表面处理方法和表面处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明设及用于部分地粗化基板的表面的表面处理方法和表面处理装置。
【背景技术】
[0002] 传统上，当在基板等的表面上形成金属膜时，通常在基板的表面上执行预处理，W 便改善金属膜的附着性。例如，在公开号为2001-073174的日本专利申请(肝2001-073174 A)中，在掩蔽除了膜形成区域之外的基板的表面之后，在膜形成区域中执行碱脱脂。之后， 在执行了碱脱脂的表面上喷射高压水流，从而去除基板的氧化膜(纯化膜）。通过肝2001- 073174 A中描述的技术，在膜形成区域的表面上形成的氧化膜通过高压水流被物理地去 除，由此可W在膜形成区域中形成具有高附着力的金属膜。
[0003] 作为另一技术，公开号为2014-114474的日本专利申请(JP 2014-114474 A)提出 一种表面处理方法，其中，包含溶剂的固体电解质膜被设置在用作正电极的基板与负电极 之间，使该固体电解质膜与基板的金属表面接触，并且在基板与负电极之间施加电压。由 此，基板的金属表面中的金属被电离为金属离子，从而蚀刻基板的金属表面。
[0004] 然而，当肝2001-073174 A和肝2014-114474 A等中的表面处理技术被用于部分 地粗化基板时，需要掩蔽除了待处理的表面区域之外的每个基板。而且，在粗化之后，需要 去除用于掩蔽基板的表面的材料。此外，通过肝2001-073174 A中描述的表面处理技术，在 基板上喷射高压水流，运样做可能在尝试进一步粗化基板的表面时使掩蔽材料剥落。
【发明内容】
[0005] 本发明鉴于该情势做出，并提供一种表面处理方法和表面处理装置，使得可W通 过使用溶解基板的表面的溶剂，容易地部分粗化基板的表面的所希望的表面区域。
[0006] 根据本发明的第一方面的表面处理方法包括在固体电解质膜的第一表面被直接 设置在基板的表面上，并且设置有通孔的掩蔽板的第一表面被直接设置在所述固体电解质 膜的第二表面上的状态下，通过经由所述通孔将溶剂从所述掩蔽板的第二表面供给到所述 固体电解质膜来粗化所述基板的与所述通孔对应的表面区域。所供给的溶剂渗透过所述固 体电解质膜，并且溶解所述基板的所述表面。
[0007] 通过根据本发明的第一方面的表面处理方法，当经由通孔将溶剂从掩蔽板的位于 另一侧的表面供给到固体电解质膜时，溶剂渗透过固体电解质膜的与通孔的形状对应的部 分。溶剂渗透过的固体电解质膜的部分与基板的表面接触。因此，在基板的表面中，与掩蔽 板的通孔的形状对应的表面区域的材料与溶剂反应，从而被溶剂(具体地，氨离子、氨氧离 子、络合剂或其它氧化剂)溶解。由此，容易地粗化基板的所述表面区域。
[000引在根据本发明的第一方面的表面处理方法中，不直接掩蔽基板，可W通过使用溶 剂来粗化基板的表面中的所希望的表面区域。由于通过固体电解质膜粗化基板的表面区 域，因此可W阻止过多的溶剂附着到基板的表面上。
[0009]本发明的各方面中描述的"基板"可W是任何基板，只要该基板具有运样的表面即 可:该表面可w在溶剂溶解要被部分地粗化的表面(的材料)时被粗化。基板也可w是本身 被溶解的基板，或者是具有被溶剂溶解的表面层的基板。
[0010] 在第一方面中，所述基板的表面可W由金属制成，并且所述粗化可W包括在导电 部件被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上的状态下，在用作正电极的所述基板与用作负 电极的所述导电部件之间施加电压。
[0011] 在上述方面中，所述溶剂可W被从液体供给部的液体容纳腔供给，并且所述导电 部件可W通过所述液体容纳腔被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上。
[0012] 根据上述方面，在经由通孔将溶剂从掩蔽板的位于另一侧的表面供给到固体电解 质膜的状态下，在用作负电极的导电部件与用作正电极的基板之间施加电压。在基板的表 面(金属表面）中，与掩蔽板的通孔的形状对应的表面区域的金属通过电解发生电离。由此， 促进上述氧化-还原反应，从而可W快速、容易地部分粗化基板的表面中与通孔的形状对应 的表面区域。特别地，通过调整在基板与导电部件之间施加电压时的施加时间、基板的溫 度、溶剂的溫度、施加的电压等，可W仅将基板的所述表面区域粗化为具有所希望的表面粗 糖度。
[0013] 作为本发明的第二方面，结合上述表面处理方法公开了一种用于形成金属膜的方 法。根据本发明的第二方面的一种用于形成金属膜的方法包括:通过根据本发明的第一方 面的表面处理方法粗化所述基板的表面区域;在所述粗化之后，通过经由所述通孔将包含 所述金属膜的金属离子的金属溶液供给到所述固体电解质膜来允许所述金属离子渗透过 所述固体电解质膜；W及通过在用作负电极的所述基板与用作正电极的所述导电部件之间 施加电压，在粗化的表面区域上沉积所述金属溶液的所述金属离子，从而在所述表面区域 上形成金属膜。
[0014] 根据第二方面，在表面处理之后，溶剂变为金属溶液，极性在导电部件与基板之间 反转，并且在导电部件与基板之间施加电压。如此便可在基板的表面区域上容易地形成金 属膜。由于金属膜在基板的粗化的表面区域上形成，因此可W在基板上部分地形成具有高 附着力的金属膜。
[0015] 在本说明书中，作为本发明的第Ξ方面，还公开了能够针对基板适当地执行表面 处理的表面处理装置。根据本发明的第Ξ方面的表面处理装置包括：固体电解质膜，其具有 第一表面和第二表面，并且允许所述溶剂渗透过所述固体电解质膜，所述固体电解质膜的 所述第一表面将与所述基板的表面直接接触;掩蔽板，其具有第一表面、第二表面W及与所 述基板的将被粗化的表面区域对应的通孔，所述掩蔽板的所述第一表面被直接设置在所述 固体电解质膜的所述第二表面上；W及液体供给部，其被配置为经由所述通孔将所述溶剂 从所述掩蔽板的所述第二表面供给到所述固体电解质膜的所述第一表面。
[0016] 根据第Ξ方面，可W在基板上将固体电解质膜设置为使得固体电解质膜的第一表 面与基板的表面接触。也可W将掩蔽板设置为使得掩蔽板与固体电解质膜的第二表面接 触。通过在此状态下经由掩蔽板的通孔将溶剂供给到固体电解质膜，溶剂渗透过固体电解 质膜，并且所渗透的溶剂溶解基板的表面（的材料）。运样，可W在不直接掩蔽基板的情况 下，容易地部分粗化基板的表面。此外，由于基板的表面区域被通过固体电解质膜的溶剂粗 化，因此可W阻止过多溶剂附着到基板的表面上。由此，可W更适当地部分粗化基板的表 面。
[0017] 在第Ξ方面中，所述表面处理装置可w被配置为部分地粗化所述基板的金属表 面。所述表面处理装置可包括：导电部件，其被设置在所述掩蔽板的所述第二表面上；W及 电源，其被配置为在用作正电极的所述基板与用作负电极的所述导电部件之间施加电压。
[0018] 在上述方面中，所述液体供给部可包括液体容纳腔，所述溶剂被容纳在所述液体 容纳腔中，并且所述导电部件可通过所述液体容纳腔被设置在所述掩蔽板的所述第二表面 上。
[0019] 根据上述方面，电源能够在溶剂经由通孔被从掩蔽板的位于另一侧的表面供给到 固体电解质膜的状态下，在作为导电部件的负电极与作为基板的正电极之间施加电压。运 样，在基板的表面(金属表面）中，与掩蔽板的通孔的形状对应的表面区域的金属通过电解 发生电离。通过此方式，可W通过使用溶剂，W更快速、容易地部分粗化在基板的表面中与 通孔的形状对应的表面区域。特别地，通过调整在基板与导电部件之间施加电压的时间等， 可W仅将基板的所述表面区域粗化为具有所希望的表面粗糖度。
[0020] 此外，溶剂变为包含金属膜的金属离子的金属溶液，并且电源的极性被反转。由 此，可W在被粗化的表面区域上沉积金属溶液的金属离子，并且在所述表面区域上形成金 属膜。
[0021] 根据本发明的各方面，可W通过使用溶解基板的表面的溶剂，容易地部分粗化基 板的表面中的所希望的表面区域。
【附图说明】
[0022] 下面将参考附图描述本发明的示例性实施例的特征、优点W及技术和工业意义， 在运些附图中，相同的参考标号表示相同的部件，其中：
[0023] 图1是根据本发明的第一实施例的表面处理装置的示意性分解透视图；
[0024] 图2A是示出使用表面处理装置的基板表面处理的示意性截面图，并且是示出基板 表面处理之前的状态的图；
[0025] 图2B是示出使用图1所示的表面处理装置的基板表面处理的示意性截面图，并且 是示出基板表面处理期间的状态的图；
[0026] 图2C是图2B所示的基板的表面附近的部分放大视图；
[0027] 图3是根据本发明的第二实施例的表面处理装置的示意性分解透视图；
[0028] 图4A是示出使用图3所示的表面处理装置的基板表面处理的示意性截面图，并且 是示出基板表面处理之前的状态的图；
[0029] 图4B是示出使用图3所示的表面处理装置的基板表面处理的示