专利名称：控制春石斛开花与繁殖的方法
技术领域：
本发明涉及一种植物的培育方法，尤其涉及一种控制盆花开花与繁殖的方法。
技术背景春石斛为四大洋兰之一，是洋兰中继蝴蝶兰和大花蕙兰后出现的又一洋兰新品。春石 斛为兰科石斛属植物，多年生常绿或落叶附生草本，茎称为假鳞茎，肉质呈竹节状。茎长 度依品种不同在25 90cm左右，叶互生，总状花序2 5朵。花大而艳丽，花朵直径为6 l()cni，花期长达1 2个月。自冬春萌发的新芽生长至夏末秋初逐渐停止，出现终止叶。上 部膨大的节间腋芽，均可能发育成花芽或成为高芽。春石斛是喜干、喜光、耐低温的一种 洋兰，在我国有着很大的发展优势。具有较高观赏价值，花色艳丽、观赏期较长的优点 花期又处在我闺的传统节tJ 一-一春节的前后，可拱托出节R的热闹气氛。春石斛茎段发lt成熟后，每节的腋芽都有形成花芽或者叶芽的能力，芽体进一歩发育 形成花或者高芽。如果环境合适，萌芽后，使用低温和千旱处理则会形成花芽；使用肥水 和高温促进则会形成高芽。高芽生根后可分株移栽，用于繁殖。春石斛是先长芽后生根， 茎节上有繁殖和形成新的植株的能力。茎节上的腋芽萌发后，新茎随后会在茎段基部生 根。使用高芽4::根后分株移栽是一个主要的繁殖手段，所以，高芽的数量制约着繁殖的快 慢。目前，春石斛盆花生产中，从种苗的培育到成品开花，需要3年或更长的时间。其 中，种苗的繁殖需要的时间比较长，且发育不整齐，上盆时间不统一，是目前春石斛生产 中的一个技术难点。现有的技术对于高芽的利用，是处于一种被动的状态。主要是利用开 花后剩余的芽体萌芽形成的高芽，用来繁殖。高芽形成的数量和时间不能够调控。形成的 岛芽不整齐，且数量少。先后断断续续，不利于大规模出苗上盆。春石斛成品丌花质量是目前春石斛生产中的另一个技术难点。是制约生产和发展的一 个瓶颈。春石斛花芽分化要求在i3。C以下的低温环境中，在我国夏秋季高温地区难以达 到。另外，单株不问节位花期不整齐，开花零散，观赏效果差。现有的技术中，对春石斛腋芽的调控，主要是通过环境和栽培技术的管理来调控的。 茎段停长以后，通过控制肥水，保持较低的温室温度，来促进茎段芽体发育。完成了芽体的发育后，即可萌芽。但现有技术下，萌芽的节位少，不整齐。形成的花芽质量不高。同 时萌芽后，花期不统一，同一株上下节位开花时间不一致，开花零零散散，观赏效果差。 形成了低矮、细弱的茎，同样不利于花芽的形成。由于存在上述缺点，很难使春石斛芽体萌发整齐，花期统一，繁殖效率高。难以形成 规模化的生产。发明内容本发明的目的是提供一种控制春石斛开花与繁殖的方法，该方法可使春石斛腋芽芽体 萌发整齐，花期统一，繁殖效率高。本发明的目的是通过以下技术方案实现的-本发明的控制春石斛开花与繁殖的方法，包括步骤A、 选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法 喷施于春石斛，促进腋芽发育；B、 喷施植物生长调节剂时，配合不同的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽 发育成为花芽，进而发育成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。所述的歩骤A中，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基噤呤；喷施浓度为100ppm 5()0ppm;喷施方法为叶面喷洒或灌溉。所述的歩骤B中，诱导腋芽发育成为花芽的方法包括歩骤Bl、对用于成花的春石斛在预计花期前两个月左右停止使用肥水，并进行低温处理， 保持温度在8 13'C;B2、将6苄基氨基嘌呤溶解为300ppm 500ppm的溶液，并喷施于春石斛，促进花芽形成；B3、萌芽后，持续保持10 15。C的低温环境，直至花芽长至2 3crn以上时，缓慢提高 温室温度，促进发育；B4、花蕾出现后，温度提高到15 18'C以上，直至开花。 所述的步骤B2中，将6苄基氨基嘌呤溶解为400ppm的溶液。 所述的歩骤B中，诱导腋芽发育成为高芽的方法包括步骤 B5、对用于繁殖的春石斛在预计繁殖期前两个月左右停止肥水；B6、待假鳞茎增粗后，将6苄基氨基嘌呤溶解为100ppm 300ppm的溶液，并喷施于春 石斛，促进高芽形成；B7、对春石斛施加足量的肥水，并配合适宜春石斛生长的温度，进一步促进高芽的发育。
所述的歩骤B6中，将6苄基氨基嘌呤溶解为200ppm的溶液。 所述的歩骤B中，用所述的高芽进行繁殖时包括步骤 B8、 3高芽长至适合移栽的程度时，从母株茎上切离； B9、将切离后的高芽上盆栽种； BIO、将上盆后的高芽，置于阴凉处直至成活。所述的歩骤B8中，当高芽长至3 4片叶，且根长4 5cm时，从母株茎上单独切离。 所述的歩骤B8中，当高芽长至高度大于10cm时，将高芽连同母株茎的一部分共同切下。所述的植物生长调节剂为KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂。由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的控制春石斛开花与繁殖的方 法，山于采用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，尤其使用6 — BA (6节基氨 基嘌呤)来调控芽体萌发，可以促进成熟茎段上芽体全部萌发，使假鳞茎顶部、中部、基 部的芽体同时萌发，促进开花整齐，提高繁殖效率。乂由于对作为成品出花的春石斛，则使用生长调节剂6 — BA的同时，结合低温和肥水 的控制，可促进花芽的发—ff，形成整齐的花；对于茎段用于繁殖的春石斛，则在使用6--BA 处理后，P，]时辅助适宜春石斛生长的温度和肥水，促进芽体萌发，加快根系生长，快速形 成整齐的高芽，繁殖上盆。使用本发明的技术， 方面可以加快繁殖的速度和效率，增加春石斛种苗的繁殖数 量，有利于縮短栽培周期，使种苗整齐一致，提高盆花整齐度。另外，解决了春石斛生产 中花期不一致、开花数量少的核心问题，促进同一株的不同节位花芽同时萌发，同时开 放，以及促进不同株的假鱗茎同时开花，规模化上市。定时、准确的供应元旦、春节期间 的花卉市场，进行规模化的批量销售。
图l为本发明控制春石斛开花与繁殖的方法的主要流程图。
具体实施方式
本发明较佳的具体实施方式
是，春石斛茎段发育成熟后，每节的腋芽都有形成花芽或 者高芽的能力，芽体进-一歩发育形成花或者用于繁殖。如果环境合适，萌芽后，使用低温 和干旱处理则会形成花芽，使用肥水和高温促进则会形成高芽。在此过程中，辅助以适宜 浓度的6 — BA，以提高芽体萌发的数量，并控制芽体发育的时间，及诱导芽体发育为花芽或卨芽。
如图1所示，控制春石斛开花与繁殖的方法，主要包括以下歩骤 歩骤ll、促进腋芽发育选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施 子春石斛植株，促进腋芽发育，这一步还可以控制并统一腋芽发育的时间。选用的植物生长调节剂最好为6 — BA (6苄基氨基嘌呤)，喷施浓度为100ppm 500ppra，可以选用200ppm、 300卯ai、 400ppm等优选比例，施用方法为叶面喷雾或灌根。也可以选用KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂，或其它类别的植物生长调 节剂。歩骤12、诱导腋芽发存在进行歩骤l]时首先要通过假鳞茎的不同发育状态和时间，来确定春石斛是用于繁 殖，还是用于丌花。 一般春石斛繁殖的最佳时间在早春2 4月，开花上市的最佳时间--般 在12 2月，即元H、春节前后。所以如果用于繁殖则6 — BA的使用时间应当后延，用于丌 花则喷施6--BA则时问较早。目的不同，温度、光照、肥水等环境因子也需要做相应的调 整，喷施植物生长调节剂时，配合适当的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽发育 成为花芽，进而发宵成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。如果春石斛是用于丌花，则进行歩骤13、诱导腋芽发育成花芽诱导腋芽发育成为花芽的方法主要包括以下过程对用于成花的春石斛在预计花期前2个月左右停止肥水，并进行低温处理，保持温度 在8 13。C;低温处理--段时间后，将6苄基氨基嘌呤溶解为300ppm 500ppm的溶液，并喷施于春 石斛，促进花芽形成；最好将6苄基氨基嘌呤溶解为400ppm的溶液。萌芽后，持续保持1() 15"C的低温环境，直至花芽长至2 3cm以上时，缓慢提高温室 温度，促进发育。花蕾出现后，温度提高到15 18'C以上，直至开花。具体是，在春石斛预计花期前2个月，停止使用肥水，过一段时间会有休止叶出现， 在叶片停止生长前停肥，有利于开花，若在叶片停长后停肥，不利于丌花。进入9月份，大 部分植株的休止叶出现，这段时间需要控制水分，保持干燥。温度保持白天15 20。C;夜 间8 13。C，持续4()天。空气湿度60 70%，光照40，0001ux (勒克斯，照明度的国际单 位)。在-一定的F1夜温差下，利于茎的充实，开花率好。叶片停止生长时间愈早，各节位丌 花率愈高。对假鳞茎使用进行低温处理，控制在io i5x:的低温环境，在低温处理io天内施用300 5()0ppm的6-BA生长调节剂水溶液，400ppm对花芽促进作用效果最佳，进行叶面喷洒， 或灌溉，有助于花芽分化增加开花率。6 - B A最好先用少量的盐酸于5 0 6 (TC温度下溶解
后，再用水稀释，防止沉淀，催花效果好。催花的温度一般都控制在13。C左右，配合低温 处理时间。可以采用自然降温或者人工控温，30 50天可促进花芽形成。春石斛自然花期为每年的2 4月份，使用植物生长调节剂处理后，促进假鳞茎花芽的 分化，进行花期调控，可提前至元旦、春节开花。春石斛的花芽形成需要低温刺激，否则 无法顺利着生花芽，完成假鳞茎的发育。花芽分化后，仍然必需继续低温，否则会降低开花率及降低花朵品质， 一般以10 15 "C效果佳。再继续10 20日的连续低温才能着花安定。经过约15 20天的处理，花芽肥 大。如果春石斛是用于繁殖，则进行歩骤14、诱导腋芽发育成高芽诱导腋芽发育成为高芽的方法主要包括以下过程对用于繁殖的春石斛在预计繁殖期前两个月左右停止肥水；停止肥水一段时间后，待假鳞茎增粗到适当程度后，将6苄基氨基嘌呤溶解为 100ppm 3()0卯m的溶液，并喷施于春石斛，促进高芽形成；最好将6节基氨基嘌呤溶解为 200ppm的溶液。再对春石斛施加足量的肥水，同时辅助适宜春石斛生长的温度，进一歩促进高芽的发f〗春石斛的假鱗茎作为繁殖用时，不需要进行低温处理，在停止施用肥料后，减少水分 的施用， -段时间后，就会有休止叶出现，然后假鳞茎增粗。假鳞茎增粗达到一定的阶 段，就可以喷施6 —BA溶液， 一般采用100ppm以上的浓度，200ppm效果最佳，6-BA最好先用 少量的盐酸于50 60"C温度下溶解后，再用水稀释，防止沉淀。6-BA对春石斛高芽的形成 有促进作用，i'T显著促进春石斛的高芽萌发，使春石斛假鳞茎的高芽增加。从春天到早夏，高芽在假鳞茎上部节上出现，这时要对春石斛施加足量的肥水，尤其 是N肥，会促进高芽形成。高芽在春季出现和生长，在夏季成熟。如果鳞芽(从假鳞茎的根 茎处萌发的新芽)和高芽同时出现时，则可以同时保留提高繁殖率。当高芽长成后，就"J用于繁植。歩骤15中，将所述的高芽用f繁殖。当高芽长至适合移栽的程度时，从母株茎上切离；可以先将切离后的高芽的根部用水 苔包住，之后将其裁种；将栽种后的高芽，置于阴凉处半月内不浇水，直至成活，也可以 采用其它的栽种方法。当高芽长至3 4片叶，根4 5cm时，从母株茎上切离最为适宜。高芽切离的方法有两种一种是只将高芽从母株茎上单独切离， 一般适用矮于10cm的芽苗；
另一种是将高芽连同母株茎1 2节一并切离， 一般适用于高于10cm的芽苗。 高芽苗达10cm时，根系过长，上盆操作困难，难度大，易损伤根系。根系过短，则上 盆后苗不稳，容易倒。切离后的高芽，根部用水苔包住，最好用6 10on口径盆栽种。 移植后，放在半阴处两周。温度保持18"，遮光20% 40%，效果最佳。 春石斛的栽培周期比较长， 一般都需要3 4年。采用本发明的技术，使用6 — BA来调 控芽体萌发，可以促进成熟茎段上芽体全部萌发。假鳞茎顶部、中部、基部的芽体同时萌 发，促进开花整齐，提高繁殖效敦。作为成品出花，则使用生长调节剂6 — BA同时，结合低 温和肥水的控制，可促进花芽的发宵，形成整齐的花。如果茎段用于繁殖，则在使用6--BA 处理后，同时辅助适宜温度和肥水，促进芽体萌发，加快根系的生长，快速形成整齐的高 芽繁殖上盆。6 -BA是-,1'促进细胞分裂的生长调节剂，能促进植物的侧芽发育，使用其他种类的生 长调节剂如KT、 ZT等也会达到这种目的，只是控制质量、效果有区别。同时6-BA有许多商 品名称，其fe要成分不变。生长调节剂有多种使用方法，采用合适的浓度，用不同的喷 施，或者低浓度的多次使用，皆能达到同样的效果。开花和繁飧的双向调控和转换必须辅助一定的适宜的环境因素。这样才能达到预期的 效果。但是温度或光照对茎段的积累效果，可以通过其它的环境因子的变化，达到目的， 例如，光照不足，可以通过提高温度来进行补偿。使用本发明的技术，可以提高春石斛盆花成品品质，加快繁殖的速度和规模。不使用 这种技术，则春石斛盆花的成品质量相对低，形成的高芽不整齐，数量少。总体上，使用 这种技术，仿利于提高春石斛生产中繁殖和开花的质量和效率，提升生产能力。具体试验例，分别取i()o株现有技术下的春石斛，禾nioo株本发明技术下的春石斛进行效果比较春石斛的假鳞茎中部或中上部粗，基部细，呈棒锤状，下部芽体的发育较中上部芽体 差。腋芽分化晚，需要时问长。不容易开花。导致开花后的春石斛中上部有几朵花，基部 则光秃秃，成品植株观赏性低。现有技术下，不同假鳞茎和假鳞茎的不同部位，发育状况不同。经过低温和干旱处理 后，部分腋芽未进行花芽分化，特别是中下部茎段较中上部细，部分分化不完全。春石斛 盆花成品假鳞茎，长度在4() 6(km的茎段， 一般有15 20节。基部4 5节开花比较难，顶 部2 5节的腋芽发宵也次于中部腋芽，花芽分化晚。 一般中部10 15节的开花，顶部和基 部则光着。整个植株观赏性不佳。现有技术下，L00株春石斛，只有半数成品基本85%以上的节位开花。会有10 20% 的植株，假鳞茎开花的节段占总节段的30%以下。花量很小，不能上市销售。30%的植
株，假鳞茎开花的节段占总节段的70%左右。同时开花整齐度也差，3(^左右的植株在预定时间不能开花，导致春节和元旦过后，部分产品才丌花。严重制约了成品上市和行业利润。在腋芽发宵成花芽开花后，花在2 3月时，基本已经开败，这时养分集中在其余未未 开花的芽体，会萌发形成高芽。 -株15 20节的茎段高芽一般有2 6个不等。高芽形成时 问不一，发ff不整齐。高芽的繁殖带着盲目性。利用本专利技术，如进行开花，采用生长调节剂处理后，70%以上植株， 一般有 lr) 20个节的假鱗^，基本90%以上的节位腋芽会开花。同时丌花时间可调控在预期的时 间内。采用本专利技术如进行繁殖采用生长调节剂处理后，植株间差异很小。 一般有15 20个节的假鳞茎，80%以上的芽体可以形成高芽，植株茎和根系的大小基本一致，可以统 切离上盆，非常有利于规模化生产。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任 何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都 应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1、一种控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，包括步骤A、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛，促进腋芽发育；B、喷施植物生长调节剂时，配合不同的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽发育成为花芽，进而发育成花；或诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。
2、根据权利要求l所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤A 屮，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤；喷施浓度为l()0ppm 500ppm;喷施方法为叶 面喷洒或灌溉。
3、 根据权利要求2所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤B 中，诱导腋芽发育成为花芽的方法包括步骤Bl 、对用于成花的春石斛在预计花期前两个月左右停止使用肥水，并进行低温处理，保持温度在8 i:rc;B2、将6苄基氨基嘌呤溶解为300ppm 500卯m的溶液，并喷施于春石斛，促进花芽形成；B3、萌芽后，持续保持10 ]5匸的低温环境，直至花芽长至2 3cm以上时，缓慢提高 温室温度，促进发宵；〖M、花蕾出现后，温度提高到15 18'C以上，直至开花。
4、 根据权利要求3所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤 B2中，将6苄基氨基嘌呤溶解为400ppm的溶液。
5、 根据权利要求2所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤B 中，诱导腋芽发育成为高芽的方法包括步骤B5、对用于繁殖的春石斛在预计繁殖期前两个月左右停止肥水；B6、待假鳞茎增粗后，将6苄基氨基嘌呤溶解为100ppm 300ppm的溶液，并喷施于春 石斛，促进高芽形成；B7、对春石斛施加足量的肥水，并配合适宜春石斛生长的温度，进一步促进高芽的发育。
6、 根据权利要求5所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤 B6中，将6苄基氨基嘌呤溶解为20()ppm的溶液。
7、 根据权利要求l所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤B 中，用所述的高芽进行繁殖时包括步骤 B8、 ^高芽长至适合移栽的程度时，从母株茎上切离；B9、将切离后的高芽上盆栽种；Bl()、将上盆后的高芽，置于阴凉处直至成活。
8、根据权利要求7所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的歩骤 1W中，当高芽长至3 4片叶，且根长4 5cm时，从母株茎上单独切离。
9、 根据权利要求7所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的歩骤 B8中，当高芽长至高度大于10cm时，将高芽连同母株茎的一部分共同切下。
10、 根据权利要求l所述的控制春石斛开花与繁殖的方法，其特征在于，所述的植物 生长调节剂为KT类植物牛长调节剂，或ZT类植物生长调节剂。
全文摘要
本发明公开了一种控制春石斛开花与繁殖的方法，首先选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育；喷施植物生长调节剂时，配合8～13℃的低温和控制肥水及其它的环境条件、喷施浓度及喷施时间，诱导腋芽发育成为花芽，进而发育成花；或配合适宜的温度和肥水，诱导腋芽发育成为高芽，用于繁殖。选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤；喷施浓度为100ppm～500ppm；喷施方法为叶面喷洒或灌溉。使春石斛腋芽芽体萌发整齐，花期统一，繁殖效率高。
文档编号A01G7/06GK101156535SQ200610113420
公开日2008年4月9日 申请日期2006年9月27日 优先权日2006年9月27日
发明者李振坚, 雁 王 申请人:中国林业科学研究院林业研究所