水溶液进行碱洗15分钟，用于除去基板表面的油污，碱洗结束后，再用清水冲洗至中性，然后，烘干，备用；基板I包括正面和反面；然后，采用常规的方法在基板I正面镀有一层S1J莫层2 ;该膜层用于起到粘结作用；
[0031]再将镀有S1J莫层2的基板I放入真空镀膜机的镀膜腔室，再将镀膜腔室抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x 10 5托，然后再通入氩气和氧气，并控制氩气的流量为400sccm，氧气的流量为400sccm，优选，控制温度为150 °C?170 °C，同时打开碳靶发射源，碳靶发射源为石墨靶发射源，并开启功率为4.5kw的脉冲直流电源使产生碳等离子体，同时通入氧气，目的是为了在沉积碳等离子体的过程中充氧气目的正是为了使碳等离子体发生氧化或部分氧化，从而使在S1J莫层2的表面上沉积纳米级DLC-C J莫层3，所述纳米级DLC-CciJ莫层3的厚度优选控制在100?500nm，最后，再采用舟蒸镀膜法通过控制压力为2.0x 10 5托，温度为105°C的条件下在纳米级DLC-C M膜层3的表面镀一层氟化物膜层4，所述氟化物膜层4的厚度为20nm，且所述氟化物为MgF2,最终得到相应的产品。
[0032]实施例2
[0033]根据所需尺寸大小，选取采用聚碳酸酯制成的基板I进行清洗，采用弱碱性的碳酸氢钠水溶液进行碱洗15分钟，用于除去基板表面的油污，碱洗结束后，再用清水冲洗至中性，然后，烘干，备用；基板I包括正面和反面；然后，采用气相沉积法在基板I正面镀有一层S1J莫层2 ;该膜层用于起到粘结作用；
[0034]再将镀有S1J莫层2的基板I放入真空镀膜机的镀膜腔室，再将镀膜腔室抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到4.5x 10 5托，然后再通入氩气和氧气，并控制氩气的流量为350SCCm，氧气的流量为500SCCm，优选，控制温度为150 °C?170 °C，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，并开启功率为3.5kw的脉冲直流电源使产生碳等离子体，同时通入氧气，目的是为了在沉积碳等离子体的过程中充氧气目的正是为了使碳等离子体发生氧化或部分氧化，从而使在S1J莫层2的表面上沉积纳米级DLC-C J莫层3，纳米级DLC-CciJ莫层3的厚度优选控制在350nm，最后，再采用舟蒸镀膜法通过控制压力为
2.0x 10 5托，温度为95°C的条件下在纳米级DLC-C J莫层3的表面镀一层氟化物膜层4，所述氟化物膜层4的厚度为30nm，且所述氟化物为MgF2,最终得到相应聚碳酸酯基板。
[0035]实施例3
[0036]根据所需尺寸大小，选取采用铝合金制成的基板I进行清洗，采用弱碱性的碳酸氢钠水溶液进行碱洗15分钟，用于除去基板表面的油污，碱洗结束后，再用清水冲洗至中性，然后，烘干，备用；基板I包括正面和反面；然后，采用气相沉积法在基板I正面镀有一层S1J莫层2 ;该膜层用于起到粘结作用；
[0037]再将镀有S1J莫层2的基板I放入真空镀膜机的镀膜腔室，再将镀膜腔室抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到4.0x 10 5托，然后再通入氩气和氧气，并控制氩气的流量为400sccm，氧气的流量为450sccm，同时打开碳革E发射源，所述碳革E发射源为石墨革E发射源，并开启功率为4.0kw的脉冲直流电源使产生碳等离子体，同时通入氧气，目的是为了在沉积碳等离子体的过程中充氧气目的正是为了使碳等离子体发生氧化或部分氧化，从而使在S1J莫层2的表面上沉积纳米级DLC-C M膜层3，所述纳米级DLC-C Μ膜层3的厚度优选控制在250nm，最后，再采用舟蒸镀膜法通过控制压力为2.0x 10 5托，温度为100°C的条件下在纳米级DLC-CciJ莫层3的表面镀一层氟化物膜层4，所述氟化物膜层4的厚度为25nm，且所述氟化物为MgF2,最终得到镀膜铝合金基板。
[0038]随机选取上述实施例得到的镀膜镀膜镁合金、铝合金或塑料基板，进行相关的性能测试，具体测试结果表明，本发明得到的产品的整体硬度能够达到7N以上且无划伤，透光率能够达到99%以上。同时，对本发明的镀膜镁合金、铝合金或塑料基板的摩擦后水接触角进行检测，具体采用以下摩擦方法:采用0000#钢丝绒，负载1000g，摩擦行程为38.1mm,摩擦速度为60圈/分钟，圈数为5000圈，磨头尺寸为20mm*20mm，测试结果显不，5000圈摩擦后水接触角多100。，具有较好的耐磨性能。且本发明的镀膜镁合金、铝合金或塑料基板各膜层之间的粘结力好，各膜层之间不易出现脱落现象。
[0039]本发明中所描述的具体实施例仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
[0040]尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
【主权项】
1.一种镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板，该基板(I)包括采用镁合金、铝合金或塑料制成，所述基板(I)包括正面和反面，其特征在于，所述基板(I)正面镀有S1J莫层(2)，且所述S1J莫层⑵的表面镀有纳米级DLC-C Μ膜层(3)。2.根据权利要求1所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板，其特征在于，所述纳米级DLC-CJ莫层(3)表面镀有氟化物膜层(4)。3.根据权利要求1或2所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板，其特征在于，所述纳米级DLC-CJ莫层(3)的厚度为10nm?500nm。4.一种镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤: A、清洗:根据所需尺寸大小，选取采用镁合金、铝合金或塑料制成的基板(I)进行碱洗，烘干，备用； B、镀S1J莫层:在上述清洗后的采用镁合金、铝合金或塑料制成的基板(I)正面镀有S1J莫层⑵； C、镀DLC-Cl3x膜层:在S12膜层(2)的表面镀有纳米级DLC-C ^膜层(3)。5.根据权利要求4所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，步骤C之后还包括在纳米级DLC-Cl3x膜层(3)的表面镀有氟化物膜层(4)。6.根据权利要求4或5所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，步骤C中所述纳米级DLC-CJ莫层(3)的厚度为10nm?500nm。7.根据权利要求4或5所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，所述纳米级DLC-C J莫层(3)是通过以石墨为碳源，然后，在S1 J莫层沉积碳等离子体的过程中充氧气从而使碳等离子体发生部分氧化而得到的纳米级DLC-C13J莫层(3)。8.根据权利要求7所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，步骤C的具体步骤为: 将镀膜腔室抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到4.5x10 5托?5.0x10 5托，然后再通入氩气和氧气，并控制氩气的流量为350?400sccm，氧气的流量为400?500sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，并开启功率为3.5kw?4.5kw的脉冲直流电源使产生碳等离子体，从而使在S1J莫层(2)的表面上沉积纳米级DLC-C J莫层(3)。9.根据权利要求5所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，所述氟化物膜层(4)的厚度为20?30nmo10.根据权利要求5或6所述镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板制作方法，其特征在于，所述氟化物膜层(4)是通过在温度为95°C?105°C的条件下使MgF2沉积在纳米级DLC-Ccix膜层(3)表面而制成。
【专利摘要】本发明涉及一种镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板及其制作方法，属于材料表面处理技术领域。解决的问题是如何提高基板表面的粘结性、耐摩性和透光率的效果。提供一种镀膜镁合金、铝合金或塑料的基板及其制作方法，该方法包括根据所需尺寸大小，选取采用镁合金、铝合金或塑料制成的基板进行碱洗，烘干，备用；镀SiO2膜层：在上述清洗后的采用镁合金、铝合金或塑料制成的基板正面镀有SiO2膜层；镀DLC-COX膜层：在SiO2膜层的表面镀有纳米级DLC-COX膜层。本发明具有较高的耐磨性和透光率，且工艺过程简单，易于操作。
【IPC分类】C23C14/22, C23C14/24, C23C14/06, C23C14/08
【公开号】CN105177500
【申请号】
【发明人】王先玉, 夏永光
【申请人】浙江星星瑞金科技股份有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年11月2日