意性截面图，并且 是示出基板表面处理期间的状态的图；
[0030] 图4C是示出图4B所示的基板表面处理之后的膜形成状态的图；
[0031] 图5A是示出使用根据第Ξ实施例的表面处理装置的基板表面处理的示意性截面 图，并且是示出基板表面处理之前的状态的图；
[0032] 图5B是示出使用根据第Ξ实施例的表面处理装置的基板表面处理的示意性截面 图，并且是示出基板表面处理期间的状态的图；
[0033] 图5C是示出图5B所示的基板表面处理之后的膜形成状态的图；W及
[0034] 图6A是示出根据实例1的基板表面粗糖度的测量结果的图；
[0035] 图6B是示出根据实例2的基板表面粗糖度的测量结果的图；
[0036] 图6C是示出根据实例3的基板表面粗糖度的测量结果的图；W及
[0037] 图6D是示出根据实例4的基板表面粗糖度的测量结果的图。
【具体实施方式】
[0038] 下面参考图1到图5解释根据本发明的Ξ个实施例的能够适当地执行表面处理方 法的表面处理装置。
[0039] 下面解释本发明的第一实施例。图1是根据本发明的第一实施例的表面处理装置 1A的示意性分解透视图。如图1所示，根据该实施例的表面处理装置1A是通过使用溶解基板 W的表面wf的材料的溶剂La来粗化基板W的表面wf的一部分(表面区域wa)的装置。
[0040] 在基板W的表面wf由金属制成的实例情况中，基板W是由诸如基于侣的材料(侣或 侣的合金）、基于铜的材料(铜或铜的合金）、基于锋的材料(锋或锋的合金)和基于锡的材料 (锡或锡的合金)的金属材料或者诸如树脂基板和娃基板的非导电基板制成的基板，所述非 导电基板上形成有由上述金属制成的表面层。基板W的表面wf中的金属由可被酸、碱、络合 剂等的溶剂溶解的金属材料制成。例如，当上述金属被选择作为基板W的表面wf中的金属 时，对溶剂La不做具体限制，只要溶剂La溶解所选择的金属即可。例如，氨氧化钟水溶液、氧 化酸性水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液等可被用作溶剂La。
[0041] 表面处理装置1A包括固体电解质膜13、掩蔽板14、具有开孔的多孔体11、W及液体 供给部15,并且进一步包括作为附属装置的溶剂供给装置21和加压装置18。
[0042] 固体电解质膜13与基板W的表面wf接触，并且由允许溶剂La渗透过固体电解质膜 13的材料--也就是允许溶解表面wf的氨离子、氨氧离子或络合物（complex)渗透过固体 电解质膜13的材料一一制成。固体电解质膜13不做具体限制，只要当固体电解质膜13与溶 剂La接触时，固体电解质膜13允许溶剂La渗透到固体电解质膜13内部即可。
[0043] 例如，当溶剂La是酸溶液时（其中溶解所需的溶剂La的成分是阳离子），固体电解 质膜的材料可W是诸如由E.I.du Pont de Nemours and Company制造的化fion(注册商 标)的氣系树脂、控系树脂、聚酷胺酸树脂、W及具有正离子交换功能W传导正离子的树脂， 例如由As址i Glass Co.，Ltd制造的沈LEMI0N(注册商标）化1￥、〔10、〔1。系列）。
[0044] 当溶剂La是碱溶液或者溶解所需的成分是阴离子时，可W使用具有负离子交换功 能的树脂，例如由AST0M Corporation制造的肥0SEPTA(注册商标）（AMX、AHA、ACS)，W及由 Asahi Glass Co.，Ltd制造的沈LEMI0N(AMV、AMT、AH0系列）。
[0045] 在该实施例中，描述由金属制成的表面作为基板W的表面wf的实例。然而，在第一 实施例的情况下，基板W的表面wf可由聚合物树脂或非导电性无机材料制成。例如，在基板W 的表面wf由聚氨醋树脂、ABS树脂、环氧树脂等制成的情况下，溶剂可W是盐酸水溶液、铭酸 水溶液、氨氣酸水溶液等。
[0046] 当基板W的表面wf由氮化娃(非导电性无机材料)制成时，溶剂可W是憐酸水溶液。 当基板W的表面wf由氧化侣(非导电性无机材料)制成时，溶剂可W是氨氧化钢水溶液。当基 板W的表面wf由娃氧化物(非导电性无机材料)制成时，溶剂可W是氨氣酸水溶液。
[0047] 当与基板W的表面wf接触的表面是固体电解质膜13的第一表面13a时，掩蔽板14W 与固体电解质膜13的第二表面13b接触的状态被固定。在掩蔽板14中形成多个通孔14c，运 些通孔与将在基板W的表面wf中被粗化的表面区域对应。在此，优选地，掩蔽板14由不溶于 上述溶剂La的材料制成，并且可W由金属或树脂制成。
[0048] 当与固体电解质膜13接触的表面是掩蔽板14的第一表面14a时，多孔体11被固定 到掩蔽板14的第二表面14b上并且与该第二表面14b接触。多孔体11的周边被密封材料(未 示出）覆盖，W使得渗透到多孔体11内部的溶剂La流入掩蔽板14的每个通孔14c中，并且不 从多孔体11的周边泄露。
[0049] 此外，在该实施例中，多孔体11不做限制，只要多孔体11(1)具有对溶剂La的抗蚀 性，（2)能够允许溶剂La渗透过多孔体11，并且(3)能够通过使用加压装置18,通过掩蔽板14 使固体电解质膜13紧压住基板W的表面即可。因此，尽管多孔体11可如第二实施例所示的那 样由金属制成，但是由于多孔体11不被通电，该实施例中多孔体11也可由树脂制成。
[0050] 通过设置上述多孔体11，可W通过允许在下文描述的加压装置18正将固体电解质 膜13均匀地紧压住基板W的表面wf的同时溶剂La经过固体电解质膜13的内部来稳定地执行 对基板W的表面处理。只要使固体电解质膜13均匀地紧压住基板W的表面wf，则可W省略多 孔体11。
[0051] 液体供给部15是用于将溶剂La供给到多孔体11的部件。溶剂La经由掩蔽板14的通 孔14c，被从多孔体11供给到固体电解质膜13。当与掩蔽板114接触的表面是多孔体11的第 一表面11 a时，液体供给部15 W与多孔体11的第二表面η b接触的状态被固定到多孔体11的 第二表面Ub上。优选地，液体供给部15由不溶于上述溶剂La的材料制成，并且可W由金属 或树脂制成。
[0052] 在液体供给部15中，形成用于供给溶剂La的供给通道15a和用于排放溶剂La的排 放通道15b。供给通道15a和排放通道15b中每一者的其中一个开口形成在面向多孔体11的 位于另一侧的表面Ub的位置处。运样，溶剂La适当地从液体供给部15朝着掩蔽板14的通孔 14c流动，并且溶剂La被有效地供给到固体电解质膜13。
[0053] 溶剂供给装置21包括容纳箱(未示出）和压力累(未示出），容纳箱容纳溶剂La,压 力累在压力下从容纳箱馈送溶剂La。溶剂供给装置21与液体供给部15的供给通道15a相连， W便加压馈送和供给溶剂La。溶剂供给装置21与排放通道15b相连，W便从液体供给部15的 排放通道15b收集溶剂La。通过此方式，溶剂供给装置21能够使溶剂La在装置内循环。
[0054] 此外，加压装置18包括与液体供给部15的上部相连的液压或气压缸。通过设置加 压装置18,可W在表面处理期间使固体电解质膜13均匀地紧压住基板W的表面wf。
[0055] 接下来，解释使用表面处理装置1A的表面处理方法。图2A到图2C是用于解释通过 使用图1所示的表面处理装置1A对基板W的表面处理的示意性截面图。图2A是示出对基板W 的表面处理之前的状态的图，图2B是示出对基板W的表面处理期间的状态的图，图2C是图2B 所示的基板W的表面附近的部分放大图。
[0056] 首先，如图2A所示，基板W被设置在面向表面处理装置1A的固体电解质膜13的位置 处。在图2A中，在基板W的表面wf中将被粗化的表面区域wa由粗线示出。然而，在此阶段，表 面区域wa具有与表面的其余部分相同的表面粗糖度。
[0057] 接下来，如图2B所示，操作加压装置18,并且将固体电解质膜13设置在基板W上，W 便在对表面wf施压的同时使固体电解质膜13的第一表面13a与基板W的表面wf接触。在此设 置的状态下，掩蔽板14被设置在固体电解质膜13上，W使得其中形成有通孔14c的掩蔽板14 的第一表面14a与固体电解质膜13的第二表面13b接触。
[0058] 在此设置的状态下，操作溶剂供给装置21W将溶剂La供给到液体供给部15的供给 通道15a。如图2B所示，在供给通道15a中流动的溶剂La经由多孔体11朝着掩蔽板14流动，并 且经由通孔14c被从掩蔽板14的第二表面14b供给到固体电解质膜13。
[0059] 运样，溶剂La根据通孔14c的形状渗透过固体电解质膜13的部分13c。溶剂La渗透 过的固体电解质膜13的部分13c与基板W的表面wf接触。因此，在基板W的表面wf中，与掩蔽 板14的通孔14c的形状对应的表面区域wa的金属由于氧化-还原反应而被溶剂La溶解。通过 此方式，可W容易地粗