1.一种升降压实现电路，其特征在于，包括：第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、电感L、电容Cin、电容Cout、MOS管驱动芯片U1、控制器芯片U2；所述第一MOS管Q1的漏极与电容Cin的一端连接，并一起连接到输入电源Vin；
所述第一MOS管Q1的源极与所述电感L的一端连接，所述电感L的另一端与电容Cin的另一端连接，并一起接地；
所述第二MOS管Q2的漏极与所述第一MOS管Q1的源极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述电容Cout的一端连接，所述电容Cout的另一端与所述电感L的另一端连接，并一起接地；
所述MOS管驱动芯片U1包括PWM_IN信号输入、HD信号输出、LD信号输出，所述HD信号输出与所述第一MOS管Q1的栅极连接，所述LD信号输出与所述第二MOS管Q2的栅极连接；
所述控制器芯片U2包括PWM信号输出、AD/COMP电压采样处理单元以及REF参考电压单元，所述控制器芯片U2的PWM信号输出与所述MOS管驱动芯片U1的PWM_IN信号输入连接。
2.根据权利要求1所述的一种升降压实现电路，其特征在于，电路还包括采样电阻R1、采样电阻R2，所述采样电阻R1与所述采样电阻R2串联，并与所述电容Cout并联，所述采样电阻R1与所述采样电阻R2的连接点连接到所述控制器芯片U2的AD/COMP电压采样处理单元。