一种高压的led灯珠的制作方法

文档序号:8118976阅读:329来源:国知局
一种高压的led灯珠的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种高压的LED灯珠,包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于支架内腔底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶;支架的尺寸如下,长度为3.45至3.55毫米,宽度为2.75至2.85毫米,高度为0.60至0.70毫米。LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成,小型LED芯片的工作电流为50毫安,工作电压为18伏,属于高压低电流的LED灯珠,这样的LED灯珠结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广。
【专利说明】一种高压的LED灯珠

【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及LED灯珠【技术领域】,特别涉及一种高压的LED灯珠。

【背景技术】
[0002]LED灯珠以照明亮度高、安全、节能环保等优点而得到广泛的应用。现有的LED灯珠一般包括支架、设于支架内底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶。现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片,而该LED芯片的工作电流一般为150毫安,工作电压一般为3V,属于低压高电流的芯片,这样的LED芯片发热量大,长期囤积的热量容易损坏LED芯片自身,影响其使用寿命,而且这样的低压高电流芯片的能耗高,电能一般30%转化为光能,70%转化为热能,光强度一般,能源利用率低,并不符合节能环保的理念。同时需要设计结构复杂的散热结构或额外配置散热器来艰难地降温,形形色色的无效散热方法,导致成本居高不下,使得LED灯具的价格难以下降,普通百姓难以承受消费。而且现有的低压高电流的LED芯片配置的驱动电路庞大复杂,体积及电路成本较高,不利于降低驱动电路的生产设计成本。
[0003]因此,如何实现一种LED芯片结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广的新型的高压LED灯珠是业内亟待解决的技术问题。


【发明内容】

[0004]本实用新型的主要目的是提供一种高压的LED灯珠,旨在实现一种LED芯片结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广的新型的高压LED灯珠。
[0005]本实用新型提出一种高压的LED灯珠,包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于支架内腔底部的LED芯片结构、填充于支架内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶;LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成,小型LED芯片的工作电流为50毫安,工作电压为18伏;支架的尺寸如下,长度为3.45至3.55毫米,宽度为2.75至2.85毫米,高度为0.60至0.70毫米。
[0006]优选地,支架的长度为3.5毫米,宽度为2.8毫米,高度为0.65毫米。
[0007]优选地,每个支架内的LED芯片结构的数量设置为I至3个。
[0008]本实用新型的LED芯片结构与现有的LED灯珠的LED芯片结构不同,现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片,而该LED芯片的工作电流一般为150毫安,工作电压一般为3V,属于低压高电流的芯片。而本实用新型的LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成,小型LED芯片的工作电流为50毫安,工作电压为18伏,属于高压LED灯珠。同样功率的条件下,电流小,电压高,产生的总体功耗、热量比传统的LED要小,节能环保,在高低压转换时电源供应器的效率较高,高压LED可以大幅度减低AC-DC转换效率损失,以1W输出功率为例,如果采用正向压降为9V的0.3W高压LED,输出端可以采取3并16串的配置,16个串联LED的正向压降为160V,也就是说只需从市电220V交流电(AC)利用桥式整流及降60V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的IW低压LED,即便10个串在一起正向压降也不过30V,也就是说需要从220VAC市电降压到30VDC。我们知道,输入和输出压差越低,AC到DC的转换效率就越高,可见如采用高压LED,变压器的效率就可以得到大大提高,从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失,这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本.。另外,本实用新型的高压LED灯珠的驱动电路成本较低,驱动电路较为精简,体积及电路成本较低,在同样输出功率下,高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED.,如以高压蓝光0.3LED为例,它的正向压降高达9V,也即它只需30mA驱动电流就可以输出0.3W功率,而普通正向压降为3V的0.3LED,需要10mA驱动电流才能输出0.3功率,因此同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED,这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。因此,如采用高压LED来开发LED通用照明灯具产品,总体功耗可以大大降低,从而大幅降低对散热外壳的设计要求,如我们可用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求,由于散热铝外壳的成本是LED照明灯具的主要成本组成部分之一,铝外壳成本有效降低也意味着整体LED照明灯具成本的有效降低。高压LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低,但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求,从而有力扫清了 LED照明灯具进入室内照明市场的最大技术障碍。因此,高压LED将主导未来的LED通用照明灯具市场,十分值得进行推广应用。同时,高压LED灯珠也方便了可调光电路的导入。

【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1为本实用新型一种高压的LED灯珠的一实施例的立体结构示意图。
[0010]本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

【具体实施方式】
[0011]应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0012]参照图1,提出本实用新型的一种高压的LED灯珠的一实施例,包括内部设有内腔的支架100、若干安装固定于支架100内腔底部的LED芯片结构、填充于支架100内腔中并把LED芯片结构罩设住的荧光胶300。
[0013]LED芯片结构由3个小型LED芯片200串联而成,小型LED芯片200的工作电流为50毫安,工作电压为18伏。本实用新型的LED芯片结构与现有的LED灯珠的LED芯片结构不同,现有的LED芯片结构一般只设有I个LED芯片,而该LED芯片的工作电流一般为150毫安,工作电压一般为3V,属于低压高电流的芯片。而本实用新型的LED芯片结构由3个小型LED芯片200串联而成,小型LED芯片200的工作电流为50毫安,工作电压为18伏,属于高压LED灯珠。同样功率的条件下,电流小,电压高,产生的总体功耗、热量比传统的LED要小,节能环保,在高低压转换时电源供应器的效率较高,高压LED可以大幅度减低AC-DC转换效率损失,以1W输出功率为例,如果采用正向压降为9V的0.3W高压LED,输出端可以采取3并16串的配置,16个串联LED的正向压降为160V,也就是说只需从市电220V交流电(AC)利用桥式整流及降60V就可以了。但如果我们采用正向压降为3V的IW低压LED,即便10个串在一起正向压降也不过30V,也就是说需要从220VAC市电降压到30VDC。我们知道,输入和输出压差越低,AC到DC的转换效率就越高,可见如采用高压LED,变压器的效率就可以得到大大提高,从而可大幅降低AC-DC转换时的功率损失,这一热耗减少又可进一步降低散热外壳的成本.。另外,本实用新型的高压LED灯珠的驱动电路成本较低,驱动电路较为精简,体积及电路成本较低,在同样输出功率下,高压LED所需的驱动电流大大低于低压LED.,如以高压蓝光0.3LED为例,它的正向压降高达9V,也即它只需30mA驱动电流就可以输出0.3W功率,而普通正向压降为3V的0.3LED,需要10mA驱动电流才能输出0.3功率,因此同样输出功率的高压LED在工作时耗散的功率要远低于低压LED,这意味着散热铝外壳的成本可大大降低。因此,如采用高压LED来开发LED通用照明灯具产品,总体功耗可以大大降低,从而大幅降低对散热外壳的设计要求,如我们可用更薄更轻的铝外壳就可满足LED灯具的散热需求,由于散热铝外壳的成本是LED照明灯具的主要成本组成部分之一,铝外壳成本有效降低也意味着整体LED照明灯具成本的有效降低。高压LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低,但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求,从而有力扫清了 LED照明灯具进入室内照明市场的最大技术障碍。因此,高压LED将主导未来的LED通用照明灯具市场,十分值得进行推广应用。同时,高压LED灯珠也方便了可调光电路的导入。
[0014]支架100的尺寸如下,长度为3.45至3.55毫米,宽度为2.75至2.85毫米,高度为0.60至0.70毫米。本实施例中,支架100的长度为3.5毫米,宽度为2.8毫米,高度为0.65晕米。
[0015]每个支架100内的LED芯片结构的数量设置为I至3个,具体数量可根据实际需要的光强度进行设定。
[0016]本实用新型实现了一种LED芯片结构合理新颖、亮度高能耗低、发热低、节约生产成本、可有效简化相应的驱动电路、通用性强、适用范围广的新型的高压LED灯珠。
[0017]以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种高压的LED灯珠,其特征在于,包括内部设有内腔的支架、若干安装固定于所述支架内腔底部的LED芯片结构、填充于所述支架内腔中并把所述LED芯片结构罩设住的荧光胶;所述LED芯片结构由3个小型LED芯片串联而成,所述小型LED芯片的工作电流为50毫安,工作电压为18伏;所述支架的尺寸如下,长度为3.45至3.55毫米,宽度为2.75至2.85毫米,高度为0.60至0.70毫米。
2.根据权利要求1所述的一种高压的LED灯珠,其特征在于,所述支架的长度为3.5毫米,宽度为2.8毫米,高度为0.65毫米。
3.根据权利要求1或2所述的一种高压的LED灯珠,其特征在于,每个所述支架内的所述LED芯片结构的数量设置为1至3个。
【文档编号】H05B37/02GK204254381SQ201420822885
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月23日 优先权日:2014年12月23日
【发明者】李杏贤 申请人:中山市泓昌光电科技有限公司
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