发热体、雾化器及气溶胶生成装置的制作方法

本申请涉及电子雾化，更具体而言，涉及一种发热体、雾化器及气溶胶生成装置。

背景技术：

1、气溶胶生成装置，例如电子雾化器，由于较为健康且具有高性价比，而受到了众多用户的追捧。传统的气溶胶生成装置中的雾化器是采用电阻或电磁加热发热结构，再将发热结构的热量传导至雾化基质以使雾化基质生成气溶胶。然而，目前，气溶胶生成装置在加热时，雾化基质与发热结构直接接触，雾化基质会腐蚀发热结构，缩短发热结构的使用寿命，影响发热体的正常工作。

技术实现思路

1、本申请的实施方式提供了一种发热体、雾化器及气溶胶生成装置。

2、本申请实施方式的发热体包括多孔结构、致密结构及发热结构。所述多孔结构设有导液通路和导气通路，所述导液通路用于供雾化基质流通，将雾化基质输送至雾化面，所述导气通路贯穿所述多孔结构，所述导气通路用于将所述雾化基质生成的气溶胶导出至所述多孔结构的外部；所述致密结构与所述多孔结构连接，并与所述导气通路对应，所述致密结构用于阻止所述气溶胶从所述导气通路与所述致密结构接触的一端导出；所述发热结构和所述多孔结构分别设置于所述致密结构的相背两侧，所述发热结构用于加热所述雾化基质。

3、在某些实施方式中，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述导液通路包括所述多孔结构中的微孔；所述多孔陶瓷的孔隙率为30％～80％。

4、在某些实施方式中，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述导液通路包括所述多孔结构中的微孔；所述多孔陶瓷中微孔的孔径为15μm～45μm。

5、在某些实施方式中，所述致密结构为致密陶瓷；所述致密陶瓷的厚度为[0.15mm，1.00mm]。

6、在某些实施方式中，所述致密结构为致密陶瓷；所述致密陶瓷的导热系数大于80w/m·k。

7、在某些实施方式中，所述致密结构为致密陶瓷；所述致密陶瓷由氮化铝、碳化硅、氧化铝、氧化锆、及氮化硅中的至少一种制成。

8、在某些实施方式中，所述发热结构设置在所述致密结构的表面。

9、在某些实施方式中，所述发热结构由镍铬合金及氧化锡锑中的至少一种制成。

10、在某些实施方式中，所述发热结构通过丝印、转印、物理气相沉积、化学气相沉积中的至少一种工艺设置于所述致密结构。

11、在某些实施方式中，所述发热结构包括发热层和电极；所述发热层设置于所述致密结构背离所述多孔结构的一侧，所述电极与所述发热层连接，所述电极用于将电流传导至所述发热层，以使所述发热层发热。

12、在某些实施方式中，所述发热体还包括保护层。所述保护层设置于所述发热结构的背离所述致密结构的一侧。

13、在某些实施方式中，所述雾化基质在所述致密结构上与所述导气通路对应的区域形成有液膜。

14、在某些实施方式中，所述发热体还设有储液腔，所述储液腔用于存储所述雾化基质，所述储液腔与所述导液通路连通，以用于使所述雾化基质进入所述导液通路。

15、在某些实施方式中，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述发热结构、所述致密结构和所述多孔结构依次层叠设置。

16、在某些实施方式中，所述多孔结构还包括承载部及两个凸出部。所述承载部包括相背的第一侧和第二侧，所述致密结构设置于所述承载部的第一侧，所述导气通路贯穿所述承载部的第一侧和所述承载部的第二侧；每个所述凸出部自所述承载部的第二侧朝远离所述致密结构的方向延伸，两个所述凸出部间隔设置，所述导气通路设置于两个所述凸出部之间。

17、在某些实施方式中，所述多孔结构包括相背的第一侧和第二侧，所述多孔结构的第一侧朝所述多孔结构的第二侧内凹，以形成所述发热体的储液腔。

18、在某些实施方式中，所述多孔结构的第二侧朝所述多孔结构的第一侧内凹，以形成所述导气通路，所述导气通路贯穿所述多孔结构的侧壁；所述致密结构设置于所述多孔结构的第二侧，并与所述导气通路对应，以使所述气溶胶从所述多孔结构的侧壁导出。

19、在某些实施方式中，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述发热结构和所述致密结构收容于所述多孔结构内。

20、在某些实施方式中，所述多孔结构还包括主体部及延伸部。所述主体部设有储液腔；所述延伸部自所述主体部朝背离所述储液腔的方向延伸，所述导气通路穿设于所述延伸部的周壁；所述延伸部设有腔体，所述致密结构收容于所述腔体，并与所述延伸部的周壁的内侧抵接。

21、在某些实施方式中，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述导液通路包括所述多孔结构中的微孔及凹槽，所述凹槽包括多个，多个所述凹槽环绕所述导气通路设置。

22、在某些实施方式中，所述导液通路还包括导液通道；所述导液通道用于连通所述凹5槽和所述导气通路。

23、本申请实施方式的雾化器，所述雾化器包括上述任一实施方式中所述的发热体。

24、在某些实施方式中，所述雾化器还包括导液结构，所述导液结构包括输液通道及输气通道，所述输液通道及所述输气通道均贯穿所述导液结构，所述输液通道和所述输气通道间隔，所述输液通道与所述凹槽连通，所述输气通道与所述导气通路连通。

25、0在某些实施方式中，所述导气通路包括第一子气道和第二子气道，所述第二子气道

26、较所述第一子气道更远离所述输液通道，所述导液通道包括第一子通道和第二子通道，与所述第一子气道连通的所述第一子通道的总容量小于与所述第二子气道连通的所述第二子通道的总容量。

27、本申请实施方式的气溶胶生成装置，所述气溶胶生成装置包括电源及上述实施方式5中所述的雾化器。

28、本申请实施方式的发热体、雾化器及气溶胶生成装置中，发热结构和多孔结构分别设置于致密结构的相背两侧，且致密结构用于阻止气溶胶从导气通路与致密结构接触的一端导出，从而能够避免发热结构与多孔结构中的雾化基质，及发热结构与雾化基质产

29、生的气溶胶直接接触，导致发热结构受到腐蚀的问题，进而延长发热结构的使用寿命，0保证发热体的正常工作。

30、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

技术特征：

1.一种发热体，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述导液通路包括所述多孔结构中的微孔；

3.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述致密结构为致密陶瓷；

4.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述发热结构包括发热层和电极；所述发热层设置于所述致密结构背离所述多孔结构的一侧，所述电极与所述发热层连接，所述电极用于将电流传导至所述发热层，以使所述发热层发热。

6.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述发热体还包括：

7.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述雾化基质在所述致密结构上与所述导气通路对应的区域形成有液膜。

8.根据权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述发热体还设有储液腔，所述储液腔用于存储所述雾化基质，所述储液腔与所述导液通路连通，以用于使所述雾化基质进入所述导液通路。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述发热结构、所述致密结构和所述多孔结构依次层叠设置。

10.根据权利要求9所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构还包括：

11.根据权利要求9所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构包括相背的第一侧和第二侧，所述多孔结构的第一侧朝所述多孔结构的第二侧内凹，以形成所述发热体的储液腔。

12.根据权利要求11所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构的第二侧朝所述多孔结构的第一侧内凹，以形成所述导气通路，所述导气通路贯穿所述多孔结构的侧壁；所述致密结构设置于所述多孔结构的第二侧，并与所述导气通路对应，以使所述气溶胶从所述多孔结构的侧壁导出。

13.根据权利要求1-8任意一项所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述发热结构和所述致密结构收容于所述多孔结构内。

14.根据权利要求13所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构还包括：

15.根据权利要求1-8任意一项所述的发热体，其特征在于，所述多孔结构为多孔陶瓷，所述导液通路包括所述多孔结构中的微孔及凹槽，所述凹槽包括多个，多个所述凹槽环绕所述导气通路设置。

16.根据权利要求15所述的发热体，其特征在于，所述导液通路还包括导液通道；所述导液通道用于连通所述凹槽和所述导气通路。

17.一种雾化器，其特征在于，包括：

18.一种雾化器，其特征在于，包括：

19.根据权利要求18所述的雾化器，其特征在于，所述雾化器还包括：

20.根据权利要求19所述的雾化器，其特征在于，所述导气通路包括第一子气道和第二子气道，所述第二子气道较所述第一子气道更远离所述输液通道，所述输液通道包括第一子通道和第二子通道，与所述第一子气道连通的所述第一子通道的总容量小于与所述第二子气道连通的所述第二子通道的总容量。

21.一种气溶胶生成装置，其特征在于，包括：

技术总结
本申请公开了一种发热体、雾化器及气溶胶生成装置。发热体包括多孔结构、致密结构及发热结构。多孔结构设有导液通路和导气通路，导液通路用于供雾化基质流通，导气通路贯穿多孔结构，导气通路用于将雾化基质生成的气溶胶导出至多孔结构的外部。致密结构与多孔结构连接，并与导气通路对应，致密结构用于阻止气溶胶从导气通路与致密结构接触的一端导出。发热结构和多孔结构分别设置于致密结构的相背两侧，发热结构用于加热雾化基质。本申请的发热体、雾化器及气溶胶生成装置中，发热结构和多孔结构分别设置于致密结构的相背两侧，从而防止发热结构与雾化基质直接接触，而导致发热结构受到腐蚀，进而保证发热结构的使用寿命。

技术研发人员：王守平,张立超,冯宝华,王龙龙,张琳,杨永旺,柳志伟
受保护的技术使用者：深圳麦克韦尔科技有限公司
技术研发日：20221220
技术公布日：2024/1/11