臭椿育苗的方法

文档序号:258418阅读:413来源:国知局
臭椿育苗的方法
【专利摘要】本发明提供了一种臭椿育苗的方法,包括精选种子、用等离子体处理机1.2-1.4A的剂量处理2次,将处理后的种子在阳光下晾晒4-5天,然后用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质,将处理后的种子以行距140-180mm、株距2-3mm的密度、深度15-16mm播种,播种后的基质保持24-28℃、相对湿度75%-80%,播种后10-11天出苗,将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持20-30℃、相对湿度50%-60%的条件下培养,当苗高达到20-25cm时,按行距与株距均为30cm移植至大棚土壤中培养,当苗高达到35cm以上时,完成育苗过程,逢初春或夏末秋初即可定植栽培。采用本发明方法可显著提高臭椿的出苗率、极大地降低苗期瘁倒病的发生,明显提高育苗的经济效益。
【专利说明】臭椿育苗的方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及植物种子育苗【技术领域】,具体涉及臭椿种子的育苗方法。

【背景技术】
[0002]臭椿(Ailanthus altissima)在我国南自广东、广西、云南,北到辽宁南部均有分布,以黄河流域为分布中心。垂直分布在海拔100~2000米范围内。喜光,不耐严寒。在年平均气温7~19°C、年降雨量400~2000毫米范围内生长正常;年平均气温12~15°C、年降雨量550~1200毫米范围内最适生长。产各地,为阳性树种,喜生于向阳山坡或灌木丛中,村庄家前屋后的空闲地有栽培,经常种植为行道树。除黏土外,各种土壤和中性、酸性及钙质土都能生长,适生于深厚、肥沃、湿润的砂质土壤。耐寒,耐旱,不耐水湿,长期积水会烂根死亡。深根性。对烟尘与二氧化硫的抗性较强,病虫害较少。臭椿木材可供建筑、制人造板等,根皮、茎和种子供药用,叶可饲养樗蚕。臭椿是荒山造林、庭园、工矿区、城市和农村绿化树种。臭椿一般用播种繁殖。在生产实践中,长期以来臭椿育苗是造林的一个瓶颈,存在的主要问题一是臭椿的出苗率低,二是在苗期极易得瘁倒病,因此,经常导致臭椿育苗的失败。


【发明内容】

[0003]本发明的目的是针对现有技术存在的问题,提供一种臭椿育苗的方法,采用本发明方法进行臭椿育苗可显著提高出苗率、极大地降低苗期瘁倒病的发生,明显提高臭椿育苗的经济效益。
[0004]为实现上述目的,本发明是通过以下技术方案实现的。
[0005]本发明的臭椿育苗的方法,包括如下步骤:
(1)精选成熟良好、无杂质的种子;
(2)将种子用等离子体处理机1.2-1.4A的剂量处理2次;
(3)将(2)处理后的种子在阳光下晾晒4一 5天;
(4)用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质,将(3)处理后的种子以行距140 — 180mm、株距I 一 3 mm的密度、深度15 — 16 mm进行播种,播种后的基质保持24-28°C、相对湿度75% - 80%,播种后10 — 11天出苗;
(5)将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持20-30°C、相对湿度50%- 60%的条件下培养,当臭椿苗高达到20 - 25cm时,按行距与距均为30cm移植至大棚土壤中培养,当苗高达到35cm以上时,完成育苗过程,逢初春或夏末秋初即可定植栽培。
[0006]本发明的关键步骤之一是用等离子体处理机对臭椿种子的处理。等离子体是物质存在的一种状态,它是物质固体状态、液体状态、气体状态之后的第四种状态一等离子体状态。1929年科学家第一次引入“等离子体”这个名称,等离子体学科成为一门年轻的学科。由于等离子体科学发展较晚,因此应用范围不普遍。近年来,等离子体科学的研究得到了快速发展,目前主要用于航天实验、军事国防、金属切割、材料表面镀膜、电子工业、核聚变能源研究等领域。等离子体技术在植物上的应用属于刚刚开始,它开辟了等离子体应用的一个新领域。等离子体处理技术的机理是通过等离子体发出的各种能量作用于种子,激发种子的潜能、提高种子的活力和发芽势,增强种子的抗逆性和健壮度,使植物的生长能力得到提升。采用等离子体处理机对种子处理时,处理剂量和处理次数对种子作用的影响效果很大,不同的处理剂量和处理次数处理种子后对各种性状的影响程度不同,效果差异较大。本发明针对臭椿出苗率低和苗期易得瘁倒病两个臭椿育苗中存在的主要问题进行了等离子体处理剂量和处理次数的试验,结果表明,用1.2A - 1.4A的等离子体处理剂量处理2次后的效果最优(见图1)。处理剂量偏小时,即使增加处理次数也一样,表现在出苗时间缩短不明显,出苗率提高不明显和抗瘁倒病效果不明显(见图2);处理剂量过大时,虽然在出苗时间明显缩短、出苗率明显提高和抗瘁倒病效果明显,但臭椿苗的生长非常不整齐,苗的高度、茎粗和叶片大小差异过大(见图3),不适宜于应用于育苗生产实践。
[0007]本发明的另一关键步骤之一是将经等离子体处理后的臭椿种子在阳光下晾晒4 一 5天。试验表明,经等离子体处理后的臭椿种子立即播种、阴凉处堆放、阳光下晾晒3天及以下、阳光下晾晒6天及以上等处理的效果均不及阳光下晾晒4 - 5天后播种效果好。
[0008]本发明的第三关键步骤之一是用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为臭椿育苗基质,将等离子体处理后且在阳光下晾晒4 一 5天后的种子以深度15 -16 mm进行播种,播种后的基质保持24-28°C、相对湿度75% — 80%。试验表明,基质保持24-28°C和相对湿度75% - 80%的条件是臭椿种子出苗的最佳环境,而用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质比土壤或其它配方的基质在管理基质环境达到24-28°C和相对湿度75% - 80%时更容易实现,因此,在该基质中所用的出苗时间最短,出苗后生长的最快、最为强壮,瘁倒病发病率最低。
[0009]下面介绍本发明对臭椿种子的处理效果及育苗方法的比较试验及结果。
[0010]1.等离子体处理臭椿效果的试验
1.1试验方法
1.1.1等离子体处理剂量试验将精选成熟良好、无杂质的臭椿种子用大连博事等离子体有限公司生产的DL-2型等离子体处理机进行处理,共设OA (对照)、0.6 A、0.8A、1A、1.2 AU.4 AU.6 A和1.8A 8个剂量处理一次,处理后的臭椿种子在阳光下晾晒7天,然后在节能日光温室条件下,按草炭土:珍珠岩为1:1的培养基质中深度15 — 16 mm播种,重复三次,播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。
[0011]1.1.2等离子体处理次数试验设1.2 A、1.4 A和1.6 A 3个剂量处理分别处理I次、2次和3次共9个处理,处理后的臭椿种子在阳光下晾晒7天,然后在节能日光温室条件下,按草炭土:珍珠岩为1:1的培养基质中深度15 - 16 mm播种,重复三次,播种3个月后考察臭椿种子处理后的生长发育效果。
[0012]1.2试验结果
2.1.1等离子体处理剂量试验结果等离子体处理剂量试验结果见表1。
[0013]表1 等离子体处理剂量试验结果

【权利要求】
1.臭椿育苗的方法,其特征是包括如下步骤: (1)精选成熟良好、无杂质的种子; (2)将种子用等离子体处理机1.2-1.4A的剂量处理2次; (3)将(2)处理后的种子在阳光下晾晒4一 5天; (4)用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质,将(3)处理后的种子以行距140 — 180mm、株距2 — 3 mm的密度、深度15 — 16 mm进行播种,播种后的基质保持24-28°C、相对湿度75% - 80%,播种后10 — 11天出苗; (5)将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持20-30°C、相对湿度50%- 60%的条件下培养,当苗高达到20 - 25cm时,按行距与距均为30cm移植至大棚土壤中培养,当苗高达到35cm以上时,完成育苗过程,逢初春或夏末秋初即可定植栽培。
【文档编号】A01G31/00GK104067919SQ201410313215
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年7月3日 优先权日:2014年7月3日
【发明者】李永青, 郭海荣, 郭沛荣, 李香莲, 赵忠爱 申请人:李永青
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