专利名称：抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种漏电保护装置，尤其是涉及一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置。
背景技术：
随着人们生活质量的不断提高，电子、电器产品已进入千家万户，对于保护人身与设备的安全意识也在逐步加强，同时对各式各样保护器的要求也不断提高。我国目前所使用的漏电保护开关绝大部分是AC型，只要受保护电路部分由漏电产生，此漏电保护开关就会动作，在实际应用中有些高频短时间漏电是为了保护设备而必须的，漏电开关设计的目的就是为了防止由于设备或人体有对地长时间漏电而出现事故，漏电开关所要保护的电路是市网电，频率在50-60HZ，高频部分所产生的短时间漏电是不需 受保护范围的。在现有技术中，有一种用于电子日光灯上的漏电保护开关，当电子日光灯在启动的时候，它是通过一个充电电容启动的，日光灯启动以后，为了保护这个充电电容的寿命，需要将这个电容上的电充分泻放掉，而此时的电子整流器已经从工作电路中断开，要将这个电容上的电泻放掉，只能通过对地放电，如果一个场所使用的日光灯很多，而且是同时开启的时候，这个泻放电流就会很大，当这个泻放电流达到漏电保护开关额定值的时候，此时，漏电保护开关就会产生误动作，切断被保护线路供电电源，所以需要开发一种电子日光灯启动时抗高频干扰的漏电保护装置，保证只有出现真正是设备或人体对地漏电的时候，才会将需要保护的电路进行保护的漏电开关。本申请人的名称为《一种用于抗电子日光灯启动高频干扰的漏电保护装置》授权实用新型专利(专利号200920282413. 8)解决了上述的问题，但是由于单个贴片可控硅耐压低，浪涌实验难以通过，而插件可控硅的成本较高。
实用新型内容本申请人针对上述的问题，进行了研究改进，提供一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，采用双贴片可控硅，增大耐浪涌电压值，简化生产工艺，降低生产成本；同时解决电子日光灯启动高频干扰造成的开关误动作问题。为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下的技术方案一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，包括漏电感应电路、漏电检测电路、可控硅开关，漏电感应电路与漏电检测电路相连，用于感应漏电信号并将此电流信号转化成电压信号传送至所述漏电检测电路，所述漏电检测电路用于将接收的漏电信号经滤波、放大和整流得到一个直流电压输入至所述可控硅开关，所述漏电检测电路为漏电断路器芯片，第二可控硅开关串联所述可控硅开关，所述第二可控硅开关的控制极通过二极管及电阻连接所述芯片电源。进一步的[0010]在所述芯片的两个电压输入端跨接一高频吸收电容，用于屏蔽电子日光灯启动时出现的闻频干扰漏电。所述漏电感应电路包括漏电感应器和分别跨接在漏电感应器电压输出端的两个反向并联的二极管NI和NZ、抗电磁干扰电容C6、取样电阻R3以及限流电阻R2，所述高频吸收电容为电容C7，电容C7的一端与取样电阻R3相连后接所述芯片电压输入端I脚，电容C7另一端与限流电阻R2相连后接所述芯片电压输入端2脚。所述芯片为非延时漏电断路器芯片IC54123。所述可控硅开关及所述第二可控硅开关为贴片可控硅。本实用新型的技术效果在于本实用新型公开的一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，使用双贴片可控硅，增大耐浪涌电压值，比单插件可控硅耐压高，价格便宜，简化生产工艺，降 低生产成本；同时，电路中增加高频吸收电容，能够将一定频率以上的漏电信号进行屏蔽，从而在电子日光灯启动出现高频时不会对漏电开关产生误动作，达到保护电路的效果。
图I为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细的说明。如图I所示，本实用新型包括漏电感应器ZCT、漏电检测电路(采用非延时漏电断路器芯片IC54123)、可控硅开关Ql，第二可控硅开关Q2串联可控硅开关Ql，可控硅开关Ql的阳极连接第二可控硅开关Q2的阴极，第二可控硅开关Q2的控制极通过二极管D5和电阻R8连接芯片电源。正常情况下，三相负荷电流和对地漏电流基本平衡，流过漏电感应器一次线圈电流的相量和约为零，即由它在铁芯中产生的总磁通为零，漏电感应器二次线圈无输出。当发生触电时，触电电流通过大地成回路，亦即产生了零序电流。这个电流不经过漏电感应器一次线圈流回，破坏了平衡，于是铁芯中便有零序磁通，使二次线圈输出信号，漏电感应器就会将此电流信号转化成电压信号，并将该电压信号传送至漏电检测电路，漏电检测电路将接收的漏电信号经滤波、放大和整流得到一个直流电压输入至可控硅开关Q1，通过可控硅开关Ql的导通实现切断被保护线路供电电源。由于第二可控硅开关Q2的控制极通过二极管D5和电阻R8连接芯片电源，当第二可控硅开关Q2闭合，第二可控硅开关Q2控制极一直有正向电压，阳极连接整流桥正极，当芯片输出脚7脚给可控硅开磁Ql —个正向电压，可控硅开关Ql及第二控硅开关Q2导通。在本实施例中，可控硅开关Ql，第二可控硅开关Q2均采用贴片可控硅，单个贴片可控硅的耐压值为800V，4000V浪涌实验不能通过，改为两个贴片可控硅，耐压值可达到1200V，由于增加二极管D5 (耐压1000V)，反向耐压提高，使得开关可以通过6000V浪涌实验，比插件可控硅4000V浪涌还要高。漏电检测电路采用非延时漏电断路器芯片IC54123，该芯片包括有8个脚，其中，脚I和脚2为检测漏电电压输入端，在该两个脚上接了一个高频吸收电容C7，3脚和8脚为电源端，5脚为锁存脚，6脚为抗干扰(外接电容C3抗干扰)，而芯片的4脚和7脚为输出脚，脚4通过电容C4接地，脚7用于输出直流电压给可控硅开关Ql )，使可控硅开关Ql导通，切断电路。在实际应用中，当日光灯启动时会出现短暂高频漏电，为了保证这种因为这种漏电电路不断电，本实用新型在漏电感应电路和漏电检测电路之间连接一个电容C7，其中漏电感应电路包括漏电感应器ZCT，跨接在漏电感应器ZCT电压输出端的两个反向并联的二极管NI和N2、电容C6、取样电阻R3和限流电阻R2，当漏电感应器ZCT感应到的电压信号高于O. 7V的时候，通过这两个二极管起到一个很好的抑制作用，从而限制O. 7V以上的电压信号传输到芯片而损坏芯片；取样电阻R3的作用是漏电感应器感应的电压信号要通过该取样电阻，将需要的电压等级传输到芯片里面，从而达到调节漏电电流动作的额定值；限流电阻R2的作用为通过该电阻可将漏电感应器感应的电流限定在一定的范围，从而防止过大的电流传输到芯片里面而损坏芯片，起到保护芯片的作用；C6的作用为抗电磁干扰，因为现在使用的电子类消费品越来越多，电磁辐射在我们日常的生活当中很常见，为了防止由于电磁辐射导致漏电保护开关跳闸，C6电容能够很好的将电磁辐射的信号吸收。而电容C7是专门为抗日光灯启动而设计的，电容C7是高频吸收电容，因为日光灯启动所产生的高 频漏电信号和电磁辐射是有本质区别的，电磁辐射的信号不会造成三项电流的不平衡，而且电磁辐射的信号干扰频率要比电子日光灯启动所产生的信号频率高的多，所以在这里电容C6就不能很好的将电子日光灯所产生的漏电信号吸收掉，只有通过增加电容C7才能很好的将电子日光灯启动所产生的短时间漏电信号进行吸收，从而实现了抗电子日光灯启动时的干扰。
权利要求1.一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，包括漏电感应电路、漏电检测电路、可控硅开关，漏电感应电路与漏电检测电路相连，用于感应漏电信号并将此电流信号转化成电压信号传送至所述漏电检测电路，所述漏电检测电路用于将接收的漏电信号经滤波、放大和整流得到一个直流电压输入至所述可控硅开关，所述漏电检测电路为漏电断路器芯片，其特征在于第二可控硅开关串联所述可控硅开关，所述第二可控硅开关的控制极通过二极管及电阻连接所述芯片电源。
2.按照权利要求I所述的抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，其特征在于在所述芯片的两个电压输入端跨接一高频吸收电容，用于屏蔽电子日光灯启动时出现的闻频干扰漏电。
3.按照权利要求I所述的抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，其特征在于所述漏电感应电路包括漏电感应器和分别跨接在漏电感应器电压输出端的两个反向并联的二极管NI和NZ、抗电磁干扰电容C6、取样电阻R3以及限流电阻R2，所述高频吸收电容为电容C7，电容C7的一端与取样电阻R3相连后接所述芯片电压输入端I脚，电容C7另一端与限流电阻R2相连后接所述芯片电压输入端2脚。
4.按照权利要求I至3任一项所述的抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，其特征在于所述芯片为非延时漏电断路器芯片IC54123。
5.按照权利要求I至3任一项所述的抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，其特征在于所述可控硅开关及所述第二可控硅开关为贴片可控硅。
专利摘要本实用新型涉及一种抗电子日光灯启动高频干扰的双可控硅漏电保护装置，包括漏电感应电路、漏电检测电路、可控硅开关，漏电感应电路与漏电检测电路相连，用于感应漏电信号并将此电流信号转化成电压信号传送至所述漏电检测电路，所述漏电检测电路用于将接收的漏电信号经滤波、放大和整流得到一个直流电压输入至所述可控硅开关，所述漏电检测电路为漏电断路器芯片，其特征在于第二可控硅开关串联所述可控硅开关，所述第二可控硅开关的控制极通过二极管及电阻连接所述芯片电源。本实用新型使用双贴片可控硅，增大耐浪涌电压值，比单插件可控硅耐压高，价格便宜，简化生产工艺，降低生产成本。
文档编号H05B41/285GK202616747SQ20122026938
公开日2012年12月19日 申请日期2012年6月8日 优先权日2012年6月8日
发明者朱荣惠, 徐荣灿, 雷怀, 吴尚尚 申请人:无锡华阳科技有限公司