光纤缆线组件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明的各个实施例设及由用一种或多种冲击改性聚合物改性的结晶聚丙締的 可挤出渗合物制成的缓冲管、忍管或开槽忍光纤缆线组件。
【背景技术】
[0002] 光纤可有效地W高速率和经长距离传输信息。运些纤维是脆弱的并且需要受到保 护。在实际应用中，光纤缆线会保护纤维避免机械损伤和/或如水分暴露的不良环境条件。 举例来说，特定保护组件包括挤制缓冲管、忍管和开槽忍部件。
[0003] 缓冲管，又称为宽松缓冲管，为用W如在缆线中容纳并且保护光纤的保护组件。典 型地，运些宽松缓冲管填充有控类凝胶或润滑脂W使纤维悬浮并且保护其免受水分影响， 并且对高抗压碎性、抗微弯能力、低脆性溫度、良好润滑脂相容性、冲击电阻W及低挤压后 收缩率具有严格要求。用于制造缓冲管的材料包括聚对苯二甲酸下二醋ΓΡΒΤ")、高结晶度 聚丙締 W及较少的高密度聚乙締。PBT为高成本材料，并且所需有成本效益的替代物。
【发明内容】
[0004] -个实施例为挤制光缆线保护组件，其包含挤制聚合渗合物，所述挤制聚合渗合 物包含：
[0005] (a)结晶聚丙締，其结晶度为至少约55% ;和
[0006] (b)冲击改性聚合物，其选自由締控多嵌段互聚物、締控嵌段复合物W及其组合组 成的群组。
【附图说明】
[0007] 参考附图，其中：
[000引图1展示宽松缓冲管光纤缆线的横截面图；
[0009] 图2展示忍管光纤缆线的局部剖视图；和
[0010] 图3展示开槽忍光纤缆线的横截面图。
【具体实施方式】
[0011] 本发明的各个实施例设及聚合渗合物，其包含结晶聚丙締和冲击改性聚合物，所 述冲击改性聚合物选自由締控多嵌段互聚物、締控嵌段复合物W及其组合组成的群组。任 选地，聚合渗合物除冲击改性聚合物外可进一步包含弹性体。聚合渗合物还可含有一种或 多种添加剂。可W将运类聚合渗合物挤出W形成光纤缆线保护组件。
[0012] 结晶聚丙締
[0013] 适用于各个实施例中的结晶聚丙締可W为全同立构或间同立构均聚物聚丙締。在 一个或多个实施例中，结晶聚丙締可W为全同立构均聚物聚丙締，W使聚合物的结晶度达 到最大。"聚合物"的意思是通过使相同或不同类型的单体反应（即，聚合)而制备的大分子 化合物。"聚合物"包括均聚物和互聚物。如本文所用，"均聚物"指示包含衍生自单个单体类 型的重复单元的聚合物，但不排除残余量的用于制备所述均聚物的其它组分，如链转移剂。
[0014]用于本发明中的聚丙締在文献中熟知并且可W通过已知技术来制备。一般来说， 聚丙締可W由齐格勒-纳塔催化剂（Ziegler-Natta catalyst)或茂金属催化剂制得。《柯 克?奥思默化工百科全书化irk-Othmer Encyclopedia of 畑emical Technology)》 (2001)描述运些催化剂和其制造结晶聚丙締的对应反应器工艺。
[001引聚丙締的结晶度通过差示扫描热量ii定（"DSC")来巧慢。在运一 ii量中，将小丙締 聚合物样品密封到侣DSC盘中。将样品放置于用每分钟25厘米氮气吹扫的DSC单元中并且冷 却到约-100°C。通过WlO°C/min加热到225°C建立样品的标准热历程。接着使样品再冷却到 约-100°C并且WlOC/min再加热到225°C。记录第二次扫描所观测到的烙化热（A册?腹)。所 观测到的烙化热通过W下等式与按聚丙締样品的重量计的呈重量百分比形式的结晶度有 关：
[0016] 结晶度百分比=(Δ访娜眶)/( Δ啦禪姆柄(6) X100
[0017] 其中全同立构聚丙締的烙化热（Δ Η舒础娜^稀）在B. Wunderlich,《高分子物理 (Macromolecular F*hysics)》，第3卷，结晶烙融（Oystal Melting),Academic Press,纽 约，1960,第48页中报道为165焦耳每公克(J/g)聚合物。在各个实施例中，结晶聚丙締的结 晶度可W为至少55重量％、至少65重量％、至少70重量％或至少73重量％。2003年10月7日 提交的美国专利第7,087,680号公开适用于本发明的各个实施例的高结晶聚丙締的实例。
[0018] 在一个或多个实施例中，结晶聚丙締的烙体指数(12)可W在1到20克/10分钟（"g/ lOmin" )、1到12g/10min、2到9g/10min、2到8g/10min、或3到6g/10min的范围内。本文提供的 烙体指数根据ASTM方法D1238来确定。除非另外指出，否则烙体指数在190°C和2.16Kg下测 定（即，12)。
[0019] 在各个实施例中，结晶聚丙締可W按总聚合渗合物重量计在50到95重量％ ("wt%" )、55到90wt%、60到90wt%、或70到90wt%范围内的量存在于聚合渗合物中。
[0020] 在各个实施例中，成核剂可W用于结晶聚丙締。适合成核剂的实例包括ADK NA-11 和ADK NA-21，其可购自As址i Denim Kokai。其它实例包括美国专利第3,367,926号和第5， 574,816号中所述的成核剂。所属领域的一般技术人员可W容易地鉴别其它有用成核剂。典 型将成核剂W至少50化pm、至少65化pm或至少75化pm并入到结晶聚丙締中。
[0021 ] 冲击改性聚合物
[0022] 如上文所指出，聚合渗合物包含选自由締控多阻断互聚物、締控阻断复合物W及 其组合组成的群组的冲击改性聚合物。如本文所用，"冲击改性聚合物"为改变上述结晶聚 丙締的多种特性的聚合物。举例来说，冲击改性聚合物可将结晶聚丙締改性W使得其能够 吸收机械能而不破裂，由此使光纤缆线应用具有足够冲击初性。
[0023] "締控多嵌段互聚物"为包含优选地W线性方式连接的两个或两个W上化学上相 异的区域或链段(称为"嵌段"）的聚合物，也就是说，包含相对于聚合締属，优选乙締属官能 团端到端连接而非W侧接或接枝方式连接的化学上有差别的单元的聚合物。在各个实施例 中，嵌段的不同之处在于并入的共聚单体的量或类型、密度、结晶度、可归因于运类组合物 的聚合物的微晶大小、立体异构性的类型或程度(全同立构或间同立构）、区域规整性或区 域不规整性、分支化量(包括长链分支化或超分支化）、均质性或任何其它化学或物理特性。 相比于先前技术的嵌段互聚物，包含通过依序单体添加、立体易变催化剂或阴离子聚合技 术产生的互聚物，本发明实践中所用的多嵌段共聚物由两种聚合物多分散性的独特分布 (PDI或Mw/Mn或MWD)、嵌段长度分布和/或嵌段数量分布表征，其在优选实施例中归因于梭 移剂W及其制备时所用的多种催化剂的作用。更确切地说，当W连续方法制造时，聚合物的 PDI可W为1.4到3.5、1.5到2.5、1.6到2.5、或1.6到2.1。当W分批或半分批方法制造时，聚 合物的 PDI 可为 1.4 到2.9、1.4 到2.5、1.4 到2.0、或 1.4 到1.8。
[0024] 在各个实施例中，締控多嵌段互聚物可W为乙締多嵌段互聚物。术语"乙締多嵌段 互聚物"的意思是包含乙締和一种或多种可互聚共聚单体的多嵌段互聚物，其中乙締构成 聚合物中至少一个嵌段或链段的多个聚合单体单元，且可W构成嵌段的至少90、至少95、或 至少98摩尔总聚合物重量计，本文所用的乙締多嵌段互聚物的乙締含量可 W为25到97mol %、40到96mol %、55到95mol %、或65到85mol %。一种或多种共聚单体可W 构成互聚物的其余部分。在一个或多个实施例中，締控多嵌段互聚物可W为締控多嵌段共 聚物。
[0025] 在一些实施例中，乙締多嵌段互聚物可W由下式表示：
[0026] (AB)n
[0027] 其中η为至少1，优选地为大于1的整数，如2、3、4、5、10、15、20、30、40、50、60、70、 80、90、100或高于100，"Α"表示硬嵌段或链段并且"Β"表示软嵌段或链段。A和Β优选地W线 性方式，而非分支或星型方式连接。"硬"链段指的是乙締的存在量大于95重量％，并且优选 地大于98重量％的聚合单元的嵌段。换句话说，硬链段中的共聚单体含量小于5重量％，并 且优选地小于2重量％。在一些实施例中，硬链段包含所有或基本上所有乙締。另一方面， "软"链段指的是乙締和α-締控共聚单体的聚合单元的嵌段，其中共聚单体含量大于5wt%、 大于8wt%、大于lOwt%或大于15wt%。在一些实施例中，软链段中的共聚单体含量可W大 于20wt%、大于25wt%、大于30wt%、大于35wt%、大于40wt%、大于45wt%、大于50wt%、或 大于60wt%。
[0028] 在一些实施例中，A嵌段和B嵌段沿聚合物链随机分布。换句话说，嵌段互聚物通常 并不具有如下结构：
[00 巧]AAA-AA-BBB-BB。
[0030] 在其它实施例中，嵌段互聚物通常并不具有第Ξ类嵌段。在又其它实施例中，嵌段 A和嵌段B中的每一个具有无规分布在嵌段内的单体或共聚单体。换句话说，嵌段A和嵌段B 都不包含组成相异的两种或两种W上区段(或子嵌段），如端部链段，其具有与嵌段的其余 部分不同的组成。
[0031] 因为由两个或两个W上单体形成的各别可识别的链段或嵌段连接到单聚合物链 中，所W聚合物不可W使用标准选择性提取技术完全分离。举例来说，含有相对结晶的区域 (高密度链段)和相对非晶形的区域(较低密度链段）的聚合物不可W使用不同溶剂选择性 提取或分离。在各个实施例中，可使用二烷基酸或烧控溶剂提取的聚合物的数量小于总聚 合物重量的10%，小于7%，小于5%，或小于2%。
[0032] 在一些实施例中，多嵌段互聚物的PDI拟合舒尔茨-弗洛里分布（Schultz-Flory dis化化ution)并非泊松分布(Poisson distribution)。互聚物的特征进一步为具有多分 散嵌段分布与嵌段大小的多分散分布并且具有嵌段长度的最概然分布。优选多嵌段互聚物 为含有4个或大于4个嵌段或链段(包括端嵌段）的那些多嵌段互聚物。更优选地，互聚物包 括至少5、10或20个嵌段或链段(包括端嵌段）。
[0033] 在另一实施例中，本发明的締控多嵌段互聚物，尤其在连续溶液聚合反应器中制 得的那些締控多嵌段互聚物，具有嵌段长度的最概然分布。在本发明的一个实施例中，締控 多嵌段互聚物定义为具有约1.7到约3.5的Mw/Mn，和：
[0034] ( A)至少一个W摄氏度计的烙点Tm和W克/立方厘米计的密度d，其中Tm和d的数值 对应于W下关系：
[0035] Tm>-6553.3+13735(d)-7051.7(d)2;或
[0036] (B)由W J/g计的烙化热Δ Η和W摄氏度计的量差Δ T表征，所述量差Δ T定义为最 高差示扫描热量测定（"DSC")峰值与最高结晶分析分离rCRYSTAf'）峰值之间的溫差，其中 Δ T和Δ Η的数值具有W下关系：
[0037] ΔΤ>-0.1299( ΔΗ)+62.81，对于 ΔΗ大于零并且高达 130J/g
[003引 ΔT>48。C，对于ΔH大于130J/g
[0039] 其中使用累积聚合物的至少5%确定CRYSTAF峰值(也就是说，峰值必须表示累积 聚合物的至少5 % )，并且如果小于5 %的聚合物具有可识别CRYSTAF峰值，那么CRYSTAF溫度 为30°C;或
[0040] (C)在300%