一种一茬双收苦瓜制种方法与流程

文档序号:16143419发布日期:2018-12-05 15:37阅读:620来源:国知局

本发明涉及苦瓜制种技术领域,具体涉及一种“一茬双收”苦瓜制种方法。

背景技术

苦瓜(学名:momordicacharantial.)属于葫芦科苦瓜属的一年生蔓性植物,在我国长江流域及其以北地区以夏季栽培为主。近年来,随着人民生活水平的不断提高,对苦瓜的营养保健作用的了解,市场对苦瓜的需求越来越大,种植面积也不断扩大,从而对优良苦瓜种子的需求也不断增加。苦瓜杂种优势明显,但好的杂交种能否在生产上广泛推广应用,在很大程度上取决于制种技术的难易和制种成本的高低。目前,困扰苦瓜杂交种子生产的问题是苦瓜生长期长,分枝多,且可连续开雌雄花,制种过程繁琐,种子产量低,纯度难以保证。现急需一套先进的苦瓜杂交种子生产技术,指导苦瓜杂交种子生产,提高种子产量,保证种子质量,增加制种户的收入。现有技术中苦瓜制种均是采用一茬制种的方式,制种量较低,造成资源浪费。



技术实现要素:

针对目前存在的问题,本发明提供一种全新的苦瓜制种方法,采用“一茬双收”模式,减免了第二次播种,既节约了原种又省时省工,用于解决现有技术制种量低的问题。

为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种一茬双收苦瓜制种方法,包括如下步骤:

(1)播种育苗:南方春季苦瓜制种在3月下旬播种父本,母本较父本推迟7~10天播种,播种后覆盖一层营养土,透洒清水,待床土缩水后,再用营养土将显露的种子盖没,然后覆盖地膜,加盖一层塑料小拱棚,待2/3的种子拱土后,及时揭去地膜;

(2)整地作畦:制种田必须选择周边500米以内没有其它苦瓜品种的田块,在晴天时深挖烤土,施足基肥,要求畦面平整,围沟深于腰沟,腰沟深于畦沟,做到三沟相通,雨后不留渍水,畦面包沟1.5米,畦沟深0.26~0.3米;

(3)定植:父本于4月中、下旬定植,每穴2株,每畦栽2行,株距0.5米;母本在子叶展开后移栽,每穴1株,每畦栽2行,株距0.4米,亩栽2200株左右,父母本栽植比例为1∶8~10;

(4)搭架:当主蔓长至50cm~100cm时,及时搭“人”字形竹架,并引蔓上架,同时去掉母本上所有的侧枝和雄花;

(5)人工授粉:每株母本上授粉4~5个后打顶;

(6)第一次采种与考种;

(7)整枝留侧蔓:7月上旬第一批种瓜快收完时,大肥大水促主蔓基部发侧枝,当第一批种瓜采收完侧蔓长至50cm~80cm时,在侧蔓上部5~10cm处剪除主蔓,并把主蔓清除制种田,再引侧蔓上架;

(8)人工授粉:随着后期温度偏高,每天授粉时间要提前,在8:00之前结束;

(9)拔除父本:授粉结束后要及时拔除父本株,防止收种时机械混杂;

(10)第二次采种与考种。

优选地,所述步骤(1)的播种育苗过程中,播种前将种子用55℃的温水浸泡1~2小时,并不断搅拌种子,使其受热均匀,再用清水浸泡4小时,取出种子用清水冲洗晾干后置于30℃环境下催芽,待出芽60%时点播到50孔的穴盘中,每穴播1粒。

进一步地,所述制种方法还包括田间管理,具体为:第一次采种前,生长前期用低浓度肥水追肥2~3次促苗肥,座果后每3~4天追肥一次,连续3~4次;及时防治病虫害,重点防治枯萎病,一旦发现病株及时拔除,同时在植株根部周围撒上石灰或敌克松淋蔸;

整枝留侧蔓后的管理包括:追肥时添加生根剂,促进根系生长,结果期每3~4天追肥一次,连续3~4次。

优选地,人工授粉时要保证整个授粉期将母本植株上的雄花全部去掉,同时将母本植株离地面50~60cm内的雌花全部去掉;授粉期间,每天下午去雄,第二天清晨再清理一遍,确保母本没有开花的雄花;第二天上午10时之前取父本上的雄花进行人工授粉,1朵雄花授3~4朵雌花。

优选地,采种和考种时,要当天采收当天洗种,去掉瘪子和杂质,用簸箕或网筛晒干,不能直接放在水泥坪上暴晒,晒干后的种子用布袋或干净的纤维袋装好存放于干燥处。

优选地,采种时间为授粉后25~30天果实转红后。

进一步地,在整个制种期间,需要进行病虫害防治:采取以“农业防治、物理防治、生物防治为主,化学防治为辅”的原则,早预防、早发现早治疗的方法,进行苦瓜病虫害的合理防治。病害重点防治霜霉病、疫病、枯萎病和白粉病;虫害重点防治蚜虫、地老虎、瓜绢螟、根结线虫。在整枝留侧蔓后还需要重点防治瓜实蝇,在幼瓜时悬挂瓜实蝇专用粘板诱杀成虫。

本发明具有如下优点:

1、本发明制种方法通过加强田间管理,进行第二次授粉采收,可提高种子单位面积产量60%~70%。

2、本发明在第一次采种后没有直接将植株拔除,而是采用整枝留侧蔓的方式,大肥大水促主蔓基部发侧枝,当第一批种瓜采收完侧蔓长至50cm左右,在侧蔓上部5~10cm处剪除主蔓,引侧蔓上架,利用侧蔓继续制种,这种制种方法减免了第二次播种,既节约了原种又省时省工,还增加了制种产量。

3、授粉后打顶可集中营养供应,增加种子的饱满度,同时避免后续开放雌花,确保种子生产纯度。

具体实施方式

下面将通过具体实施例来对本发明进行进一步的解释,然而应当理解,可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明,并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”或“包括”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本发明的较佳实施方式,然所述描述乃以说明书的一般原则为目的,并非用以限定本发明的范围。本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

本发明所采用的各种材料及工具或者药品均能够通过在馈赠或者市场上购买的方式获得。

实施例1

一茬双收苦瓜制种方法,具体包括如下步骤:

1、播种育苗:南方春季苦瓜制种一般在3月下旬播种父本,母本较父本推迟7~10天播种,播种前将种子用55℃左右的温水浸泡1~2小时,并不断搅拌种子,使其受热均匀,再用清水浸泡4小时左右,取出种子用清水冲洗晾干后置于30℃环境下催芽,注意保持种子湿度,防治霉变,待出芽60%时点播到50孔的穴盘中,每穴播1粒,播种后覆盖一层营养土透洒清水,待床土缩水后,再用营养土将显露的种子盖没,然后覆盖地膜,加盖一层塑料小拱棚,待2/3的种子拱土后,及时揭去地膜。

2、整地作畦:制种田必须选择周边500米以内没有其它苦瓜品种的田块,在晴天深挖烤土,施足基肥,要求畦面平整,围沟深于腰沟,腰沟深于畦沟,做到三沟相通,雨后不留渍水,一般畦面包沟1.5米,畦沟深0.26~0.3米。

3、定植:父本于4月中、下旬定植,每穴2株,每畦栽2行,株距0.5米;母本在子叶展开后移栽,每穴1株,每畦栽2行,株距0.4米,母本亩栽2000~2600株,父母本栽植比例为1∶8~10。

4、田间管理:适时中耕除草,勤施淡肥,生长前期用低浓度肥水追肥2~3次促苗肥,座果后每3~4天追肥一次,连续3~4次。当主蔓长至50cm左右时,及时搭“人”字形竹架,并引蔓上架,同时去掉母本上所有的侧枝和雄花;及时防治病虫害,重点防治枯萎病,一旦发现病株及时拔除,同时在植株根部周围撒上石灰或敌克松淋蔸。

5、人工授粉:母本进入开花期,为保证杂交种子纯度,整个授粉期将母本植株上的雄花全部去掉,同时将母本植株离地面50~60cm内的雌花全部去掉。授粉期间,须每天下午去雄,第二天清晨再清理一遍,确保母本没有开花的雄花。第二天上午10时之前取父本上的雄花进行人工授粉,1朵雄花可以授3~4朵雌花,一般每株母本上授粉4~5个后打顶。

6、病虫害防治:采取以“农业防治、物理防治、生物防治为主,化学防治为辅”的原则,早预防、早发现早治疗的方法,进行苦瓜病虫害的合理防治。病害重点防治霜霉病、疫病、枯萎病和白粉病;虫害重点防治蚜虫、地老虎、瓜绢螟、根结线虫。

7、第一次采种与考种:母本上种瓜一般7月上中旬采收,即授粉后25~30天果实转红后采收,当天采收当天洗种,去掉瘪子和杂质,用簸箕或网筛晒干(忌直接放在水泥坪上暴晒),晒干后的种子用布袋或干净的纤维袋装好存放于干燥处。

8、整枝留侧蔓:7月上旬第一批种瓜快收完时,大肥大水促主蔓基部发侧枝,当第一批种瓜采收完侧蔓长至50cm左右,在侧蔓上部5~10cm处剪除主蔓,并把主蔓清除制种田,再引侧蔓上架,利用侧蔓继续制种(步骤4所述的方法),方法同上。

9、田间管理:由于是发出的侧枝进行生产,主根老化,追肥时需添加生根剂,促进根系生长,结果期每3~4天追肥一次,连续3~4次。

10、人工授粉:方法同上(步骤5所述的方法),但随着后期温度偏高,每天授粉时间要提前,最好8:00之前结束。

11、病虫害防治:方法同上(步骤6所述的方法),重点防治瓜实蝇,在幼瓜时悬挂瓜实蝇专用粘板诱杀成虫。

12、拔除父本:授粉结束后要及时拔除父本株,防止收种时机械混杂。

13、采种:同步骤7。

发明人在常德种子生产基地按照上述方法分别生产春玺苦瓜种子、春泰苦瓜种子、春悦苦瓜种子,具体的各品种种植参数及采种产量如表1所示。从表1可以看出,春玺苦瓜制种第一次采种21.2kg/亩,第二次采种15.6kg/亩,两次共采收36.8kg/亩,比一次采种制种量增加73.6%;春泰苦瓜制种第一次采种28.6kg/亩,第二次采种19.2kg/亩,两次共采收47.8kg/亩,比一次采种制种量增加67.1%;春悦苦瓜制种第一次采种24.5kg/亩,第二次采种16.4kg/亩,两次共采收40.9kg/亩,比一次采种制种量增加66.9%;可见,利用“一茬双收”苦瓜制种方法,能够有效的增加制种产量。

表1各品种种植参数及产量

虽然,上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

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