专利名称：齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法
技术领域：
本发明涉及药用石斛的种苗培养方法，尤其涉及一种齿瓣石斛种子无菌快速繁殖 方法。
背景技术：
石斛是我国传统的名贵中药材，齿瓣石斛是石斛类中的佳品，多附生于高山岩石 和树上，近年来由于齿瓣石斛市场较好，人们对其进行掠夺式采摘，野生资源濒临枯竭。近 年来，人们采用传统分株栽培和扦插对齿瓣石斛进行人工繁殖，但由于母株的丛生依赖性 较强，不仅原材料损失大，而且伤口易感染病害，抗逆性下降，导致种苗繁殖速度慢、种苗不 整齐，成活率低。
发明内容
为了克服传统齿瓣石斛种苗繁殖方法上的不足，本发明提供一种齿瓣石斛种子无 菌快速繁殖方法，该方法可以提高齿瓣石斛的种苗繁殖速度和增值倍数，有利于齿瓣石斛 种苗工厂化生产。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是以齿瓣石斛成熟未开裂的蒴果为外 植体，经消毒处理后，首先切开果皮，对种胚进行萌发培养，通过培养，形成大量的原球茎； 然后对原球茎进行增殖培养，形成大量的丛生芽或类原球茎；再对丛生芽进行壮苗生根培 养，可以形成带根、茎、叶完整植株试管苗；最后通过对试管苗炼苗移栽后获得大量优质种
田ο本发明的有益效果是，可提高齿瓣石斛种苗繁殖速度和增值倍数，苗齐、苗壮，利 于进行工厂化生产。
具体实施例方式选取齿瓣石斛成熟未开裂的蒴果为外植体，具体方法包括下述步骤(1)外植体 选取与消毒选取成熟未开裂的蒴果，用75%的酒精浸泡Imin后置于0. 的升汞溶液中 消毒15 20min，再用无菌水冲洗5 6次；(2)萌发培养切开蒴果皮，将金黄色粉末状胚 接种到萌发培养基上，萌发培养基为花宝1号(N P K = 7 6 19)3克/升+LH(水 解乳蛋白)1克/升+蔗糖25克/升，萌发培养基ρΗ5. 8 6. 2，培养温度25 27°C，光 照强度1500 2000Lx，每天光照12小时，培养时间40 45天，形成直径Imm左右的绿色 原球茎；(3)增殖培养将原球茎接种到增殖培养基上，增殖培养基为MS+6-BA(6-苄基腺 嘌呤)0· 1 1.0毫克/升+離々(0-萘乙酸)0· 1 1.0毫克/升+红薯汁50 100克/ 升+CH(水解酪蛋白)1克/升+活性炭0. 5 2. 0克/升+蔗糖30克/升，增殖培养基 PH5. 8 6. 2，培养温度25 27°C，光照强度1500 2000Lx，每天光照12小时，培养时间 50 60天，形成高1 3厘米的丛生芽或类原球茎混合组织；(4)壮苗生根培养将丛生芽 转接到壮苗生根培养基中，壮苗生根培养基为1/2MS+IAA (吲哚乙酸)0. 1 1.0毫克/升+ΝΑΑ0. 1 1. 0毫克/升+L-半胱氨酸0. 01 0. 05毫克/升+马铃薯汁50 100克/升 +香蕉汁50 150克/升+活性炭1. 0 3. 0克/升+蔗糖20克/升，壮苗生根培养基 PH5. 8 6. 2，培养温度25 27°C，光照强度1500 2000Lx，每天光照12小时，培养时间 50 60天，培育出带根、茎、叶完整植株试管苗；(5)试管苗炼苗移栽当试管苗长3片伸 展叶以上、株高5cm以上、根长3cm以上时，将携苗的试管转移到大棚在自然光下炼苗10 15天，然后将苗从试管中取出，洗净附于根部的培养基，用0. 的多菌灵溶液浸泡IOmin 后，移栽至移栽基质上，移栽基质先进行杀菌处理，移栽基质由木炭末、椰子壳粉末、锯末从 下至上分层排列于大棚苗床上，其厚度分别为lcm、4Cm、5Cm，移栽时以3株/丛置于锯末上， 大棚温度控制在20 32°C，空气相对湿度60 80 %，荫蔽度为75 85 %，光照度6000 12000LX，待苗直立时，用低浓度母液或化肥溶液进行叶面喷施，移栽的成活率达90%以上， 2 3个月后，可获得大批优质种苗。
权利要求
一种齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是以齿瓣石斛成熟未开裂的蒴果为外植体，经消毒处理后，首先切开果皮，对种胚进行萌发培养，通过培养，形成大量的原球茎；然后对原球茎进行增殖培养，形成大量的丛生芽或类原球茎；再对丛生芽进行壮苗生根培养，可以形成带根、茎、叶完整植株试管苗；最后通过对试管苗炼苗移栽后获得大量种苗。
2.根据权利要求1所述的齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是，外植体选取与 消毒选取成熟未开裂的蒴果，用75%的酒精浸泡Imin后置于0. 的升汞溶液中消毒 15 20min，再用无菌水冲洗5 6次。
3.根据权利要求1所述的齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是，萌发培养切 开蒴果皮，将金黄色粉末状胚接种到萌发培养基上，萌发培养基为花宝1号(N P K = 7:6: 19)3克/升+LH(水解乳蛋白)1克/升+蔗糖25克/升，萌发培养基pH5.8 6. 2，培养温度25 27°C，光照强度1500 2000Lx，每天光照12小时，培养时间40 45 天，形成直径Imm左右的绿色原球茎。
4.根据权利要求1所述的齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是，增殖培养将 原球茎接种到增殖培养基上，增殖培养基为MS+6-BA(6-苄基腺嘌呤)0. 1 1.0毫克/升 +ΝΑΑ(α-萘乙酸)0. 1 1.0毫克/升+红薯汁50 100克/升+CH(水解酪蛋白)1克/ 升+活性炭0. 5 2. 0克/升+蔗糖30克/升，增殖培养基ρΗ5. 8 6. 2，培养温度25 270C，光照强度1500 2000Lx，每天光照12小时，培养时间50 60天，形成高1 3厘米 的丛生芽或类原球茎混合组织。
5.根据权利要求1所述的齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是，壮苗生根培养 将丛生芽转接到壮苗生根培养基中，壮苗生根培养基为1/2MS+IAA(吲哚乙酸)0. 1 1.0 毫克/升+ΝΑΑ0. 1 1. 0毫克/升+L-半胱氨酸0. 01 0. 05毫克/升+马铃薯汁50 100克/升+香蕉汁50 150克/升+活性炭1. 0 3. 0克/升+蔗糖20克/升，壮苗生 根培养基ΡΗ5. 8 6. 2，培养温度25 27°C，光照强度1500 2000Lx，每天光照12小时， 培养时间50 60天，培育出带根、茎、叶完整植株试管苗。
6.根据权利要求1所述的齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，其特征是，试管苗炼苗移 栽当试管苗长3片伸展叶以上、株高5cm以上、根长3cm以上时，将携苗的试管转移到大 棚在自然光下炼苗10 15天，然后将苗从试管中取出，洗净附于根部的培养基，用0. 1 % 的多菌灵溶液浸泡IOmin后，移栽至移栽基质上，移栽基质先进行杀菌处理，移栽基质由木 炭末、椰子壳粉末、锯末从下至上分层排列于大棚苗床上，其厚度分别为lCm、4Cm、5Cm，移栽 时以3株/丛置于锯末上，大棚温度控制在20 32°C，空气相对湿度60 80 %，荫蔽度为 75 85%，光照强度6000 12000LX，待苗直立时，用低浓度母液或化肥溶液进行叶面喷 施，2 3个月后，可获得大批优质种苗。
全文摘要
本发明公开了一种齿瓣石斛种子无菌快速繁殖方法，涉及生物工程技术领域。本发明通过下述方案得以实现以齿瓣石斛成熟未开裂的蒴果为外植体，经消毒处理后，首先切开果皮，对种胚进行萌发培养，形成大量的原球茎；然后对原球茎进行增殖培养，形成大量的丛生芽或类原球茎混合组织；再对丛生芽进行壮苗生根培养，形成大量带根、茎、叶完整植株试管苗；最后通过对试管苗炼苗移栽后获得大量优质种苗。该方法可提高齿瓣石斛的种苗繁殖速度和增值倍数，苗齐、苗壮，利于进行工厂化生产。
文档编号A01G31/00GK101889547SQ20091014551
公开日2010年11月24日 申请日期2009年5月22日 优先权日2009年5月22日
发明者季丽坤, 李守岭, 白燕冰, 高燕 申请人:云南省德宏热带农业科学研究所