整 流来自副线圈的输出并跨负载172提供DC输入。主电流和副电流(主线圈和副线圈)均 用Lecroy AP 105电流探针来测量。主电压和副电压均用Lecroy PP007探针来测量以比 较主电压上的功率和副电压上的功率。频率发生器的频率输出从250kHz到IMHz地变化， 并且主和副功率输出已确定。在有和没有铁氧体磁芯情况下执行了测量。表1中概括了没 有铁氧体磁芯层的结果。表2中概括了有铁氧体磁芯层的结果。表1 主线圈和副线圈的测量的功率输出。 表2 在500欧姆负载和主侧上有铁氧体磁芯层的情况下在螺旋变压器主线圈和 副线圈上测量的功率。 表1和2中概括的结果指示出在越高的频率，无接触功率传送的效率就越大。示例 2示例1的无接触供电电路用于对如图13中示出的制造的封装的OLED(有机发光 装置)装置供电。该系统包括由通过玻璃隔离物192分离的底部玻璃衬底188和顶部玻璃 衬底190来封装的0LED。扩散体194跨底部衬底188布置，通过其光从封装的OLED显现。 电源196电连接到顶部衬底的外侧，并且供应功率到主线圈198。能量跨顶部衬底传送到副 线圈200。来自副线圈的AC输出由整流器电路202转换成用于对OLED 186赋能的DC输 出ο虽然本文中只示出和描述了本发明的某些特征，但本领域的技术人员将想到许多 修改和改变。因此，要理解，随附权利要求旨在涵盖落在本发明真正精神内的所有此类修改 和改变。
权利要求
一种系统，包括封装的光电半导体装置，至少部分地布置在屏障封装内；以及无接触功率传送系统，配置成跨所述屏障封装来传送功率和数据中的至少一个。
2.如权利要求1所述的系统，其中所述无接触功率传送系统的第一部分布置在所述封 装内部，并且所述无接触功率传送系统的第二部分布置在所述封装外部，其中所述第一部 分与所述第二部分没有接线的接触，以及其中所述第一部分和第二部分配置成跨所述屏障 封装来传送能量。
3.如权利要求2所述的系统，其中所述无接触功率传送系统是电感功率传送系统。
4.如权利要求3所述的系统，其中所述屏障封装基本上对磁场是透明的。
5.如权利要求3所述的系统，其中所述电感功率传送系统包括至少一个变压器，所述 至少一个变压器包括布置在所述屏障封装的外部的至少一个第一电感器线圈和布置在所 述封装内部的至少一个第二电感器线圈，其中所述至少一个第一和所述至少一个第二电感 器线圈配置成跨所述屏障封装来传送能量。
6.如权利要求3所述的系统，其中所述电感功率传送系统还包括与所述至少一个第一 或第二电感器线圈相邻的至少一个磁层。
7.如权利要求6所述的系统，其中所述至少一个第一或第二电感器线圈定位在所述至 少一个磁层与所述屏障封装之间。
8.如权利要求6所述的系统，其中所述至少一个磁层是分开的层。
9.如权利要求3所述的系统，其中所述至少一个变压器是升压或降压变压器。
10.如权利要求3所述的系统，其中所述至少一个变压器是可变变压器，并且跨所述屏 障封装的能量传送是可变的。
11.如权利要求3所述的系统，其中所述电感功率传送系统包括配置成跨所述屏障封 装来传送能量的多个变压器。
12.如权利要求2所述的系统，其中所述无接触功率传送系统是电容功率传送系统。
13.如权利要求12所述的系统，其中所述电容功率传送系统包括至少一对功率传送电 容器，所述至少一对电容器的每个电容器包括第一极板和第二极板，其中电容器的所述对 的每个的第一极板布置在所述屏障封装的外部，并且电容器的所述对的每个的第二极板布 置在所述屏障封装的外部，其中所述屏障封装定位成充当所述至少一对电容器的每个电容 器的第一极板与第二极板之间的电介质隔离物。
14.如权利要求12所述的系统，包括多个功率传送电容器。
15.如权利要求1所述的系统，还包括将DC功率转换为输入到所述无接触功率传送系 统的AC功率的逆变器。
16.如权利要求1所述的系统，还包括高频发生器以提供输入到所述无接触功率传送 系统的高频功率。
17.如权利要求1所述的系统，还包括将从所述无接触功率传送系统输出的AC功率转 换为DC功率的整流器。
18.如权利要求17所述的系统，还包括配置成减少所述整流器的AC分量的至少一个滤 波电容器。
19.如权利要求1所述的系统，还包括配置为DC阻塞滤波器的至少一个阻塞电容器。
20.如权利要求1所述的系统，其中所述屏障封装包括含有有机材料、无机材料或它们 的组合的材料。
21.如权利要求1所述的系统，其中所述屏障封装包括含有玻璃、金属、聚合物或它们 的组合的材料。
22.如权利要求1所述的系统，其中所述装置是光伏装置，以及其中功率跨所述封装从 所述装置耦合出来。
23.如权利要求1所述的系统，其中所述光电半导体装置是照明装置，并且功率跨所述 封装耦合到所述照明装置中以对所述照明装置供电。
24.如权利要求23所述的系统，其中所述照明装置是有机发光装置。
25.如权利要求24所述的系统，其中所述有机发光装置用作整流器元件。
26.如权利要求23所述的系统，其中所述发光光电半导体装置是显示装置。
27.如权利要求1所述的系统，其中所述装置是薄膜装置。
28.如权利要求1所述的系统，其中所述装置是检测器阵列。
29.如权利要求1所述的系统，其中所述屏障封装包括防止氧气和水蒸汽的屏障。
30.如权利要求1所述的系统，其中所述系统配置用于通过单个无接触功率传送链路 的功率和数据传送。
31.如权利要求1所述的系统，其中所述系统配置用于通过不同无接触功率传送链路 的功率和数据传送。
32.如权利要求1所述的系统，其中所述系统还包括调制器，通过调制对所述无接触功率传送系统的输入功率来编码数据以用于数据传 送；以及解调器，通过解调来自所述无接触功率传送系统的输出功率来解码传送的数据。
33.一种系统，包括封装的平面光电半导体装置，至少部分地布置在屏障封装内；以及 无接触功率传送系统，配置成跨所述屏障封装来传送功率和数据中的至少一个。
34.一种制造集成的无接触功率传送光电半导体装置系统的方法，包括 在衬底上提供光电半导体装置；提供可操作地电耦合到所述光电半导体装置的第一无接触功率传送元件； 提供包围所述光电半导体装置和所述第一无接触功率传送元件的电介质屏障封装；以及提供可操作地电耦合到电源、在所述屏障封装外部并在所述第一无接触功率传送元件 对面的第二无接触功率传送元件以形成集成的装置。
35.如权利要求34所述的方法，其中所述第一和第二无接触功率传送元件是薄膜电感
36.如权利要求34所述的方法，其中所述第一和第二无接触功率传送元件是薄膜电容 器的极板。
37.一种制造无接触功率传送光电半导体装置系统的方法，包括提供与所述光电半导体装置集成并布置在屏障封装内部的第一无接触功率传送元件;以及提供布置在衬底上并定位在所述屏障封装外部并且与所述光电半导体装置分离布置 的第二无接触功率传送元件。
全文摘要
公开了一种无接触功率和数据传送系统。该系统包括至少部分地布置在屏障封装内的封装的光电半导体装置和配置成跨屏障封装来传送功率和数据中的至少一个的无接触功率传送系统。还公开了一种用于制造无接触功率和数据传送系统的方法。
文档编号H05B33/08GK101904219SQ200880122582
公开日2010年12月1日 申请日期2008年11月14日 优先权日2007年12月20日
发明者A·G·埃尔拉特, A·亚基莫夫, C·M·A·赫勒, J·S·格拉泽, K·E·利茨 申请人:通用电气公司