专利名称：非线性光学晶体氟碳酸钡铯的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种新型光电子功能材料及生长方法和用途，特别是涉及一种非线性光学晶体材料及其制备方法和用途，即氟碳酸钡铯，其化学式为Cs3Ba4 (CO3) 3F5，简称CBCF。
背景技术：
晶体的非线性光学效应是指这样一种效应当一束具有某种偏振方向的激光按一定入射方向通过一块非线性光学晶体(如CBCF)时，该光束的频率将发生变化。
具有非线型光学效应的晶体称为非线性光学晶体。利用非线性光学晶体进行激光频率转换，拓宽激光波长的范围，使激光的应用更加广泛。尤其是硼酸盐类非线性光学晶体如BBO、LB0, KBBF, SBBO, ΤΒ0, ΚΑΒΟ、BABO等晶体以其优异的光学性质而倍受关注。在光学照相、光刻蚀、精密仪器加工等领域的发展越来越需要紫外和深紫外激光相干光源，即需要性能优异的紫外和深紫外非线性光学晶体。
KBBF的基本结构基元是出03广平面基团，此晶体的紫外吸收边在155nm左右，具有适中的双折射率(Λη = O. 07)，可以实现很宽的相位匹配范围，是目前为止最优秀的深紫外非线性光学晶体。但由于KBBF是一种层状结构的晶体，层与层之间是靠静电吸引而不是通过价键相连接的，层状习性严重，在ζ方向生长速度很慢，生长出的单晶体分层现象明显，晶体不易生长。
SBBO的基本结构基元也是出03)3_平面基团，但它用氧取代氟离子，使得层与层之间通过氧桥相互连接，以便改进KBBF的层状习性，而每一层的结构则保持基本不变。SBBO 不仅具有较大的宏观倍频系数，低的紫外吸收边(165nm)，适中的双折射率(Λη = O. 06)， 而且彻底克服了晶体的层状习性，解决了晶体生长的问题。在此基础上，保持出03)3_基团的结构条件基本不变，替换阳离子Sr2+和Be原子，相继研制了 ΤΒ0、KABO、BABO等一系列非线性光学晶体，它们统称为SBBO族晶体。它们克服了 KBBF单晶生长的层状习性，但这些晶体到目前为止还不能取代KBBF单晶，因为SBBO和TBO晶体的结构完整性不好，其宏观性能显示的光学均匀性非常差，目前还无法在实际器件中得到应用；ΚΑΒ0和BABO晶体的结构完整性很好，具有较好的光学均匀性，但由于Al取代了 Be，它们的吸收边红移到ISOnm左右， 很难用于深紫外的谐波输出。
由于(0)3)2_与(BO3)3_的结构和配位数相似，我们认为可用(C03)2_代替(B03)3_，然后以碱金属和碱土金属离子作为阳离子，加入氟离子调整层间结构，从而得到新的化合物， 开拓深紫外非线性光学晶体的应用。经过固相合成，晶体生长，单晶结构测定，证实了这种设想是可能的。发明内容
本发明的目的在于提供一种氟碳酸钡铯化合物，其化学式为Cs3Ba4 (CO3) 3F5。
本发明的另 一目的在于提供一种氟碳酸钡铯化合物制备方法。
本发明的另一目的在于提供一种氟碳酸钡铯非线性光学晶体，其化学式为Cs3Ba4 (CO3) 3F5。
本发明的再一目的在于提供一种氟碳酸钡铯非线性光学晶体的生长方法。
本发明还有一个目的在于提供氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途。
本发明的技术方案如下
本发明提供的氟碳酸钡铯化合物，其化学式为Cs3Ba4(CO3)3F515
本发明提供的氟碳酸钡铯化合物的制备方法，其步骤如下将含Cs、Ba、C和F的化合物原料按其摩尔比为Cs BaCF = 343 5的比例均匀混合研磨后，装入钼坩锅中，缓慢升温300 400°C后，预烧I 5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在500 600°C下烧结12 20小时，冷却至室温，取出研磨，得到本发明的粉末状氟碳酸钡铯化合物，对其进行XRD检测(图3a)，其分子式为Cs3Ba4 (CO3) 3F5。所述的含Cs化合物原料为含铯碳酸盐，所述的含Ba化合物原料为含钙的氟化物或碳酸盐，所述的含C化合物原料为Cs2CO3 或BaCO3,所述的含F化合物原料为BaF2。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体，其化学式为Cs3Ba4(CO3)3F5，该晶体不具有对称中心，属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为a= ll.5158A，b = 11.5158 A， c = 7.6132 Α, α = β = 90°，γ =120。，ζ = 2，单胞体积为V =874.350 Α3。晶体结构如图2。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的生长方法，其步骤如下在CO2气氛中，以BaF2-Cs2CO3为助熔剂生长，BaF2/Cs2C03摩尔比为1/2 2/1，以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4 1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700 800°C至原料完全熔化，恒温I 20小时后，迅速降温至饱和温度以上5 10°C，然后按每日I 5°C的速率降温至600°C，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得本发明的尺寸为 O. 5X0. 3X0. 4mm的氟碳酸钡铯非线性光学晶体。采用的化合物原料为含铯的碳酸盐、含钡的氟化物或碳酸盐、Cs2CO3或BaCO3和BaF2。得到的晶体状氟碳酸钡铯，再研磨成粉末，对其进行XRD检测，结果如图3b。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的生长方法，其步骤如下在CO2气氛中，以BaF2-Cs2CO3为助熔剂生长，BaF2/Cs2C03摩尔比为1/2 2/1，以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4 1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700 800°C至原料完全熔化， 恒温I 20小时后，迅速降温至饱和温度以上5 10°C，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10 20转/分，降温至饱和温度，然后按 1 5°C /天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10 30°C /小时的速率降至室温，获得尺寸为8X6X8mm本发明的氟碳酸钡铯非线性光学晶体。采用的化合物原料为含铯的碳酸盐、含钡的氟化物或碳酸盐、Cs2CO3或BaCO3和BaF2。得到的晶体状氟碳酸钡铯，再研磨成粉末，对其进行XRD检测，结果如图3b。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，该非线性光学晶体氟碳酸钡铯用于激光器激光输出的频率变换。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，该晶体用于对波长为1.064 μ m 的激光光束产生2倍频，3倍频，4倍频，5倍频的谐波光输出。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，该晶体用于产生波长低于 200nm的谐波光输出。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，所述的非线性光学晶体为用于紫外区的谐波发生器，光参量与放大器件及光波导器件。
本发明提供的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，所述的非线性光学晶体为从红外到紫外区的光参量与放大器件。
本发明的效果在于提供了一种化学式为Cs3Ba4(CO3)3F5的化合物，该化合物的非线性光学晶体及其制备方法和用途。使用粉末倍频测试方法测量了 Cs3Ba4(CO3)3F5的相位匹配能力，其粉末倍频效应为它的倍频系数是KH2PO4 (KDP)的1. 8倍。它的紫外吸收边为 210nm。Cs3Ba4(CO3)3F5晶体能够实现Nd: YAG ( λ =1. 064 μ m)的2倍频，并且，可以预测 Cs3Ba4 (CO3) 3F5能够用于Nd: YAG的3倍频、4倍频、5倍频的谐波发生器。另外，Cs3Ba4 (CO3) 3F5 单晶无色透明，化学稳定性好。所以可以预见，Cs3Ba4(CO3)3F5将在各种非线性光学领域中获得广泛应用，并将开拓深紫外波段的非线性光学应用。
图1是Cs3Ba4(CO3)3F5晶体作为倍频晶体应用时非线性光学效应的典型示意图，其中I是激光器，2是入射激光束，3是经晶体后处理及光学加工的Cs3Ba4 (CO3) 3F5单晶体，4是所产生的出射激光束，5是滤波片。
图2是Cs3Ba4 (CO3) 3F5晶体单胞结构示意图。
图3是Cs3Ba4 (CO3) 3F5的x射线衍 射图谱，其中3a是固相合成Cs3Ba4 (CO3) 3F5粉末样品的衍射图，3b是Cs3Ba4 (CO3) 3F5单晶研磨成粉末后的衍射图。
具体实施方式
实施例1
采用高温固相反应合成化合物Cs3Ba4 (CO3) 3F5
所用原料=BaCO31. 974 克(O. Olmol)
BaF2 2. 920 克(O. 0167mol)
Cs2CO3 3. 260 克(O. Olmol)
其化学反应方程式为
3BaC03+3Cs2C03+5BaF2 = 2Cs3Ba4(CO3)3F5具体操作步骤如下在操作箱内将上述原料按上述剂量称好后，放入研钵中混合均匀并仔细研磨，然后装入Φ30Χ30πιπι的钼坩锅中，用药匙将其压紧加盖，放入马弗炉中(马弗炉置于通风橱内，通风橱排气口通过水箱排气)，缓慢升温至400°C并恒温预烧3小时，开始升温速率一定要缓慢，防治因分解造成配比的变化，使固相反应充分进行。冷却后取出坩锅，此时样品较疏松。接着取出样品在操作箱内重新研磨均匀，再置于坩锅中压紧加盖，在马弗炉内于600°C下烧结20小时，冷却后取出，这时样品结成一块，将样品放入研钵中捣碎研磨即得产品。对该产物进行X射线分析， 所得谱图(图3a)与Cs3Ba4(CO3)3F5单晶研磨成粉末后的X射线图(图3b)是一致的。
实施例2
采用熔盐法生长晶体Cs3Ba4 (CO3) 3F5
晶体生长装置为自制的通气电阻丝加热炉，控温设备为908PHK20型可编程自动控温仪。选用BaF2-Cs2CO3做助熔剂，自发成核得到晶体。
所用原料=BaCO3分析纯 AR 19. 740 克(O.1mol)
BaF2 分析纯 AR 29. 200 克(O. 167mol)
Cs2CO3 分析纯 AR 32. 600 克(O.1mol)
具体操作步骤如下将上述原料按上述剂量称好后，混合均匀，然后装入 Φ60 X 60mm的钼坩锅中，置于自制生长炉内，升温750°C至原料完全熔化，恒温10小时后， 迅速降温至饱和温度以上5 10°C，然后按每日3°C的速率降温至600°C，关闭炉子。待样品冷却后，用水洗去助熔剂，即获得透明的Cs3Ba4(CO3)3F5单晶，尺寸为O. 5X0. 3X0. 4mm。
实施例4
采用熔盐法生长晶体Cs3Ba4 (CO3) 3F5
晶体生长装置为自制的通气电阻丝加热炉，控温设备为908PHK20型可编程自动控温仪。选用BaF2-Cs2CO3做助熔剂，将实例2得到的晶体进行定向切割成所设计的籽晶。
所用原料=BaCO3分析纯 AR 39. 480 克(O. 2mol)
BaF2 分析纯 AR 58. 400 克(O. 334mol)
Cs2CO3 分析纯 AR 65. 200 克(O. 2mol)
具体操作步骤如下将上述原料按上述剂量称好后，混合均匀，然后装入 Φ60 X 60mm的钼坩锅中，置于自制生长炉内，升温750°C至原料完全熔化，恒温10小时后， 迅速降温至饱和温度以上5 10°C，将籽晶固定在籽晶杆的下端，从炉顶部的小孔导入坩埚，使籽晶与熔体液面接触开始晶体生长。籽晶杆的旋转速度为15转/分，降温至饱和温度，然后按I°C /天的速率缓慢降温。降温结束后将晶体提离液面，以20°C /小时的速率降至室温，即获得较大尺寸的Cs3Ba4 (CO3) 3F5单晶，尺寸为8X6X8mm。
实施例5
将实例4得到的晶体，加工切割，定向，抛光后置于图1所示装置中的3的位置，在室温下，用调Q Nd: YAG激光做输入光源，入射波长为1064nm，观察到`明显`的532nm倍频绿光输出，输出强度约为同等条件KDP的1. 8倍。
权利要求
1.化合物氟碳酸钡铯，其特征在于其化学式为Cs3Ba4(CO3)3F5，属于六方晶系，空间群为 P63mc，晶胞參数为 a= 11.5158 A，b = 11.5158 A，c = 7.6132A，a = @ = 90°，y=120°，Z = 2，单胞体积为 V= 874.350 A3。
2.—种权利要求1的氟碳酸钡铯化合物的制备方法，其特征在于将含Cs、Ba、F和C的化合物原料按适当比例均匀混合研磨后，缓慢升温300 400°C后，预烧I 5小时；冷却至室温，取出研磨；然后在500 600°C下烧结12 20小时，冷却至室温即可获得氟碳酸钡铯化合物。
3.权利要求1的化合物氟碳酸钡铯的非线性光学晶体。
4.一种权利要求3所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的生长方法，在CO2气氛中采用熔盐法生长，其特征在于以BaF2-Cs2CO3为助熔剂生长，BaF2/Cs2C03摩尔比为1/2 2/1，以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4 1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700 800°C至原料完全熔化，恒温I 20小时后，迅速降温至饱和温度以上5 10°C，然后按每日I 5°C的速率降温至600°C，关闭炉子；待样品冷却至室温后，用水洗去助熔剂，即获得本发明的尺寸为0. 5X0. 3X0. 4mm的氟碳酸钡铯非线性光学晶体。
5.一种权利要求3所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的生长方法，在CO2气氛中采用熔盐法生长，其特征在于以BaF2-Cs2CO3为助熔剂生长，BaF2/Cs2C03摩尔比为1/2 2/1，以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/4 1/2，将原料按上述比例混合均匀，升温700 800°C至原料完全熔化，恒温I 20小时后，迅速降温至饱和温度以上5 10°C，将籽晶固定在籽晶杆的下端与熔体液面接触开始晶体生长；籽晶杆的旋转速度为10 20转/分，降温至饱和温度，然后按I 5°C /天的速率缓慢降温；降温结束后将晶体提离液面，以10 300C /小时的速率降至室温，获得尺寸为8X6X8mm本发明的氟碳酸钡铯非线性光学晶体。
6.一种权利要求3所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，其特征在于该非线性光学晶体用于激光器激光输出的频率变换。
7.—种权利要求6所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，其特征在于该非线性光学晶体用于对波长为1. 064 u m的激光光束产生2倍频或3倍频或4倍频或5倍频的谐波光输出。
8.—种权利要求6所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，其特征在于该非线性光学晶体用于产生波长低于200nm的谐波光输出。
9.一种权利要求6所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，其特征在于所述的非线性光学晶体为用于紫外区的谐波发生器，光參量与放大器件及光波导器件。
10.一种权利要求6所述的氟碳酸钡铯非线性光学晶体的用途，其特征在于所述的非线性光学晶体为从红外到紫外区的光參量与放大器件。
全文摘要
一种非线性光学晶体化合物氟碳酸钡铯，其化学式为Cs3Ba4(CO3)3F5(简称CBCF)，属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2，单胞体积为它的倍频系数是KH2PO4(KDP)的1.8倍。它的紫外吸收边短为210nm。采用固相合成方法在高温下烧结获得CBCF化合物。在CO2气氛中使用熔盐法，以BaF2-Cs2CO3做助熔剂可以成功生长出单晶体。Cs3Ba4(CO3)3F5具有非线性光学效应，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓紫外波段的非线性光学应用。
文档编号C30B29/10GK103031600SQ201110297160
公开日2013年4月10日 申请日期2011年9月29日 优先权日2011年9月29日
发明者叶宁, 邹国红 申请人:中国科学院福建物质结构研究所