技术特征：
技术总结
本发明属于植物培植领域，具体的说是一种抗毒型豌豆幼苗培植方法，先将选取的豌豆种子，放入到浓度为6.5％的次氯酸钠溶液进行浸泡，浸泡五分钟后，利用无菌超纯水对其进行清洗，并将其放入到处于黑暗环境下浓度为0.5％的氯化钙溶液中浸泡，待豌豆种子在浓度为0.5％的氯化钙溶液浸泡10h后，对其进行雾化培养，得到豌豆幼苗；然后将豌豆幼苗转移到幼苗培养装置中进行培养，并向土壤中先后喷洒聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液和硅溶液，使得豌豆幼苗根部形成纳米二氧化硅层。该方法通过引入化学修饰法，使得豌豆幼苗根边缘形成纳米二氧化硅层，提高了豌豆幼苗的抗毒能力。
技术研发人员：王军;张家俊;韩涛
受保护的技术使用者：王军
技术研发日：2019.01.25
技术公布日：2019.04.05