一种石斛的栽培技术的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及植物栽培技术领域，尤其涉及到石斛的栽培技术。
【背景技术】
[0002]石斛(Dendrobium)为兰科多年草本植物，是我国传统常用的名贵中药材。早在《神农本草经》和《本草纲目》上列为上品药材，素有“中华仙草”、“药中黄金”之美称。石斛的主要成份为石斛多糖、石斛碱、石斛酚、石斛胺、氨基酸，还具有菲类、联苄类等抗癌成份。具有滋阴清热、养胃生津、补肾益精的功效，能增强人体免疫，防治早期肿瘤。
[0003]石斛生长环境比较特殊，适宜在疏松透气、潮湿避光的环境中。但其目前通常所采取的温室栽培方法，缺乏石斛生长所需求特性，容易造成原有品种变异及品质的改变，影响药效及产量。此外，种植户普遍通过“重施化肥催生，重喷农药防病”进行增产增效，导致铁皮石斛的品质大打折扣，有效成分大大流失，甚至存在农药、激素等残留或超标现象。
【发明内容】
[0004]本发明主要是针对以上不足，提出一种适合石斛生长、高质高效、无农药残留的石斛栽培技术。
[0005]本法提出的技术方案:
[0006]—种石斛栽培技术，其特征在于，包括以下步骤:
[0007](I)场地选择:阴凉、避光、潮湿、通风之地；
[0008](2)准备苗床:搭建大棚，棚顶覆盖塑料薄膜和遮荫度70-80 %的遮荫网，大棚四周具有通风窗，棚内设有苗床;苗床宽1-1.5m，长25-30m，离地高80_90cm，床与床相间Im;苗床上方50-80cm高装有喷雾的喷头，湿度保持在60 %?90 % ;
[0009](3)消毒:将长3-8cm的健壮的石斛组培苗洗净后放入杀菌剂中消毒5分钟，常温晾干;栽培基质也需要喷洒消毒液至湿度为60% ;
[0010](4)移栽:在花盆底部放入3-5cm的砖块或泡沫，再放入12-15cm的基质；按每株石斛相距1cm的距离列排将石斛移栽于花盆中，石斛根系应自然舒展，基质盖住根为宜，轻拍花盆，使基质填添充分并与根系充分接触，基质表面覆盖Icm苔藓，浇足定根水，将花盆置于水深至花盆中部的水池中浸泡I小时；
[0011](5)浇水:采用喷施方式，每日喷洒一次，至苔藓湿润，每三日浇水I次，至花盆底部有水流出；
[0012](6)施肥:每年3月、7月向盆内施l_2cm厚的追肥；
[0013](7)病虫害防治:用杀菌剂喷施进行叶面防治。
[0014]进一步的，所述杀菌剂的浓度为二氧化氯和水的体积比为1:5000?1:10000ο
[0015]进一步的，所述肥料为经过消毒的有机肥。
[0016]本发明的有益效果
[0017](I)环境方面:石斛喜阴凉、避光、潮湿、通风之地，最好遮荫度70-80%、空气湿度保持60%?90%。高温要求高湿，低温要求低湿，高温高湿时应加强通风，防止细菌性、真菌性病害发生。而通常的种植大棚并不设有通风窗，一则不利于空气的流通，影响石斛的生长，二则容易造成棚内温度较高，引起石斛病虫危害。
[0018](2)保水方面:石斛生长喜通透性好、保水利水。底部放入砖块或泡沫，可以增强通透性;基质表面覆盖苔藓，不仅模仿石斛的仿生种植，并且能够有效的防止基质表面的水分蒸发引起土层硬结，还能起到保水保湿的作用;栽培后浸泡I小时，利用虹吸作用使基质充分吸收水分;浇水方案不仅符合云南冬旱及夏热的气候特点，而且能保证空气湿度，适合石斛生长。
[0019](3)消毒及病虫害防治方面:通常，石斛的消毒剂为高锰酸钾溶液、百菌灵溶液、次氯酸钠溶液等，而该类消毒剂会带来农药残留和气味难闻等后果。用二氧化氯消毒及防治病虫害，对微生物细胞的高穿透力和强氧化性可以快速杀灭微生物。二氧化氯是被世界卫生组织(WHO)所确认的一种安全高效广谱强力杀菌剂及Al级消毒剂，无残留及无危害。
[0020]本发明石斛种植方法符合石斛生长需求，石斛鲜品产量高，质量好，无农药残留。同时本发明提出的石斛种植方法，种植成本低，管理方便，可在种植区大规模推广，具有较大的经济效益和社会效益。
【具体实施方式】
[0021]实施例1
[0022]—种石斛栽培技术，其特征在于，包括以下步骤:
[0023](I)场地选择:阴凉、避光、潮湿、通风之地；
[0024](2)准备苗床:搭建大棚，棚顶覆盖塑料薄膜和遮荫度70%的遮荫网，大棚四周具有通风窗，棚内设有苗床;苗床宽Im，长25m，离地高80cm，床与床相间Im;苗床上方50cm高装有喷雾的喷头，湿度保持在60% ;
[0025](3)消毒:将长3cm的健壮的石斛组培苗洗净后放入二氧化氯杀菌剂(1:5000)中消毒5分钟，常温晾干;栽培基质也需要喷洒二氧化氯杀菌剂(I: 5000)至湿度为60 % ；
[0026](4)移栽:在花盆底部放入3cm的砖块或泡沫，再放入12cm的基质；按每株石斛相距1cm的距离列排将石斛移栽于花盆中，石斛根系应自然舒展，基质盖住根为宜，轻拍花盆，使基质填添充分并与根系充分接触，基质表面覆盖Icm苔藓，浇足定根水，将花盆置于水深至花盆中部的水池中浸泡I小时；
[0027](5)浇水:采用喷施方式，每日喷洒一次，至苔藓湿润，每三日浇水I次，至花盆底部有水流出；
[0028](6)施肥:每年3月、7月向盆内追施Icm厚的经过消毒有机肥；
[0029](7)病虫害防治:喷施二氧化氯杀菌剂(1:5000)杀菌剂进行叶面防治。
[0030]实施例2
[0031]—种石斛栽培技术，其特征在于，包括以下步骤:
[0032](I)场地选择:阴凉、避光、潮湿、通风之地；
[0033](2)准备苗床:搭建大棚，棚顶覆盖塑料薄膜和遮荫度80%的遮荫网，大棚四周具有通风窗，棚内设有苗床;苗床宽1.5m，长30m，离地高90cm，床与床相间Im;苗床上方80cm高装有喷雾的喷头，湿度保持在90% ;
[0034](3)消毒:将长8cm的健壮的石斛组培苗洗净后放入二氧化氯杀菌剂(1:10000)中消毒5分钟，常温晾干;栽培基质也需要喷洒二氧化氯杀菌剂(1:10000)至湿度为60%;
[0035](4)移栽:在花盆底部放入5cm的砖块或泡沫，再放入15cm的基质；按每株石斛相距1cm的距离列排将石斛移栽于花盆中，石斛根系应自然舒展，基质盖住根为宜，轻拍花盆，使基质填添充分并与根系充分接触，基质表面覆盖Icm苔藓，浇足定根水，将花盆置于水深至花盆中部的水池中浸泡I小时；
[0036](5)浇水:采用喷施方式，每日喷洒一次，至苔藓湿润，每三日浇水I次，至花盆底部有水流出；
[0037](6)施肥:每年3月、7月向盆内追施2cm厚的经过消毒有机肥；
[0038](7)病虫害防治:喷施二氧化氯杀菌剂(1:10000)杀菌剂进行叶面防治。
【主权项】
1.一种石斛栽培技术，其特征在于，包括以下步骤: (1)场地选择:阴凉、避光、潮湿、通风之地； (2)准备苗床:搭建大棚，棚顶覆盖塑料薄膜和遮荫度70-80%的遮荫网，大棚四周具有通风窗;棚内设有苗床，苗床宽1-1.5m，长25-30m，离地高80-90cm，床与床相间Im;苗床上方50-80cm高装有喷雾的喷头，湿度保持在60 %?90 % ; (3)消毒:将长3-8cm的健壮的石斛组培苗洗净后放入杀菌剂中消毒5分钟，常温晾干；栽培基质也需要喷洒消毒液至湿度为60% ; (4)移栽:在花盆底部放入3-5cm的砖块或泡沫，再放入12-15cm的基质；按每株石斛相距1cm的距离列排将石斛移栽于花盆中，石斛根系应自然舒展，基质盖住根为宜，轻拍花盆，使基质填添充分并与根系充分接触，基质表面覆盖Icm苔藓，浇足定根水，将花盆置于水深至花盆中部的水池中浸泡I小时； (5)浇水:采用喷施方式，每日喷洒一次，至苔藓湿润，每三日浇水I次，至花盆底部有水流出； (6)施肥:每年3月、7月向盆内施l-2cm厚的追加肥料； (7)病虫害防治:用杀菌剂喷施进行叶面防治。2.根据权利要求1所述一种石斛栽培技术，其特征在于:所述杀菌剂的浓度为二氧化氯和水的体积比为1:5000?1:10000ο3.根据权利要求1所述一种石斛栽培技术，其特征在于:所述肥料为经过消毒的有机肥。
【专利摘要】本发明公开了一种石斛种植方法，包括以下步骤：场地选择、准备苗床、消毒、移栽、浇水、施肥及病虫害防治。本发明石斛种植方法符合石斛生长需求，石斛鲜品产量高，质量好，无农药残留。同时本发明提出的石斛种植方法，种植成本低，管理方便，可在种植区大规模推广，具有较大的经济效益和社会效益。
【IPC分类】A01G1/00, A01G13/00
【公开号】CN105613017
【申请号】CN201610093588
【发明人】明捷
【申请人】德宏康捷农业科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年2月19日