电子设备的制造方法

电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明涉及电子设备，其为用保护片材覆盖电子设备主体1的表面而得到的电子设备，保护片材具备包含基材（X）和层叠在基材（X）上的层（Y）的多层结构体，层（Y）含有金属氧化物（A）、磷化合物（B）和离子价（FZ）为1以上且3以下的阳离子（Z），磷化合物（B）是含有能够与金属氧化物（A）反应的部位的化合物，在层（Y）中，构成金属氧化物（A）的金属原子（M）的摩尔数（NM）与源自磷化合物（B）的磷原子的摩尔数（NP）满足0.8≤NM/NP≤4.5的关系，且NM与阳离子（Z）的摩尔数（NZ）与FZ满足0.001≤FZ×NZ/NM≤0.60的关系。
【专利说明】
电子设备
技术领域
[0001] 本发明涉及电子设备。更详细而言，本发明涉及包含保护片材的电子设备，所述保 护片材具备包含基材(X)和层叠在前述基材(X)上的层(Y)的多层结构体。另外，本发明涉及 包含保护片材且包含量子点荧光体的电子设备，所述保护片材具备包含基材(X)和层叠在 前述基材(X)上的层(Y)的多层结构体。
【背景技术】
[0002] 以往，作为表示装置内的液晶等电子设备中使用的具有含铝阻气层的复合结构 体，提出了例如具有由氧化铝颗粒与磷化合物的反应产物构成的透明阻气层的复合结构体 (参照专利文献1)。
[0003] 作为形成该阻气层的一个方法，专利文献1公开了在塑料膜上涂布包含氧化铝颗 粒和磷化合物的涂布液，接着进行干燥和热处理的方法。
[0004] 然而，前述现有的阻气层在承受变形、冲击等物理应力时，有时产生裂纹、针孔之 类的缺陷，长期气体阻隔性有时不充分。
[0005] 另外，近年来，在发光二极管(LED)等电子设备中，作为转换入射光的波长并辐射 的荧光体而逐渐使用量子点。量子点(QD)是发光性的半导体纳米颗粒，直径的范围通常相 当于卜20nm。并且，在轮廓清晰、三维且纳米规模大小的半导体结晶中量子性地封闭有电 子。这种量子点荧光体容易发生聚集、因氧气等而劣化，因此通常分散在树脂等中使用。
[0006] 专利文献2记载了将多个量子点分散在由PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯）、聚苯乙烯、聚 碳酸酯、溶胶?凝胶、UV固化树脂和环氧树脂等热固性树脂构成的基质材料中而得到的闪 存·模块。
[0007] 然而，即使是分散在树脂中的量子点荧光体，有时仍然会因大气中包含的氧气、水 等而劣化。
[0008] 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2003-251732号公报 专利文献2:日本特开2006-114909号公报。

【发明内容】

[0009] 发明要解决的问题 本发明的目的在于，提供具备对于物理应力的耐性高、气体阻隔性和水蒸气阻隔性优 异的优异保护片材的电子设备。另外，本发明的目的在于，提供包含气体阻隔性和水蒸气阻 隔性优异的多层结构体、由在大气下长期使用导致的劣化受到抑制的电子设备。需要说明 的是，本说明书中，"气体阻隔性"是指在没有特别说明的情况下阻隔水蒸气以外的气体的 性能。另外，本说明书中，简写为"阻隔性"时，是指气体阻隔性和水蒸气阻隔性这两种阻隔 性。
[0010] 用于解决问题的手段 本发明人等进行了深入研究，结果发现:被包含特定层的多层结构体覆盖的包含量子 点荧光体的电子设备能够实现前述目的，从而完成了本发明。
[0011] 本发明是用保护片材3覆盖电子设备主体1的表面而得到的电子设备，保护片材3 具备包含基材(X)和层叠在基材(X)上的层(Y)的多层结构体。层(Y)含有金属氧化物(A)、磷 化合物(B)和离子价(Fz)为1以上且3以下的阳离子(Z)。磷化合物(B)是含有能够与金属氧 化物(A)反应的部位的化合物。通过在层(Y)中使构成金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔 数(Nm)与源自磷化合物(B)的磷原子的摩尔数(Np)与阳离子(Z)的摩尔数(Nz)与阳离子(Z) 的离子价(Fz)满足0.8彡Nm/Np<4.5的关系、在前述层(Y)中使前述摩尔数(Nm)与前述阳离 子(Z)的摩尔数(Nz)与前述阳离子(Z)的离子价(Fz)满足0.001彡FzXNz/Nm彡0.60的关系，从 而提供由大气中包含的氧气、水等导致的劣化受到抑制的电子设备。
[0012] 前述阳离子(Z)可以为选自锂离子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、钛离子、锆离 子、镧系离子、钒离子、锰离子、铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌离子、硼离子、铝离子和 铵离子中的至少1种阳离子。
[0013] 电子设备可以包含量子点焚光体。
[0014] 包含量子点荧光体的层的单侧或两侧可以配置有前述保护片材。
[0015] 前述层(Y)中，前述摩尔数(Nm)与前述摩尔数(Nz)与前述离子价(Fz)可以满足0.01 彡FzXNz/Nm彡0.60的关系。
[0016] 前述层(Y)中，前述磷化合物(B)的至少一部分也可以与前述金属氧化物(A)发生 反应。另外，前述磷化合物(B)可以为选自磷酸、多磷酸、亚磷酸、膦酸、亚膦酸、次膦酸、三价 膦酸和它们的衍生物中的至少1种化合物。
[0017] 在前述层(Y)的红外线吸收光谱中，800~ldOOcnf1的范围内的最大吸收波数可以 处于1,080~I，130CHT 1的范围。
[0018] 前述基材(X)可以包含热塑性树脂膜。
[0019] 前述层(Y)可以包含聚合物(C)，所述聚合物(C)含有选自羰基、羟基、羧基、羧酸酐 基和羧基的盐中的至少1种官能团。
[0020] 本发明的电子设备中，前述多层结构体还可以包含与前述层（Y)相邻配置的层 (W)。前述层(W)还可以包含聚合物(Gl)，所述聚合物(Gl)具有含磷原子的官能团。
[0021] 前述聚合物(Gl)可以为聚（乙烯基膦酸)或聚（甲基丙烯酸2-磷酰氧基乙酯）。
[0022] 本发明的电子设备可以包括如下工序:通过将金属氧化物(A)、含有能够与前述金 属氧化物(A)反应的部位的磷化合物(B)以及离子价(Fz)为1以上且3以下的阳离子(Z)的离 子性化合物(E)进行混合，从而制备第一涂布液(U)的工序〔I〕； 通过在前述基材(X)上涂布前述第一涂布液(U)，从而在前述基材(X)上形成前述层(Y) 的前体层的工序〔II〕；以及 将前述前体层以110°C以上的温度进行热处理的工序〔III〕， 前述第一涂布液(U)中，构成前述金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔数(Nm)与源自 前述磷化合物(B)的磷原子的摩尔数(Np)满足0.8<Nm/Np<4.5的关系，并且 前述第一涂布液(U)中，前述摩尔数(Nm)与前述阳离子(Z)的摩尔数(Nz)与前述离子价 (Fz)满足0 · 001 彡 Fz X Nz/Nm彡 0 · 60 的关系。
[0023]发明的效果 根据本发明，能够得到具备对于物理应力的耐性高、气体阻隔性和水蒸气阻隔性优异 的保护片材的电子设备。另外，根据本发明，能够得到具备气体阻隔性和水蒸气阻隔性优异 的保护片材、由在大气下长期使用导致的劣化受到抑制的电子设备。进而，根据本发明，能 够得到具备气体阻隔性和水蒸气阻隔性优异的保护片材、即使在大气下长期使用（例如连 续发光2,000小时)其劣化也少、性能保持率优异的包含量子点荧光体的电子设备。
【附图说明】
[0024]图1是本发明的实施方式所述的电子设备的部分剖面图。
[0025] 图2是示出将本发明的实施方式1所述的包含量子点荧光体的组成物用于密封材 料的至少一部分而得到的发光装置的例子的截面图。
[0026] 图3是示出使用了本发明的实施方式1所述的量子点荧光体分散树脂成型体的发 光装置的例子的截面图。
[0027] 图4是示出使用了本发明的实施方式1所述的包含量子点荧光体的组成物和量子 点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例子的截面图。
[0028]图5是包含本发明的实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的一例的截面 图。
[0029] 图6是应用了本发明的实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的发光装置 的一例的截面图。
[0030] 图7是应用了本发明的实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的发光装置 的其它例的截面图。
【具体实施方式】
[0031] 针对本发明，以下进行举例说明。需要说明的是，以下的说明中，有时例示出物质、 条件、方法、数值范围等，但本发明不限定于这样的例示。另外，被例示出的物质在没有特别 注释的情况下，可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
[0032] 在没有特别注释的情况下，本说明书中，关于"在特定的构件(基材、层等)上层叠 特定的层"这一记载的意义，除了以与该构件接触的方式层叠该特定层的情况之外，还包括 以隔着其它层的方式在该构件的上方层叠该特定层的情况。"在特定的构件(基材、层等)上 形成特定的层"、"在特定的构件(基材、层等)上配置特定的层"这一记载也是相同的。另外， 在没有特别注释的情况下，关于"在特定的构件(基材、层等)上涂布液体(涂布液等)"这一 记载的意义，除了在该构件上直接涂布该液体的情况之外，还包括在形成于该构件上的其 它层上涂布该液体的情况。
[0033] 该说明书中，如"层(Y)"那样地，有时标注符号(Y)而将层(Y)与其它层加以区分。 在没有特别注释的情况下，符号(Y)没有技术意义。针对基材(X)、化合物(A)和其它符号也 是同样的。其中，如氢原子(H)那样地明确表示特定元素的情况除外。
[0034][电子设备] 本发明的使用了多层结构体的电子设备具备电子设备主体和用于保护电子设备主体 表面的保护片材。本发明的电子设备中使用的保护片材具备包含基材(X)和层叠在基材(X) 上的层(Y)的多层结构体。以下的说明中，在没有特别注释的情况下，"多层结构体"这一单 词是指包含基材(X)和层(Y)的多层结构体。另外，"本发明的多层结构体"这一单词是指"本 发明中使用的多层结构体"。针对多层结构体详见后述。保护片材可以仅由多层结构体构 成，也可以包含其它构件、其它层。以下，在没有特别注释的情况下，针对保护片材具备多层 结构体的情况进行说明。
[0035] 将本发明的电子设备的一例的部分剖面图示于图1。图1的电子设备11具备：电子 设备主体1、用于密封电子设备主体1的密封材料2、以及用于保护电子设备主体1的表面的 保护片材(多层结构体)3。密封材料2覆盖电子设备主体1的整个表面。保护片材3在电子设 备主体1的一个表面上借助密封材料2进行配置。保护片材3以能够保护电子设备主体1的表 面的方式进行配置即可，可以直接配置在电子设备主体1的表面上（未图示），也可以如图1 那样地借助密封材料2等其它构件而配置在电子设备主体1的表面上。如图1所示那样，可以 在配置有第一保护片材的表面的相反侧表面配置第二保护片材。此时，配置于其相反侧表 面的第二保护片材可以与第一保护片材相同，也可以不同。
[0036] 适合的保护片材用于保护量子点荧光体材料不受高温、氧气和湿气等环境条件的 影响。作为适合的保护片材，可列举出疏水性且与量子点荧光体材料具有化学适应性和机 械适应性、显示光稳定性和化学稳定性、具有高温耐热性、不黄变的透明光学材料。适合的 是，1个以上的保护片材与量子点荧光体材料的折射率相匹配。在优选的实施方式中，调整 量子点荧光体材料的基质材料与1个以上的相邻保护片材的折射率，以使它们具有相似的 折射率，其结果，通过保护片材朝向量子点荧光体材料传送的光的大部分从保护片材被传 送至荧光体材料内。通过调整该折射率，保护片材与基质材料之间的界面处的光学损失降 低。
[0037] 作为本发明的量子点荧光体材料的基质材料，可列举出聚合物、有机氧化物和无 机氧化物等。在适合的实施方式中，聚合物在实质上是半透明的或者实质透明。作为适合的 基质材料，除了后述分散用树脂之外，可列举出例如环氧树脂、丙烯酸酯、降冰片烯、聚乙 烯、聚（乙烯基丁缩醛）：聚（乙酸乙烯酯）、聚脲、聚氨酯;氨基有机硅(AMS)、聚苯基甲基硅氧 烧、聚苯基烷基硅氧烷、聚^苯基硅氧烷、聚^烷基硅氧烷、彳首半硅氧烷、氣代有机娃、以及 乙烯基和氢化物取代有机硅等有机硅和有机硅衍生物；由甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁 酯和甲基丙烯酸月桂酯等单体形成的丙烯酸类聚合物和共聚物;聚苯乙烯、氨基聚苯乙烯 (APS)和聚(丙烯腈乙烯苯乙烯）(AES)等苯乙烯系聚合物;二乙烯基苯等与二官能性单体进 行了交联的聚合物;适合与配体材料进行交联的交联剂、与配体胺(例如APS或PEI配体胺） 键合而形成环氧树脂的环氧化物等。
[0038] 保护片材适合为固体材料，可以为经固化的液体、凝胶或聚合物。保护片材根据特 定的用途而可以包含挠性或非挠性材料。保护片材优选为平面层，根据特定的照明用途可 以包含任意的适合形状和表面积结构。适合的保护片材材料中，除了后述多层结构体的材 料之外，还可以使用该技术领域中已知的任意适合的保护片材材料。作为后述具备多层结 构体的保护片材之外的保护片材中使用的适合的阻隔材料，可列举出例如玻璃、聚合物和 氧化物。作为聚合物，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)等。作为氧化物，可列举出 3池、3丨 2〇3、1102^12〇3等。它们可以使用1种，也可以组合使用2种以上。优选的是，包含量子 点荧光体的电子设备中的各保护片材具备包含不同材料或组成物的至少两个层(例如基材 (X)和层(Y))，其结果，多层状的保护片材能够排除或减少保护片材内的针孔缺陷排列，提 供氧气和湿气侵入至量子点焚光体材料内的有效阻隔。包含量子点焚光体的电子设备可以 包含在任意的适合材料或材料的组合、以及量子点荧光体材料中的任一侧面或两个侧面上 的任意适合数量的保护片材。保护片材的材料、厚度和数量取决于具体用途，适合的是，按 照包含量子点荧光体的电子设备的厚度达到最小、但量子点荧光体的阻隔保护和亮度达到 最大的方式进行选择。在优选实施方式中，各保护片材包含层叠体(层叠膜）、优选包含双重 层叠体(双重层叠膜），各保护片材的厚度为了排除卷对卷或层叠制造工艺时的褶皱而充分 厚。关于保护片材的数量或厚度，进而在量子点荧光体材料包含重金属或其它毒性材料的 实施方式中，取决于法定毒性指南，该指南有时需要更多或更厚的保护片材。针对阻隔的进 一步研究事项，可列举出费用、获取可能性和机械强度。
[0039] 在优选的实施方式中，包含量子点荧光体的电子设备包含与量子点荧光体材料的 各侧面相邻的两个以上的具备本发明多层结构体的保护片材。另外，可以在各侧面上具备 一个以上的具备前述本发明多层结构体的保护片材之外的保护片材。即，可以在前述各侧 面上包含两个或三个层(保护片材）。在更优选的实施方式中，包含量子点荧光体的电子设 备在量子点荧光体材料的各侧面上包含两个保护片材，所述保护片材包含具备本发明多层 结构体的保护片材。
[0040] 本发明的包含量子点荧光体的层可以是任意的期望尺寸、形状、结构和厚度。量子 点荧光体可以以适合于期望功能的任意填充率填埋在基质材料内。包含量子点荧光体的层 的厚度和宽度可通过湿式涂布、涂装、旋转涂布、丝网印刷等在该技术领域中公知的任意方 法来控制。在特定的量子点荧光体膜的实施方式中，量子点荧光体材料可以具有500μπι以 下、优选250μπι以下、更优选200μπι以下、进一步优选50~150μπι、最优选50~1 ΟΟμπι的厚度。 [0041]在优选的实施方式中，本发明的包含量子点荧光体的电子设备的上部和底部保护 片材层被机械地密封。如图1示出的实施方式所示那样，上部保护片材层和/或底部保护片 材层被一起压紧，从而密封量子点荧光体。适合的是，为了将量子点荧光体材料在环境内的 氧气和湿气中的曝露降至最小，端部在覆盖量子点荧光体和保护片材层之后立即被压紧。 阻隔端部可通过压紧、冲压(stamping)、熔融、乳制、加压等来进行密封。
[0042]在优选的实施方式中，将本发明的包含量子点荧光体的电子设备的上部和底部保 护片材层进行机械地密封时，可以使用任意的粘接剂，从端部粘接的容易度、保持量子点的 高光学特性的观点出发，优选使用环氧树脂等适合的光学粘接材料。
[0043]关于本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体，例如针对包括用于液晶显示器 (LCD)、电视、计算机、便携电话、智能手机、便携信息终端(PDA)、游戏机、电子书装置、数码 照相机等显示器装置的背光单元(BLU)、室内或室外的照明、舞台照明、装饰照明、重点照 明、博物馆照明、园艺用途、生物学用途和其它用途的高度特异性波长的照明在内的任意适 合用途、以及本说明书所述的技术方案进行调查时，可以用于本领域技术人员明确的所有 照明用途。
[0044]本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体也可用作适合在光电动势用途中使 用的量子点下转换层或膜。本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体能够将太阳光的一 部分转换成可被太阳能电池的活性层吸收的能量更低的光。该经转换的光的波长在不通过 本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体进行这种下转换的情况下，无法被活性层吸收 和转换成电力。因此，采用本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体的太阳能电池能够 具备增加的太阳光转换效率。
[0045] 本发明的包含量子点荧光体的电子设备主体包括作为光源、滤光器和/或一次光 的下转换器的用途。在某一特定的实施方式中，本发明的包含量子点荧光体的电子设备主 体为一次光源，包含量子点荧光体的电子设备是包含进行电刺激时会释放出光子的电子发 光性量子点荧光体的电子发光性设备。在某一特定的实施方式中，包含量子点荧光体的电 子设备是滤光器，量子点荧光体吸收具有某一特定波长或波长范围的光。包含量子点荧光 体的电子设备能够使特定波长或波长范围穿过，同时吸收或滤掉其它波长。在某一特定的 实施方式中，包含量子点荧光体的电子设备为下转换器，由此，源自一次光源的一次光的至 少一部分在包含量子点荧光体的电子设备内被量子点荧光体吸收，以与一次光相比具有更 低能量或更长波长的二次光的形式再次放出。在优选的实施方式中，包含量子点荧光体的 电子设备是过滤器和一次光下转换器这两者，由此，一次光的第一部分不会被包含量子点 荧光体的电子设备内的量子点荧光体吸收，能够穿过包含量子点荧光体的电子设备，一次 光的至少第二部分被量子点荧光体吸收，并下转换成与一次光相比具有更低能量或更长波 长的二次光。
[0046] 密封材料2是根据电子设备主体1的种类和用途等而适当附加的任意构件。作为密 封材料2,可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基丁缩醛等。
[0047] 本发明的包含量子点荧光体的电子设备的保护片材可以具有挠性。本说明书中， 挠性是指能够卷取至直径为50cm的辊。例如是指：即使卷取至直径为50cm的辊，目视也观察 不到破损。能够卷取至直径小于50cm的辊时，电子设备、保护片材的柔软性更高，故而优选。
[0048] 包含多层结构体的保护片材的气体阻隔性和水蒸气阻隔性优异。因此，通过使用 该保护片材，能够得到在严酷的环境下其劣化也少的电子设备。另外，保护片材具有高透明 性，因此能够得到透光性高的电子设备。
[0049] 多层结构体也可用作被称为LCD用基板膜、有机EL用基板膜、电子纸用基板膜等基 板膜的膜。此时，多层结构体可以兼具基板和保护膜。另外，成为保护片材的保护对象的电 子设备不限定于前述例示，例如可以为IC标签、光通信用设备、燃料电池等。
[0050] 保护片材可以包含在多层结构体的一个表面或两个表面上配置的表面保护层。作 为表面保护层，优选为由难以损伤的树脂形成的层。另外，如太阳能电池那样地有时在室外 应用的设备的表面保护层优选由耐候性(例如耐光性)高的树脂形成。另外，在保护需要透 光的表面的情况下，优选为透光性高的表面保护层。作为表面保护层(表面保护膜)的材料， 可列举出例如丙烯酸类树脂、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、乙 烯-四氟乙烯共聚物、聚四氟乙烯、4-氟乙烯-全氯烷氧基共聚物、4-氟乙烯-6-氟丙烯共聚 物、2-乙烯-4-氟乙烯共聚物、聚3-氟氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯等。保护片材的一例 包含在一个表面配置的丙烯酸类树脂层。
[0051] 为了提高表面保护层的耐久性，可以在表面保护层中添加各种添加剂(例如紫外 线吸收剂）。耐候性高的表面保护层的一个优选例是添加有紫外线吸收剂的丙烯酸类树脂 层。作为紫外线吸收剂，可列举出例如苯并三唑系、二苯甲酮系、水杨酸酯系、氰基丙烯酸酯 系、镍系、三嗪系的紫外线吸收剂，但不限定于它们。另外，也可以组合使用其它稳定剂、光 稳定剂、抗氧化剂等。
[0052]用于密封包含量子点荧光体的电子设备主体的密封材料在接合保护片材的情况 下，保护片材优选包含与密封材料粘接的粘接性高的接合用树脂层。密封材料由乙烯-乙酸 乙烯酯共聚物形成时，作为接合用树脂层，可列举出例如与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物粘接的 粘接性得以提高的聚对苯二甲酸乙二醇酯。构成保护片材的各层可以使用公知的粘接剂、 上述粘接层来进行粘接。
[0053][实施方式1] 本发明的实施方式1所述的包含量子点荧光体的电子设备中，使用量子点荧光体分散 树脂成型体。量子点荧光体分散树脂成型体可通过使量子点荧光体分散在树脂中而得到分 散液(组成物），并使用该分散液进行成型来获得。成型方法没有特别限定，可以使用公知的 方法。作为分散用树脂，优选为环烯烃(共)聚合物。作为环烯烃(共)聚合物，可列举出例如 下述式[Q-1]所示的环烯烃聚合物(COP)或下述式[Q-2]所示的环烯烃共聚物(C0C)。作为这 种环烯烃(共）聚合物，可以使用市售品。作为市售品，可列举出例如作为COP类型的ZEONEX (注册商标)系列（日本七才^株式会社制）、作为⑶C类型的APL5014DP(三井化学株式会社 制、化学结构:-(C 2H4)x(C12H16)y_;下标x、y为大于0且小于1的实数，表示共聚比）等。
[0054] [化1]
式[Q-1]中，R\R2各自独立地相同或不同，表示选自氢原子、碳原子数卜6的直链状或 支链状的饱和烃基、氯或氟的卤原子、以及卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一 价基团。另外，R\R2的烃基可以在相邻的取代部位彼此键合而形成至少1个5~7元环的饱和 烃的环状结构。r为正整数。
[0055] 式[Q-2]中，R3表示选自氢原子、碳原子数1~6的直链状或分枝状的饱和烃基（烷 基）、氯或氟的卤原子、以及卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。R 4、R5各 自独立地相同或不同，表示选自氢原子、碳原子数卜6的直链状或支链状的饱和烃基、氯或 氟的卤原子、以及卤原子为氯原子或氟原子的三卤代甲基中的一价基团。另外，R 4或R5的烃 基可以在相邻的取代部位彼此键合而形成至少1个5~7元环的饱和烃的环状结构。x、 y为大 于0且小于1的实数，满足x+y=l的关系式。
[0056]式[Q-1]所示的环烯烃聚合物（COP)可通过将例如降冰片烯类作为原料，利用 GRUBB'S催化剂等进行开环复分解聚合后，进行氢化来获得。式[Q-2]所示的环烯烃共聚物 (COC)可通过将例如降冰片烯类作为原料，利用茂金属催化剂等与乙烯等进行共聚来获得。
[0057] 使量子点荧光体分散在树脂中的方法没有特别限定，优选的是，在不活性气体气 氛下向将树脂溶于溶剂而得到的溶液中，在不活性气体气氛下添加使量子点荧光体分散于 分散介质而得到的分散液，并进行混炼。此时使用的分散介质优选为溶解树脂的溶剂，更优 选分散介质与溶剂相同。前述溶剂和分散介质可无限制地使用，可优选使用甲苯、二甲苯 (邻、间或对）、乙基苯、四氢萘等烃系溶剂。另外，也可以使用氯苯、二氯苯(邻、间或对）、三 氯苯等氯系烃溶剂。另外，作为在上述工序中使用的不活性气体，可列举出氦气、氩气、氮 气，它们可以单独使用，也可以以任意的比例混合使用。
[0058] 需要说明的是，实施方式1中应用的量子点荧光体是指其粒径为1~100nm，在粒径 为数十Mi以下的情况下，是表现出量子效果的焚光体。量子点焚光体的粒径优选为2~20nm 的范围内。
[0059] 量子点荧光体的结构由无机荧光体芯和在该无机荧光体的表面进行了配位的覆 盖层(例如具有脂肪族烃基的有机惰化层)构成，无机荧光体的芯部(金属部)被有机惰化层 覆盖。一般来说，对于量子点荧光体颗粒的表面而言，主要出于防止聚集等的目的，在芯表 面配位了有机惰化层。进而，有机惰化层(也称为壳。）除了防止聚集之外，还承担如下作用： 保护芯颗粒不受周围的化学环境的影响、对表面赋予电稳定性、控制在特定溶剂系中的溶 解性。另外，有机惰化可根据目的来选择化学结构，例如可以为具有直链状或支链状的碳原 子数6~18左右的脂肪族烃(例如烷基)的有机分子。
[0000][无机荧光体] 作为无机荧光体，可列举出例如II族-VI族化合物半导体的纳米结晶、III族-V族化合 物半导体的纳米结晶等。这些纳米结晶的形态没有特别限定，可列举出例如具有在InP纳米 结晶的芯部分上覆盖由ZnS/ZnO等形成的壳部分而得到的芯?壳（core-she11)结构的结 晶；或者具有芯?壳的边界不明确但级分(gradient)存在组成变化的结构的结晶；或者在 同一结晶内部分分开存在2种以上化合物结晶的混合结晶或者2种以上的纳米结晶化合物 的合金等。
[0061 ][封端剂（capping agent)] 接着，作为在无机荧光体的表面进行配位的封端剂（用于形成有机惰化层的试剂），可 列举出具有含碳原子数2~30、碳原子数优选4~20、碳原子数更优选6~18的直链结构或支链 结构的脂肪族烃基的有机分子。在无机荧光体的表面进行配位的封端剂（用于形成有机惰 化层的试剂)具有用于与无机荧光体进行配位的官能团。作为这种官能团，可列举出例如羧 基、氨基、酰胺基、腈基、羟基、醚基、羰基、磺酰基、磷酰基或巯基等。这些之中，优选为羧基。
[0062]用于制造实施方式1的包含量子点荧光体的电子设备所述的量子点荧光体分散树 脂成型体的组成物中，在树脂(例如环烯烃(共)聚合物）中以0.01~20质量%的浓度范围均匀 地分散有量子点荧光体。另外，在实施方式1的包含量子点荧光体的组成物中，优选以超过 0.1质量%且低于15质量％、更优选以超过1质量%且低于10质量％的浓度范围，在环稀经(共） 聚合物中均匀地分散有量子点荧光体。量子点荧光体的浓度低于0.01质量%时，作为发光元 件用途的量子点荧光体分散树脂成型体，无法获得充分的发光强度，故不优选。另一方面， 量子点荧光体的浓度超过20质量%时，量子点荧光体有可能发生聚集，无法获得均匀分散有 量子点荧光体的量子点荧光体分散树脂成型体，故不优选。
[0063] [量子点荧光体的制备方法] 关于实施方式1中使用的量子点荧光体，使用能够得到期望化合物半导体的纳米结晶 的金属前体来制造纳米结晶后，接着，将其进一步分散在有机溶剂中。并且，通过用规定的 反应性化合物(壳部分的化合物)对纳米结晶进行处理，能够制备具有在无机荧光体的表面 配位有烃基的结构的量子点荧光体。处理方法没有特别限定，可列举出例如使纳米结晶的 分散液在反应性化合物的存在下进行回流的方法。另外，作为量子点荧光体的制造方法，可 以使用例如日本特开2006-199963号公报中公开的方法。
[0064] 本实施方式所使用的量子点荧光体中，构成用于覆盖无机荧光体(芯部)表面的有 机惰化层的烃基量没有特别限定，通常相对于无机荧光体1颗粒(芯），烃基的烃链可以为2~ 500摩尔、优选为10~400摩尔、更优选为20~300摩尔的范围。烃链低于2摩尔时，无法赋予其 作为有机惰化层的功能，例如荧光体颗粒容易凝缩。另一方面，烃链超过500摩尔时，不仅自 芯部发光的强度会降低，还存在无法配位于无机荧光体的过量烃基，存在容易引起液状密 封树脂的性能降低的倾向。另外，量子点荧光体的成本会上升。
[0065] 另外，实施方式1所述的量子点荧光体分散树脂成型体可通过将包含量子点荧光 体的组成物成型为成型物来制造。该成型物作为吸收由光源照射的光的至少一部分且从成 型物中包含的量子点荧光体发出2次光的成型物而有效地发挥作用。作为包含量子点荧光 体的组成物的成型方法，存在如下方法等:例如将该组成物涂布于基材或者填充至模具后， 在前述不活性气体气氛下通过加热干燥而去除溶剂，根据需要从基材上或模具中剥离。另 外，包含量子点荧光体的组成物也可以用作密封LED芯片的密封材料。
[0066] 作为量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法，可列举出例如具备如下工序的方 法：制备将环烯烃系(共)聚合物溶于溶剂而得到的溶液的工序;使量子点荧光体以所得成 型体中的量子点荧光体的浓度达到0.01~20质量%范围的方式分散在前述溶液中，接着进行 混炼来制造包含量子点荧光体的组成物的工序；以及，将前述包含量子点荧光体的组成物 涂布于基材或者填充于模具，并进行加热干燥的工序。溶剂和分散介质如上所述。
[0067]通过前述加热干燥等制造量子点荧光体分散树脂成型体，或者进一步在其后进行 加压成型，可以制造树脂透镜、树脂板和树脂膜等。
[0068] 图2示出将实施方式1所述的包含量子点荧光体的组成物用于密封材料的至少一 部分而得到的发光装置的例子的截面图。图2中，发光装置100的构成中包含LED芯片10、铅 电极12、杯14、密封材料16、17。根据需要，在发光装置100的上部配置树脂透镜20。杯14可通 过适当的树脂或陶瓷来形成。另外，LED芯片10没有限定，可以使用与量子点荧光体共同构 成适当波长的光源的发光二极管。另外，密封材料16可以使用分散有量子点荧光体18的含 量子点荧光体组成物来形成。由此，使用例如LED芯片10发出的光，能够形成从密封材料16 发出白光的白色光源等。另外，密封材料17对LED、引线等进行密封，由环氧树脂或有机硅树 脂等作为LED的密封树脂而通常使用的树脂构成。这些密封材料16和密封材料17的制造可 以如下实施:在不活性气体(例如氩气气体)气氛下，首先向杯14内注入规定量的树脂(例如 环氧树脂或有机硅树脂)等，通过公知的方法进行固化来形成密封材料17,其后在密封材料 17上注入包含量子点荧光体的组成物，进行加热干燥而形成密封材料16,从而实施制造。
[0069] 另外，可以在容纳于杯14中的密封材料16的上方配置由前述量子点荧光体分散树 脂成型体形成的透镜状树脂(树脂透镜20)、或者至少其一部分具有凸状部的膜或具有均匀 膜厚的膜，制成从树脂透镜20放射出光的构成。此时，也可以不预先使量子点荧光体18分散 在密封材料16中。需要说明的是，将包含量子点荧光体的组成物用于LED芯片的密封材料的 至少一部分时，该密封材料16的厚度优选为0.0 Imm以上且低于0.4mm。该密封材料16的厚度 超过0.4mm时，虽然还依赖于杯14的凹部内的深度，但将该密封材料16密封在杯14的凹部内 时，会对连接于铅电极12的电线造成过大的负担，故不优选。另外，将包含量子点荧光体的 组成物用于LED芯片的密封材料的至少一部分时，若该密封材料16的厚度低于0.01mm，则作 为包含荧光体的密封材料是不充分的。
[0070] 不使量子点荧光体18分散在密封材料16中时，优选配置由量子点荧光体分散树脂 成型体形成的透镜状树脂20(树脂透镜20)。
[0071] 图3示出使用了实施方式1所述的量子点荧光体分散树脂成型体的发光装置的例 子的截面图，与图2相同的要素附加了相同的符号。图3是未将实施方式1所述的包含量子点 荧光体的组成物用于密封材料的发光装置的例子。此时，透镜状树脂(树脂透镜20)是由量 子点荧光体分散树脂成型体形成的，所述成型体是针对使量子点荧光体18以浓度为0.01~ 20质量%的范围分散于环烯烃(共)聚合物的组成物成型而得到的。
[0072] 图4不出使用了实施方式1所述的包含量子点焚光体的组成物和量子点焚光体分 散树脂成型体的发光装置的例子的截面图，与图1相同的要素附加了相同的符号。图4是将 实施方式1所述的包含量子点荧光体的组成物用于密封材料的一部分，在其上部配置由量 子点荧光体分散树脂成型体形成的树脂透镜20的发光装置的例子。此时，任意树脂均是使 量子点荧光体18以浓度为0.01~20质量%的范围分散在环烯烃(共)聚合物中而形成的。
[0073] 另外，图2、图3和图4所示的发光装置能够抑制量子点荧光体的消光，作为发光装 置能够维持稳定的动作，因此，安装有该发光装置的手机、电视、显示器、面板类等电子仪 器、安装有该电子仪器的汽车、计算机、游戏机等机械装置类能够长时间稳定地驱动。
[0074][实施方式2] 图5示出实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的一例的截面图。在图5中，包含 量子点荧光体的结构物的构成中包括:量子点荧光体18以浓度为0.01~20质量%的范围分散 在分散用树脂中而得到的量子点荧光体分散树脂成型体22;以及，覆盖量子点荧光体分散 树脂成型体22的整面，降低氧气等透过量子点荧光体分散树脂成型体22的阻气层(保护片 材)24。需要说明的是，在其它实施方式中，阻气层24可以为覆盖量子点荧光体分散树脂成 型体22的一部分表面的结构(参照图6、7)。另外，前述阻气层24优选是除了氧气之外还能够 降低水蒸气透过的层。
[0075] 此处，阻气层24是指下述层:能够保护量子点荧光体18不受氧气等的影响，用以使 发光二极管(LED)在包含量子点荧光体的结构物的附近连续发光2,000小时时的量子点荧 光体18的分光放射能量能够维持初始值的80.0%以上的程度。另外，作为本发明的电子设 备，连续发光2,000小时时的量子点荧光体18的分光放射能量优选为初期值的85.0%以上、 更优选为89.0%以上、进一步优选为90.0%以上。需要说明的是，前述分光放射能量是量子点 荧光体的荧光波长下的放射能量。
[0076] 构成前述量子点荧光体分散树脂成型体22的分散用树脂可以使用例如实施方式1 中说明的环烯烃(共)聚合物。另外，作为量子点荧光体分散树脂成型体22的制造方法，可以 应用实施方式1中说明的量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。
[0077]另外，作为阻气层24,可以由本发明的多层结构体构成。这些材料的气体阻隔性均 高，因此，通过使用它们构成阻气层24,能够保护量子点荧光体18不受氧气和水等的影响。 [0078]需要说明的是，以上的构成量子点荧光体分散树脂成型体22和阻气层24的本发明 的多层结构体均具有透光性，能够使发光二极管产生的光透过至量子点荧光体18为止，以 及使被量子点荧光体18转换过波长的光透过至量子点荧光体分散树脂成型体22的外部为 止。
[0079] 图6示出应用了实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的一例 的截面图。图6中，发光装置100的构成中包含LED芯片10、铅电极12、杯14、分散有量子点荧 光体18的密封材料16、未分散有量子点焚光体18的密封材料17和阻气层24。图6的例子中， 作为杯14的盖而使用前述阻气层24。另外，密封材料16通过由实施方式1中说明的包含量子 点荧光体的组成物成型的前述量子点荧光体分散树脂成型体22来构成。前述密封材料16和 密封材料17可以与图1的情况同样地操作来制造。这些构成要素之中，量子点荧光体18、量 子点荧光体分散树脂成型体22、阻气层24如上所述。LED芯片10没有限定，可以使用与量子 点荧光体共同构成适当波长的光源的发光二极管。另外，杯14可通过适当的树脂或陶瓷来 形成。另外，密封材料17由环氧树脂或有机硅树脂等形成，将LED芯片10、铅电极12等进行密 封。
[0080] 图7示出应用了实施方式2所述的包含量子点荧光体的结构物的发光装置的其它 例的截面图，与图6相同的要素附加了相同的符号。图7的例子中，杯14的表面(包括图6的盖 部分)和露出在杯14外面的铅电极12的表面被阻气层24覆盖。需要说明的是，铅电极12的一 部分表面未被阻气层24覆盖地露出。这是为了与例如实装基板上的电源供给路径之间进行 电导通。本例中，阻气层24覆盖密封材料16的图中的上表面。由此，能够避免或降低氧气等 浸透至分散在密封材料16中的量子点荧光体18。另外，源自LED芯片10的一部分光被分散在 密封材料16中的量子点荧光体18转换成其它波长的光后，与源自LED芯片10的光进行混合， 透过阻气层24而被取出至外部。
[0081] 图6所示的构成中，杯14的盖由阻气层24形成，覆盖密封材料16的图中的上表面。 由此，能够避免或降低氧气等浸透至分散在密封材料16中的量子点荧光体18。
[0082] 另外，以上说明的量子点荧光体分散树脂组成物或其成型体或包含量子点荧光体 的结构物也可以应用于例如植物培育用照明、有色照明、白色照明、LED背光光源、带荧光体 的液晶过滤器、含荧光体的树脂板、养发机器用光源、通信用光源等。
[0083][多层结构体] 本发明的电子设备(适合为包含量子点荧光体的电子设备）中使用的多层结构体包含 基材(X)和层叠在基材(X)上的层(Y)。层(Y)含有金属氧化物(A)、磷化合物(B)和离子价 (Fz)为1以上且3以下的阳离子(Z)。磷化合物(B)含有能够与金属氧化物(A)反应的部位。层 (Y)中，构成金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔数(Nm)与源自磷化合物(B)的磷原子的摩 尔数(Np)满足0.8<Nm/Np<4.5的关系。层(Y冲，构成金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔 数(Nm)与阳离子(Z)的摩尔数(Nz)与阳离子(Z)的离子价(Fz)满足0.001彡Fz XNz/Nm彡0.60 的关系。需要说明的是，金属原子(M)是指金属氧化物(A)中包含的所有金属原子。
[0084]层(Y)中包含的金属氧化物(A)与磷化合物(B)可以发生反应。另外，阳离子(Z)在 层(Y)中可以与磷化合物(B)形成盐。层(Y)中的金属氧化物(A)发生了反应时，将反应产物 之中的由金属氧化物(A)构成的部分视作金属氧化物(A)。另外，层(Y)中的磷化合物(B)发 生了反应时，反应产物之中的源自磷化合物(B)的磷原子的摩尔数包括在源自磷化合物(B) 的磷原子的摩尔数(Np)中。层(Y)中的阳离子(Z)形成了盐时，构成盐的阳离子(Z)的摩尔数 包括在阳离子(Z)的摩尔数(Nz)中。
[0085]关于本发明的多层结构体，通过在层(Y)中满足0.8<Nm/Np<4.5的关系，从而显示 优异的阻隔性。另外，关于本发明的多层结构体，通过在层(Y)中进一步满足O.OOlSFzXNz/ NmSO.60的关系，本发明的电子设备中使用的多层结构体即使在承受拉伸处理等物理应力 后，也显示出优异的阻隔性。
[0086] 层(Y)中的Nm、Np和Nz之比（摩尔比）可视作与用于制作第一涂布液(U)的Nm、Np和Nz 之比相等。
[0087][基材(X)] 基材(X)的材质没有特别限定，可以使用由各种材质形成的基材。作为基材(X)的材质， 可列举出例如热塑性树脂、热固性树脂等树脂;木材;玻璃;金属;金属氧化物等。这些之中， 优选为热塑性树脂和纤维集合体、更优选为热塑性树脂。基材(X)的形态没有特别限定，可 以为膜或片材等层状。作为基材(X)，优选为包含选自热塑性树脂膜和无机蒸镀层中的至少 1种的基材。此时的基材可以为单层，也可以为多层。基材(X)更优选包含热塑性树脂膜层， 还可以在热塑性树脂膜层的基础上进一步包含无机蒸镀层(X'）。
[0088] 作为基材(X)中使用的热塑性树脂，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃系树 月旨;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,6_萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、它们 的共聚物等聚酯系树脂;尼龙-6、尼龙-66、尼龙-12等聚酰胺系树脂;聚乙烯醇、乙烯-乙烯 醇共聚物等含羟基的聚合物;聚苯乙烯;聚（甲基)丙烯酸酯;聚丙烯腈;聚乙酸乙烯酯;聚碳 酸酯;聚芳酯;再生纤维素;聚酰亚胺;聚醚酰亚胺;聚砜;聚醚砜;聚醚醚酮;离聚物树脂等。 作为基材(X)的材料，优选为选自聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、尼龙-6和尼龙-66中的至少1种热塑性树脂。
[0089] 将由前述热塑性树脂形成的膜用作基材(X)时，基材(X)可以是拉伸膜，也可以是 未拉伸膜。由于所得多层结构体的加工适应性(例如对于印刷、层压的适应性)优异，因此， 优选为拉伸膜、特别优选为双轴拉伸膜。双轴拉伸膜可以为通过同时双轴拉伸法、依次双轴 拉伸法和管状拉伸法中的任意方法制造的双轴拉伸膜。
[0090] [无机蒸镀层(X'）] 无机蒸镀层(X'）优选对于氧气、水蒸气具有阻隔性、更优选具有透明性。无机蒸镀层 (X'）可通过蒸镀无机物来形成。作为无机物，可列举出例如金属(例如铝）、金属氧化物(例 如氧化硅、氧化铝）、金属氮化物(例如氮化硅）、金属氮化氧化物(例如氧氮化硅)或者金属 碳化氮化物(例如碳氮化硅)等。这些之中，从对于氧气、水蒸气的阻隔性优异的观点出发， 优选为由氧化铝、氧化硅、氧化镁或氮化硅形成的无机蒸镀层。
[0091] 无机蒸镀层(X'）的形成方法没有特别限定，可以使用真空蒸镀法(例如电阻加热 蒸镀、电子束蒸镀、分子束外延法等）、溅射法、离子镀法等物理气相生长法、热化学气相生 长法(例如催化化学气相生长法）、光化学气相生长法、等离子体化学气相生长法(例如电容 耦合等离子体、电感耦合等离子体、表面波等离子体、电子回旋共振、双磁控、原子层堆积法 等）、有机金属气相生长法等化学气相生长法。
[0092] 无机蒸镀层(X'）的厚度根据构成无机蒸镀层(X'）的成分的种类而异，优选处于 0.002~0.5μηι的范围、更优选处于0.005~0.2μηι的范围、进一步优选处于0.01~0. Ιμπι的范围。 在该范围内选择多层结构体的阻隔性、机械物性变得良好的厚度即可。无机蒸镀层(X'）的 厚度低于〇. 002μηι时，存在无机蒸镀层表现出的对于氧气、水蒸气的阻隔性的重现性降低的 倾向，另外，无机蒸镀层有时也不会表现出充分的阻隔性。另外，无机蒸镀层(X'）的厚度超 过0.5μπι时，在拉伸多层结构体或者使其弯曲时，存在无机蒸镀层(X'）的阻隔性容易降低的 倾向。
[0093] 基材(X)为层状时，从所得多层结构体的机械强度、加工性变得良好的观点出发， 其厚度优选处于1~I ,OOOwn的范围、更优选处于5~500μηι的范围、进一步优选处于9~200μηι的 范围。
[0094][金属氧化物(A)] 构成金属氧化物(A)的金属原子(M)优选为原子价为2价以上。作为金属原子(M)，可列 举出例如镁、钙等元素周期表第2族的金属原子;钛、锆等元素周期表第4族的金属原子;锌 等元素周期表第12族的金属原子;硼、铝等元素周期表第13族的金属原子;硅等元素周期表 第14族的金属原子等。需要说明的是，硼和硅有时被分类为半金属原子，但本说明书中，将 它们包括在金属原子中。金属原子(M)可以为1种，也可以为2种以上。这些之中，从金属氧化 物(A)的生产率、所得多层结构体的气体阻隔性、水蒸气阻隔性更优异的观点出发，金属原 子(M)优选为选自铝、钛和锆中的至少1种，更优选为铝。即，金属原子(M)优选包含铝。
[0095] 错、钛和错的总和在金属原子(M)中所占的比例通常为60摩尔％以上，可以为100摩 尔％。另外，铝在金属原子(M)中所占的比例通常为50摩尔％以上，可以为100摩尔％。金属氧化 物(A)通过液相合成法、气相合成法、固体粉碎法等方法来制造。
[0096] 金属氧化物(A)可以是具有金属原子(M)的化合物(L)的水解缩合物，所述金属原 子(M)与能够水解的特性基团进行了键合。该特性基团的例子包括后述通式[I]的R 1。化合 物(L)的水解缩合物实质上可以视作金属氧化物(Α)。因此，本说明书中，"金属氧化物(Α)" 可以替换为"化合物(L)的水解缩合物"，另外，"化合物(L)的水解缩合物"也可以替换为"金 属氧化物(Α)"。
[0097] [键合有能够水解的特性基团键合的含有金属原子(M)的化合物(L)] 从容易控制其与磷化合物(B)的反应、所得多层结构体的气体阻隔性优异的观点出发， 化合物(L)优选包含下述通式[I ]所示的化合物(L1)中的至少1种。
[0098] M1 (R1)mC R2Vm [I] 式中，M1选自铝、钛和锆。R1为卤原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子）、N〇3、任选地具 有取代基的碳原子数为1~9的烷氧基、任选地具有取代基的碳原子数为1~9的酰氧基、任选 地具有取代基的碳原子数为3~9的烯氧基、任选地具有取代基的碳原子数为5~15的β-二酮 合基(β-diketonato group)、或者具有任选地具有取代基的碳原子数为1~9的酰基的二酰 基甲基。R2为任选地具有取代基的碳原子数为1~9的烷基、任选地具有取代基的碳原子数为 7~10的芳烷基、任选地具有取代基的碳原子数为2~9的烯基、或者任选地具有取代基的碳原 子数为6~10的芳基。m为1~11的整数。η等于M 1的原子价。R1存在多个时，R1可以彼此相同也可 以不同。R 2存在多个时，R2可以彼此相同也可以不同。
[0099] 作为R1的烷氧基，可列举出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、 异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、苯甲氧基、二苯基甲氧基、三苯基甲氧基、4-甲氧基苯甲氧 基、甲氧基甲氧基、1-乙氧基乙氧基、苯甲氧基甲氧基、2-三甲基甲硅烷基乙氧基、2-三甲基 甲硅烷基乙氧基甲氧基、苯氧基、4-甲氧基苯氧基等。
[0100] 作为R1的酰氧基，可列举出例如乙酰氧基、乙基羰氧基、正丙基羰氧基、异丙基羰 氧基、正丁基羰氧基、异丁基羰氧基、仲丁基羰氧基、叔丁基羰氧基、正辛基羰氧基等。
[0101] 作为R1的烯氧基，可列举出例如烯丙氧基、2-丙烯氧基、2-丁烯氧基、1-甲基-2-丙 稀氧基、3-丁稀氧基、2-甲基_2_丙稀氧基、2-戊稀氧基、3-戊稀氧基、4-戊稀氧基、1-甲基-3_丁稀氧基、1，2_二甲基_2_丙稀氧基、I，1-二甲基_2_丙稀氧基、2_甲基_2_丁稀氧基、3_甲 基 _2_ 丁稀氧基、2_甲基_3_ 丁稀氧基、3_甲基_3_ 丁稀氧基、1-乙烯基_2_丙稀氧基、5_己稀 氧基等。
[0102] 作为R1的β-二酮基，可列举出例如2,4-戊二酮基、1,1,1-三氟-2,4-戊二酮基、1， I，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮基、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮基、1，3-丁二酮基、2-甲基-1，3_ 丁二酮基、2-甲基-1，3-丁二酮基、苯甲酰丙酮基等。
[0103] 作为R1的二酰基甲基中的酰基，可列举出例如甲酰基、乙酰基、丙酰基(propanoyl group)、丁酰基(butanoyl group)、戊酰基(pentanoyl group)、己酰基等碳原子数为1~6的 脂肪族酰基;苯甲酰基、甲基苯甲酰基(toluoyl group)等芳族酰基(芳酰基)等。
[0104] 作为R2的烷基，可列举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁 基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、异己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1，2_二甲基丁基、环 丙基、环戊基、环己基等。
[0105] 作为R2的芳烷基，可列举出例如苯甲基、苯基乙基(苯乙基)等。
[0106] 作为R2的烯基，可列举出例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、3-丁烯基、 2 _ 丁烯基、1_丁烯基、1_甲基_2-丙烯基、I -甲基丙烯基、I-乙基乙烯基、2-甲基丙 烯基、2_甲基-1-丙烯基、3_甲基_2_ 丁烯基、4_戊烯基等。
[0107] 作为R2的芳基，可列举出例如苯基、1-萘基、2-萘基等。
[0108] 作为R1和R2中的取代基，可列举出例如碳原子数1~6的烷基；甲氧基、乙氧基、正丙 氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、正己氧基、 环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基、环己氧基等碳原子数1~6的烷氧基；甲氧基羰基、乙氧基羰 基、正丙氧基幾基、异丙氧基幾基、正丁氧基幾基、异丁氧基幾基、仲丁氧基幾基、叔丁氧基 羰基、正戊氧基羰基、异戊氧基羰基、环丙氧基羰基、环丁氧基羰基、环戊氧基羰基等碳原子 数1~6的烷氧基羰基;苯基、甲苯基、萘基等芳香族烃基;氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等 卤原子;碳原子数1~6的酰基;碳原子数7~10的芳烷基;碳原子数7~10的芳烷基氧基;碳原子 数1~6的烷氨基;具有碳原子数1~6的烷基的二烷基氨基。
[0109] 作为R1，优选为卤原子、N〇3、任选具有取代基的碳原子数1~6的烷氧基、任选具有取 代基的碳原子数1~6的酰氧基、任选具有取代基的碳原子数5~10的β-二酮基、或者具有任选 具有取代基且碳原子数1~6的酰基的二酰基甲基。
[0110] 作为R2，优选为任选具有取代基的碳原子数1~6的烷基。作为M1，优选为铝。M1为铝 时，m优选为3。
[0111] 作为化合物(L1)的具体例，可列举出例如硝酸铝、乙酸铝、三（2，4-戊二酮合)铝、 二甲氧基错、二乙氧基错、二正丙氧基错、二异丙氧基错、二正丁氧基错、二仲丁氧基错、二 叔丁氧基铝等铝化合物；四（2,4_戊二酮合)钛、四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四 正丁氧基钛、四（2-乙基己氧基)钛等钛化合物；四（2，4-戊二酮合)锆、四正丙氧基锆、四正 丁氧基锆等锆化合物。这些之中，作为化合物(L 1 )，优选为选自三异丙氧基铝和三仲丁氧基 铝中的至少1种化合物。化合物(L)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
[0112]化合物(L)中，在能够得到本发明效果的范围内，化合物(L1)在化合物(L)中所占 的比例没有特别限定。化合物(L1)以外的化合物在化合物(L)中所占的比例例如优选为20 摩尔％以下、更优选为10摩尔％以下、进一步优选为5摩尔％以下、可以为0摩尔％。
[0113]通过化合物(L)被水解，化合物(L)中具有的能够水解的特性基团的至少一部分被 转换成羟基。进而，通过其水解物发生缩合，形成金属原子(M)借助氧原子(0)键合得到的化 合物。重复该缩合时，形成实质上可视作金属氧化物的化合物。需要说明的是，这样操作而 形成的金属氧化物(A)的表面通常存在羟基。
[0114] 本说明书中，[仅键合于金属原子(M)的氧原子(0)的摩尔数]/[金属原子(M)的摩 尔数]之比达到0.8以上的化合物包括在金属氧化物(A)中。此处，仅键合于金属原子(M)的 氧原子(0)是用M-O-M表示的结构中的氧原子(0)，不包括用M-O-H表示的结构中的氧原子 (0)那样地、键合于金属原子(M)和氢原子(H)的氧原子。金属氧化物(A)中的前述比值优选 为0.9以上、更优选为1.0以上、进一步优选为1.1以上。该比值的上限没有特别限定，将金属 原子(M)的原子价记作η时，通常用n/2表示。
[0115] 为了发生前述水解缩合，重要的是，化合物(L)具有能够水解的特性基团。未键合 有这些基团时，不发生水解缩合反应或者变得极其缓慢，因此，难以制备作为目标的金属氧 化物(A)。
[0116] 化合物(L)的水解缩合物例如可以通过公知的溶胶凝胶法中采用的方法由特定的 原料来制造。前述原料可以使用选自化合物(L)、化合物(L)的部分水解物、化合物(L)的完 全水解物、化合物(L)的部分水解缩合物、以及化合物(L)的完全水解物的一部分缩合而得 到的物质中的至少1种。
[0117] [磷化合物(B)] 磷化合物(B)含有能够与金属氧化物(A)反应的部位，典型而言，含有多个这种部位。作 为磷化合物(B)，优选为无机磷化合物。作为磷化合物(B)，优选为含有2~20个能够与金属氧 化物(A)反应的部位(原子团或官能团）的化合物。这种部位包括能够与金属氧化物(A)的表 面存在的官能团（例如羟基)发生缩合反应的部位。作为这种部位，可列举出例如直接键合 于磷原子的卤原子、直接键合于磷原子的氧原子等。金属氧化物(A)的表面存在的官能团 (例如羟基)通常为键合于构成金属氧化物(A)的金属原子(M)。
[0118] 作为磷化合物(B)，可列举出例如磷酸、4分子以上的磷酸缩合而成的多磷酸、亚磷 酸、膦酸、亚膦酸、次膦酸、三价膦酸等磷的含氧酸、以及它们的盐(例如磷酸钠)和它们的衍 生物(例如卤化物(例如磷酰氯）、脱水物(例如五氧化二磷))等。
[0119] 磷化合物(B)可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。这些磷化合物(B)之中， 优选单独使用磷酸、或者将磷酸与磷酸之外的磷化合物(B)组合使用。通过使用磷酸，后述 第一涂布液(U)的稳定性和所得多层结构体的气体阻隔性和水蒸气阻隔性提高。
[0120][金属氧化物(A)与磷化合物(B)的比率] 本发明的多层结构体的层(Y)中，Nm与Np满足0.8<Nm/Np<4.5的关系，优选满足I.OS Nm/Np彡3.6的关系，更优选满足1.1彡Nm/Np<3.0的关系。Nm/Np的值超过4.5时，金属氧化物 (A)相对于磷化合物(B)变得过剩，金属氧化物(A)与磷化合物(B)的键合变得不充分，另外， 金属氧化物(A)的表面存在的羟基量变多，因此，存在气体阻隔性及其稳定性降低的倾向。 另一方面，Nm/Np的值低于0.8时，磷化合物(B)相对于金属氧化物(A)变得过剩，不干预其与 金属氧化物(A)的键合的多余的磷化合物(B)变多，另外，源自磷化合物(B)的羟基量容易变 多，反而存在阻隔性及其稳定性降低的倾向。
[0121]需要说明的是，前述比值可通过用于形成层(Y)的第一涂布液(U)中的金属氧化物 (A)的量与磷化合物(B)的量之比来调整。层(Y)中的摩尔数(Nm)与摩尔数(Np)之比通常为第 一涂布液(U)中的比值，与构成金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔数与构成磷化合物(B) 的磷原子的摩尔数之比相同。
[0122] [反应产物(D)] 反应产物(D)是通过金属氧化物(A)与磷化合物(B)的反应而得到的。此处，通过使金属 氧化物(A)与磷化合物(B)、进而与其它化合物发生反应而生成的化合物也包括在反应产物 (D)中。反应产物(D)也可以包含一部分不干预反应的金属氧化物(A)和/或磷化合物(B)。
[0123] [阳离子(Z)] 阳离子(Z)的离子价(Fz)为1以上且3以下。阳离子(Z)是包含元素周期表第2~7周期的 元素的阳离子。作为阳离子(Z)，可列举出例如锂离子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、钛 离子、锆离子、镧系离子(例如镧离子）、钒离子、锰离子、铁离子、钴离子、镍离子、铜离子、锌 离子、硼离子、铝离子和铵离子等，其中，优选为锂离子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、锌 离子。阳离子(Z)可以为1种，也可以包含2种以上。针对阳离子(Z)的作用，至今为止尚不明 确。根据一个假说可以认为：阳离子(Z)通过与金属氧化物(A)、磷化合物(B)的羟基之间的 相互作用而抑制无机化合物颗粒的肥大化，通过填充更小的颗粒，阻隔层的致密性提高，其 结果，包含量子点荧光体的电子设备的性能降低受到抑制。因此，需要更高的抗性能降低功 能时，优选使用能够形成离子键的离子价(Fz)小的阳离子。
[0124] 需要说明的是，阳离子(Z)包含离子价不同的多种阳离子时，FzXNz的值可通过算 出每种阳离子的值并累加而得到。例如，阳离子(Z)包含1摩尔的钠离子(Na+)和2摩尔的钙 离子(Ca 2+)时，成为Fz XNz=I X 1+2 X 2=5。
[0125] 阳离子(Z)可通过使溶解于溶剂时产生阳离子(Z)的离子性化合物(E)溶解于第一 涂布液(U)来添加至层(Y)中。作为阳离子(Z)的抗衡离子，可列举出例如氢氧根离子、氯离 子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、硝酸根离子、碳酸根离子、碳酸氢根离子等无机阴离子；乙 酸根离子、硬脂酸根离子、草酸根离子、酒石酸根离子等有机酸阴离子等。阳离子(Z)的离子 性化合物(E)可以是通过溶解而产生阳离子(Z)的金属化合物(Ea)或金属氧化物(Eb)(不包 括金属氧化物(A))。
[0126] [金属氧化物(A)与阳离子(Z)的比率] 本发明的多层结构体的层(Y)中，Fz与Nz与Nm满足0.001彡Fz X Nz/Nm彡0.60的关系，优选 满足0 · 001彡Fz X Nz/Nm彡0 · 30的关系，更优选满足0 · 01彡Fz X Nz/Nm彡0 · 30的关系。
[0127] [磷化合物(B)与阳离子(Z)的比率] 本发明的多层结构体的层(Y)中，Fz与Nz与Np优选满足0.0008<FZXNZ/N[<1.35的关 系、更优选满足O · OOl彡Fz X Nz/Np彡I · OO的关系、进一步优选满足O · 0012彡Fz XNz/Np彡O · 35 的关系、特别优选满足0.012<FZXNZ/NP<0.29的关系。
[0128] [聚合物(C)] 层(Y)可以进一步包含特定的聚合物(C)。聚合物(C)例如为含有选自羰基、羟基、羧基、 羧酸酐基和羧基盐中的至少1种官能团的聚合物。
[0129] 作为具有羟基的聚合物(C)的具体例，可列举出聚酮;聚乙烯醇、含有1~50摩尔％的 碳原子数4以下的α-烯烃单元的改性聚乙烯醇、聚乙烯基缩醛(例如聚乙烯基丁缩醛)等聚 乙烯醇系聚合物;纤维素、淀粉、环糊精等多糖类;聚（甲基）丙烯酸羟乙酯、聚（甲基）丙烯 酸、乙烯-丙烯酸共聚物等（甲基）丙烯酸系聚合物；乙烯-马来酸酐共聚物的水解物、苯乙 烯-马来酸酐共聚物的水解物、异丁烯-马来酸酐交替共聚物的水解物等马来酸系聚合物 等。这些之中，优选为聚乙烯醇系聚合物，具体而言，优选为聚乙烯醇和含有1~15摩尔％的碳 原子数4以下的α-烯烃单元的改性聚乙烯醇。
[0130]作为聚乙烯醇系聚合物的皂化度，没有特别限定，优选为75.0~99.85摩尔％、更优 选为80.0~99.5摩尔％。聚乙烯醇系聚合物的粘均聚合度优选为100~4，000、更优选为300~3， 〇〇〇。另外，聚乙烯醇系聚合物的20 °C下的4质量%水溶液的粘度优选为1.0~200mPa · s、更优 选为11~90mPa· s。前述皂化度、粘均聚合度和4质量％水溶液的粘度是按照JIS K 6726 (1994年)而求出的值。
[0131] 聚合物(C)可以为具有聚合性基团的单体(例如乙酸乙烯酯、丙烯酸）的均聚物，也 可以为2种以上单体的共聚物，还可以是具有羰基、羟基和/或羧基的单体与不具有该基团 的单体的共聚物。
[0132] 聚合物(C)的分子量没有特别限定。为了得到具有更优异的阻隔性和力学物性(例 如下落冲击强度）的多层结构体，聚合物(C)的数均分子量优选为5，000以上、更优选为8， 000以上、进一步优选为10,000以上。聚合物(C)的数均分子量的上限没有特别限定，例如为 1,500,000 以下。
[0133] 为了进一步提高阻隔性，层(Y)中的聚合物（C)的含量以层(Y)的质量作为基准 (100质量％)优选为50质量％以下、更优选为40质量％以下、进一步优选为30质量％以下，可以 为20质量％以下。聚合物(C)可以与层(Y)中的其它成分发生反应，也可以不反应。
[0134] [层(Y)中的其它成分] 多层结构体中的层(Y)除了包含金属氧化物(A)、化合物(L)、磷化合物(B)、反应产物 (D)、阳离子(Z)或其化合物(E)、酸（用于水解缩合的酸催化剂、反絮凝时的酸等)和聚合物 (C)之外，还可以包含其它成分。作为其它成分，可列举出例如不含阳离子(Z)的碳酸盐、盐 酸盐、硝酸盐、碳酸氢盐、硫酸盐、硫酸氢盐、硼酸盐等无机酸金属盐;不含阳离子(Z)的乙酸 盐、硬脂酸盐、草酸盐、酒石酸盐等有机酸金属盐;层状粘土化合物;交联剂;聚合物(C)以外 的高分子化合物;增塑剂;抗氧化剂;紫外线吸收剂;阻燃剂等。多层结构体中的层(Y)中的 前述其它成分的含量相对于层(Y)的质量优选为50质量％以下、更优选为20质量％以下、进一 步优选为10质量%以下、特别优选为5质量%以下，可以为0质量%(不含其它成分）。
[0135] [层(Y)的厚度] 层(Y)的厚度(多层结构体具有2层以上的层(Y)时，为各层(Y)的总厚度)优选为0.05~ 4. Ομπι、更优选为0.1~2. Ομπι。通过减薄层(Y)，能够将印刷、层压等加工时的多层结构体的尺 寸变化抑制得较低。另外，由于多层结构体的柔软性增加，因此，还能够使其力学特性接近 基材自身的力学特性。本发明的多层结构体具有2层以上的层(Y)时，从气体阻隔性的观点 出发，平均1层的层(Y)的厚度优选为0.05μπι以上。层(Y)的厚度可通过用于形成层(Y)的后 述第一涂布液(U)的浓度、其涂布方法来控制。
[0136] [层(Y)的红外线吸收光谱] 层(Y)的红外线吸收光谱中，800~MOOcnf1的区域中的最大吸收波数优选处于1，080~ I，130CHT1的范围。在金属氧化物(A)与磷化合物(B)反应而形成反应产物(D)的过程中，源自 金属氧化物(A)的金属原子(M)与源自磷化合物(B)的磷原子(P)借助氧原子(0)键合而形成 M-O-P所示的键。其结果，在红外线吸收光谱中生成源自该键的特性吸收带。通过本发明人 等的研究结果可知:在1，080~MSOcnf 1的区域内观察到基于M-O-P键的吸收带时，所得多层 结构体表现出优异的气体阻隔性。尤其是可知:该特性吸收带在通常可观察到源自各种原 子与氧原子的键的吸收的800~MOOcnf 1的区域中是最强的吸收时，所得多层结构体会表现 出更优异的气体阻隔性。
[0137] 与此相对，将金属醇盐、金属盐等金属化合物与磷化合物(B)预先混合后使其水解 缩合时，能够得到源自金属化合物的金属原子与源自磷化合物(B)的磷原子基本均匀混合 并发生反应的复合物。此时，在红外线吸收光谱中，800~IdOOcnf 1的区域中的最大吸收波数 会偏离1，080~I，130CHT1的范围。
[0138] 在层(Y)的红外线吸收光谱中，从所得多层结构体的气体阻隔性的观点出发，800~ I dOOcnf1的区域中的最大吸收带的半峰宽优选为SOOcnf1以下、更优选为ΙδΟαιΓ 1以下、进一 步优选为lOOcnf1以下、特别优选为50cnf 1WTd
[0139] 层(Y)的红外线吸收光谱可通过实施例所述的方法来测定。但是，无法用实施例所 述的方法进行测定时，可以通过反射吸收法、外部反射法、衰减全反射法等的反射测定来测 定;从多层结构体上刮取层(Y)，并用纽久尔法(Nujol method)、压片法等的透过测定方法 进行测定，但不限定于它们。
[0140] [层(W)] 本发明的多层结构体可以进一步包含层(W)。层(W)包含具有官能团的聚合物(G1)，所 述官能团含有磷原子。层(W)优选与层(Y)相邻配置。即，层(W)与层(Y)优选以彼此接触的方 式进行配置。另外，层(W)优选夹着层(Y)而配置于基材(X)的相反侧（优选为相反侧的表 面）。换言之，优选在基材(X)与层(W)之间配置层(Y)。在优选的一例中，层(W)夹着层(Y)配 置于基材(X)的相反侧(优选为相反侧的表面），且与层(Y)相邻配置。层(W)还可以包含具有 羟基和/或羧基的聚合物(G2)。作为聚合物(G2)，可以使用与聚合物(C)相同的聚合物。关于 聚合物(Gl)，进行如下说明。
[0141] [聚合物(Gl)] 作为具有包含磷原子的官能团的聚合物(Gl)中具有的包含磷原子的官能团，可列举出 例如磷酸基、亚磷酸基、膦酸基、亚膦酸基、次膦酸基、三价膦酸基和它们的盐、以及由它们 衍生的官能团（例如(偏)酯化合物、卤化物(例如氯化物）、脱水物)等。其中，优选为磷酸基 和/或膦酸基、更优选为膦酸基。
[0142] 作为聚合物(Gl)，可列举出例如丙烯酸6_[(2_磷酰基乙酰基)氧基]己酯、甲基丙 烯酸2-磷酰基氧基乙酯、甲基丙烯酸磷酰基甲酯、甲基丙烯酸11-磷酰基十一烷基酯、甲基 丙烯酸I，1-二磷酰基乙酯等（甲基)丙烯酸磷酰基酯类的聚合物；乙烯基膦酸、2-丙烯-1-膦 酸、4-乙烯基苯甲基膦酸、4-乙烯基苯基膦酸等膦酸类的聚合物；乙烯基次膦酸、4-乙烯基 苯甲基次膦酸等次膦酸类的聚合物;磷酸化淀粉等。聚合物(Gl)可以为至少1种的前述具有 含磷原子的官能团的单体的均聚物，也可以为2种以上单体的共聚物。另外，作为聚合物 (G1)，可以将由单一单体形成的聚合物混合2种以上并使用。其中，优选为（甲基)丙烯酸磷 酰基酯类的聚合物和/或乙烯基膦酸类的聚合物，更优选为乙烯基膦酸类的聚合物。聚合物 (Gl)优选为聚（乙烯基膦酸)或聚（甲基丙烯酸2-磷酰氧基乙酯），可以为聚（乙烯基膦酸）。 另外，聚合物(Gl)也可通过将乙烯基膦酸酰卤、乙烯基膦酸酯等乙烯基膦酸衍生物均聚或 共聚后，进行水解来获得。
[0143] 另外，聚合物(Gl)可以为至少1种的具有含磷原子的官能团的单体与其它乙烯基 单体的共聚物。作为能够与具有含磷原子的官能团的单体进行共聚的其它乙烯基单体，可 列举出例如（甲基)丙烯酸、（甲基)丙烯酸酯类、丙烯腈、甲基丙烯腈、苯乙烯、核取代苯乙烯 类、烷基乙烯基醚类、烷基乙烯基酯类、全氟烷基乙烯基醚类、全氟烷基乙烯基酯类、马来 酸、马来酸酐、富马酸、衣康酸、马来酰亚胺、苯基马来酰亚胺等。这些之中，优选为（甲基)丙 烯酸酯类、丙烯腈、苯乙烯、马来酰亚胺和苯基马来酰亚胺。
[0144] 为了得到具有更优异的耐弯曲性的多层结构体，源自具有含磷原子的官能团的单 体的结构单元在聚合物(Gl)的所有结构单元中所占的比例优选为10摩尔％以上、更优选为 20摩尔％以上、进一步优选为40摩尔％以上、特别优选为70摩尔％以上，可以为100摩尔°/〇。
[0145] 聚合物(Gl)的分子量没有特别限定，数均分子量优选处于1，000~100，000的范围 内。数均分子量处于该范围时，通过层叠层(W)来改善耐弯曲性的效果和后述第二涂布液 (V)的粘度稳定性能够以高水准得以兼顾。另外，层叠后述层(Y)时，平均1个磷原子的聚合 物(Gl)的分子量处于100~500的范围时，能够进一步提高改善耐弯曲性的效果。
[0146] 层(W)可以仅由聚合物(Gl)构成，也可以仅由聚合物(Gl)和聚合物(G2)构成，还可 以包含其它成分。作为层(W)中包含的其它成分，可列举出例如碳酸盐、盐酸盐、硝酸盐、碳 酸氢盐、硫酸盐、硫酸氢盐、硼酸盐等无机酸金属盐;乙酸盐、硬脂酸盐、草酸盐、酒石酸盐等 有机酸金属盐;环戊二烯基金属络合物（例如环戊二烯钛）、氰基金属络合物（例如普鲁士 蓝)等金属络合物;层状粘土化合物;交联剂;聚合物(Gl)和聚合物(G2)以外的高分子化合 物:增塑剂;抗氧化剂；紫外线吸收剂;阻燃剂等。层(W)中的前述其它成分的含有率优选为 50质量％以下、更优选为20质量％以下、进一步优选为10质量％以下、特别优选为5质量％以下， 可以为〇质量％(不含其它成分）。层(W)不含金属氧化物(A)、磷化合物(B)和阳离子(Z)中的 至少1种。典型而言，层(W)至少不含金属氧化物(A)。
[0147] 从将多层结构体的外观保持得良好的观点出发，层(W)中的聚合物(G2)的含有率 以层(W)的质量作为基准（100质量%)优选为85质量％以下、更优选为50质量%以下、进一步优 选为20质量％以下、特别优选为10质量％以下。聚合物(G2)可以与层(W)中的成分发生反应， 也可以不发生反应。关于聚合物(Gl)与聚合物(G2)的质量比，聚合物(Gl):聚合物(G2)优选 处于15:85~100:0的范围、更优选处于15:85~99:1的范围。
[0148] 从本发明的多层结构体的对于物理应力（例如弯曲）的耐性变得更良好的观点出 发，层(W)的平均一层的厚度优选为0.003μπι以上。层(W)的厚度上限没有特别限定，为Ι.Ομπι 以上时，对于物理应力的耐性的改善效果达到饱和。因此，从经济性的观点出发，层(W)的总 厚度的上限优选设为1.〇μπι。层(W)的厚度可通过用于形成层(W)的后述第二涂布液(V)的浓 度、其涂布方法来控制。
[0149] [多层结构体的制造方法] 根据本发明的制造方法，能够容易地制造本发明的多层结构体。针对本发明的多层结 构体说明的事项可应用于本发明的制造方法，因此有时省略重复的说明。另外，针对本发明 的制造方法说明的事项可应用于本发明的多层结构体。
[0150] 本发明的多层结构体的制造方法包括工序〔I〕、〔 II〕和〔III〕。工序〔I〕中，通过将 金属氧化物(A)、磷化合物(B)和阳离子(Z)的离子性化合物(E)进行混合，从而制备包含金 属氧化物(A)、磷化合物(B)和阳离子(Z)的第一涂布液(U)。工序〔II〕中，通过在基材(X)上 涂布第一涂布液(U)，从而在基材(X)上形成层(Y)的前体层。工序〔III〕中，通过将该前体层 以IHTC以上的温度进行热处理，从而在基材(X)上形成层(Y)。
[0151] [工序〔I〕（第一涂布液(U)的制备）] 工序〔I〕中，将金属氧化物(A)、磷化合物(B)和阳离子(Z)的离子性化合物(E)进行混 合。在将它们进行混合时，可以添加溶剂。第一涂布液(U)中，由离子性化合物(E)生成阳离 子(Z)。第一涂布液(U)中，除了包含金属氧化物(A)、磷化合物(B)和阳离子(Z)之外，还可以 包含其它化合物。
[0152] 第一涂布液(U)中，Nm与Np优选满足前述关系式。另外，Nm与Nz与Fz优选满足前述关 系式。进而，Np与Nz与Fz优选满足前述关系式。
[0153] 工序〔I〕优选包括以下的工序〔I-a〕~〔I-c〕。
[0154] 工序〔I-a〕：制备包含金属氧化物(A)的液体的工序、 工序〔I-b〕：制备包含磷化合物(B)的溶液的工序、 工序〔I-c〕：将通过前述工序〔I-a〕和〔I-b〕得到的包含金属氧化物(A)的液体与包含磷 化合物(B)的溶液进行混合的工序。
[0155] 工序〔I-b〕在工序〔I-a〕之前或之后的任意时刻进行均可，可以与工序〔I-a〕同时 进行。以下，针对各工序更具体地进行说明。
[0156] 工序〔I-a〕中，制备包含金属氧化物(A)的液体。该液体是溶液或分散液。该液体可 以如下制备:例如按照公知的溶胶凝胶法中采用的方法，例如将上述化合物(L)、水和根据 需要添加的酸催化剂、有机溶剂进行混合，对化合物(L)进行缩合或水解缩合，从而进行制 备。通过将化合物(L)进行缩合或水解缩合而得到金属氧化物(A)的分散液时，根据需要可 以对该分散液进行特定的处理(为了前述那样的反絮凝、控制浓度而增减溶剂等）。工序〔1-a〕可以包括使选自化合物(L)和化合物(L)的水解物中的至少1种进行缩合(例如脱水缩合） 的工序。工序〔I-a〕中能够使用的有机溶剂的种类没有特别限定，例如优选为甲醇、乙醇、异 丙醇等醇类、水和它们的混合溶剂。该液体中的金属氧化物(A)的含量优选处于0.1~30质 量%的范围、更优选处于1~20质量%的范围、进一步优选处于2~15质量%的范围。
[0157] 例如，金属氧化物(A)为氧化铝时，在氧化铝的分散液的制备中，首先根据需要在 用酸催化剂调整了 PH的水溶液中将铝醇盐进行水解缩合，从而得到氧化铝的浆料。接着，通 过将该浆料在特定量的酸的存在下进行反絮凝，能够得到氧化铝的分散液。需要说明的是， 含有铝以外的金属原子的金属氧化物(A)的分散液也可以通过相同的方法来制造。作为酸， 例如优选为盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、乳酸和丁酸，更优选为硝酸和乙酸。
[0158] 工序〔I-b〕中，制备包含磷化合物(B)的溶液。前述溶液可通过将磷化合物(B)溶解 于溶剂来制备。磷化合物(B)的溶解性低时，通过施加加热处理、超声波处理，也可以促进溶 解。作为溶剂，可以根据磷化合物(B)的种类来适当选择，优选包含水。在不妨碍磷化合物 (B)溶解的情况下，溶剂可以包含有机溶剂(例如甲醇）。
[0159 ]包含磷化合物(B )的溶液中的磷化合物(B )的含量优选处于0.1~99质量％的范围、 更优选处于45~95质量%的范围、进一步优选处于55~90质量%的范围。
[0160] 工序〔I-c〕中，将包含金属氧化物(A)的液体与包含磷化合物(B)的溶液进行混合。 通过将混合时的温度维持至30°C以下(例如20°C)，有时能够得到保存稳定性优异的第一涂 布液(U)。
[0161] 包含阳离子(Z)的化合物(E)可以在选自工序〔I-a〕、工序〔I-b〕和工序〔I-c〕中的 至少1种工序中添加，也可以在这些之中的任意1种工序中添加。例如，化合物(E)可以添加 至工序〔I-a〕的包含金属氧化物(A)的液体或工序〔I-b〕的包含磷化合物(B)的溶液中，也可 以添加至工序〔I-c〕的包含金属氧化物(A)的液体与包含磷化合物(B)的溶液的混合液中。
[0162] 另外，第一涂布液(U)可以包含聚合物(C)。使第一涂布液(U)中包含聚合物(C)的 方法没有特别限定。例如，聚合物(C)可以以溶液的形式添加?混合至包含金属氧化物(A) 的液体、包含磷化合物(B )的溶液和它们的混合液中的任一者，也可以在粉末或粒料的状态 下添加后使其溶解。通过使包含磷化合物(B)的溶液中含有聚合物(C)，将包含金属氧化物 (A)的液体与包含磷化合物(B)的溶液进行混合时的金属氧化物(A)与磷化合物(B)的反应 速度变慢，其结果，有时能够得到经时稳定性优异的第一涂布液(U)。
[0163] 第一涂布液(U)根据需要可以包含选自盐酸、硝酸、乙酸、三氟乙酸和三氯乙酸中 的至少1种酸化合物(J)。酸化合物(J)的含量优选处于0.1~5.0质量％的范围、更优选处于 0.5~2.0质量％的范围。在这些范围内，能够得到由添加酸化合物(J)带来的效果，且容易去 除酸化合物(J)。包含金属氧化物(A)的液体中残留有酸成分时，考虑其残留量来确定酸化 合物(J)的添加量即可。
[0164] 通过工序〔I-c〕得到的混合液可以直接用作第一涂布液(U)。此时，包含金属氧化 物(A)的液体、包含磷化合物(B)的溶液中包含的溶剂通常成为第一涂布液(U)的溶剂。另 外，通过向前述混合液中添加有机溶剂、进行pH的调整、粘度的调整、添加物的添加等处理， 也可以制备第一涂布液(U)。作为有机溶剂，可列举出例如用于制备包含磷化合物(B)的溶 液时使用的溶剂等。
[0165] 从第一涂布液(U)的保存稳定性以及第一涂布液(U)对于基材(X)的涂布性的观点 出发，第一涂布液(U)的固体成分浓度优选处于1~20质量%的范围、更优选处于2~15质量%的 范围、进一步优选处于3~10质量%的范围。第一涂布液(U)的固体成分浓度可以如下计算:例 如向培养皿中添加规定量的第一涂布液(U)，连同该培养皿一起加热而去除溶剂等挥发成 分，残留的固体成分的质量除以最初添加的第一涂布液(U)的质量，由此算出。
[0166] 第一涂布液(U)的利用Brookfield形旋转粘度计（SB型粘度计：转子No. 3、转速 60rpm)测定的粘度在涂布时的温度下优选为3,000mPa · s以下、更优选为2,500mPa · s以 下、进一步优选为2 ,OOOmPa · s以下。通过使该粘度为3 ,OOOmPa · s以下，第一涂布液(U)的 流平性提高，能够得到外观更优异的多层结构体。另外，作为第一涂布液(U)的粘度，优选为 50mPa · s以上、更优选为IOOmPa · s以上、进一步优选为200mPa · s以上。
[0167] 第一涂布液(U冲，Nm与Np满足0.8<Νμ/Νρ<4.5的关系。另外，第一涂布液(U冲，Nm 与Nz与Fz满足0.001彡Fz X Nz/Nm彡0.60的关系。进而，第一涂布液(U)中，Fz与Nz与Np优选满足 0.0008彡卩2\吣/协彡1.35的关系。
[0168] [工序〔II〕（第一涂布液(U)的涂布）] 工序〔II〕中，通过在基材(X)上涂布第一涂布液(U)，从而在基材(X)上形成层(Y)的前 体层。第一涂布液(U)可以直接涂布在基材(X)的至少一个表面上。另外，在涂布第一涂布液 (U)之前，通过用公知的锚涂剂(anchor coating agent)处理基材(X)的表面或者向基材 00的表面涂布公知的粘接剂等，也可以在基材(X)的表面上形成粘接层(H)。
[0169] 将第一涂布液(U)涂布在基材(X)上的方法没有特别限定，可以采用公知的方法。 作为涂布方法，可列举出例如流延法、浸渍法、辊涂法、凹版涂布法、丝网印刷法、反向涂布 法、喷涂法、吻涂法、模涂法、计量棒涂法、组合使用密封刮刀的涂布法、帘涂法等。
[0170]通常，在工序〔II〕中，通过去除第一涂布液(U)中的溶剂，从而形成层(Y)的前体 层。去除溶剂的方法没有特别限定，可以应用公知的干燥方法。作为干燥方法，可列举出例 如热风干燥法、热辊接触法、红外线加热法、微波加热法等。干燥处理温度优选比基材(X)的 流动起始温度低0~15°c以上。第一涂布液(U)包含聚合物(C)时，干燥处理温度优选比聚合 物(C)的热分解起始温度低15~20°C以上。干燥处理温度优选处于70~200°C的范围、更优选 处于80~180°C的范围、进一步优选处于90~160°C的范围。溶剂的去除可以在常压下或减压 下的任意情况实施。另外，也可以通过后述工序〔III〕中的热处理来去除溶剂。
[0171] 在层状基材(X)的两面层叠层(Y)时，通过将第一涂布液(U)涂布在基材(X)的一 面，然后去除溶剂，从而形成第一层(第一层(Y)的前体层），接着，将第一涂布液(U)涂布在 基材(X)的另一面，然后去除溶剂，从而可以形成第二层(第二层(Y)的前体层）。涂布于各面 的第一涂布液(U)的组成可以相同也可以不同。
[0172] [工序〔III〕（层(Y)的前体层的处理）] 工序〔III〕中，通过将工序〔II〕中形成的前体层(层(Y)的前体层）以140°C以上的温度 进行热处理，从而形成层(Y)。该热处理温度优选比涂布第一涂布液(U)后的干燥处理温度 尚。
[0173] 工序〔III〕中，进行金属氧化物(A)彼此借助磷原子(源自磷化合物(B)的磷原子） 键合的反应。从其它观点来看，工序〔III〕中进行反应产物(D)的生成反应。为了充分进行该 反应，热处理的温度优选为140°C以上、更优选为170°C以上、进一步优选为180°C以上。热处 理温度低时，为了获得充分的反应度所耗费的时间变长，成为生产率降低的原因。热处理温 度的优选上限因基材(X)的种类等而异。例如，将由聚酰胺系树脂形成的热塑性树脂膜用作 基材(X)时，热处理的温度优选为270°C以下。另外，将由聚酯系树脂形成的热塑性树脂膜用 作基材(X)时，热处理的温度优选为240 °C以下。热处理可以在空气中、氮气气氛下或氩气气 氛下等实施。
[0174] 热处理的时间优选处于0.1秒~1小时的范围、更优选处于1秒~15分钟的范围、进一 步优选处于5~300秒的范围。
[0175] 用于制造多层结构体的本发明的方法可以包括对层(Y)的前体层或层(Y)照射紫 外线的工序。例如，可以在工序〔II〕之后(例如，在涂布的第一涂布液(U)的溶剂去除大致结 束后)进行紫外线的照射。
[0176] 为了在基材(X)与层(Y)之间配置粘接层(H)，也可以在涂布第一涂布液(U)之前， 用公知的锚固涂布剂处理基材(X)的表面或者在基材(X)的表面涂布公知的粘接剂。
[0177] 本发明的多层结构体的制造方法可以进一步包括工序〔i〕和〔ii〕。在工序〔i〕中， 制备包含含磷原子的聚合物(Gl)和溶剂的第二涂布液(V)。在工序Ui〕中，使用第二涂布液 (V)形成与层(Y)相邻配置的层(W)。工序〔i〕的顺序没有特别限定，可以与工序〔I〕、〔II〕或 〔III〕同时进行，也可以在工序〔I〕、〔II〕或〔III〕之后进行。工序〔ii〕可以在工序〔II〕或 〔III〕之后进行。通过对层(Y)或层(Y)的前体层涂布第二涂布液(V)，能够以接触层(Y)的方 式形成在层(Y)上层叠的层(W)。形成包含聚合物(G2)的层(W)时，第二涂布液(V)包含聚合 物(G2)。在第二涂布液(V)中，关于聚合物(Gl)与聚合物(G2)的质量比，聚合物(Gl):聚合物 (G2)优选处于15:85~100:0的范围、更优选处于15:85~99:1的范围。通过使用该质量比的第 二涂布液(V)，能够形成聚合物(Gl)与聚合物(G2)的质量比处于该范围的层(W)。第二涂布 液(V)可通过将聚合物(Gl)(和根据需要的聚合物(G2))溶解于溶剂来制备。
[0178] 第二涂布液(V)中使用的溶剂可根据所含的聚合物种类来适当选择，优选为水、醇 类或它们的混合溶剂。在不妨碍聚合物溶解的范围内，溶剂可以包含四氢呋喃、二噁烷、三 噁烷、二甲氧基乙烷等醚;丙酮、甲乙酮等酮；乙二醇、丙二醇等二醇；甲基溶纤剂、乙基溶纤 剂、正丁基溶纤剂等二醇衍生物;甘油；乙腈;二甲甲酰胺等酰胺;二甲基亚砜;环丁砜等。
[0179] 从溶液的保存稳定性、涂布性的观点出发，第二涂布液(V)中的固体成分(聚合物 (Gl)等）的浓度优选处于0.01~60质量％的范围、更优选处于0.1~50质量％的范围、进一步优 选处于0.2~40质量%的范围。固体成分浓度可通过与针对第一涂布液(U)记载的方法相同的 方法来求出。
[0180] 通常，在工序〔ii〕中，第二涂布液(V)中的溶剂被去除，从而形成层(W)。第二涂布 液(V)中的溶剂的去除方法没有特别限定，可以应用公知的干燥方法。作为干燥方法，可列 举出例如热风干燥法、热辊接触法、红外线加热法、微波加热法等。干燥温度优选比基材(X) 的流动起始温度低〇~15°C以上。干燥温度优选处于70~200 °C的范围、更优选处于150~200°C 的范围。溶剂的去除可以在常压下或减压下的任意时刻实施。另外，在前述工序〔II〕与工序 〔III〕之间实施工序〔ii〕时，也可以通过工序〔III〕中的热处理来去除溶剂。
[0181] 可以在基材(X)的两面隔着层(Y)来形成层(W)。此时的一例中，通过将第二涂布液 (V)涂布在一面后，去除溶剂，从而形成第一层(W)。接着，通过将第二涂布液(V)涂布在另一 面后，去除溶剂，从而形成第二层(W)。各个面上涂布的第二涂布液(V)的组成可以相同也可 以不同。
[0182] 经由工序〔III〕的热处理而得到的多层结构体可以直接用作本发明的多层结构 体。但是，在该多层结构体上如上所述地进一步粘接或形成有其它构件(例如其它层）的层 叠体也可以制成本发明的多层结构体。该构件的粘接可以通过公知的方法来进行。
[0183][粘接层(H)] 本发明的多层结构体中，层(Y)可以以直接接触基材(X)的方式进行层叠。另外，层(Y) 也可以借助其它层而层叠于基材(X)。例如，层(Y)可以借助粘接层(H)而层叠于基材(X)。根 据该构成，有时能够提高基材(X)与层(Y)的粘接性。粘接层(H)可以用粘接性树脂形成。由 粘接性树脂形成的粘接层(H)可通过用公知的锚涂剂处理基材(X)的表面或者在基材(X)的 表面上涂布公知的粘接剂来形成。作为粘接剂，优选为将多异氰酸酯成分与多元醇成分混 合并使其反应的双液反应型聚氨酯系粘接剂。另外，通过向锚涂剂、粘接剂中添加公知的硅 烷偶联剂等少量的添加剂，有时能够进一步提高粘接性。作为硅烷偶联剂，可列举出例如具 有异氛酸酯基、环氧基、氣基、脈基、疏基等反应性基团的硅烷偶联剂，但不限定于它们。通 过借助粘接层(H)来稳固地粘接基材(X)和层(Y)，对本发明的多层结构体实施印刷、层压等 加工时，能够更有效地抑制阻隔性、外观的恶化。粘接层(H)的厚度优选为0.01~IO. Ομπι、更 优选为0.03~5. Oym。
[0184] [其它层] 本发明的多层结构体还可以包含用于赋予各种特性例如热封性或者提高阻隔性、力学 物性的其它层。这种本发明的多层结构体例如可以通过在基材(X)上直接或借助粘接层(H) 地层叠层(Y)后，进一步直接或借助粘接层(H)地粘接或形成该其它层来制造。作为其它层， 可列举出例如墨层、聚烯烃层等，但不限定于它们。
[0185] 本发明的多层结构体可以包含用于印刷商品名、图案的墨层。这种本发明的多层 结构体例如可以通过在基材(X)上直接或借助粘接层(H)地层叠层(Y)后，进一步直接形成 该墨层来制造。作为墨层，可列举出例如将向溶剂中分散有包含颜料(例如二氧化钛）的聚 氨酯树脂的液体进行干燥而得到的覆膜，也可以是将以不含颜料的聚氨酯树脂、其它树脂 作为主剂的墨、电路布线形成用抗蚀剂进行干燥而得到的覆膜。作为在层(Y)上涂布墨层的 方法，除了凹版印刷法之外，还可以使用线棒、旋涂机、模涂机等各种涂布方法。墨层的厚度 优选为0.5~ΙΟ.Ομηι、更优选为1.0~4.0μηι。
[0186] 本发明的多层结构体中，层(W)中包含聚合物(G2)时，具有与粘接层(Η)、其它层 (例如墨层)亲和的亲和性高的官能团，因此，层(W)与其它层的密合性提高。因此，在承受拉 伸处理等物理应力后能够维持阻隔性能，并且能够抑制脱层等外观不良。
[0187] 通过将本发明的多层结构体的最外表面层制成聚烯烃层，能够对多层结构体赋予 热封性或者提高多层结构体的力学特性。从提高热封性、力学特性等的观点出发，聚烯烃优 选为聚丙烯或聚乙烯。另外，为了提高多层结构体的力学特性，优选层叠选自由聚酯形成的 膜、由聚酰胺形成的膜和由含羟基的聚合物形成的膜中的至少1种膜。从提高力学特性的观 点出发，作为聚酯，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯，作为聚酰胺，优选为尼龙-6,作为含羟基 的聚合物，优选为乙烯-乙烯醇共聚物。需要说明的是，各层之间根据需要还可以设置锚涂 层、由粘接剂形成的层。
[0188][多层结构体的构成] 以下示出本发明的多层结构体的构成的具体例。另外，多层结构体可以具有粘接层(H) 等粘接层，在以下的具体例中，省略该粘接层的记载。
[0189] (1)层(Y)/聚酯层、 (2) 层(Y)/聚酯层/层(Y)、 (3) 层(Y)/聚酰胺层、 (4) 层(Y)/聚酰胺层/层(Υ)、 (5) 层(Y)/聚烯烃层、 (6) 层(Y)/聚烯烃层/层(Υ)、 (7) 层(Y)/含羟基的聚合物层、 (8) 层(Y)/含羟基的聚合物层/层(Y)、 (9) 层(Y)/无机蒸镀层/聚酯层、 (10) 层(Y)/无机蒸镀层/聚酰胺层、 (11) 层(Y)/无机蒸镀层/聚烯烃层、 (12) 层(Y)/无机蒸镀层/含羟基的聚合物层、 (13) 层(Y)/聚酯层/聚酰胺层/聚烯烃层、 (14) 层(Y)/聚酯层/层(Y)/聚酰胺层/聚烯烃层、 (15) 聚酯层/层(Y)/聚酰胺层/聚烯烃层、 (16) 层(Y)/聚酰胺层/聚酯层/聚烯烃层、 (17) 层(Y)/聚酰胺层/层(Y)/聚酯层/聚烯烃层、 (18) 聚酰胺层/层(Y)/聚酯层/聚烯烃层、 (19) 层(Y)/聚烯烃层/聚酰胺层/聚烯烃层、 (20) 层(Y)/聚烯烃层/层(Y)/聚酰胺层/聚烯烃层、 (21) 聚烯烃层/层(Y)/聚酰胺层/聚烯烃层、 (22) 层(Y)/聚烯烃层/聚烯烃层、 (23) 层(Y)/聚烯烃层/层(Y)/聚烯烃层、 (24) 聚烯烃层/层(Y)/聚烯烃层、 (25) 层(Y)/聚酯层/聚稀经层、 (26) 层(Y)/聚酯层/层(Y)/聚稀经层、 (27) 聚酯层/层(Y)/聚稀经层、 (28) 层(Y)/聚酰胺层/聚烯烃层、 (29) 层(Y)/聚酰胺层/层(Y)/聚烯烃层、 (30) 聚酰胺层/层(Y)/聚烯烃层、 (31) 无机蒸镀层/层(Y)/聚酯层、 (32) 无机蒸镀层/层(Y)/聚酯层/层(Y)/无机蒸镀层、 (33) 无机蒸镀层/层(Y)/聚酰胺层、 (34) 无机蒸镀层/层(Y)/聚酰胺层/层(Y)/无机蒸镀层、 (35) 无机蒸镀层/层(Y)/聚烯烃层、 (36) 无机蒸镀层/层(Y)/聚烯烃层/层(Y)/无机蒸镀层。 实施例
[0190] 接着，列举出实施例来进一步具体地说明，但本发明完全不限定于这些实施例，大 多数变形可通过在本发明的技术思想内由具有本领域常识的人员来实现。以下的实施例和 比较例中的分析和评价如下那样地进行。
[0191] (1)层(Y)的红外线吸收光谱 使用傅立叶变换红外分光光度计，利用衰减全反射法进行测定。测定条件如下所示。
[0192] 装置：-株式会社制Spectrum One 测定模式:衰减全反射法 测定区域:8004,40()011'
[0193] (2)各层的厚度测定 使用聚焦离子束(FIB)来切削多层结构体，制作截面观察用的切片(厚度0.3μπι)。将制 作的切片用碳胶带固定在试样台座上，以30kV的加速电压进行30秒钟的铂离子溅射。使用 场发射透射型电子显微镜观察多层结构体的截面，算出各层的厚度。测定条件如下所示。
[0194] 装置：日本电子株式会社制JEM-2100F 加速电压:200kV 倍率:250,000倍。
[0195] (3)金属离子的定量 向多层结构体I.Og中添加分析级别的高纯度硝酸5mL，进行微波分解处理，将所得溶液 用超纯水定容至50mL，从而得到铝离子以外的金属离子的定量分析用溶液。另外，将该溶液 〇.5mL用超纯水定容至50mL，从而得到铝离子的定量分析用溶液。使用电感耦合等离子体发 光分光分析装置，用内标法针对利用前述方法得到的溶液中包含的金属离子量进行定量。 各金属离子的检出下限为O.lppm。测定条件如下所示。
[0196] 装置：八°一夺^工少7-株式会社制0ptima4300DV RF 功率：1，300W 栗流量：1.50mL/分钟 辅助气体流量(氩气）:〇. 20L/分钟 载体流量(氩气）:〇. 70L/分钟 冷却剂气体：15. OL/分钟。
[0197] (4)铵离子的定量 将多层结构体裁断成IcmX Icm的尺寸，进行冷冻粉碎。将所得粉体用公称尺寸Imm的筛 (基于标准筛规格JIS-Z8801-1~3)进行筛分。使穿过前述筛的粉体IOg分散在离子交换水 50mL中，以95°C进行10小时的提取操作。使用阳离子色谱装置对所得提取液中包含的铵离 子进行定量。检出下限为〇. 〇2ppb。测定条件如下所示。
[0198] 装置:Dionex公司制 ICS-1600 保护柱：Dionex公司制 IonPAC CG-16(5<i)X50mm) 分离柱:Dionex公司制 IonPAC CS_16(5<})X250mm) 检测器：电导度检测器 洗脱液:30毫摩尔/L甲磺酸水溶液 温度:40°C 洗脱液流速:ImL/分钟 分析量:25yL。
[0199] (5)透氧度的测定 以基材层朝向载气侧的方式将样品安装于透氧量测定装置，通过等压法测定透氧度。 测定条件如下所示。
[0200] 装置：乇外口一少公司制 MOCON 0X-TRAN2/20 温度：20°C 氧气供给侧的湿度:85%RH 载气侧的湿度:85%RH 氧气压力：1个大气压 载气压力：1个大气压。
[0201] (6)水蒸气透过度的测定(等压法） 以基材层朝向载气侧的方式将样品安装于水蒸气透过量测定装置，通过等压法测定透 湿度(水蒸气透过度）。测定条件如下所示。 装置：乇外口一少公司制MOCON PERMATRAN W3/33 温度:40°C 水蒸气供给侧的湿度:90%RH 载气侧的湿度:〇%RH。
[0202] (7)水蒸气透过度的测定（压差法）（实施例1-36~1-39;比较例1-7的透湿度的测 定） 以基材层朝向水蒸气供给侧的方式将样品安装于水蒸气透过量测定装置，通过压差法 测定透湿度(水蒸气透过度）。测定条件如下所示。 装置:Technolox公司制 Deltaperm 温度:40°C 水蒸气供给(上室)侧的压力：50Torr(6，665Pa) 水蒸气透过(下室)侧的压力:〇.〇〇3Torr(0.4Pa)。
[0203] <聚合物(Gl-I)的合成例> 在氮气气氛下，使甲基丙烯酸2-磷酰氧基乙酯8.5g和偶氮双异丁腈0.1 g溶解于甲乙酮 17g，在80°C下搅拌12小时。将所得聚合物溶液冷却后，添加至1，2_二氯乙烷170g，通过倾析 而以沉淀物的形式回收。接着，使聚合物溶解于四氢呋喃，将1，2_二氯乙烷用作贫溶剂来进 行再沉淀精制。进行3次再沉淀精制后，以50°C进行24小时真空干燥，从而得到聚合物(G1- 1)。聚合物(Gl-I)为甲基丙烯酸2-磷酰氧基乙酯的聚合物。GPC分析的结果，该聚合物的数 均分子量以聚苯乙烯换算为1〇,〇〇〇。
[0204] <聚合物(G1-2)的合成例> 在氮气气氛下，使乙烯基膦酸IOg和2,2'_偶氮双(2-脒基丙烷)二盐酸盐0.025g溶解于 水5g，在80°C下搅拌3小时。冷却后，向聚合溶液中添加水15g来稀释，使用作为纤维素膜的 只<外歹Λ歹求歹卜1；一又'公司制造的"Spectra/Por"（注册商标)进行过滤。蒸馏去除滤液 中的水后，在50°C下进行24小时真空干燥，从而得到聚合物(G1-2)。聚合物(G1-2)为聚（乙 烯基膦酸XGPC分析的结果，该聚合物的数均分子量以聚乙二醇换算为10,000。
[0205] <第一涂布液(U-I)的制造例> 将蒸馏水230质量份一边搅拌一边升温至70 °C。花费1小时向该蒸馏水中滴加三异丙氧 基铝88质量份，将液温缓慢地提升至95°C，使产生的异丙醇馏出，从而进行水解缩合。向所 得液体中添加60质量%的硝酸水溶液4.0质量份，以95 °C搅拌3小时，从而使水解缩合物的颗 粒的聚集体发生反絮凝。其后，向该液体中添加浓度为I. 〇摩尔％的氢氧化钠水溶液2.24质 量份，浓缩至固体成分浓度以氧化铝换算达到10质量％。相对于这样操作而得到的液体 18.66质量份，添加蒸馏水58.19质量份、甲醇19.00质量份和5质量％的聚乙烯醇水溶液(株 式会社夕歹P制造的PVA124;皂化度98.5摩尔％、粘均聚合度2，400、20°C下的4质量%水溶液 粘度60mPa · s)0.50质量份，搅拌至达到均匀，得到包含金属氧化物(A)的液体、即分散液。 接着，在将液温维持至15°C的状态下，一边搅拌前述分散液一边滴加包含磷化合物(B)的溶 液即85质量％的磷酸水溶液3.66质量份，在滴加结束后，进一步持续搅拌30分钟，得到具有 表1记载的Nm/Np、Fz XNz/Nm和Fz XNz/Np值的目标第一涂布液(U_l)。
[0206] <第一涂布液(U-2 M U-5 )的制造例> 在第一涂布液(U-2MU-5)的制备中，制备分散液时，以Fz XNz/Nm和Fz X Nz/Np的值达到 后述表1所示数值的方式变更1.0摩尔％的氢氧化钠水溶液的添加量。除此之外，通过与第一 涂布液(U-1)的制备相同的方法，制备第一涂布液(U-2MU-5)。
[0207] <第一涂布液(U-6)的制造例> 在第一涂布液(U-6)的制备中，制备分散液时，不添加氢氧化钠水溶液，且将添加的蒸 馏水量设为58.09质量份(在第一涂布液(U-I)的制备中为58.19质量份）。另外，向分散液中 滴加磷酸水溶液后，添加1. 〇摩尔％的氢氧化钠水溶液〇. 10质量份。除此之外，通过与第一涂 布液(U-I)的制备相同的方法，制备第一涂布液(U-6)。
[0208] <第一涂布液(U-8)的制造例> 在包含磷化合物(B)的溶液中，使用磷酸三甲酯来代替磷酸，除此之外，通过与第一涂 布液(U-5)的制备相同的方法，制备第一涂布液(U-8)。
[0209] <第一涂布液(U-9)的制造例> 制备分散液时，使用5质量%的聚丙烯酸水溶液来代替5质量%的聚乙烯醇水溶液，除此 之外，通过与第一涂布液(U-5 )的制备相同的方法，制备第一涂布液(U-9 )。
[0210]〈第一涂布液(U-7)和(U-10)~(U-18)的制造例〉 制备分散液时，使用各种金属盐的水溶液来代替1. 〇摩尔％的氢氧化钠水溶液，除此之 外，通过与第一涂布液(U-5)的制备相同的方法，制备第一涂布液(U-7)和(U-10MU-18)。 作为金属盐的水溶液，第一涂布液(u-7)中使用1. 〇摩尔％的氯化钠水溶液、第一涂布液(υι?) 中使用 1. 〇摩尔％ 的氢氧化锂水溶液 、第一涂布液(U-11) 中使用 1. 0摩尔％的氢氧化钾水 溶液、第一涂布液(U-12)中使用0.5摩尔％的氯化钙水溶液、第一涂布液(U-13)中使用0.5摩 尔％的氯化钴水溶液、第一涂布液(U-14)中使用0.5摩尔％的氯化锌水溶液、第一涂布液(U-15 )中使用0.5摩尔％的氯化镁水溶液、第一涂布液(U-16 )中使用1.0摩尔％的氨水溶液、第一 涂布液(U-17)中使用盐水溶液(1.0摩尔％的氯化钠水溶液与0.5摩尔％的氯化|丐水溶液的混 合液）、第一涂布液(U-18)中使用盐水溶液(0.5摩尔％的氯化锌水溶液与0.5摩尔％的氯化钙 水溶液的混合液）。
[0211] <第一涂布液(U-19MU-23)的制造例> 除了按照后述表1来变更Nm/Np和Fz X Nz/Np的比率之外，通过与第一涂布液(U-5 )的制 备相同的方法，制备第一涂布液(U-19MU-23)。
[0212] < 第一涂布液(U-34 )、（ U-36 )、（ U-37 )、（ U-39 )、和(CU-5 )的制造例 > 制备分散液时，为了代替氢氧化钠水溶液，在第一涂布液(U-34)中使用0.19质量份的 氧化锌、第一涂布液(U-36)中使用0.19质量份的氧化镁、第一涂布液(U-37)中使用0.38质 量份的硼酸、第一涂布液(U-39)中使用0.30质量份的碳酸钙、第一涂布液(CU-5)中使用 0.38质量份的四乙氧基硅烷。它们均在添加聚乙烯醇水溶液后进行添加。另外，制备第一涂 布液(U-I)时添加的蒸馏水量为58.19质量份，第一涂布液(U-34)和第一涂布液(U-36)中设 为58.00质量份、第一涂布液(U-39)中设为57.89质量份、第一涂布液(U-37)和第一涂布液 (CU-5)中设为57.81质量份。除了这些变更之外，通过与第一涂布液(U-I)的制备相同的方 法，制备第一涂布液(U-34)、（U-36)、（U-37)、（U-39)和(CU-5)。
[0213]〈第一涂布液(CU-I)的制造例〉 制备分散液时，不添加1. 〇摩尔％的氢氧化钠水溶液，除此之外，通过与第一涂布液(U-1)的制备相同的方法，制备第一涂布液(⑶-1)。
[0214]〈第一涂布液(CU-2 )和(CU-6 )的制造例〉 制备分散液时，以Fz X Nz/Nm的值达到表1所示数值的方式变更1.0 摩尔％的氢氧化钠水 溶液的添加量，除此之外，通过与第一涂布液(U-1)的制备相同的方法，制备第一涂布液 (CU-2)和(CU-6)〇
[0215 ] <第一涂布液(CU-3 )和(CU-4 )的制造例〉 除了按照表1变更Nm/Np的值之外，通过与第一涂布液(U-5 )的制备相同的方法，制备第 一涂布液(CU-3 )和(CU-4 )。
[0216] <第二涂布液(V-1MV-6)的制造例> 首先，使通过合成例1得到的聚合物(Gl-I)溶解于水与甲醇的混合溶剂（以质量比计为 水：甲醇=7:3)，得到固体成分浓度为1质量%的第二涂布液(V-I)。另外，准备包含合成例1中 得到的聚合物(G1-1)91质量％、聚乙烯醇(株式会社ク歹レ制PVA124;皂化度98.5摩尔％、粘 均聚合度2，400、20°C下的4质量%水溶液粘度60mPa · s)9质量％的混合物。将该混合物溶解 于水与甲醇的混合溶剂（以质量比计为水：甲醇=7:3)，得到固体成分浓度为1质量％的第二 涂布液(V-2)。另外，准备包含合成例1中得到的聚合物(Gl-l)91质量％、聚丙烯酸(数均分子 量210，000、重均分子量1，290，000 )9质量％的混合物。使该混合物溶解于水与甲醇的混合溶 剂（以质量比计为水：甲醇=7:3)，得到固体成分浓度为1质量%的第二涂布液(V-3)。进而，除 了将聚合物(Gl-I)变更为聚合物(G1-2)之外，通过与第二涂布液(V-1MV-3)的制备相同 的方法，得到第二涂布液(V-4MV-6)。
[0217]实施例和比较例中使用的膜的详情如下所示。
[0218] I )PET12:拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜；东丽株式会社制、- P60"（商品 名）、厚度12μπι 2) ΡΕΤ125:拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜;东丽株式会社制、- S10"（商品名）、 厚度 125μπι) 3) ΡΕΤ50:与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物粘接的粘接性得以提高的聚对苯二甲酸乙二醇酯 膜;东洋纺株式会社制、"シ十彳^匕'一 A QlAl 5"（商品名）、厚度50μπι 4) ONY:拉伸尼龙膜;二二于力株式会社制、"工^P Λ 0NBC"(商品名）、厚度15μπι 5) CPP50:未拉伸聚丙烯膜;三井化学东七口株式会社制、"RXC-21"（商品名）、厚度50μπι 6) CPP60:未拉伸聚丙烯膜;三井化学东七口株式会社制、"RXC-21"（商品名）、厚度60μπι 7) CPP70:未拉伸聚丙烯膜;三井化学东七口株式会社制、"RXC-21"（商品名）、厚度70μπι 8) CPP100:未拉伸聚丙烯膜;三井化学东七口株式会社制、"RXC-21"（商品名）、厚度100 μηι〇
[0219][实施例1] <实施例1-1 > 首先，作为基材(X)而准备ΡΕΤ12。在该基材上以干燥后的厚度达到0.5μπι的方式使用棒 涂机涂布第一涂布液(U-1)，通过将涂布后的膜在IOOtC下干燥5分钟，从而在基材上形成层 (Y)的前体层。接着，通过在180°c下热处理1分钟，从而形成层(Y)。这样操作，得到具有层 (Υ)(0.5μπι)/ΡΕΤ这一结构的多层结构体(1-1)。
[0220] 测定多层结构体（1-1)的红外线吸收光谱的结果，800~MOOcnf1的区域内的最大 吸收波数为1，107ΟΙΓ 1，前述区域内的最大吸收带的半峰宽为37cnf、将结果示于表1。
[0221] 对多层结构体（1-1)中包含的钠离子进行定量分析的结果，{(钠离子的离子价)x (钠离子的摩尔数)V(铝离子的摩尔数)=〇.005。将结果示于表1。
[0222] 从多层结构体（1-1)中切出大小为21cmX30cm的样品，将该样品在23°C、50%RH的 条件下放置24小时后，在相同条件下沿着长轴方向拉伸5%，将拉伸状态保持10秒钟，从而制 成拉伸处理后的多层结构体（1-1)。接着，测定多层结构体（1-1)的拉伸处理前后的透氧度 和透湿度。将结果示于表2。
[0223] < 实施例 1-2~1_23> 除了使用第一涂布液(U-2MU-23)来代替第一涂布液(U-I)之外，与实施例1的多层结 构体(1-1)的制作同样操作，从而制作实施例1-2~1-23的多层结构体(1-2M1-23)。针对实 施例1-4的多层结构体（1-4)的金属离子含量进行分析的结果，{(钠离子的离子价)x(钠离 子摩尔数)V(铝离子摩尔数)=0.240。
[0224] < 实施例 1-24> 在PET12上以干燥后的厚度达到0.5μπι的方式使用棒涂机涂布第一涂布液(U-4)，将涂 布后的膜在ll〇°C下干燥5分钟，从而在基材上形成层(Y)的前体层。接着，针对所得层叠体， 在160°C下热处理1分钟，从而形成层(Υ)。这样操作，得到具有层(Υ)(0.5μπι)/ΡΕΤ这一结构 的多层结构体。在该多层结构体的层(Y)上以干燥后的厚度达到〇.3μπι的方式利用棒涂机涂 布第二涂布液(V-I)，在200°C下干燥1分钟，从而形成层(W)。这样操作，得到具有层(W)(0.3 μπι)/层(Υ)(0.5μπι)/ΡΕΤ这一结构的实施例1-24的多层结构体(1-24)。
[0225] < 实施例 1-25~1_29> 除了使用第二涂布液(V-2MV-6)来代替第二涂布液(V-I)之外，通过与实施例1-24的 多层结构体（1-24)的制作相同的方法，得到实施例1-25~1-29的多层结构体（1-25Μ1-29)〇
[0226] < 实施例 1-30> 通过真空蒸镀法在ΡΕΤ12上形成厚度0.03μπι的氧化铝的蒸镀层(X'）。在该蒸镀层上以 干燥后的厚度达到〇.5μπι的方式使用棒涂机涂布第一涂布液(U-4)，将涂布后的膜在110°C 下干燥5分钟，从而在基材上形成层(Y)的前体层。接着，针对所得层叠体，在180°C下热处理 1分钟，从而形成层(Y)。这样操作，得到具有层(Υ)(〇.5μπι)/蒸镀层(Χ'）（0.03μπι)/ΡΕΤ这一 结构的多层结构体(1-30)。
[0227] < 实施例1-31 > 在通过实施例1-4得到的多层结构体(1-4)的层(Y)上，通过真空蒸镀法形成厚度0.03μ m的氧化铝的蒸镀层(X'），得到具有蒸镀层(Χ'）(0.03μπι)/层(Υ)(0.5μπι)/ΡΕΤ(12μπι)这一结 构的多层结构体(1-31)。
[0228] < 实施例 1-32> 通过真空蒸镀法在ΡΕΤ12的两面形成厚度0.03μπι的氧化铝的蒸镀层(X'）。在该两个蒸 镀层上以干燥后的厚度达到〇.5μπι的方式使用棒涂机涂布第一涂布液(U-4)，将涂布后的膜 在IHTC下干燥5分钟，从而形成层(Y)的前体层。接着，针对所得层叠体，使用干燥机在180 °(：下热处理1分钟，从而形成层(Y)。这样操作，得到具有层(γ)(0.5μπι)/蒸镀层(χ'）（0.03μ m)/PET/蒸镀层(Χ'）(0.03μπι)/层(Υ)(0.5μπι)这一结构的多层结构体(1-32)。
[0229] < 实施例 1-33> 在ΡΕΤ12的两面上以干燥后的厚度分别达到0.5μπι的方式使用棒涂机涂布第一涂布液 (U-4)，将涂布后的膜在IHTC下干燥5分钟，从而在基材上形成层(Y)的前体层。接着，针对 所得层叠体，使用干燥机在180°C下热处理1分钟，从而形成层(Υ)。通过真空蒸镀法在该层 叠体的两个层(Y)上形成厚度〇.〇3μπι的氧化铝的蒸镀层(X'）。这样操作，得到具有蒸镀层 (X，）(0·03μπι)/层(Υ)(0 · 5μπι)/ΡΕΤ/层(Υ)(0 · 5μπι)/蒸镀层(X，）(0 ·03μπι)这一结构的多层结 构体(1-33)。
[0230] < 实施例 1-34> 除了使用第一涂布液(U-34)来代替第一涂布液(U-I)之外，通过与实施例1-1的多层结 构体(1-1)的制作相同的方法，得到实施例1-34的多层结构体(1-34)。
[0231] < 实施例 1-35> 使用第一涂布液(U-34)来代替第一涂布液(U-I)，使用第二涂布液(V-4)来代替第二涂 布液(V-I )，除此之外，通过与实施例1-24的多层结构体（1-24)的制作相同的方法，得到实 施例1-35的多层结构体(1-35)。
[0232] < 实施例 1-36> 在ΡΕΤ125上以干燥后的厚度达到0.3μπι的方式使用棒涂机涂布第一涂布液(U-36)，在 110°C下干燥5分钟后，在180°C下进行1分钟的热处理。这样操作而得到多层结构体(1-36)。
[0233] < 实施例 1-37~1_39> 除了使用第一涂布液(U-37)、（U-34)和(U-39)来代替第一涂布液(U-36)之外，与实施 例1-36的多层结构体(1-36)的制作同样操作，得到实施例1-37~1-39的多层结构体(1-37)~ (1-39) 〇
[0234] < 比较例 1-1~1-6> 除了使用第一涂布液(CU-1M⑶-6)来代替第一涂布液(U-I)之外，与实施例1-1的多 层结构体（1-1)的制作同样操作，制作比较例1-1~1-6的多层结构体(C1-1MC1-6)。针对比 较例1-1的多层结构体(Cl-I)的金属离子含量进行分析的结果，为低于检出下限（{(钠离子 的离子价)x(钠离子摩尔数)V(铝离子摩尔数)低于0.001)。
[0235] < 比较例 1-7 > 除了使用第一涂布液(CU-7)来代替第一涂布液(U-36)之外，与实施例1-36的多层结构 体(1 -36 )的制作同样操作，制作比较例1 -7的多层结构体(CA7 )。
[0236] 将实施例中的层(Y)、与层(Y)对应的比较例的层(CY)、以及层(W)的形成条件示于 表1。需要说明的是，表1中的简称表示以下的物质。 PVA:聚乙烯醇(株式会社夕歹P制PVA124) PAA:聚丙烯酸(东亚合成株式会社制7口^-15!0 PPEM:聚（甲基丙烯酸2-磷酰氧基乙酯） PVPA:聚（乙烯基膦酸）。
[0237]针对实施例1-2~1-39和比较例1-1~1-7的多层结构体，与实施例1-1的多层结构体 (1-1)同样地进行评价。将实施例和比较例中的多层结构体的构成和它们的评价结果示于 表2。需要说明的是，表2中的表示未进行测定。
[0238] 根据表2可明确：实施例的多层结构
体即使承受较强的物理应力，也能够以高水准 维持气体阻隔性和水蒸气阻隔性这两者。另外，与仅包含层(Y)的多层结构体相比，在层(Y) 的基础上还包含层(W)的多层结构体在拉伸后的阻隔性更高。另外，与仅包含层(Y)的多层 结构体相比，在层(Y)的基础上还包含层(W)和无机蒸镀层(X'）的多层结构体在拉伸后的阻 隔性更高。
[0239] < 实施例 1-40> 将实施例1-1中得到的多层结构体(1-1)用作保护片材来制作太阳能电池模块。用厚度 450μπι的两片乙烯-乙酸乙烯酯共聚物片材夹持在IOcm见方的强化玻璃上设置的非晶系硅 太阳能电池单元。接着，在成为光入射侧的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物片材上以多层结构体 (1-1)的聚对苯二甲酸乙二醇酯层成为外侧的方式进行粘贴。这样操作而制作太阳能电池 模块。通过以150Γ进行3分钟的抽真空后，进行9分钟压接来实施粘贴。所制作的太阳能电 池模块在大气下会良好的运作，长期显示出良好的电气输出特性。
[0240] 以下的实施例和比较例中，量子效率和分光放射能量通过大塚电子株式会社制造 的量子效率测定装置QE-1000来测定。需要说明的是，前述分光放射能量是本实施例中使用 的量子点荧光体的荧光波长下的放射能量。
[0241][含有量子点荧光体的电子设备] <实施例2-1 > 在氩气气体气氛下，向50mL玻璃制螺栓瓶中投入环烯烃聚合物（日本七才乂株式会社 制、ZEONEX(注册商标)480R;包含结构式[Q-1]的非晶质树脂)5g、以及进行真空冷冻脱气后 在氩气气体气氛下保存的脱水甲苯(和光纯药工业株式会社制)5g，在室温下用辊式搅拌机 进行搅拌而使其溶解，从而得到树脂溶液1。
[0242]在氩气气体气氛下向所得树脂溶液1中添加调整至82mg/mL的量子点荧光体的甲 苯分散液3.05g。此处，作为量子点荧光体的分子结构，使用了具有芯·壳结构且芯为InP、 壳为ZnS、将肉豆蔻酸用作封端剂的纳米颗粒，该颗粒的芯直径为2. lnm。其后，使用株式会 社シレ夺一制造的自转?公转式搅拌装置ARV310-LED，充分进行混炼，得到相对于环烯烃 聚合物含有5质量%量子点荧光体的分散液(包含量子点荧光体的组成物）1。将该分散液注 入至聚甲基戊烯制培养皿上防止的有机硅环（外径55mmX内径50mmX厚Imm)的内侧。使其 直接在氩气气体气氛下进行风干而得到板状的成型物，然后在氮气气氛下以40°C干燥5小 时，从而完全去除溶剂，得到量子点荧光体分散树脂成型体1。
[0243] 接着，为了保护量子点荧光体不受大气的影响，使用粘接性树脂在前述量子点荧 光体分散树脂成型体1的表面粘贴实施例1-1所述的多层结构体(1-1)，形成阻气层，得到包 含量子点荧光体的结构物1。阻气层的厚度为12.5μπι。使用大塚电子株式会社制造的量子效 率测定装置QE-1000测定该包含量子点荧光体的结构物1的量子效率，结果为74%。该数值 是与利用原本的量子点荧光体甲苯分散液进行相同测定时得到的量子效率80%相比并不逊 色的结果。
[0244] 另外，将包含量子点荧光体的结构物1配置在22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其 在大气下连续发光2,000小时。LED的发光初期的量子点荧光体的分光放射能量为0.42mW/ nm，与此相对，经过2，000小时后的分光放射能量为0 · 40mW/nm。因此，经过2，000小时后的分 光放射能量相对于初始值保持了 95.2%的高数值。
[0245] < 实施例 2_2> 使用加热至180°C的加压机，在20MPa的加压压力下对实施例2-1中得到的量子点荧光 体分散树脂成型体1进行加工，得到具备IOOym厚度的包含量子点荧光体的树脂膜1。
[0246] 接着，为了保护量子点荧光体不受大气的影响，使用粘接性树脂在包含前述量子 点荧光体的树脂膜1的表面上粘贴实施例1-1所述的多层结构体体(1-1)，形成阻气层，得到 包含量子点荧光体的结构物2。阻气层的厚度为12.5μπι。
[0247] 针对前述结构物2，实施与实施例1相同的测定时，量子效率显示76%的良好数值。 将结果示于表3。另外，针对结构物2,与实施例2-1同样操作而测定的发光初期的分光放射 能量为0.39mW/nm，经过2，000小时后的分光放射能量为0.37mW/nm。因此，经过2，000小时后 的分光放射能量相对于初始值保持了 94.9%的高数值。
[0248] <比较例2> 为了保护量子点荧光体不受大气的影响，在前述量子点荧光体分散树脂成型体2的表 面使用比较例1-1所述的多层结构体，除此之外，利用与实施例2-1相同的方法得到包含量 子点荧光体的结构物3。使用大塚电子株式会社制造的量子效率测定装置QE-1000测定该 包含量子点荧光体的结构物3的量子效率，结果为76%。该数值是与利用原本的量子点荧光 体甲苯分散液进行相同测定时得到的量子效率82%相比并不逊色的结果。
[0249] 另外，将包含量子点荧光体的结构物1配置在22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其 在大气下连续发光2,000小时。LED的发光初期的量子点荧光体的分光放射能量为0.42mW/ nm，与此相对，经过2，000小时后的分光放射能量为0 · 33mW/nm。因此，经过2，000小时后的分 光放射能量相对于初始值减少至78.5%。
[0250] <比较例3> 为了保护量子点荧光体不受大气的影响，在前述量子点荧光体分散树脂成型体2的表 面使用EVOH膜（日本合成化学工业株式会社制、将" V7 y -少D2908"（商品名）通过共挤 出法而制作的厚度15μηι的膜、透氧度为0.5mL/(m2 · day)、透湿度为130g/m2 · 24hrs)，除此 之外，利用与实施例2-1相同的方法得到包含量子点荧光体的结构物4。使用大塚电子株式 会社制造的量子效率测定装置QE-1000测定该包含量子点荧光体的结构物4的量子效率， 结果为76%。该数值是与利用原本的量子点荧光体甲苯分散液进行相同测定时得到的量子 效率82%相比并不逊色的结果。
[0251] 另外，将包含量子点荧光体的结构物1配置在22mW、450nm的蓝色LED封装上，使其 在大气下连续发光2，000小时。LED的发光初期的量子点荧光体的分光放射能量为0.42(mW/ nm)，与此相对，经过2，000小时后的分光放射能量为0 · 30(mW/nm)。因此，经过2，000小时后 的分光放射能量相对于初始值减少至71.4%。
[0252] 产业利用性 根据本发明，能够得到使用了保护片材的电子设备，所述保护片材具备气体阻隔性和 水蒸气阻隔性优异、且对于物理应力的耐性高的多层结构体。因此，根据本发明，能够得到 除了制造阶段和流通阶段之外，即使在大多进行长期使用的使用阶段也能够维持高特性的 电子设备。进而，根据本发明，能够提供量子效率的降低受到抑制、且即使在大气下长期使 用(例如连续发光2,000小时)时其性能保持率也高的含有量子点荧光体的电子设备。
【主权项】
1. 电子设备，其为包含保护片材的电子设备，其特征在于， 所述保护片材具备包含基材(X)和层叠在所述基材(X)上的层(Y)的多层结构体， 所述层(Y)含有金属氧化物(A)、磷化合物(B)和离子价(Fz)为1以上且3以下的阳离子 ⑵， 所述磷化合物(B)是含有能够与所述金属氧化物(A)反应的部位的化合物， 所述层(Y)中，构成所述金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔数(Nm)与源自所述磷化合 物(B)的磷原子的摩尔数(Np)满足0.8<Nm/Np<4.5的关系，并且 所述层(Y)中，所述摩尔数(Nm)与所述阳离子(Z)的摩尔数(Nz)与所述离子价(Fz)满足 0.001彡卩2\吣/%1彡0.60的关系。2. 根据权利要求1所述的电子设备，其包含量子点荧光体，所述阳离子(Z)为选自锂离 子、钠离子、钾离子、镁离子、钙离子、钛离子、锆离子、镧系离子、钒离子、锰离子、铁离子、钴 离子、镍离子、铜离子、锌离子、硼离子、铝离子和铵离子中的至少1种阳离子。3. 根据权利要求1或2所述的电子设备，其还包含量子点焚光体。4. 根据权利要求3所述的电子设备，其中，在包含量子点荧光体的层的单侧或两侧配置 有所述保护片材。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的电子设备，其中，所述层(Y)中，所述摩尔数(Nm)与 所述摩尔数(Nz)与所述离子价(Fz)满足0.01彡FzXNz/Nm彡0.60的关系。6. 根据权利要求1~5中任一项所述的电子设备，其中，所述磷化合物(B)为选自磷酸、多 磷酸、亚磷酸、膦酸、亚膦酸、次膦酸、三价膦酸和它们的衍生物中的至少1种化合物。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的电子设备，其中，在所述层(Y)的红外线吸收光谱 中，80(M JOOcnf1的范围内的最大吸收波数处于1，080~1，130CHT1的范围。8. 根据权利要求1~7中任一项所述的电子设备，其中，所述基材(X)包含热塑性树脂膜。9. 根据权利要求1~8中任一项所述的电子设备，其中，所述层(Y)包含聚合物(C)，所述 聚合物(C)含有选自羰基、羟基、羧基、羧酸酐基和羧基的盐中的至少1种官能团。10. 根据权利要求1~9中任一项所述的电子设备，其中，所述多层结构体还包含与所述 层(Y)相邻配置的层(W)，所述层(W)包含聚合物(G1)，所述聚合物(G1)具有含磷原子的官能 团。11. 根据权利要求1~10中任一项所述的电子设备，其特征在于，包括如下工序： 通过将金属氧化物(A)、含有能够与所述金属氧化物(A)反应的部位的磷化合物(B)以 及离子价(Fz)为1以上且3以下的阳离子(Z)的离子性化合物(E)进行混合，从而制备第一涂 布液(U)的工序〔I〕； 通过在所述基材(X)上涂布所述第一涂布液(U)，从而在所述基材(X)上形成所述层(Y) 的前体层的工序〔II〕；以及 将所述前体层以ll〇°C以上的温度进行热处理的工序〔III〕， 所述第一涂布液(U)中，构成所述金属氧化物(A)的金属原子(M)的摩尔数(Nm)与源自所 述磷化合物(B)的磷原子的摩尔数(NP)满足0.8<NM/NP<4.5的关系，并且 所述第一涂布液(U)中，所述摩尔数(Nm)与所述阳离子(Z)的摩尔数(Nz)与所述离子价 (Fz)满足0 · 001 彡 Fz X Nz/Nm彡 0 · 60 的关系。
【文档编号】C09D1/00GK106061724SQ201580014281
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年3月18日 公开号201580014281.9, CN 106061724 A, CN 106061724A, CN 201580014281, CN-A-106061724, CN106061724 A, CN106061724A, CN201580014281, CN201580014281.9, PCT/2015/1529, PCT/JP/15/001529, PCT/JP/15/01529, PCT/JP/2015/001529, PCT/JP/2015/01529, PCT/JP15/001529, PCT/JP15/01529, PCT/JP15001529, PCT/JP1501529, PCT/JP2015/001529, PCT/JP2015/01529, PCT/JP2015001529, PCT/JP201501529
【发明人】佐佐木良一, 犬伏康贵, 中谷正和, 高井淳, 有本纪久雄, 太田匡彦, 森原靖
【申请人】株式会社可乐丽