本实用新型涉及一种组合泡沫，具体而言涉及一能够散射、吸收雷达波的组合泡沫。
背景技术：
发明专利201310206458.8公开了一种改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫，按重量计由聚氯乙烯糊树脂90～99份，氯化聚氯乙烯树脂1～10份，交联剂3～15份，异氰酸酯30～70份，酸酐9～24份，偶氮类发泡剂4～8份，环氧大豆油2～15份，导电填料5～50份制备而成。该泡沫的导电特性使其还具有吸收雷达波的功能，但是导电填料的含量不同，所吸收的雷达波的波段也不相同，单一含量的泡沫不具有吸收多波段雷达波的性能。在这种已知泡沫材料的基础上，通过改进结构来制作能够散射、吸收多波段雷达波的泡沫，对开发泡沫的应用前景具有重要意义。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种雷达波散射吸收型组合泡沫，该泡沫能够散射、吸收不同波段的雷达波，在一定意义上实现隐身功能。
为了实现上述目的，本实用新型采取如下技术方案：
一种雷达波散射吸收型组合泡沫，包括第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层和第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层，其特征在于，所述第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的一侧面为第一凹凸面，所述第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的一侧面为第二凹凸面，第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的第一凹凸面与第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的第二凹凸面相结合，并且第一凹凸面的凸起部位插入第二凹凸面的凹陷部位，第二凹凸面的凸起部位插入第一凹凸面的凹陷部位，所述第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层与第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层内导电填料的含量不相同。
优选的，所述第一凹凸面上的凸起形成平行的第一条锥状阵列，所述第二凹凸面上的凸起形成平行的第二条锥状阵列，第一条锥状阵列和第二条锥状阵列中的条锥截面均为等腰三角形。
进一步的，所述第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层内导电填料的含量重量百分比为4～10％，所述第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层内导电填料的含量重量百分比为11～17％。
更进一步的，在第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的另一侧面还依次连有1～20个改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层，并且相邻两个改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层中导电填料的含量不相同，相邻两个改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的接触面均为凹凸面。
本实用新型中，不同导电填料含量的改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层具有吸收不同波段的雷达波的功能，将这些泡沫组合在一起即可以实现多波段雷达波的吸收，从而使本泡沫有可能躲避雷达的追踪，同时，泡面表面的凹凸状有利于雷达波的散射，将雷达波散射到其他方向后，也可以避免被雷达捕捉，散射和吸收均可在一定意义上实现隐身功能。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型做进一步说明：
如图1所示，本雷达波散射吸收型组合泡沫至少包括第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层1和第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层2，两者在一侧面相互粘接在一起。所用改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的制备根据发明专利201310206458.8进行，并且该专利中导电填料的含量按重量计为5～50份，折合成重量百分比可包含4～17％这一范围，即导电填料的重量占泡沫总重量的4～17％。制作中调节导电填料的含量，即可得到不同的改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫，这些泡沫既具有不同的导电性能，也具有对不同波段雷达波的吸收能力。这些均为已知材料，并可以用“改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫”命名。因此本专利的创新点在于结构的改进，应该属于实用新型专利的保护范围。本专利中，第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层1的一侧面为第一凹凸面，第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层2的一侧面为第二凹凸面，第一凹凸面的凸起部位插入第二凹凸面的凹陷部位，第二凹凸面的凸起部位插入第一凹凸面的凹陷部位，这样使两个泡沫层紧密结合在一起。两个泡沫层内导电填料的含量不相同，以便散射和吸收不同波段的雷达波。
在本实用新型的一个优选实施例中，第一凹凸面上的凸起形成平行的第一条锥状阵列，第二凹凸面上的凸起形成平行的第二条锥状阵列，第一条锥状阵列和第二条锥状阵列中的条锥截面均为等腰三角形。
在上述由两层改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层组合成的雷达波吸收型组合泡沫中，第一改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层中导电填料的含量优选4～10％，第二改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层中导电填料的含量优选11～17％。
为了增加对更多的雷达波的吸收性能，可以在两层的基础上复合更多的改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层3，比如可以增加1～20层，而且相邻两层改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫中导电填料的含量不同，并且相邻两个改性导电型硬质交联聚氯乙烯泡沫层的接触面均为凹凸面，这样得到的组合泡沫散射、吸收雷达波的性能更加优良，从而一定程度上实现对雷达的隐身功能。
本实施例只是对本实用新型构思和实现的一个说明，并非对其进行限制，在本实用新型构思下，未经实质变换的技术方案仍然在保护范围内。