r>[0052]所述虚拟层获取单元42，适于在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；
[0053]所述计算单元43，适于计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。
[0054]在具体实施中，所述虚拟层获取单元42，可以包括:区域获取子单元421，适于获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域;虚拟层生成子单元422，适于生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。
[0055]在具体实施中，所述中间区域确定单元41，可以包括:第一区域确定子单元411，适于确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标;第二区域确定子单元412，适于确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标；中间区域确定子单元413，适于将所述PMOS的器件沟道区域与所述匪OS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。
[0056]在具体实施中，所述PMOS的器件沟道区域与所述匪OS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离< 50微米。
[0057]在具体实施中，所述区域获取子单元413，可以包括:第一区域确定模块(未示出)，适于确定所述P型有源区；第二区域确定模块(未示出)，适于确定所述N型有源区；第三区域确定模块(未示出)，适于在所述中间区域范围内，将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。
[0058]在具体实施中，所述相邻的P型有源区与所述N型有源区之间距离<50微米。在具体实施中，连续η个相同类型的有源区计做为一个所述保护环，η>1。
[0059]本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于以计算机可读存储介质中，存储介质可以包括:R0M、RAM、磁盘或光盘等。
[0060]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种保护环数量的测试方法，其特征在于，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括: 确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围； 在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层； 计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。2.根据权利要求1所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层，包括: 获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域； 生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。3.根据权利要求2所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围，包括: 确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标； 确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标； 将所述PMOS的器件沟道区域与所述匪OS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围。4.根据权利要求3所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离< 50微米。5.根据权利要求2所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域，包括: 确定所述P型有源区； 确定所述N型有源区； 在所述中间区域范围内，将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。6.根据权利要求5所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，所述相邻的P型有源区与所述N型有源区之间距离< 50微米。7.根据权利要求1所述的保护环数量的测试方法，其特征在于，连续η个相同类型的有源区计做一个所述保护环，η> I。8.一种保护环数量的测试装置，其特征在于，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，Χ、Υ均为自然数，所述装置包括: 中间区域确定单元，适于确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围； 虚拟层获取单元，适于在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层； 计算单元，适于计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。9.根据权利要求8所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述虚拟层获取单元，包括: 区域获取子单元，适于获取介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域； 虚拟层生成子单元，适于生成与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层。10.根据权利要求9所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述中间区域确定单元，包括: 第一区域确定子单元，适于确定所述PMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标； 第二区域确定子单元，适于确定所述NMOS的器件沟道区域及其对应的四个顶点坐标； 中间区域确定子单元，适于将所述PMOS的器件沟道区域与所述匪OS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边上的四个顶点坐标所确定的区域，作为介于所述PMOS及所述匪OS之间的中间区域范围。11.根据权利要求10所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述PMOS的器件沟道区域与所述NMOS的器件沟道区域正对的、且距离最短的两边的距离< 50微米。12.根据权利要求9所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述区域获取子单元，包括: 第一区域确定模块，适于确定所述P型有源区； 第二区域确定模块，适于确定所述N型有源区； 第三区域确定模块，适于在所述中间区域范围内，将任意相邻的所述P型有源区与所述N型有源区之间的矩形区域，作为所述介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域。13.根据权利要求12所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，所述相邻的P型有源区与所述N型有源区之间距离< 50微米。14.根据权利要求8所述的保护环数量的测试装置，其特征在于，连续η个相同类型的有源区计为一个所述保护环，η> I。
【专利摘要】一种保护环数量的测试方法及装置，所述保护环置于PMOS及NMOS之间，所述保护环包括X个P型有源区及Y个N型有源区，X、Y均为自然数，所述方法包括：确定介于所述PMOS及所述NMOS之间的中间区域范围；在所述中间区域范围内，获取与介于所述P型有源区与所述N型有源区之间的区域对应的虚拟层；计算所述虚拟层的数量，作为所述保护环的数量。采用上述方案可以降低保护环数量测试的复杂度及测试时间。
【IPC分类】G01R31/26
【公开号】CN105652176
【申请号】
【发明人】曹云, 林晓帆, 于明
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年3月8日