专利名称：超低频远红外辐射取暖器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种远红外电取暖器，具体地说是一种采用调频方式控制的超低频远红外辐射取暖器。
现有的辐射式电取暖器又称为远红外电取暖器，一般由石英辐射管电热元件作发热体，其控制方式大多以调压方式实现持续放电控温，可见是一种耗能较高的取暖器。
本实用新型的目的是要提供一种节能效果显著的，适应范围广的。采用可控硅调频方式控制构成的超低频振荡，闪烁充放电的节能远红外辐射取暖器。
本实用新型的目的是这样实现的，用陶瓷材料制成的园管，在园管上缠绕电阻丝，其表面再涂以一定厚度的红外涂料层构成发热体，呈灯芯状安装在一抛物面，背面涂以一定厚度的隔热涂料层，构成反射式灯状远红外辐射发热体。
本实用新型的优点是以低电平触发驱动双向可控硅作周期性轮换导通截止的最佳状态工作，从而使发热体达到一定高的发射率，持久的保持400－700℃范围内不衰减，达到降低能耗的目的。
本实用新型由于采用了可控硅调频技术，使超低频振荡的占空比可调，因此在且作用下与石英管持续放电的取暖器相比，在同样达到波长1－25Um，法向辐射率为0.94的结果下，如果使全电流导通与截止的占空比导通3／4个周期和截止1／4周期。可节能电约三分之一左右，功率越大，节电效果越明显。
实用新型的具体结构由以下实施例及其附图给出；
图1是本实用新型的控制电原理图；图2是本实用新型的整体外形示意图；图3是本实用新型的结构示意图。
参照图1，在市电220V的输入端串接一只电源开关K，在变压器初级的两端通过继电器开关J－1并联发热器R与双向可控硅SCR2串联，变压器B次级的两端并联一整流桥堆QL51，其后分别并联发热器和发光管LED1、LED2，控制电路是由时基集成电路IC2(型号为5G1555)，电位器W，电容器C4、C5，双向可控硅SCR1，二极管D1、D2，电阻R4，R5组成一个多谐振荡电路，间歇周期地导通截止，将电源开关K按下，电源通过W对IC2进行充电，C4进行放电，使D3、D5、SDR1周期地触发常闭常开J－1，延时电路由集成电路IC1(型号为5G1555)，电容C1、C2、C3、C4，电阻R1，继电器J组成，延时为三分钟，当发热器达到一定的热量后，J－1转换常开为常闭，由此C1向IC1充电，互相转换，由此恒定复始这一过程，得到周期性振荡放电，使发热器温度保持在所需的一定值，上述的电路均安置在一印制板12上。
参照图2，金属与塑料组成的外壳1，在壳体面板上有发光二极管指示灯2、3，还有低频振荡周期调节器5，开关4。
参照图3，在箱式的壳体内，发热器R是一个陶瓷管10，在陶瓷管10上缠绕电阻丝9，9的表面涂以一定厚度的红外涂料层8，构成发热体，呈灯芯将其安装在一抛物面的反射罩的背面涂料层7，构成反射式灯状远红外辐射发热器，该灯芯底部由隔热陶瓷板6隔离，将其安装于底座上，所述的反射罩11是由经抛光工艺处理的不锈钢材料制成的，也可采用经氧化工艺镀铬处理后的合金材料。
超低频远红外辐射取暖器，还可以根据需要做成功率为130W，270W、400W、530W、670W等不同系列产品。
权利要求1.一种超低频远红外辐射取暖器，由壳体1，发光二极管2、3，开关4，低频振荡周期调节器5，隔热陶瓷板6，隔热层7，红外涂料层8，电阻丝9，陶瓷管10，抛物面反射罩11等组成，其特征是陶瓷管10的外圆柱面上绕有电阻丝9，并有一层红外涂料层8，在壳体1内的隔热陶瓷板6的下方有一个可控硅调频电路的印制板12。
2.按照权利要求1所述的超低频远红外辐射取暖器，其特征是可控硅调频电路的印制板12上，有时基集成电路IC1、IC2，电阻R1－R5，二极管D1－D3，电容C1－C2，电位器W，触发器D3、D5，双向可控硅SCR1、SCR2，和继电器J，组成的调频控制器。
3.按照权利要求1、2所述的超低频远红外辐射取暖器，其特征是220伏交流电源变压器B的初级接发热体R，R另一端接可控硅SCR2的T1，SCR2的T2接220伏交流电源，变压器B次级的两端并联一整流桥QL51，其后分别并联发光二极管2、3，低频振荡周期调节器5，控制电路12的IC1、IC2和可控硅SCR1。
专利摘要一种超低频远红外辐射取暖器，由壳体1、发光二极管2、3开关4，低频振荡周期调节器5、隔热陶瓷板6、隔热层7、红外涂料层8、电阻丝9，陶瓷管10，抛物面反射罩11等组成，其特征是陶瓷管10的外圆柱面上绕有电阻丝9，并有一层红外涂料8，在壳体1内的隔热陶瓷板6的下方有一个可控硅调频电路的印刷板12，本实用新型与石英管取暖器相比，在相同的功率下，可节省电能约1/3左右。
文档编号H05B3/42GK2079842SQ8921151
公开日1991年6月26日 申请日期1989年3月13日 优先权日1989年3月13日
发明者唐振昌 申请人:唐振昌