导电液体101运动导致的电极100、电极110之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
1.d中RllO为电阻层103在电极100、电极110之间产生的等效固定阻值(无视导电液体)；
1.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，VllO为输出信号；
1.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0067]实施实例2、如图2中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极200、电极210、电极220、导电液体201、容腔202、电阻层203、绝缘层204构成；容腔202由电阻层203、绝缘层204配合构成；电极200介入容腔中央；电极210、电极220连接在电阻层203外侧；
如图2中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称2.d)；
2.d中R21代表导电液体201运动所导致的电极200、电极210之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
2.d中R22代表导电液体201运动所导致的电极200、电极220之间的简单等效可变电阻；
2.d中R210为电阻层203在电极200、电极210之间产生的等效固定阻值(无视导电液体)；
2.d中R220为电阻层203在电极200、电极220之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
2.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V210、V220为输出信号；
2.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0068]实施实例3、如图3中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极300、电极310、导电液体301、容腔302、电阻层303、绝缘层304构成；绝缘层304为T型在传感器姿态为正立时可以隔断导电液体301 ;容腔302由电阻层303、绝缘层304配合构成；电极300、电极310介入容腔内；电极300、电极310都连接在电阻层303内侧；
如图3中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称3.d)；
3.d中R31代表导电液体301运动所导致的电极300、电极310之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
3.d中R310为电阻层303在电极300、电极310之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
3.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V310为输出信号； 3.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0069]实施实例4、如图4中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极400、电极410、导电液体401、容腔402、电阻层403、绝缘层404构成；容腔402由电阻层403、绝缘层404配合构成；电极400介入容腔中央，电极400与电阻层403内侧相连；电极410与电阻层403外侧相连；导电液体401装载在容腔402内；导电液体401体积小于容腔402的有效容积的50% ;导电液体401能够与电阻层403接触；
如图4中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称4.d)；
4.d中R41代表导电液体401运动所导致的电极400、电极410之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
4.d中R410为电阻层403在电极400、电极410之间产生的等效固定阻值(无视导电液体)；
4.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V410为输出信号；
4.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0070]实施实例5、如图5中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极500、电极510、导电液体501、容腔502、电阻层503构成；容腔502由电阻层503单独构成；电极500、电极510都与电阻层503外侧相连；导电液体501装载在容腔502内；导电液体体积501小于容腔502的有效容积；
如图5中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称5.d)；
5.d中R51代表导电液体501运动所导致的电极500、电极510之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
5.d中R510为电阻层503在电极500、电极510之间产生的等效固定阻值(无视导电液体)；
5.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V510为输出信号；
5.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0071]实施实例6、如图6中a所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极600、电极610、电极620、电极630、导电液体601、容腔602、电阻层603构成；容腔602由电阻层603单独构成；电极600、电极610、电极620、电极630都与电阻层603外侧相连；导电液体601装载在容腔602内；导电液体体积601小于容腔602的有效容积；
如图6中b为本实施实例的简单等效电路图(以下简称6.b):
6.b中R61代表导电液体601运动所导致电极600、电极610之间的电阻变动的简单等效可变电阻；
6.b中R62代表导电液体601运动所导致电极600、电极620之间的电阻变动的简单等效可变电阻；
6.b中R63代表导电液体601运动所导致电极600、电极630之间的电阻变动的简单等效可变电阻；
6.b中R61为电阻层603在电极600、电极610之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
6.b中R62为电阻层603在电极600、电极620之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);6.b中R63为电阻层603在电极600、电极630之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
6.b中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，V610.V620.V630为输出信号；
6.d是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0072]实施实例7、如图7中a所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由选自实施实例5的2个姿态传感器51、姿态传感器52构成；姿态传感器51、姿态传感器52的各有一个电极共导线连接到VCC ；
如图7中b为本实施实例的简单等效电路图(以下简称7.b)；
7.b中R51代表导电液体运动所导致姿态传感器51两个电极之间的简单等效可变电阻；
7.b中R52代表导电液体运动所导致姿态传感器52两个电极之间的简单等效可变电阻；
7.b中R510为电阻层在姿态传感器51的两个电极之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
7.b中R520为电阻层在姿态传感器52的两个电极之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
7.b中R为接地电阻，VCC为电源，GND为地点；V510、V520为输出信号；
7.b是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0073]实施实例8、如图8中a所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由选自实施实例3的I个姿态传感器31、选自实施实例5的I个姿态传感器52构成；姿态传感器31、姿态传感器51的各有一个电极共导线连接到VCC ；
如图8中b为本实施实例的简单等效电路图(以下简称8.b)；
8.b中R31代表导电液体运动所导致姿态传感器31两个电极之间的简单等效可变电阻；
8.b中R51代表导电液体运动所导致姿态传感器51两个电极之间的简单等效可变电阻；
8.b中R310为电阻层在姿态传感器31两个电极之间产生的等效固定阻值(无视导电液体)；
8.b中R510为电阻层在姿态传感器51两个电极之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
8.b中R为接地电阻，VCC为电源，GND为地点；V310、V510为输出信号；
8.b是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0074]实施实例9、如图9所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极900、电极910、电极920、电极930、导电液体901、容腔902、电阻层903构成；容腔902由电阻层903单独构成；电极900、电极910都与电阻层903外侧相连；导电液体901装载在容腔902内；导电液体体积901小于容腔902的有效容积；电阻层903为半导体沉积层,在电阻层903内腔对应电极的位置具有局部参杂区909、919、929、939。
[0075]实施实例10、如图10中a、b、c所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极AOO、电极AlO、电极A20、导电液体AO1、容腔A02、电阻层A03、电阻层A031、绝缘层A04构成；容腔A02由电阻层A03、电阻层A031、绝缘层A04配合构成；电极AOO介入容腔中央；电极AlO连接在电阻层A03外侧；电极A20连接在电阻层A031外侧；
如图10中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称10.d)；
10.d中RAl代表导电液体AOl运动所导致的电极A00、电极AlO之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
10.d中RA2代表导电液体AOl运动所导致的电极A00、电极A20之间的简单等效可变电阻；
10.d中RAlO为电阻层A03在电极A00、电极AlO之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
10.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，VA10、VA20为输出信号；
10.是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0076]实施实例11、如图11中a、b、c