倒装白光芯片的制备工艺的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及倒装芯片的封装领域，特别涉及一种倒装白光芯片的制备工艺。
【背景技术】
[0002]倒装芯片的结构是芯片的电极和发光区域在透明蓝宝石衬底的底部，与正装芯片(平行结构)相反，以便热量可以直接从底部导走，不必通过绝热的蓝宝石衬底，而且电流分布更加均匀，使得倒装芯片可以在更大的电流密度下使用，更免去了焊线的成本和断线的隐患。
[0003]倒装白光芯片是指涂敷了荧光粉的倒装芯片，也称作(CSP，ChipScalePackage)，即芯片级封装。因为蓝宝石衬底是透明晶体，倒装芯片是五面出光，荧光粉必须涂敷在上表面和四个侧面，同时底部的电极区域不得被硅胶和荧光粉污染。
[0004]目前，倒装白光芯片的制备方法主要包括:
[0005]1、采用硅胶荧光粉压制而成，五面出光，光效高，但是顶部和四周的色温一致性控制较差，德豪润达的CSP以这种为主。
[0006]2、采用周围二氧化钛保护再覆荧光粉膜，只有顶部一个发光面，光的一致性和指向性很好，然而损失了四周的光输出，光效会偏低。目前，三星主要采用此技术为主。
[0007]3、采用荧光粉膜全覆盖，再加透明硅胶固定成型，也是五面出光，光效高，光品质稍差，此款主要是飞利浦采用。
[0008]无论上述哪种制备方法，共同的特点为:
[0009]I).必须在真空下进行，因为倒装芯片底部两个电极之间是一道凹槽，必须将空气抽出，否则硅胶加热时空气膨胀会产生大量气泡；
[0010]2).荧光粉必须事先制备成半成品薄膜，而薄膜必须是在高温时先软化再固化，这样才能覆盖在芯片的表面和侧面；
[0011 ] 3).薄膜必须和倒装芯片一起预先放入真空室，并在真空抽好后才能覆盖在芯片表面；
[0012]4).倒装芯片需在真空条件下热压固化成型。
[0013]限于以上这些条件，倒装白光芯片的制备对设备要求很高，设备复杂昂贵，同时抽真空、加热、降温、放气等都需要较长的时间，而真空室的容积不能一次容纳很多芯片，这就是制约倒装白光芯片成本居高不下难以推广的主要原因。
【发明内容】
[0014]本发明的主要目的为提供一种倒装白光芯片的制备工艺，简单高效，无需昂贵复杂的设备，可连续大规模生产，降低生产成本。
[0015]本发明提出一种倒装白光芯片的制备工艺，包括以下步骤:
[0016]翻晶，将UV胶片放置于支撑平台上，并将倒装芯片的底部紧密粘在所述UV胶片上；
[0017]真空脱泡，将混合好的荧光粉以及硅胶涂敷在倒装芯片的四侧以及顶部，形成荧光粉以及硅胶层;并将涂敷好的倒装芯片放入真空室内进行真空脱泡；
[0018]涂布成型，真空脱泡完成后，将所述倒装芯片从真空室内取出，并根据设定的荧光粉以及硅胶层高度，均匀刮涂所述倒装芯片顶部多余的荧光粉以及硅胶；
[0019]高温固化，对涂布成型后的倒装芯片进行加热，使荧光粉以及硅胶层固化封装所述倒装芯片的顶部以及四侧；
[0020]切割，高温固化完成后，沿各个倒装芯片之间的间隙切割；
[0021]UV光照脱膜，去除所述支撑平台，使用UV光照射所述UV胶片使其失去粘性，去除失去粘性后的UV胶片，得到倒装白光芯片成品。
[0022]进一步地，所述UV光照脱膜的步骤之后还包括:
[0023]对倒装白光芯片成品进行质量测试以及分选包装。
[0024]进一步地，所述支撑平台为玻璃板或耐高温的表面平整光洁不变形的金属板。
[0025]进一步地，所述支撑平台为无色透明玻璃板。
[0026]进一步地，所述涂布成型的步骤包括:
[0027]真空脱泡完成后，将所述倒装芯片从真空室内取出，并根据设定的荧光粉以及硅胶层高度，通过涂布机均匀刮涂所述倒装芯片顶部多余的荧光粉以及硅胶。
[0028]进一步地，所述高温固化的步骤包括:
[0029]将所述涂布成型后的倒装芯片放入烘箱中加热，使荧光粉以及硅胶层固化封装所述倒装芯片的顶部以及四侧。
[0030]进一步地，所述倒装芯片的底部为电极区域。
[0031]本发明中提供的倒装白光芯片的制备工艺，具有以下有益效果:
[0032]本发明中提供的倒装白光芯片的制备工艺，简单高效，无需昂贵复杂的设备，使用常规设备便可连续大规模生产，降低生产成本;无需预先制作半成品的荧光粉薄膜，简化工序，提高工作效率。
【附图说明】
[0033]图1是本发明一实施例中倒装白光芯片的制备工艺流程示意图:
[0034]图2是本发明一实施例中翻晶工序不意图；
[0035]图3是本发明一实施例中真空脱泡工序示意图；
[0036]图4是本发明一实施例中涂布成型工序示意图；
[0037]图5是本发明一实施例中高温固化工序示意图。
[0038]本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
【具体实施方式】
[0039]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0040]参照图1，为本发明一实施例中倒装白光芯片的制备工艺流程示意图。
[0041]本发明一实施例中提出了一种倒装白光芯片的制备工艺，包括以下步骤:
[0042]步骤SI，翻晶，将UV胶片20放置于支撑平台10上，并将倒装芯片30的底部紧密粘在上述UV胶片20上。
[0043]在本实施例中，将支撑平台10放置水平，并保持平衡，将UV(紫外线)胶片20水平放置在支撑平台10上，上述UV胶片20在UV光的照射下会失去粘性;然后，将需要封装的倒装芯片30的底部紧密粘在上述UV胶片20上，上述倒装芯片30的底部为电极区域，使用UV胶片20粘在倒装芯片30的底部，主要是为了防止倒装芯片30的电极区域被后续工序的硅胶以及荧光粉所污染。(参照图2)
[0044]步骤S2，真空脱泡，将混合好的荧光粉以及硅胶涂敷在倒装芯片30的四侧以及顶部，形成荧光粉以及硅胶层40;并将涂敷好的倒装芯片30放入真空室内进行真空脱泡。
[0045]在本实施例中，倒装白光芯片实为涂敷了荧光粉的倒装芯片30，荧光粉和倒装芯片30的共同作用，使得倒装白光芯片发出白光。上述倒装芯片30的底部不能涂敷荧光粉以及硅胶，只能在其它五个面(即四侧以及顶部)进行涂敷。将混合好的荧光粉以及硅胶涂敷在倒装芯片30