双门拉晶炉的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及半导体生产【技术领域】的设备，名称是双门拉晶炉，它具有架子，架子上安装有可摇摆的炉体，炉体内具有炉腔，所述的炉体是长方体的结构，所述的炉腔也是长方体的空腔，空腔的深度就是长方体的长，拉晶炉的开口处设置有炉门，所述的拉晶炉底部设置第二个开口，第二个开口处铰接有第二个炉门，这样的双门拉晶炉具有使用方便、维修支撑部位方便的优点。
【专利说明】双门拉晶炉
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体生产【技术领域】的设备，特别是涉及拉晶炉。
【背景技术】
[0002]拉晶炉是指半导体原料的分子在高温下进行排列整齐的装备，拉晶炉具有架子，架子上安装有可摇摆的炉体，炉体内具有炉腔，所述的炉体是长方体的结构，所述的炉腔也是长方体的空腔，空腔的深度就是长方体的长，也就是说炉腔是较深的；现有技术中，拉晶炉只有一个门，这样在向炉腔里面放置拉晶管时具有安装麻烦的缺点，另外，现有技术中，拉晶炉的底部还往往有支撑拉晶管的支撑部位，这些支撑部位容易损坏，一个门的拉晶炉具有维修支撑部位困难的缺点。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种使用方便、维修支撑部位方便的拉晶炉——双门拉晶炉。
[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的:双门拉晶炉，具有架子，架子上安装有可摇摆的炉体，炉体内具有炉腔，所述的炉体是长方体的结构，所述的炉腔也是长方体的空腔，空腔的深度就是长方体的长，拉晶炉的开口处设置有炉门，其特征是:所述的拉晶炉底部设置第二个开口，第二个开口处铰接有第二个炉门。
[0005]进一步地讲，所述的第二开口设置在底部的侧面。
[0006]本实用新型的有益效果是:这样的双门拉晶炉具有使用方便、维修支撑部位方便的优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本实用新型的剖面结构示意图。
[0008]图2是本实用新型的有一种情况的结构示意图。
[0009]其中:1、架子 2、炉体 3、炉腔 4、炉门 5、第二个炉门。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0011]如图1所示，双门拉晶炉，具有架子1，架子I上安装有可摇摆的炉体2，炉体2内具有炉腔3，所述的炉体是长方体的结构，所述的炉腔也是长方体的空腔，空腔的深度就是长方体的长，拉晶炉的开口处设置有炉门4，其特征是:所述的拉晶炉底部设置第二个开口，第二个开口处铰接有第二个炉门5。
[0012]由于设置第二个炉门5，向炉腔内部放置拉晶管时可以在炉体的两端操作，对炉体的维修也很方便，具有本实用新型的优点。
[0013]进一步地讲，所述的第二开口设置在底部的侧面，如图2所示，这样放置材料时更方便。
[0014]以上所述仅为本实用新型的具体实施例，但本实用新型的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本实用新型的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本实用新型的专利范围内。
【权利要求】
1.双门拉晶炉，具有架子，架子上安装有可摇摆的炉体，炉体内具有炉腔，所述的炉体是长方体的结构，所述的炉腔也是长方体的空腔，空腔的深度就是长方体的长，拉晶炉的开口处设置有炉门，其特征是:所述的拉晶炉底部设置第二个开口，第二个开口处铰接有第二个炉门。
【文档编号】C30B15/00GK204080176SQ201420540885
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月21日 优先权日:2014年9月21日
【发明者】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 钱俊有, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平 申请人:河南鸿昌电子有限公司