本发明属于水稻有机种植技术领域，尤其涉及一种直播稻田有机防杂草方法及应用。
背景技术：
目前，随着社会经济的不断发展，人们生活水平的日益提高，人们对食品安全的关注度也越来越高。近几年来，绿色有机食品尤其是有机大米越来越受到人们的青睐。不打农药不施化肥如何才能保证水稻的稳产稳收呢？豆科作物压青腐肥技术是较为常见的有机种植技术，利用豆科作物天然的根瘤菌固氮特性增加氮肥含量可以大幅度减少化肥用量。在种植水稻种植模式上，直播越来越受到种植者的欢迎，但是水稻直播种植面临的重要困难是大田除草问题。在水稻直播除草方面，绝大多数种植户还是依赖于除草剂(既污染环境，又影响食品安全)，部分搞绿色种植的种植户则选择成本较高的人工除草，使得有机食品的成本居高不下。普通的豆科作物压青腐肥一般只旋耕1～2次，给杂草充分的生长时间，在水稻播种前，很多杂草茎秆已成型或已结实，给后期水稻播种后杂草的生长埋下隐患。稻种萌芽后直接播种，没有充分考虑水稻种芽入泥浆或水层后的各种生理反应和生长速率。因此，探索一种水稻直播田绿色有机防杂草的方法，迫在眉睫。
通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：在水稻直播除草方面，大多数依赖于除草剂，污染了环境，影响了食品安全；部分搞绿色种植的种植户则选择成本较高的人工除草，使得有机食品的成本居高不下。
解决以上问题及缺陷的难度为：(1)根据杂草生长速率判断旋耕频率进行多次旋耕；(2)在播种前精细化整田，标准要求尽量平整；(3)控水速度要快，大部分水控出后立即播种，使阴干后的种芽跟稀泥一起沉降，沉降后表层一般会形成2cm左右水层；(4)出苗后及时补水，借助水层抑制杂草萌发。
解决以上问题及缺陷的意义为：本专利一定程度上解决水稻有机种植中轻简化控制杂草的难题，尤其是直播稻有机种植过程中有机防杂草的瓶颈，是一种直播稻田有机防杂草新方法。
缺陷：在豆科压青后，需要旋耕机械多次精细旋耕，这样机械成本会明显增加，但它的意义在于不打除草剂，减少人工除草的高额成本，综合考虑，是划算的。
技术实现要素：
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种直播稻田有机防杂草方法及应用。
本发明是这样实现的，一种直播稻田有机防杂草方法，所述直播稻田有机防杂草方法包括：水田冬季种植豆科作物，在第二年花蕾期旋耕压青肥，在后期提高旋耕频率多次旋耕清除草芽直至水稻播种；将上季种子晾晒干后放入冻库或冰柜储存，待播种前拿出晾晒，并进行相应的种芽阴干处理，芽根均长到1cm左右，并处于饥渴状态；在播种前精细化整田，当天控水撒播种芽；后期管理：选择晴好天气播种，出苗后及时补水，秧苗合缝前不断水；合缝后大田管理同常规管理。
进一步，在第二年花蕾期旋耕压青肥后，根据草籽萌发速率和成苗时间点判断反复旋耕频率，并进行多次旋耕除杂草。
进一步，上季种子晾晒干后放入冻库或冰柜，待播种前拿出晾晒，对种子具体处理的过程为：
(1)浸种，浸种时及时更换清水；
(2)萌发，根据发芽情况而定，当芽长出1cm左右时，取出放入室内地面，种芽铺开，室内温度在20℃，通风干燥环境下阴干；如天气原因需要推迟播种，可以适当延长阴干时间。
进一步，当芽长出1cm左右进行阴干处理，阴干温度在20℃左右；阴干时间持续72小时以上，最长不要超过720小时。
进一步，冻库或冰柜温度为-20℃～-4℃。
进一步，阴干的标准：种子胚根长至1cm左右；处于微饥渴状态。
进一步，播种时期尽量选择晴好天气播种(播种后至少3天无雨，如遇雨可适当延长种芽阴干时间)，播种前稻田放足量水，旋耕机充分反复旋耕和平田机精细平整，快速控水，待大部分水排出，表面成稀泥状或2cm左右水层，直接将阴干后的水稻种芽均匀撒入，当天播种，稀泥在沉降后大部分会形成2cm左右的水层。
进一步，出苗后及时浅层缓慢补水，秧苗合缝前不断水；合缝后大田管理同常规管理。
进一步，整田当天控水撒播种芽。
本发明的另一目的在于提供一种水稻有机种植方法，所述水稻有机种植方法使用所述的直播稻田有机防杂草方法。
结合上述的所有技术方案，本发明所具备的优点及积极效果为：本发明的使用可以避免喷洒除草剂等农药，在加大旋耕机械使用的同时，大大减少人工成本，同时增加了土壤中的氮肥有效供给，是一项绿色种植技术。为水稻种芽阴干后播种创造了良好的无草或少草竞争环境，保证在种子播种前后尽量不存在杂种破碎茎秆组织生长萌发的情况以及杂草种子萌发生长的情况；阴干种子入泥后，本发明考虑的是阴干种子的生长速率要远快于杂草种子的萌发生长速率，快速抢占生长资源，让后生的杂草没有生长空间；同时，整田后快速控水至田表层稀泥状或2cm左右水层，及时撒播阴干的种芽，在后期沉降过程中，表层稀泥大部分会继续形成2cm左右水层；阴干处理的种子在2cm水层下正常萌发，但大部分杂草种子在水层下面是很难快速萌发的。
本发明按一定频率多次精细旋耕充分腐肥和清除草芽；种子萌芽后适当阴干长根，阴干后长根1cm左右以上且处于微饥渴状态的种子可以在2cm左右的水层下正常出苗，而且速度很快，但刚萌发的水稻种子和田间杂草种子很难短时间内在2cm的水层下出苗。本发明充分进行自然固氮、机械除草，达到不施氨态化肥不打除草剂等农药的目标，是一种绿色高效的除草的方式；本发明能够保证大部分水稻氮肥的供应，高效抑制大部分杂草生长。按照草种萌发的温度和时间情况，设计10天左右精旋1次，将已经萌发的草芽彻底清除；将种子萌芽至芽长1cm左右，将其阴干至微饥渴状况，这时根会快速生长，此时将带根的稻种播入刚整好的田块中(稀泥状或2cm以内水层)，水稻幼苗生长很快，1周时间即长出绿色的秧苗；在水稻播种1周前后，进行浅层补水。
表1效果对比：
表2大田数据对比：
表3经济效益对比：
按照本发明中的有机防杂草增肥的新方法，播种后种子萌发出苗速度加快，出苗率提高，田间杂草显著减少，以黄华占直播做试验后发现产量有轻微提高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的直播稻田有机防杂草方法流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种直播稻田有机防杂草方法及应用，下面结合附图对本发明作详细的描述。
如图1所示，本发明实施例提供的直播稻田有机防杂草方法，包括：
s101：冬季种植豆科作物，在第二年花蕾期旋耕压青肥，然后提高旋耕频率多次旋耕清除草芽直至水稻播种；
s102：将上季种子晾晒干后放入冻库或冰柜储存，待播种前拿出晾晒，并进行相应的芽阴干处理；
s103：选择晴好天气播种(至少3天无雨天气，如遇雨可适当延长种芽阴干时间)，在播种前精细化整田，当天控水撒播种芽(大水控出，留稀泥状或2cm左右水面即可)；
s104：后期管理：出苗后及时补水，秧苗合缝前不断水；
s105：常规大田管理。
本发明提供的直播稻田有机防杂草方法业内的普通技术人员还可以采用其他的步骤实施，图1的本发明提供的直播稻田有机防杂草方法仅仅是一个具体实施例而已。
本发明实施例提供的s101中，在第二年花蕾期旋耕压青肥过程中，根据草籽萌发速率和成苗时间点判断反复旋耕频率。
本发明实施例提供的s102中，对种子具体处理的过程为：
(1)晾晒；(2)浸种48小时；(3)萌发至芽长1cm左右；(4)取出放入20℃左右通风干燥环境的室内地面，种芽铺开阴干，使其处于饥渴状态，时间持续72小时以上，最长不要超过720小时，待种子胚根长至1cm左右时，停止阴干。
本发明实施例提供的s103中，大田整田的具体过程为：
播种前稻田放足量水，旋耕机充分反复旋耕和平田机精细平整，然后快速控水，待大部分水排出，表面成稀泥状或2cm左右水层，直接将阴干后的水稻种芽均匀撒入(当天播种，稀泥在沉降后大部分会形成2cm左右的水层)。阴干后的水稻种芽成苗速度比普通种植快，沉降后秧苗扎根深，定根稳定。
本发明实施例提供的s104中，阴干后的水稻种芽成苗速度比普通种植(萌芽后直接播种)速度要快，1～2天即可出泥或突破水层，5～7天即可大规模成苗，这时需要根据秧苗高度进行浅层灌水，利用水层抑制田间杂草等萌发。
下面结合实验对本发明的技术效果作详细的描述。
表1效果对比：
表2大田数据对比：
表3经济效益对比：
按照本发明中的有机防杂草的新方法，播种后种子萌发出苗速度加快，出苗率提高，田间杂草显著减少，以黄华占直播做试验后发现产量有轻微提高。
本发明实施例提供的直播稻田有机防杂草方法包括：(1)水田管理：水田冬季种植豆科作物，在第二年花蕾期旋耕压青肥，在后期提高旋耕频率多次旋耕清除草芽直至水稻播种；(2)水稻种子处理：上季备用种子晾晒干后放入冻库或冰柜储存，待播种前拿出晾晒，并进行相应的种子处理：浸种、萌发和阴干使其芽根均长到1cm左右，并处于饥渴状态；选择晴好天气播种(播种后至少3天无雨；如有雨，可以适当延长种芽阴干时间)，在播种前精细化整田，使田块尽量平整，当天控水撒播种芽(快速控水，留稀泥状或2cm左右水层即可)；(3)后期管理:出苗后及时复水，秧苗合缝前不断水；合缝后大田管理同常规管理。本发明按一定频率多次精细旋耕清除草芽，在水稻播种前即形成良好的无杂草环境；种子萌芽后适当阴干长根，阴干后长根1cm左右以上且处于微饥渴状态的种芽可以在2cm左右的水层下正常出苗，而且成苗速度很快，但刚萌发的水稻种子和田间杂草种子很难短时间内在2cm左右的水层下出苗。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。