可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器、集群、应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及传感器，具体涉及可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器。
【背景技术】
[0002]姿态传感器是指用于获取设备姿势的传感器，是智能机器人的重要感知输入设备，人工神经元网络是现有人工智能较为先进的技术。
[0003]现有技术具有以下缺点:1、现有的姿态传感器现有的姿态传感器的物理输出节点少；2、现有的姿态传感器物理制作精度要求高、成本高、输出多为数字信号，输出节点数不易扩展导致其与人工神经元硬件的连接需要复杂的电路。
[0004]为了克服以上问题，本发明提出了一种模仿人体感知器官半规管的姿态传感器。
【发明内容】
[0005]本发明发明了可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器结构简单、成本低廉、输出节点多。
[0006]本发明具有如下技术内容。
[0007]1、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由2个电极、导电液体、容腔、I个电阻层构成；容腔与电阻层共界面；I个电极介入容腔内；介入容腔内的电极不与电阻层相连；1个电极与电阻层的外侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体总是与容腔内电极相接触；导电液体总是与电阻层内侧相接触；导电液体体积小于容腔有效容积。
[0008]2、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由导电液体、容腔、I个电阻层、至少3个电极构成；至少I个电极介入容腔内；至少I个介入容腔的电极不与电阻层相连；容腔与电阻层共界面；电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。
[0009]3、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少I个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个。
[0010]4、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少I个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少I个电极与电阻层内侧相连。
[0011]5、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；介入容腔的电极数量为至少I个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少I个与电阻层外侧相连的电极同时与电阻层内侧相连。
[0012]6、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少5个；介入容腔的电极数量为至少I个；与电阻层外侧相连的电极数量至少为3个；至少I个介入容腔的电极与电阻层外侧相连。
[0013]7、如技术内容2所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极的表面间距大于等于它们之间(同时满足连接路径和空间路径)的电阻层平均厚度的2倍。
[0014]8、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的内侧相连；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。
[0015]9、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连。
[0016]10、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；至少有I个与容腔共界面的内侧与至少3个电极相连的电阻层的内侧所连接的所有电极均不与所连电阻层的外侧相连。
[0017]11、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；所有电极均不与任何与容腔共界面的电阻层的外侧相连。
[0018]12、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少4个电极相连；至少I电极同时与电阻层的内侧和外侧相连。
[0019]13、如技术内容8所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:至少有两个连接在同一电阻层上的电极它们之间的表面距离大于等于他们之间(同时满足连接路径和空间路径)的电阻层的平均厚度的2倍。
[0020]14、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；至少有I个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少I个、至少I个电极相连；至少2个分别连接在同一电阻层内、外侧的电极不与所连电阻层上电极自身所连侧的对立侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。
[0021]15、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少I个、至少3个电极相连。
[0022]16、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少I个、至少3个电极相连；至少I个电极介入与电阻层共界面的容腔内；至少I个介入与电阻层共界面的容腔内的电极与至少I个电阻层外侧相连但不与任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。
[0023]17、如技术内容14所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层上的电极的表面间距大于等于它们之间(同时满足连接路径和空间路径)的电阻层厚度的2倍。
[0024]18、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。
[0025]19、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少有I个与容腔共界面的外侧与至少2个电极相连的电阻层的外侧所连接的所有电极均不与所连电阻层的内侧相连。
[0026]20、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少2个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。
[0027]21、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少3个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少3个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。
[0028]22、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；所有电极都不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连；所有电极都不介入容腔。
[0029]23、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少I个电极介入容腔内；至少有I个介入容腔内的电极和与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不介入容腔；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。
[0030]24、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少I个电极和与容腔共界面的电阻层的内侧相连。
[0031]25、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少I个电极同时和同一与容腔共界面的电阻层的内、外侧相连。
[0032]26、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:电极的总数为至少4个；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少4个电极相连；至少I个电极同时和同一与容腔共界面的电阻层的内、外侧相连；至少2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极不和任何与容腔共界面的电阻层的内侧相连。
[0033]27、如技术内容18所述的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:至少有2个连接在同一与容腔共界面的电阻层外侧的电极的表面间距大于等于它们之间(同时满足连接路径和空间路径)的电阻层平均厚度的2倍。
[0034]28、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:在技术内容1-27中选择多种姿态传感器使它们的容腔相通或者合并它们的容腔；新容腔内导电液体的体积小于新容腔的有效容积。
[0035]29、可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由任选技术内容1-28所述的I个姿态传感器、至