专利名称：一种多通道均匀上排气热场机构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种多通道均勻上排气热场机构，用于直拉硅单晶生长过程中的均勻上排气。
背景技术：
直拉法是目前是单晶硅生长的主要方法，随着热场设计的发展，现在的直拉单晶炉普遍采用上排气机构。这种上排气方式可以有效的节省石墨件，尤其是加热器等重要热场部件的消耗，降低硅单晶的生产成本。但是，公知的上排气装置由于缺乏对气流的合理引导，特别是上排气孔的不均勻分布和排气量不合理，容易在熔硅液面上方产生气体乱流，从而影响单晶生长气氛，对晶体生长带来很大的不确定性。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种排气均勻、对气流合理引导的多通道均勻上排气热场机构。为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是一种多通道均勻上排气热场机构，包括排气箱和与排气箱的底端连通的主排气管；其关键在于所述排气箱由圆环形上盖、圆环形下盖、内隔离筒和外隔离筒围成；所述内隔离筒的筒壁上设有多个上排气孔。作为本实用新型的进一步改进，所述内隔离筒与外隔离筒之间设有中隔离筒；在中隔离筒的筒壁上且与内隔离筒的筒壁上的上排气孔相对应的位置也设有上排气孔，上排气管的两端分别套装在所述两个相对应的上排气孔内；在所述圆环形下盖上且位于中隔离桶和外隔离桶之间的底面上设有主排气孔，所述主排气管的上端套装在主排气孔内。上述的圆环形上盖的底面上和圆环形下盖的顶面上各设置有三个分别与内隔离筒、中隔离筒和外隔离筒的顶端和底端固定的定位槽。上述的主排气管的数目为12个，上排气孔的数目为12个。采用上述技术方案所产生的有益效果在于本实用新型的整个排气管路设置在保温层外部，气体经由排气箱内侧壁上均勻分布的多个上排气孔进入排气箱，再从排气箱底部均勻分布的多个主排气管流向单晶炉的下排气管道，这种独特的均勻排气管路和流量控制，使上排气过程均勻，可以改善气体排放的方式和流量，从而有效抑制熔硅液面上方产生的气体乱流，使整个拉晶气氛平稳。
图1为本实用新型的结构剖视图；图2是圆环形上盖的结构示意图；图3是圆环形下盖的结构示意图；[0013]图4是内隔离筒的结构示意图；图5是中隔离筒的结构示意图；图6是外隔离筒的结构示意图；图中，1、圆环形上盖、2、圆环形下盖、3、内隔离筒，4、中隔离筒，5、外隔离筒，6、上排气管，7、主排气管。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。如图1-6所示，本实用新型包括排气箱和与排气箱的底端连通的主排气管；其关键在于所述排气箱由圆环形上盖、圆环形下盖、内隔离筒和外隔离筒围成；所述内隔离筒的筒壁上设有多个上排气孔。上排气孔为主要排气孔道，与单晶炉的上端排气口相连。所述内隔离筒3与外隔离筒5之间设有中隔离筒4;在中隔离筒4的筒壁上且与内隔离筒3筒壁上的上排气孔相对应的位置也设有上排气孔，上排气管6的两端分别套装在所述两个相对应的上排气孔内；在所述圆环形下盖2上且位于中隔离桶4和外隔离桶5之间的底面上设有主排气孔，所述主排气管7的上端套装在主排气孔内，主排气管7的下端与整个炉体的下提供排气系统相连。中隔离筒4将排气箱的内腔分为两部分内隔离筒3与中隔离筒4之间为保温腔，中隔离筒4与外隔离筒5为排气腔。上排气管6套装在保温腔的上部空间，用于将单晶炉的上端排气口反的气体导入排气腔。多个上排气管6处于同一水平面上，并且沿圆周均勻分布，多个主排气管7均勻设置在所述底面上，这样的设置，使得排气过程均勻，气流量合适，有效抑制熔硅液面上方产生的气体乱流，使整个拉晶气氛平稳。如图2、3所示，所述圆环形上盖1的底面上和圆环形下盖2的顶面上各设置有三个分别与所述内隔离筒3、中隔离筒4和外隔离筒5的顶端和底端固定的定位槽。圆环形上盖1、圆环形下盖2、内隔离筒3、中隔离筒4和外隔离筒5均为高纯石墨材质。定位槽为圆形，其圆心与上下盖的圆环圆心重合，不仅有定位功能，还可使得上述各个部件之间的连接为密封状态。所述主排气管7的数目为12个，所述上排气孔的数目为12个。
权利要求1.一种多通道均勻上排气热场机构，包括排气箱和与排气箱的底端连通的主排气管 (7);其特征在于所述排气箱由圆环形上盖(1)、圆环形下盖(2)、内隔离筒(3)和外隔离筒 (5)围成；所述内隔离筒(3)的筒壁上设有多个上排气孔。
2.根据权利要求1所述的一种多通道均勻上排气热场机构，其特征在于所述内隔离筒(3)与外隔离筒(5)之间设有中隔离筒(4);在中隔离筒(4)的筒壁上且与内隔离筒(3) 筒壁上的上排气孔相对应的位置也设有上排气孔，上排气管(6)的两端分别套装在所述两个相对应的上排气孔内；在所述圆环形下盖(2)上且位于中隔离桶(4)和外隔离桶(5)之间的底面上设有主排气孔，所述主排气管(7 )的上端套装在主排气孔内。
3.根据权利要求2所述的一种多通道均勻上排气热场机构，其特征在于所述圆环形上盖(1)的底面上和圆环形下盖(2)的顶面上各设置有三个分别与所述内隔离筒(3)、中隔离筒(4)和外隔离筒(5)的顶端和底端固定的定位槽。
4.根据权利要求1或2所述的一种多通道均勻上排气热场机构，其特征在于所述主排气管(7)的数目为12个，所述上排气孔的数目为12个。
专利摘要本实用新型公开了一种多通道均匀上排气热场机构，包括排气箱和与排气箱的底端连通的主排气管；排气箱由圆环形上盖、圆环形下盖、内隔离筒和外隔离筒围成；内隔离筒的筒壁上设有多个上排气孔。内隔离筒与外隔离筒之间设有中隔离筒；在中隔离筒的筒壁上且与内隔离筒筒壁上的上排气孔相对应的位置也设有上排气孔，上排气管的两端分别套装在两个相对应的上排气孔内；在圆环形下盖上且位于中隔离桶和外隔离桶之间的底面上设有主排气孔，主排气管的上端套装在主排气孔内。本实用新型具有独特的均匀排气管路和流量控制，使上排气过程均匀，有效的控制了熔硅液面上方产生的气体乱流，使整个拉晶气氛平稳。
文档编号C30B15/00GK202214445SQ20112031504
公开日2012年5月9日 申请日期2011年8月26日 优先权日2011年8月26日
发明者张卫中, 曹中谦, 李雷, 杨运忠, 王汉召, 金莹 申请人:河北宇晶电子科技有限公司