适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法与流程

1.本发明涉及土壤改良技术领域，具体涉及一种用于适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法。


背景技术：

2.盐碱地是盐类集积地的一个种类，其土壤里面所含的盐分会影响到作物的正常生长，严重的盐碱地，植物几乎不能生存。因此，盐碱地的修复与改良被视为系统性的工程。
3.目前采用的盐碱地修复(改良)方法主要有：
4.水利改良法。首先，水利改良盐碱地需要建立完善的排灌系统，做到排、灌分开，还要加强用水管理，严格控制地下水水位，通过灌水冲洗、引洪放淤等，不断淋洗和排除土壤中的盐分。
5.换土改良法。主要是对盐碱地土壤内添加或更换成沙瓤种植土，或通过农业技术也可以改良盐碱地，比如常见的深耕(大概要深耕30-40公分)、平整土地(要求是土地里没有很大的土块，土壤尽可能的细)、盖草、翻淤、盖沙等也可以改善土壤成分和结构，增强土壤渗透性能，加速盐分淋洗。
6.化学改良法等。通过在土壤中加入化学改良剂，包括石膏、脱硫石膏、磷石膏、腐殖酸、硫磺、糠醛渣等物质，也可以改变土壤的结构。
7.以上的盐碱地修复(改良)方法主要的缺点：
8.投资大，成本高。
9.容易造成水体污染、面源污染。
10.操作方法繁琐复杂，工程大，不易与实施操作。


技术实现要素：

11.本发明的目的是通过提供一种适用的盐碱地土壤修复及改良的种植方法，无需采用水利改良、化学改良和换土改良的方法，只需调整和改变种植施用方法，即可达到盐碱地土壤修复及改良的目的，减少盐碱地改良基建投资大，土地、水质及面源污染问题，且简化操作环节和操作难度。
12.为实现上述技术目的，本发明采用的技术方案如下：
13.本技术提供了一种适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法，包括如下步骤：
14.步骤一：在盐碱地预先挖设种植穴或者种植沟；
15.步骤二：在种植穴或者种植沟的底部铺施预设厚度的由种植肥料构成的第一种植肥料层；
16.步骤三：将种植穴内土或种植沟内土与所述种植肥料按预设比例充分搅拌均匀后，形成回填土后回填种植；
17.步骤四：在表土下方再次铺施预设厚度的所述种植肥料构成的第二种植肥料层后覆盖表土。
18.进一步地，
19.所述步骤二中：
20.在种植穴或者种植沟的底部铺施预设厚度的所述第一种植肥料层。
21.进一步地，
22.所述步骤二中：
23.在种植穴或者种植沟的底部铺施的所述第一种植肥料层的厚度为 5mm-15mm。
24.进一步地，
25.所述步骤四中：
26.在表土下方5mm-10mm处，再次铺施厚度为5mm-15mm的所述第二种植肥料层后覆盖表土。
27.进一步地，所述种植肥料采用土壤调理剂、复合菌肥或生物肥料。
28.进一步地，所述种植肥料满足：有机质≥50％，氮磷钾总量≥6％，ph值5-7，并且富含活性有益菌群。
29.进一步地，所述种植肥料采用复合菌剂与载体按照预设比例混合制成；
30.其中：载体65-80重量份、复合菌剂20-35重量份。
31.进一步地，所述载体采用发酵腐熟后的农林有机废弃物，包括但不限于枯枝、落叶、杂草、蘑菇渣、秸秆。
32.进一步地，所述复合菌剂采用微生物菌剂、豆饼粉和活性炭按照预设比例制得。
33.进一步地，所述微生物菌剂包括：含解钾菌、解磷菌、固氮菌和芽孢杆菌。
34.采用上述技术方案，相比于现有技术，本技术提供的适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法，具有如下技术效果：
35.该种植方法中，在种植穴或者种植沟的底部铺施预设厚度的第一种植肥料层，一方面起到阻隔水分、养分流失、防治水分、养分渗漏，起到水土保持阻漏作用，另一方面满足植物作物后期养分及需肥需求；
36.将种植穴内土或种植沟内土与种植肥料按预设比例充分搅拌均匀后，形成回填土后回填种植，保证种植作物的生长养分、肥料需求；
37.在表土下方再次铺施预设厚度的第二种植肥料层后覆盖表土，起到阻碍盐分积聚于地表不渗透到种植区，延缓水分蒸发的作用；
38.综上所述，采用本技术的种植方法，无需采用现有技术的水利改良、化学改良和换土改良的方法，只需相对简单地调整和改变种植方法，即可达到盐碱地土壤修复及改良的目的，减少盐碱地改良基建投资大，土地、水质及面源污染的问题，且简化操作环节和操作难度。
附图说明
39.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；本发明可以通过下面附图给出的非限定性实施例进一步说明。
40.图1为本技术提供的种植方法的流程示意图；
41.图2为采用本技术提供的种植方法中采用的结构示意图；
42.图3为采用本技术提供的种植方法后的土样与原土样的ph值对比图；
43.图4为采用本技术提供的种植方法后的土样与原土样的氯化钠(含盐量) 含量的对比图；
44.图标：
45.10-第一种植肥料层；20-回填土；30-第一种植肥料层。
具体实施方式
46.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。因此，以下对本实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
47.本技术提供的一种适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法，通过改变和创新，既可以使盐碱地种植的作物正常生长；又满足作物生长的营养、需肥及水土保持要求，同时，在种植的过程中提升土壤地力，改善土壤结构，提高土壤品质，从而达到盐碱地土壤修复及改良的目的。
48.具体地，如图1和图2所示，本实施例中提供的适用于盐碱地土壤修复及改良的种植方法，包括如下步骤：
49.步骤一：在盐碱地预先挖设用于种植穴或者种植沟；
50.步骤二：在种植穴或者种植沟的底部铺施预设厚度的由种植肥料构成的第一种植肥料层10；
51.步骤三：将种植穴内土或种植沟内土与种植肥料按预设比例充分搅拌均匀后，形成回填土20，回填种植；此处需要说明的是，由于不同作物、不同生长期、不同肥料产品在施用肥料产品时用量均不同，实际应用时，回填图和种植肥料的混合比例可以根据实际情况进行调整；
52.步骤四：在表土下方再次铺施预设厚度的由种植肥料构成的第二种植肥料层30后覆盖表土。
53.作为一个优选实施方案，步骤二中：
54.在种植穴或者种植沟的底部5cm-20cm高度处铺施预设厚度的第一种植肥料层10。
55.作为一个优选实施方案，步骤二中：
56.在种植穴或者种植沟的底部铺施的第一种植肥料层10的厚度为5mm-15mm。
57.需要说明的是，上述的第一种植肥料层10的用量只是一个优选方案，实际应用时，可以根据不同的种植品种、种植穴或种植沟大小、不同的地区种植习惯而选定。
58.作为一个优选实施方案，步骤四中：
59.在表土下方5mm-10mm处，再次铺施厚度为5mm-15mm的第二种植肥料层30 后覆盖表土。
60.采用上述的种植方法，在种植穴或者种植沟的底部5cm-20cm高度处铺施厚度为5mm-15mm的第一种植肥料层10，一方面起到阻隔水分、养分流失；防治水分、养分渗漏，起到水土保持阻漏作用；另一方面满足植物作物后期养分及需肥需求。
61.将种植穴内土或种植沟内土与种植肥料按预设比例充分搅拌均匀后，形成回填土20，进行回填种植，保证种植作物的生长养分、肥料需求。
62.在表土下方5mm-10mm处再次铺施厚度为5mm-15mm的第二种植肥料,30后覆盖表土；起到阻碍盐分积聚于地表不渗透到种植区，延缓水分蒸发的作用。
63.作为一个优选实施方案，本实施例中的种植肥料可以采用土壤调理剂、复合菌肥或生物肥料。
64.考虑到盐碱地的共性是有机质含量低，土壤理化性状差，对作物生长有害的阴、阳离子多，土壤肥力低，不易作物促苗及生长。因此，本实施例中，上述的植肥料需要满足：有机质≥50％，氮磷钾总量≥6％，ph值5-7，并且富含活性有益菌群。
65.作为一个优选实施方案，种植肥料采用复合菌剂与载体按照预设比例混合制成；
66.其中：载体65-80重量份、复合菌剂20-35重量份。
67.作为一个优选实施方案，载体采用发酵腐熟后的农林有机废弃物，包括但不限于枯枝、落叶、杂草、蘑菇渣、秸秆。
68.作为一个优选实施方案，复合菌剂采用微生物菌剂、豆饼粉和活性炭按照预设比例制得。
69.作为一个优选实施方案，微生物菌剂包括：含解钾菌、解磷菌、固氮菌和芽孢杆菌。
70.解钾菌、解磷菌、固氮菌功能：
71.通过解钾菌、解磷菌、固氮菌的复配，其主要功能是活化盐碱地土壤中被固化的氮磷钾养分；络合及调节酸、碱、盐平衡，减少毛细管水运动的速度和水分的无效蒸发，抑制返盐；
72.芽孢杆菌功能：改善土壤团粒结构，改良土壤，提高土壤蓄水、蓄能，促使土壤和种植肥料中的有机质分解、转化与作用，进而调节土壤酸碱度和含盐量。
73.图3示出了采用本技术提供的种植方法后的土样与原土样的ph值对比图；
74.图4示出了采用本技术提供的种植方法后的土样与原土样的氯化钠(含盐量) 的含量对比图；
75.参照图3和图4可知，采用本技术提供的种植方法后，种植土壤的ph值和氯化钠相比于原土样，均有明显的降低，从而给植物提供更为适宜的成长条件。
76.采用本技术实施例提供的适用的盐碱地土壤修复及改良的种植方法，无需采用水利改良、化学改良和换土改良的方法，只需调整和改变种植方法，即可达到盐碱地土壤修复及改良的目的，减少盐碱地改良基建投资大，土地、水质及面源污染问题，且简化操作环节和操作难度。
77.上述实施例仅示例性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。