以参考图1，如果要检测图1中结构的有效保护环的数量，首先可以确定介于所述PMOS及NMOS之间的中间区域A，然后从所述中间区域A中检测非P型有源区且非N型有源区的区域，即分别为区域1-9，并得到与所述非P型有源区且非N型有源区的区域对应的虚拟层，即分别为虚拟层1*_9*，接着判断所述虚拟层1*-9*是否介于所述P型有源区及N型有源区之间。如图1所示，虚拟层2*、3*、4*及5*介于所述P+及N+之间，即介于所述P+及N+之间的虚拟层的数量为4个，由此可以得到所述保护环的数量为4。
[0031]需要说明的是，实际在用该现有方法检测保护环数量时，PMOS及NMOS内部的结构无法直接看到，此处在图1中直接示出PMOS及匪OS的内部结构，只是为了便于说明，并且从图1中直接可以看到，图1示出的PMOS管与匪OS管之间包括6个P+及2个N+，由于连续多个相同类型的有源区被计做一个有效的保护环，故图1示出的结构中的确包括4个有效的保护环，与测试得到所述结构中有效保护环的数量结果一致。
[0032]但是，使用上述测试方法确定保护环的数量，计算复杂度高，运算时间长。
[0033]为解决上述问题，本发明一实施例提供了保护环数量的测试方法，通过直接确定介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的中间区域，在所述中间区域中，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层，确定所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量，可以避免确定所有非P型有源区且非N型有源区的区域及进行所述区域是否介于P型有源区及N型有源区之间的判断，故可以降低保护环测试的复杂程度及测试时间
[0034]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0035]以下示出了本发明实施例中的一种保护环数量的测试方法的流程图，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，且X20，Y 20，以下结合图2对所述方法进行分步骤进行详细介绍，所述方法可以包括:
[0036]S21:确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。
[0037]由于被置于PMOS及匪OS之间的保护环才可以有利于避免所述PMOS及匪OS之间发生闩锁效应，故在具体实施中，可以首先确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。
[0038]PMOS的器件沟道区域包括相互重叠的N阱(Layer NW)、P型注入区(Layer PPLUS)、有源区(Layer ACT)、多晶硅层(Layer GATE)这几层，通常为矩形区域；同理，NMOS的器件沟道区域包括相互重叠的P阱(Layer PW)、N型注入区(Layer NPLUS )、有源区(Layer ACT)、多晶硅层(Layer GATE)这几层，通常也为矩形。在具体实施中，确定所述中间区域范围的方法可以如下:首先确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标，进而确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标，然后可以将所述PMOS的器件沟道区域与所述匪OS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，也就是所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离小于预设的距离阈值的两个边上的四个顶点坐标所确定的区域，来作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。
[0039]根据不同的工艺，所述距离阈值可以不同。所述距离阈值的存在可以使得在1端口的PMOS和NMOS之间即使没有保护环时，只要距离达到所述距离阈值时，也可以有效地避免闩锁效应。在本发明一实施例中，所述距离阈值可以为50微米。
[0040]S22:在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。
[0041]所述P型有源区包括多个组成部分，N型有源区也包括多个组成部分，也就是P型及N型有源区本身也具有一定的大小，故所述中间区域实际由P型有源区、N型有源区及非P型有源区及非N型有源区的区域组成，在本发明一实施例中，可以在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域，也就是从所述非P型有源区及非N型有源区的区域中查找介于所述P型有源区及所述N型有源区之间的区域，然后再生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域所对应的虚拟层。
[0042]具体可以首先确定每个所述P型有源区，然后确定每个所述N型有源区，接着在所述中间区域范围内，找到相邻的P型有源区及N型有源区，进而将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，也就是把所述P型有源区及所述N型有源区中，正对的且间隔距离小于所述距离阈值的边所形成的矩形，来作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。可以理解的是，所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域的数量并不对本发明构成任何限制，所述区域可以为O个，可以为I个，也可以为多个。
[0043]S23:计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。
[0044]在本发明一实施例中，连续η个相同类型的有源区计为一个所述保护环，η>1。比如有3个P型有源区连续相邻地放在一起，则3个所述P型有源区计做为I个有效的保护环。
[0045]由于连续多个相同类型的有源区被计做I个保护环，故在具体实施中，可以计算所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层的数量，所述虚拟层的数量，即为所述保护环的数量。
[0046]为使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明，以下结合图3对上述图2所示出的本发明一实施例中的保护环数量的测试方法进行更详细的介绍:
[0047]为测试图3所示出的PMOS及匪OS之间究竟有多少个有效的保护环，可以首先确定所述PMOS及NMOS之间的中间区域B，接着在所述中间区域范围内，确定介于P+及N+的区域分别为区域b、c、d及e，获取与所述区域b、c、d及e对应的虚拟层b*、c*、d*及e*，最后虚拟层的数量4即为保护环的数量，也就是PMOS及匪OS之间共有4个有效的保护环。并且从图3可见，所述中间区域B中包括6个P型有源区、2个N型有源区及区域a-1，也就是X = 6，Y = 2，由于连续多个相同类型的有源区被计做I个保护环，故也可以直接得到所述保护环的数量为4，与通过本发明实施例中的测试方法获得的结果一致。
[0048]可以理解的是，在具体实施中，使用该方法来测试PMOS及匪OS中有效的保护环的数量时，所述PMOS及NMOS的具体结构，也就是内部具体包括多少个P+、多少个N+以及P+和N+的具体摆放顺序均是未知的，此处在图3中直接示出其结构，只是为了更好地说明该方法，以使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明。
[0049]为使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明，下面还提供了一种可以实现图2示出的保护环数量的测试方法的装置，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数。
[0050]参照图4，所述装置可以包括:中间区域确定单元41、虚拟层获取单元42及计算单元43，其中:
[0051 ] 所述中间区域确定单元41，适于确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；