检测限度计算设备和检测限度计算方法
【专利摘要】本发明涉及检测限度计算设备和检测限度计算方法。提供一种检测限度计算设备，包括：计算组件，为了使用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，该计算组件基于关于成像被摄体的成像被摄体数据、或者关于放射线的照射的照射数据或者两者来计算检测组件的检测限度，所述检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线。
【专利说明】检测限度计算设备和检测限度计算方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及检测限度计算设备、放射线检测设备、放射线照相图像捕获系统、以及检测限度计算方法，并且特别涉及关于放射线照射开始的检测的检测限度计算设备、放射线检测设备、放射线照相图像捕获系统、以及检测限度计算方法。
【背景技术】
[0002]已知执行用于医学诊断目的的放射线照相图像捕获的放射线照相图像捕获装置。这样的放射线照相图像捕获装置检测已从放射线照射设备照射并且透过研究被摄体的放射线，以捕获放射线照相图像。这样的放射线照相图像捕获装置通过存储和读取根据所照射的放射线生成的电荷，执行放射线照相图像捕获。通常，这样的放射线照相图像捕获装置包括:传感器部，其中，例如，光电转换元件生成关于利用放射线的照射或者利用放射线所转换为的光的照明的电荷；以及开关元件，该开关元件读取在传感器部中生成的电荷。
[0003]在这样的放射线照相图像捕获装置中，由于所照射的放射线的放射线量导致有时不能执行合适的放射线照相图像捕获。例如，当所照射的放射线的量太低时，有时不能生成放射线照相图像。第2011-152406号日本专利申请特开(JP-A)(专利文献I)公开了一种技术，其中，计算每单个图像的放射线的照射量，并且作出关于所计算的放射线量是否低于捕获放射线照相图像所要求的最小照射量的确定。而且，第2008-000595号JP_A(专利文献2)公开了一种技术，其中，使用放射线的自动曝光控制(AEC)，基于照射特性数据，确定控制参数并且控制X-射线源。
[0004]还存在基于在传感器部中生成的电荷进行放射线照射开始(放射线照相图像捕获开始)的检测的放射线照相图像捕获装置。在这样的放射线照相图像捕获装置中，由于放射线照射量或者由于放射线量随着时间的改变，导致有时不能检测放射线照射开始。例如，当放射线量低时，或者当放射线量随着时间的改变小时，不能满足用于检测放射线照射开始的特定条件，并且不管放射线正被照射的事实如何，不能检测放射线照射开始。在这样的情况下，存在由于即使成像被摄`体曝光至放射线，也没有获取放射线照相图像数据，导致成像被摄体不一定曝光至放射线的问题。还存在满足放射线照射的实际开始和上述特定条件之间经过的时间，增加到成像被摄体的放射线曝光量的问题。
【发明内容】
[0005]本发明解决以上问题，并且本发明的目标在于提供一种使得能够抑制到成像被摄体的不必要放射线曝光的检测限度计算设备、放射线检测设备、放射线照相图像捕获系统、以及检测限度计算方法。
[0006]本发明的检测限度计算设备包括:计算组件，为了使用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，该计算组件基于关于所述成像被摄体的成像被摄体数据、或者关于放射线的照射的照射数据、或者两者，计算检测组件的检测限度，该检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线。
[0007]可以配置本发明的检测限度计算设备的计算组件，其中，计算组件基于成像被摄体数据和照射数据，计算由检测组件的检测是否可能。
[0008]本发明的成像被摄体数据优选包括选自由以下构成的组中的至少一个因素:成像被摄体的厚度、成像被摄体的高度和重量、成像被摄体的图像捕获部位、成像被摄体的图像捕获部位的尺寸、以及成像被摄体的图像捕获部位的形状。
[0009]本发明的检测限度计算设备优选包括:改变组件，该改变组件基于计算组件的计算结果来改变检测组件的检测敏感度。
[0010]本发明的检测限度计算设备可以被配置成使得:计算组件的计算结果是作为检测限度的检测敏感度限度；检测限度计算设备包括:比较组件，该比较组件比较检测组件的检测敏感度限度和当前检测敏感度；以及改变组件基于比较组件的比较结果，改变检测组件的检测敏感度。
[0011]本发明的检测限度计算设备优选包括:计算结果通知组件，该计算结果通知组件通知计算组件的计算结果。
[0012]本发明的检测限度计算设备可以包括:成像被摄体数据接收组件，该成像被摄体数据接收组件接收成像被摄体数据。
[0013]本发明的检测限度计算设备可以包括:照射数据接收组件，该照射数据接收组件接收照射数据。
[0014]可以配置本发明的检测限度计算设备的检测组件，其中，在所照射的放射线的放射线量的随着时间改变满足 特定照射检测条件的情况下，检测组件检测放射线照射开始。
[0015]本发明的特定照射检测条件可以包括:每单位时间的放射线量的改变量超过阈值的情况、或者每单位时间的放射线量的改变量是阈值或以上的次数是预定次数或以上的情况、或者这两种情况。
[0016]本发明的检测限度计算设备可以进一步包括:控制组件，该控制组件通过控制使得不管检测组件的检测结果如何都执行电荷累积，控制图像捕获组件，该图像捕获组件根据所照射的放射线累积电荷并且基于所累积的电荷生成放射线照相图像。
[0017]本发明的检测限度计算设备的控制组件可以进一步包括:通知组件，该通知组件通知控制组件正在控制，使得在图像捕获组件中执行电荷累积。
[0018]本发明的图像捕获组件可以被配置成包括:包含多个像素的放射线检测设备，每个像素都包括相应传感器部以及相应开关元件，相应传感器部根据所照射的放射线的放射线量生成电荷，相应开关元件从传感器部读取电荷并且将符合电荷的电信号输出到信号线；以及公共电极线，将偏置电压提供给传感器部；并且本发明的检测限度计算设备的检测组件检测出，在由传感器部中生成的电荷产生并且在公共电极线中流动的电信号满足特定照射检测条件的情况下，放射线的照射已经开始。
[0019]本发明的放射线检测设备，包括:检测组件，为了利用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，该检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线；以及本发明的检测限度计算设备，该检测限度计算设备计算检测组件的检测限度。
[0020]本发明的放射线照相图像捕获系统包括:检测组件，为了利用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，该检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线；本发明的检测限度计算设备，该检测限度计算设备计算检测组件的检测限度；以及控制设备，该控制设备控制图像捕获组件。
[0021]本发明的放射线照相图像捕获系统包括:放射线照相图像捕获装置，该放射线照相图像捕获装置包括检测组件以及图像捕获组件，该检测组件检测放射线的照射是否已经开始，该图像捕获组件基于检测组件的检测结果，根据所照射的放射线来捕获成像被摄体的放射线照相图像；以及本发明的检测限度计算设备，该检测限度计算设备计算检测组件的检测限度。
[0022]本发明的放射线照相图像捕获系统包括:照射设备，该照射设备照射放射线；放射线照相图像捕获装置，该放射线照相图像捕获装置包括检测组件以及图像捕获组件，该检测组件检测由照射设备的放射线的照射是否已经开始，该图像捕获组件基于检测组件的检测结果，根据所照射的放射线来捕获成像被摄体的放射线照相图像；以及本发明的检测限度计算设备，该检测限度计算设备计算检测组件的检测限度。
[0023]本发明的计算机可读存储介质存储有检测限度计算程序，其使得计算机能够充当计算组件，为了利用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，该计算组件基于关于成像被摄体的成像被摄体数据或者关于放射线的照射的照射数据或者这两者来计算检测组件的检测限度，该检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线。
[0024]本发明的检测限度计算方法包括:为了利用图像捕获组件图像捕获成像被摄体的放射线照相图像，基于关于成像被摄体的成像被摄体数据或者关于放射线的照射的照射数据或者这两者，计算检测组件的检测限度，该检测组件基于放射线的放射线量来检测照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过成像被摄体的放射线。
[0025]根据本发明，可以获得使得能够抑制到成像被摄体的不必要放射线曝光的有益效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]将基于以下附图详细地描述本发明的示例性实施例，在附图中:
[0027]图1是图示根据本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统的实例的示意性配置的示意性配置图；
[0028]图2是图示本示例性实施例的放射线照射源的实例的示意性配置的示意性配置图；
[0029]图3是图示根据本示例性实施例的电子暗盒的整体配置的实例的示意图；
[0030]图4是图示根据本示例性实施例的放射线检测设备的配置的实例的平面图；
[0031]图5是根据本示例性实施例的放射线检测设备的实例的横截面图；
[0032]图6是根据本示例性实施例的放射线检测设备的实例的横截面图；
[0033]图7是图示根据本示例性实施例的放射线照相图像捕获装置的信号检测电路的示意性配置的实例的示 意性配置图；
[0034]图8是图示根据本示例性实施例的检测限度计算处理的实例的流程的流程图；[0035]图9是图示根据本示例性实施例的在电子暗盒的正常模式下在检测限度处的成像被摄体的主体厚度与放射线照射源的X-射线管电流和X-射线管电压之间的对应关系的特定实例的曲线图；
[0036]图10是图示根据本示例性实施例的电子暗盒中的放射线照相图像捕获处理的实例中的流程的流程图；
[0037]图11是图示根据本示例性实施例的检测限度计算处理的另一个实例中的流程的流程图；
[0038]图12是图示在本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统中强迫执行放射线照相图像的捕获的情况下的处理的流程的实例的流程图；
[0039]图13是图示在例如基于在公共电极线中流动的电荷来检测放射线照射开始的情况下的电子暗盒的总体配置的实例的配置图；
[0040]图14是图示在例如基于在公共电极线中流动的电荷来检测放射线照射开始的情况下的电子暗盒的总体配置的另一个实例的配置图；以及
[0041]图15是图示在例如基于在公共电极线中流动的电荷来检测放射线照射开始的情况下的电子暗盒的总体配置的另一个实例的配置图。
【具体实施方式】
[0042]参考附图，以下是关 于本示例性实施例的实例的解释。
[0043]首先，以下是关于安装有本示例性实施例的放射线照相图像处理装置的放射线照相图像捕获系统的总体示意性配置的解释。图1图示了本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统的实例的总体示意性配置的示意性配置图。在本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10中，可以捕获静止图像以及视频图像作为放射线照相图像。注意，本示例性实施例中的视频图像是指以高速连续显示以便给出视频图像的表象的静止图像，并且通过执行捕获静止图像的处理、转换为电信号、发射电信号并且以高速重复地再现来自所发射的电信号的静止图像而被生成。因此，这还包括被称为“逐帧”的视频图像，其中，取决于“高速”的程度，相同区域(部分或所有)在预定持续时间内被多次捕获并且连续地再现。而且，在本示例性实施例的射线照射图像捕获系统10中，电子暗盒20本身包括用于检测放射线的照射开始(图像捕获开始)的功能。
[0044]本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10包括用于通过诸如由医生或放射学家的操作，基于从外部系统(例如，放射信息系统(RIS))经由控制台16输入的指令(图像捕获菜单)来执行放射线照相图像捕获的功能。
[0045]而且，根据本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10包括:用于医生或放射学家例如通过在控制台16的显示器50上或者在放射线照相图像读取装置18上显示所捕获的放射线照相图像，来读取放射线照相图像的功能。
[0046]本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10包括放射线生成设备12、放射线照相图像处理装置14、控制台16、存储部17、放射线照相图像读取装置18和电子暗盒20。
[0047]放射线生成设备12包括放射线照射控制单元22。放射线照射控制单元22包括用于在放射线照相图像处理装置14的放射线控制器62的控制下，使放射线X从放射线照射源22A照射到成像台32A上的研究被摄体30的成像目标部位上的功能。图2是图示本示例性实施例的放射线照射源22A的实例的示意性配置图。
[0048]放射线照射源22A包括在壳体22B内部的被配置成包括细丝的阴极22C和目标(阳极)22D。由阴极22C排出的热离子被加速并且通过跨过阴极和阳极的电势差会聚，并且与目标22D相撞，导致轫致辐射将被发射。注意，在本示例性实施例中，提供多个放射线照射源22A，并且不同多种类型的金属被用于目标22D，诸如，例如钨、钥和铑。所生成的轫致辐射的强度根据目标类型而改变。 [0049]由放射线照射源22A生成的放射线X通过在壳体22B中提供的窗口 22E部向外照射。窗口 22E部被提供有分别由钥、铑、铝和银的薄膜配置的过滤器22F。
[0050]使用机械机构(例如，导轨，图中未示出)可以在本示例性实施例的放射线照射源22A中移动或改变过滤器22F。当过滤器22F改变时，照射到研究被摄体30上的放射线X的特性改变。
[0051]透过研究被摄体30的放射线X到达在成像台32内部由保持器34保持的电子暗盒20。电子暗盒20包括用于根据透过研究被摄体30的放射线X放射线量来生成电荷，并且用于基于所生成的电荷量来生成并且输出表示放射线照相图像的图像数据的功能。本示例性实施例的电子暗盒20被配置成包括放射线检测设备26。注意，在本示例性实施例中，“放射线量”是指放射线强度，例如，使用特定X-射线管电压和特定X-射线管电流在单位时间照射的放射线。
[0052]在本示例性实施例中，通过放射线照相图像处理装置14，将表示由电子暗盒20输出的放射线照相图像的图像数据输入到控制台16。本示例性实施例的控制台16采用例如通过无线通信(局域网(LAN))从外部系统(RIS)获得的图像捕获菜单和多种信息，并且包括用于对放射线生成设备12和电子暗盒20执行控制的功能。而且，本示例性实施例的控制台16包括:用于执行将包括放射线照相图像的图像数据的多种数据传输到放射线照相图像处理装置14和从放射线照相图像处理装置14接收该多种数据的功能，以及用于执行将多种数据传输到电子暗盒20和从电子暗盒20接收该多种数据的功能。
[0053]本示例性实施例的控制台16被配置为服务器/计算机，并且被配置成包括控制器40、显示驱动器48、显示器50、操作输入检测部52、操作面板54、I/O部56、I/F部57和I/F 部 58。
[0054]控制器40包括用于控制整个控制台16的操作的功能，并且包括CPU、ROM、RAM和硬盘驱动器(HDD)。CPU包括用于控制整个控制台16的操作的功能。ROM被预先存储有例如包括由CPU使用的控制程序的多种程序。RAM包括用于暂时存储多种数据的功能，并且HDD包括用于存储和保持多种数据的功能。
[0055]显示驱动器48包括用于控制多种数据在显示器50上的显示的功能。本示例性实施例的显示器50包括用于显示例如图像捕获菜单和被捕获的放射线照相图像的功能。操作输入检测部52包括用于检测操作面板54的操作状态的功能。操作面板54用于输入关于由例如医生或放射学家捕获放射线照相图像的操作指令。本示例性实施例中的操作面板54例如被配置成包括触摸板、触摸笔、多个键和/或鼠标。注意，在操作面板54被配置为触摸板的情况下，则这可以是显示器50的共有配置。
[0056]而且，I/O部56和I/F部58包括用于使用无线通信执行多种数据到放射线照相图像成像装置14和放射线生成设备12的传输和从放射线照相图像成像装置14和放射线生成设备12的接收，以及用于执行诸如图像数据的多种数据到电子暗盒20的传输和从电子暗盒20的接收的功能。I/F部57包括用于执行多种数据到RIS的传输和从RIS的接收。
[0057]控制器40、显示驱动器48、操作输入检测部52、以及I/O部56通过诸如系统总线或控制总线的总线59连接在一起，以便实现数据在其间的传输和接收。从而，控制器40通过显示驱动器48控制多种数据在显示器50上的显示，并且还能够分别控制多种数据通过I/F部58到放射线生成设备12和电子暗盒20的传输和从放射线生成设备12和电子暗盒20的接收。
[0058]本示例性实施例的放射线照相图像处理装置14包括用于基于来自控制台16的指令来控制放射线生成设备12和电子暗盒20的功能，并且包括用于控制从电子暗盒20接收到的放射线照相图像在存储部17上的存储，并且用于控制其在控制台16的显示器50和放射线照相图像读取装置18上的显示的功能。
[0059]根据本示例性实施例的放射线照相图像处理装置14被配置成包括系统控制器60、放射线控制器62、面板控制器64、图像处理控制器66、检测限度计算部67、以及I/F部68。
[0060]系统控制器60包括用于控制整个放射线照相图像处理装置14的功能，并且包括用于控制放射线照相图像捕获系统10的功能。系统控制器60包括CPU、ROM、RAM和HDD。(PU包括用于控制整个放射线照相图像处理装置14的操作和放射线照相图像捕获系统10的操作的功能。ROM被预先存储有例如多种程序，包括由CPU使用的控制程序。RAM包括用于暂时存储多种数据的功能，并且HDD包括用于存储和保持多种数据的功能。放射线控制器62包括用于基于例如控制台16的指令来控制放射线生成设备12的放射线照射控制单元22的功能。面板控制器64包括用于基于例如控制台16的指令来控制电子暗盒20的功能。图像处理控制器66包括用于使放射线照相图像经过多种类型的图像处理的功能。检测限度计算部67包括用于计算电子暗盒20中的检测限度，以用于来自放射线生成设备12 (随后详细地描述)的放射线X的照射开始的功能。
`[0061]系统控制器60、放射线控制器62、面板控制器64、图像处理控制器66和检测限度计算部67通过诸如系统总线或控制总线的总线69连接在一起，以实现例如数据在其间的发送和接收。
[0062]本示例性实施例的存储部17包括用于存储被捕获的放射线照相图像和关于被捕获的放射线照相图像的数据的功能。存储部17的实例是HDD。
[0063]而且，本示例性实施例的放射线照相图像读取装置18是包括用于读者读取被捕获的放射线照相图像的功能的装置。不存在对此的特定限制，然而，实例包括被称为放射线照相解释阅读器的装置以及控制台。本示例性实施例的放射线照相图像读取装置18由个人计算机配置，并且类似于控制台16和放射线照相图像处理装置14，被配置成包括CPU、ROM、RAM、HDD、显示驱动器、显示器23、操作输入部、操作面板24、I/O部和I/F部。注意，在图1中，为了避免使得说明太复杂，仅图示了这些配置项中的显示器23和操作面板24，并且从图解中省略其他项。
[0064]接下来是关于本示例性实施例的电子暗盒20的示意性配置的解释。图3图示了本示例性实施例的电子暗盒20的实例的示意性配置图。在本示例性实施例中，给出关于本发明应用至首先将诸如X-射线的放射线转换为光、并且然后将转换后的光转换为电荷的间接转换类型的放射线检测设备26的情况的解释。在本示例性实施例中，电子暗盒20被配置成包括间接转换类型的放射线检测设备26。注意，在图3中，从图解中省略将放射线转换为光的闪烁体。
[0065]多个像素100在放射线检测设备26中以矩阵形式布置。每个像素100均包括--传感器部103，传感器部103接收光，生成电荷，并且累积所生成的电荷；以及TFT开关74，TFT开关74是读取累积在传感器部103中的电荷的切换元件。在本示例性实施例中，传感器部103用由闪烁体转换的光通过照明生成电荷。
[0066]多个像素100沿着一个方向(图3中的栅极线方向)以及与栅极线方向交叉的方向(图3中的信号线方向)以矩阵形式布置。在图3的图解中简化了像素100的阵列。实际上，存在例如沿着栅极线方向并且沿着信号线方向布置的1024X1024个单独像素100。
[0067]在本示例性实施例中，在多个像素100中预定在放射线照相图像捕获中采用的像素100A和在放射线检测中采用的像素100B。在图3中，放射线检测像素100B由虚线包围。采用放射线照相图像捕获像素100A来检测放射线X并且生成表示放射线X的图像。放射线检测像素100B是用于检测放射线X以便检测例如放射线X的照射开始的像素，并且是甚至在电荷累积时段期间，不管TFT开关74的接通/断开状态如何均输出电荷的像素(随后详细地描述)。
[0068]而且，在放射线检测设备26中，在基板71上提供用于将TFT开关74切换为接通/断开的多条栅极线101、以及用于读取累积在传感器部103中的电荷的多条信号线73，以便相互交叉(参见图4)。在本示例性实施例中，存在被提供用于一个方向上的每个像素行的每条信号线73，并且存在被提供用于交叉方向上的每个像素行的每条栅极线101，所以例如在存在栅极线方向和信号线方向上布置的1024X 1024个像素100的情况下，信号线73和栅极线101中的每个有1024个。
[0069]而且，在 放射线检测设备26中，平行于每条信号线73提供公共电极线95。公共电极线95具有平行连接的一端和另一端，其中一端连接到提供特定偏置电压的偏置电源110。传感器部103连接至公共电极线95并且通过公共电极线95被施加有偏置电压。
[0070]扫描信号在用于切换每个TFT开关74的栅极线101中流动。从而，通过在每条栅极线101中流动的扫描信号，来切换每个TFT开关74。
[0071]根据累积在每个像素100中的电荷并且根据每个像素100的TFT开关74的切换状态，电信号在信号线73中流动。更特别地，通过将连接至对应信号线73的像素100的TFT开关74切换为接通，使得与所累积的电荷量相对应的电信号在每条信号线73中流动。
[0072]信号检测电路105连接至每条信号线73并且检测已流到每条信号线73中的电信号。而且，扫描信号控制电路104连接至每条栅极线101，并且将扫描信号输出到每条栅极线101，以用于将TFT开关74切换为接通/断开。图3中进行简化，以示出单个信号检测电路105和单个扫描信号控制电路104，然而提供例如每特定数量(例如，256条线)的信号线73和栅极线101在一个电路处连接的多个信号检测电路105和扫描信号控制电路104。例如，在信号线73和栅极线101中的每个都提供1024条线的情况下，提供四个扫描信号控制电路104，每个均连接至256条栅极线101，并且提供四个信号检测电路105，每个均连接至256条信号线73。
[0073]将放大输入的电信号的放大电路(参见图7)嵌入到信号检测电路105中用于每条信号线73。在信号检测电路105中，由每条信号线73输入的电信号由放大电路放大，并且由模拟数字转换器(ADC)(随后详细地描述)转换为数字信号。
[0074]控制器106连接到信号检测电路105和扫描信号控制电路104。控制器106对在信号检测电路105中转换的数字信号执行特定处理，例如，噪声去除，并且将控制信号输出到信号检测电路105，以指示用于信号检测的定时，并且将控制信号输出到扫描信号控制电路104，以指示用于输出扫描信号的定时。
[0075]本示例性实施例的控制器106由微型计算机配置并且被提供有中央处理单元(CPU)、R0M和RAM、以及由例如闪速存储器配置的非易失性存储部。控制器106执行用于通过使用CPU执行存储在ROM中的程序来捕获放射线照相图像的控制。控制器106还对已经执行了以上特定处理的图像数据执行内插(interpolate)用于每个放射线检测像素100B的图像数据的处理(内插处理)，以便生成表示所照射的放射线X的图像。即，控制器106通过基于已经经过了以上特定处理的图像数据，内插用于每个放射线检测像素100B的图像数据，来生成表示所照射的放射线X的图像。
[0076]图4是图示根据本示例性实施 例的间接转换类型的放射线检测设备26的配置的平面图，图5图示了由线A-A截取的图4的放射线照相图像捕获像素100A的横截面，并且图6是由线B-B截取的图4的放射线检测像素100B的横截面。
[0077]如图5中所示，放射线检测设备26的像素100A包括在诸如碱性玻璃的绝缘基板71上形成的栅极线101 (参见图4)和栅电极72，其中栅极线101和栅电极72连接在一起(参见图4)。使用Al或Cu、或者主要为Al或Cu的堆叠层薄膜，形成其中形成栅极线101和栅电极72的布线层(该布线层以下被称为“第一信号布线层”)，然而对此没有限制。
[0078]在第一信号布线层的一个面上形成绝缘膜85，并且栅电极72之上的绝缘薄膜85的位置用作TFT开关74中的栅极绝缘薄膜。例如，使用化学气相沉积(CVD)薄膜形成，由SiNx形成绝缘薄膜85。
[0079]在栅电极72之上的绝缘薄膜85上形成具有岛形的半导体活性层78。半导体活性层78是TFT开关74的沟道部分，并且例如由非晶硅薄膜形成。
[0080]在之上的一层中形成源电极79和漏电极83。形成源电极79和漏电极83的布线层还具有在其中形成的信号线73、以及源电极79和漏电极83。源电极79连接到信号线73 (参见图4)。由Al或Cu或者主要由Al或Cu构成的堆叠层薄膜来形成其中形成源电极79、漏电极83以及信号线73的布线层(该布线层以下被称为“第二信号布线层”)，然而对此没有限制。在半导体活性层78与源电极79和漏电极83两者之间形成例如由掺杂非晶硅形成的掺杂半导体层(图中未示出)。用于切换的每个TFT开关74被配置有这样的配置。注意，TFT开关74可以配置有根据由随后描述的下部电极81收集和累积的电荷的极性互换的源电极79和漏电极83。
[0081]在基板71上提供像素100的区域的基本整个表面(基本整个区域)之上形成覆盖第二信号布线层的TFT保护薄膜层98，以保护TFT开关74和信号线73。通过例如CVD薄膜形成，例如由诸如SiNx的材料形成TFT保护薄膜层98。
[0082]在TFT保护薄膜层98上形成所涂布的中间绝缘层82。由低介电常数(特定介电常数e r=2至4)光敏有机材料(这样的材料的实例包括正性光敏丙烯酸树脂材料，具有由共聚合甲基丙烯酸和甲基丙烯酸缩水甘油酯形成的原料聚合物，与重氮萘醌正性光敏剂混合)形成I到4 ii m的薄膜厚度的中间绝缘层82。
[0083]在根据本示例性实施例的放射线检测设备26中，由中间绝缘层82将布置在中间绝缘层82之上和中间绝缘层82之下的层中的金属之间的金属间电容抑制为小电容。通常，这样的材料还充当展平薄膜，在下面的层中呈现拉平步骤的效果。在本示例性实施例的放射线检测设备26中，在中间绝缘层82和TFT保护薄膜层98面向漏电极83的位置处形成接触孔87。
[0084]在中间绝缘层82上形成每个传感器部103的下部电极81，以便覆盖像素区域，同时填充接触孔87。下部电极81连接至TFT开关74的漏电极83。在随后描述的半导体层91的厚度约为1 μ m的情况下，只要下部电极81的材料是导电材料，基本不存在对下部电极81的材料的限制。因此，可以使用诸如Al材料或ITO的导电金属形成下部电极81。
[0085]然而，当半导体层91的薄膜厚度较薄(约0.2至0.5 ii m)时，在半导体层91中存在不足光吸收。从而，在这样的情况下，优选采用主要成分是光阻挡金属的合金或分层薄膜用于下部电极81，以便防止由于到TFT开关74上的光照明而导致发生泄漏电流的增加。
[0086]半导体层91形成在下部电极81上并且充当光电二极管。在本示例性实施例中，堆叠有n+层、i层以及p+层(n+非晶硅、非晶硅、p+非晶硅)的PIN结构的光电二极管被用作半导体层91，其中从底层按照该顺序堆叠n+层21A、i层21B和p+层21C。i层21B通过光的照射生成电荷(多对自由电子和自由空穴)。n+层2IA和p+层2IC充当接触层，并且将i层21B电连接到下部电极81和随后描述的上部电极92。
[0087]在每个半导体层91上分别独立地形成上部电极92。例如采用诸如ITO或氧化铟锌(IZO)的具有高透光率的材料用于上部电极92。在本示例性实施例的放射线检测设备26中，传感器部103均被配置成包括上部电极92、半导体层91和下部电极81。
[0088]所涂布的中间绝缘层93形成在中间绝缘层82、半导体层91、以及上部电极92之上，并且被形成为覆盖具有在与上部电极92之上相对应的部分中形成的开口 97A的每个半导体层91。
[0089]由Al或Cu或者由主要为Al或Cu的合金的堆叠层薄膜，在中间绝缘层93上形成公共电极线95。在具有接触焊盘97的开口 97A附近形成公共电极线95，公共电极线95通过中间绝缘层93的开口 97A电连接至上部电极92。
[0090]然而，如图6中所示，在放射线检测设备26的放射线检测像素100B中，形成TFT开关74，使得源电极79和漏电极83相互接触。即，在像素100B中，TFT开关74的源极和漏极被短路。从而，在像素100B中，不管TFT开关74的切换状态如何，由下部电极81收集的电荷均流出到信号线73。
[0091]在以此方式形成的放射线检测设备26中，当要求时，由具有低光吸收率的绝缘材料形成又一保护层，并且然后使用具有低光吸收率的粘合树脂，将用作放射线转换层的闪烁体粘着到其表面。而且，可以使用真空沉积方法形成闪烁体。作为闪烁体，优选采用生成具有相对宽波长区域的荧光的闪烁体，以便实现光在能够被吸收的波长区域中被发射。用于这样的闪烁体的材料的实例包括Cs1:Na、CaW04、YTaO4:Nb、BaFX:Eu (其中，X是Br或Cl)、或者LaOBr:Tm、以及G0S。特别是，在执行采用X-射线作为放射线X的图像捕获的情况下，优选包括碘化铯(CsI)，并且当特别优选采用用X-射线照射时具有400nm至700nm的发射光谱的CsI = Tl (掺铊的碘化铯)或者Cs1:Na。CsI = Tl的可见光区域中的发射峰值波长是565nm。在采用含CsI的闪烁体作为闪烁体的情况下，优选使用真空沉积方法形成长方形柱状晶体结构。
[0092]如图5中所示，当从形成半导体层91的一侧用放射线X照射放射线检测设备26时，在半导体层91上提供的闪烁体的图5的上表面处发射具有较高强度的光，并且通过在相对于放射线X入射面的背面侧上提供的TFT基板读取放射线照相图像，在上下文中称为穿透侧采样(PSS)方法。然而，在从TFT基板侧照射放射线X并且通过在相对于放射线X入射面的正面侧上提供的TFT基板读取放射线照相图像的情况下，透过TFT基板的放射线X入射到闪烁体，并且从闪烁体的TFT基板侧发射具有较高强度的光，在上下文中称为照射侧采样(ISS)方法。由于由闪烁体生成的光，导致提供给TFT基板的每个像素100的每个传感器部103生成电荷。因此，由于闪烁体的最强光发射位置更接近TFT基板，所以在采用ISS方法的情况下而不是采用PSS方法的情况下，放射线检测设备26给出较高分辨率的被捕获的放射线照相图像。
[0093]注意，放射线检测设备26不限于图4至图6中所示的设备，并且多种修改是可能的。例如，在采用PSS方法的情况下，由于仅存在放射线X到达的低可能性，所以可以采用对于放射线X具有低耐久性的另一个图像拾取设备(诸如，互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器)和TFT的组合，而不是以上配置。而且，可以进行配置，以便用在通过等效于用于TFT的扫描信号的移位脉冲移位的同时发射电荷的电荷耦合器件(CCD)图像传感器代替放射线检测设备26。
[0094]而且，例如，可以采用柔性基板。由最近开发的浮法技术生产的超薄玻璃基板可以用作用于这样的柔性基板的基板，以便改进对放射线X的透射率。可以在这样的情况下应用的超薄玻璃的实例包括例如在“Asahi Glass Company(AGC)Develops Worlds ThinnestSheet Float Glass at Just0.1MM，，，Internet
[0095]<URL:http://www. age.com/news/2011/0516.pdf> (2011 年 8 月 20 日在线搜索)中描述的玻璃。
[0096]接下来是关于本示例性实施例的信号检测电路105的示意性配置的解释。图7是图示本示例性实施例的信号检测电路105的实例的示意性配置图。本示例性实施例的信号检测电路105被配置成包括放大电路120和模数(ADC)转换器124。虽然从图7中的图解省略，但是放大电路120被提供用于每条信号线73。即，信号检测电路105被配置成包括与放射线检测设备26的信号线73的数目相同的多个数目的放大电路120。
[0097]放大电路120被配置为电荷放大电路，并且被配置成包括诸如运算放大器的放大器122、并行连接到放大器122的电容器C、以及并行连接到放大器122并且在电荷复位时采用的开关SW1。注意，本示例性实施例中的放大电路120在放射线照相图像捕获期间，根据敏感度被配置有可变增益(放大比率)。
[0098]在放大电路120中，通过其电荷复位开关SWl处于断开状态的像素100的TFT开关74读取电荷(电信号)，并且在电容器C中累积由TFT开关74读取的电荷，使得从放大器122输出的电压值根据累积的电荷量增加。
[0099]而且，控制器106将电荷复位信号施加至电荷复位开关SWl，以控制接通/断开切换电荷复位开关SWl。注意，当电荷复位开关SWl处于接通状态时，放大器122的输入侧和输出侧被短路，并且因此电容器C的电荷放电。[0100]ADC124具有用于将在采样和保持(S/H)开关SW的接通状态下是从放大电路120输入的模拟信号的电信号转换为数字信号的功能。ADC124将已被转换为数字信号的电信号依序地输出到控制器106。
[0101]注意，给本示例性实施例中的ADC124被输入有从提供给信号检测电路105的所有放大电路120输出的电信号。即，不管放大电路120(信号线73)的数目如何，给本示例性实施例的信号检测电路105提供单个ADC124。
[0102]在本示例性实施例中，进行配置，使得在不要求外部控制信号(例如，来自放射线照相图像处理装置14)的情况下，执行关于放射线X的照射的检测。在本示例性实施例中，连接到放射线检测像素100B (图3中的D2或D3中的至少一个，比方说D2)的信号线73的电信号(电荷数据)由信号检测电路105的放大电路120检测并且被转换为数字信号。然后，控制部106将由信号检测电路105转换的数字信号的增加值(每单位时间的改变量)与预定检测特定值进行比较，并且根据数字信号值是特定值或更大来检测是否已照射放射线X。注意，关于是否已照射放射线X的检测不限于此。例如，可以进行配置，使得通过比较数字信号与预定检测阈值、并且通过数字信号是阈值或更大来检测是否已照射放射线X，执行检测，或者可以进行配置，使得检测基于诸如数字信号是特定值或以上的次数、或者检测次数等的预设条件。
[0103]注意，本示例性实施例中的电信号的“检测”指的是电信号采样。
[0104]接下来是关于在使用如上所述配置的电子暗盒20的放射线照相图像捕获期间的操作的流程的解释。在本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10中，电子暗盒20本身检测放射线X的照射开始，并且当检测到照射开始时，电子暗盒20通过根据已被照射(到达)的放射线X的照射量累积电荷、读取所累积的电荷并且生成放射线照相图像来执行放射线照相图像捕获。电子暗盒20基于从放射线检测像素100B输出的电信号(电荷数据)来检测放射线X的照射开始。在这样的情况下，由于照射到电子暗盒20 (放射线检测设备.26)上的放射线X的放射线量，导致有时不能检测到照射开始。例如，由于在电子暗盒20中，到达的照射放射线X已经透过研究被摄体30，所以通过透过研究被摄体30，减少到达电子暗盒20的放射线量，并且有时不达到能够照射开始检测的限度。在这样的情况下，即使研究被摄体30曝光至放射线X，也不生成放射线照相图像。从而，研究被摄体30经过不必要的放射线曝光。
[0105]在本示例性实施例中，作为到达实现放射线X照射开始的检测的电子暗盒20的放射线量的限度，诸如从放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量的照射条件的限度和诸如研究被摄体30的成像被摄体的厚度的成像被摄体条件的限度被称为“检测限度”。基于包括照射条件的成像条件并且基于成像被摄体条件，确定电子暗盒20的每单位时间的累积电荷量(必要敏感度)。基于该累积电荷量，确定电子暗盒20的检测敏感度。在本示例性实施例中，“检测敏感度”是指捕获放射线X的能力，并且更特别地是表示捕获用于放射线X的放射线量的合适放射线照相图像的能力的指示符。在电子暗盒20中，电子暗盒20能够捕获合适放射线照相图像的放射线量越小，检测敏感度越高。检测限度根据电子暗盒20的检测敏感度而不同。注意，在本示例性实施例中，捕获合适放射线照相图像的敏感度被用作用于检测放射线X照射开始的检测敏感度。
[0106]从而，在本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10中，由于在放射线照相图像捕获期间计算电子暗盒20的检测限度，抑制了研究被摄体30的不必要曝光。
[0107]以下是关于检测限度的计算的解释。注意，在本示例性实施例中，以下是关于在放射线照相图像处理装置14中执行检测限度的计算的情况的解释，然而对此没有限制。
[0108]在本示例性实施例中，放射线照相图像处理装置14的检测限度计算部67使用关于研究被摄体30的成像被摄体数据或者关于放射线X照射的照射数据或者两者，计算检测限度。在本示例性实施例中，“成像被摄体数据”是指关于从放射线生成设备12(放射线照射源22A)照射的放射线X将透过(被吸收)的一侧的数据。其特定实例包括诸如研究被摄体30的成像被摄体部位、成像被摄体部位的主体厚度(以下称为成像被摄体厚度)、尺寸和形状、研究被摄体30的高度、重量、年龄和性别的因素，然而不限于此。
[0109]注意，由于存在来自主体厚度的很大影响，优选主体厚度或者用于推导主体厚度的高度和重量包含在成像被摄体数据中。而且，在本示例性实施例中，“照射数据”是指关于放射线X被照射的一侧的数据，诸如，从放射线生成设备12 (放射线照射源22A)的放射线X照射期间的照射条件。其特定实例包括诸如mAs值、放射线照射源22A的X-射线管电压(kV)和X-射线管电流(mA)、目标22D的类型、过滤器22F的类型、照射持续时间、以及放射线照射源22A和研究被摄体30之间的分离距离，然而对此没有限制。
[0110]图8是图示检测限度计算处理的实例的流程的流程图。当放射线照相图像处理装置14已经接收到捕获放射线照相图像的指令时，由系统控制器60执行图8中所示的检测限度计算处理。
[0111]在步骤S100，作出是否存在成像被摄体数据的确定。成像被摄体数据例如有时包含在从控制台16接收到的图像捕获菜单中，并且有时预先存储在存储部17或放射线照相图像处理装置14内的存储部(在图中未示出)中。这在本示例性实施例中搜索，并且确定成像被摄体数据的存在或不存在。注意，当不存在成像被摄体数据时，作出否定确定并且处理进行至步骤S101。在步骤S101，在已经接收到由用户指定的成像被摄体数据之后，处理进行至步骤S104。注意，优选在这样的情况下作出提示用户指定成像被摄体数据的通知。然而，在存在成像被摄体数据的情况下，作出肯定确定，并且然后在步骤S102已经获取成像被摄体数据之后，处理进行至步骤S104。
[0112]在下一个步骤S104，作出关于是否存在照射数据的确定。类似于成像被摄体数据，照射数据例如包含在从控制台16接收到的图像捕获菜单中，或者预先存储在放射线照相图像处理装置14内部的存储部17或存储部(图中未示出)中。这在本示例性实施例中搜索，并且确定照射数据的存在或不存在。当不存在成像被摄体数据时，作出否定确定，并且处理进行至步骤S105。在步骤S105，在已经接收到由用户指定的照射数据之后，处理进行至步骤S108。注意，在这样的情况下，优选作出提示用户指定照射数据的通知。然而，在存在照射数据的情况下，作出肯定确定，并且然后，在步骤S106已经获取照射数据之后，处理进行至步骤S108。
[0113]在步骤S108，基于成像被摄体数据或照射数据或者两者，通过检测限度计算部67计算检测限度。在本示例性实施例中，将成像被摄体数据和检测限度之间的对应关系、照射数据和检测限度之间的对应关系、以及成像被摄体数据和照射数据以及检测限度之间的对应关系中的至少一个预先存储在放射线照相图像处理装置14的存储部(图中未示出)或存储部17中。[0114]而且，在本示例性实施例的电子暗盒20中，基于检测敏感度(模式)计算检测限度。如上所述，检测限度根据电子暗盒20的检测敏感度而不同。本示例性实施例的电子暗盒20具有作为敏感度的正常敏感度模式和高敏感度模式。在电子暗盒20中，初始设置正常敏感度模式，并且除非存在来自例如成像菜单或用户的指令，使用正常敏感度模式执行图像捕获。因此，在本示例性实施例中，预先获得上述对应关系，以用于每个检测敏感度(模式)。注意，可以通过在电子暗盒20中预先提供设定部(图中未示出)，并且然后在这样的设定部中执行设定，执行检测敏感度(模式)的设定。可以进行配置，使得通过确定是否存在来自例如成像菜单或用户的指令来决定模式。
[0115]成像被摄体数据和检测限度之间的对应关系例如包括研究被摄体的主体厚度和检测限度放射线量之间的对应关系(例如，需要从放射线生成设备12照射以便使放射线X的可检测放射线量到达电子暗盒20的放射线X的放射线量的最低限度值)。在这样的情况下，当成像被摄体的主体厚度包含在成像被摄体数据中时，基于所存储的对应关系(根据检测敏感度的对应关系)，推导与这样的主体厚度相对应的检测限度放射线量。而且，在其中包含研究被摄体30的高度和重量的情况下，从高度和重量计算主体厚度。不存在对计算主体厚度的方式的特殊限制，并且可以采用任何现有方法。注意，成像被摄体的主体厚度受诸如成像被摄体的部位和研究被摄体30的年龄和性别的因素影响，并且因此通过用添加到成像被摄体数据的这些因素的计算，实现成像被摄体的主体厚度的更合适计算。
[0116]而且，照射数据和检测限度之间的对应关系的实例包括例如从放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量和是检测限度的研究被摄体的主体厚度(研究被摄体的主体厚度的上限值)之间的对应关系。在这样的情况下，当放射线量包含在照射数据中时，基于所存储的对应关系(根据检测敏感度的对应关系)，推导作为与放射线量相对应的检测限度的主体厚度。
[0117]而且，成像被摄体数据和照射数据以及检测限度之间的对应关系的实例包括例如成像被摄体的主体厚度之间的对应关系(根据检测敏感度的对应关系)、放射线照射源22A和研究被摄体30之间的分离距离、以及作为检测限度(例如，需要从放射线生成设备12照射以便使放射线X的可检测放射线量到达电子暗盒20的放射线X的放射线量的下限值)的放射线量。
`[0118]而且，例如，以下是成像被摄体主体厚度和检测限度处的放射线照射源22A的X-射线管电流和X-射线管电压之间的对应关系(根据检测敏感度的对应关系)的实例。图9图示了示出成像被摄体主体厚度与检测限度处的放射线照射源的X-射线管电流和X-射线管电压之间的正常敏感度模式下的对应关系的特定实例的曲线图。注意，在图9中，主体厚度“正常”指的是用于普通研究被摄体30的正常(平均)主体厚度的情况。而且，主体厚度“厚”指的是主体厚度大于正常的情况。主体厚度“薄”指的是主体厚度比正常薄的情况。注意，尽管省略了诸如图9中的用于成像被摄体主体厚度与检测限度处的放射线照射源22A的X-射线管电流和X-射线管电压之间的高敏感度模式下的对应关系的特定说明，但是在与给定主体厚度相对应的检测限度处的放射线量(X-射线管电流和X-射线管电压)在高敏感度模式下更小(更少)。而且，与给定放射线量相对应的检测限度处的主体厚度在高敏感度模式下更厚。
[0119]注意，检测限度计算方法不限于此，并且此外，例如可以提供表格，并且可以从曲线图进行计算或者从表格计算。而且，表示以上参考的对应关系的关系等式可以诸如通过实验被预先获得，并且然后被用于计算。
[0120]注意，将被计算的检测限度不限于上述放射线量和主体厚度，并且可以是捕获合适放射线照相图像所需的检测敏感度。在以上解释的本示例性实施例中，获得用于每个检测敏感度的对应关系，并且所以可以类似于以上情况，计算根据成像被摄体数据和照射数据要求的检测敏感度。
[0121]在下一个步骤S110，作出关于是否向用户通知所计算的检测限度的确定。可以通过经由I/F部68从例如放射线照相图像处理装置14或放射线照相图像读取装置18预先接收是否通知用户的设定，并且将该设定例如存储在放射线照相图像处理装置14中，执行是否通知检测限度的确定。而且，在这样的设定包括在图像捕获菜单中的情况下，该设定在图像捕获菜单接收期间可以被获得，并且可以被预置以自动地通知。在不通知检测限度的情况下，处理进行至步骤S116。
[0122]然而，在作出检测限度的通知的情况下，作出肯定确定，并且处理进行至通知检测限度的步骤S112。在本示例性实施例中，经由I/F部68作出到通知目的地(诸如，控制台16的显示器50或者放射线照相图像读取装置18的显示器23)的通知，类似于是否作出通知的设定进行预置。因此，当已经通知检测限度时，用户能够基于所通知的检测限度来确定成像被摄体条件(例如，主体厚度)和照射条件(例如，放射线量、X-射线管电压或X-射线管电流)是否超过检测限度，从而实现关于是否将能够检测的确定。例如，在用于从放射线生成设备12照射到成像被摄体的计划放射线量(或者X-射线管电压或X-射线管电流)小于被通知为检测限度的放射线量(或者X-射线管电压或X-射线管电流)的情况下，检测的高可能性是不可能的。而且，例如，可以作出关于成像被摄体的主体厚度是否超过被通知为检测限度的主体厚度的确定，从而实现作出是否能够检测的确定。例如，在成像被摄体的主体厚度大于被通知为检测限度的主体厚度的情况下，检测的高可能性是不可能的。在这些情况中的任一情况下，由于到达电子暗盒20的放射线量很少，导致检测的高可能性是不可能的。从而，为了使得检测可能，可以采用诸如例如增加到达电子暗盒20的放射线量或者采用高敏感度用于电子 暗盒20的敏感度(检测敏感度)的措施。在本示例性实施例中，进行配置，使得可以根据来自用户的指令改变放射线量和电子暗盒20的敏感度。
[0123]在改变放射线量的情况下，经由放射线控制器62控制放射线生成设备12，以基于从例如控制台16或放射线照相图像读取装置18接收到的改变指令来改变到达电子暗盒20的放射线量。注意，在增加从放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量的情况下，由于研究被摄体30的放射线曝光增加并且存在对所捕获的放射线照相图像的影响，所以优选进行配置，使得例如预先设置放射线量的上限值，并且可以仅在不超过上限值的范围内改变。
[0124]在改变电子暗盒20的检测敏感度的情况下，经由面板控制器64控制电子暗盒20，以基于例如从控制台16或放射线照相图像读取装置18接收到的改变指令来改变检测敏感度。改变电子暗盒20的检测敏感度的方法的实例包括改变施加至传感器部103的偏置电压。在这样的情况下，由于从像素100读取电荷变得更加容易，所以检测敏感度越高，偏置电压越大。而且，例如可以改变放大电路120的增益(放大比率)。在这样的情况下，由于电信号变得较大，所以检测敏感度越高，增益越大。以下是改变累积在像素100中的电荷(电信号)的采样频率的又一实例。在这样的情况下，采样频率越低，检测敏感度越提高。注意，可以通过指令实现改变检测敏感度，以便在电子暗盒20的正常敏感度模式和高敏感度模式之间切换。注意，在电子暗盒20具有甚至更多模式(检测敏感度)(诸如，低敏感度模式)的情况下，可以给出指令以便切换至比当前检测敏感度更高的敏感度模式。注意，改变放射线量和改变检测敏感度中，从抑制到研究被摄体30的曝光量的角度看，优选优先排列改变检测敏感度。因此，在本示例性实施例中，进行配置，使得在诸如成像被摄体的厚度超过检测限度的情况、放射线照射源22A的管电压低于检测限度的情况、以及管电流低于检测限度的情况的情况下，将电子暗盒20的检测敏感度从正常敏感度模式改变为高敏感度模式。
[0125]在步骤114，作出关于用户是否已经作出诸如上述那些之一的指令的确定。在不存在这样的指令的情况下，作出否定确定，并且处理进行至步骤S116。然而，在存在指令的情况下，作出肯定确定，处理返回到步骤S108，并且重新计算与所指令的条件相对应的检测限度，并且重复当前处理。
[0126]在下一个步骤S116，作出关于照射开始检测是否可能的确定。例如，在检测限度是放射线量的情况下，基于所获取的照射数据，作出关于检测是否可能的确定。而且，例如，在检测限度是主体厚度的情况下，基于所获取的成像被摄体数据推导主体厚度，并且然后作出关于检测是否可能的确定。而且，例如，在存在检测敏感度(模式)的检测限度的情况下，将检测限度处的检测敏感度(模式)与当前设置的检测敏感度(模式)进行比较，并且通过确定当前设置的检测敏感度(模式)是否具有较高敏感度，作出检测是否可能的确定。在检测可能的情况下，作出肯定确定，并且处理进行至步骤S118，执行放射线照相图像捕获处理，然后在已经捕获到成像被摄体的放射线照相图像之后，当前处理结束。
[0127]以下是关于本示例性实施例的放射线照相图像捕获处理的解释。图10是图示在本示例性实施例的电子暗盒20中的放射线照相图像捕获处理中的流程的实例的流程图。本示例性实施例的电子暗盒20通过检测放射线X照射开始、在放射线检测设备26的每个像素100中累积电荷、并且然后 基于与累积的电荷相对应的图像数据生成放射线照相图像，来捕获放射线照相图像。
[0128]在开始图像捕获时，电子暗盒20过渡到执行放射线X照射开始检测的待机时段。在步骤S200，作出关于是否已经检测到放射线X照射开始的确定。
[0129]当从放射线生成设备12照射放射线时，所照射的放射线X由闪烁体吸收并且转换为可见光。将由闪烁体转换为可见光的光照射到每个像素100的传感器部103上。当光被照射时，在传感器部103中生成电荷。在下部电极81中收集所生成的电荷。
[0130]在放射线照相图像捕获像素100A中，由于漏电极83和源电极79没有被短路短，所以累积了在下部电极81中收集的电荷。然而，在放射线检测像素100B中，由于漏电极83和源电极79被短路，在下部电极81中收集的电荷流出到信号线73中。
[0131]在本示例性实施例的电子暗盒20中，如上所述，在信号检测电路105的放大电路120中检测从放射线检测像素100B输出的电信号(电荷数据)，控制器106比较所检测到的电信号(电荷数据)与用于检测的预定特定值，并且通过是否已经达到特定值或以上，进行放射线X照射开始的检测。当未检测到放射线X照射开始时，作出否定确定，并且采用待机状态。然而，当检测到照射开始时，作出肯定确定，并且处理进行至步骤S202，并且电子暗盒20过渡到用于累积电荷的电荷累积时段。从而，在步骤S202，在每个像素100中开始根据所照射的放射线X生成的电荷的累积。
[0132]由于TFT开关74仍然处于断开状态，所以放射线检测设备26的放射线照相图像捕获像素100A处于电荷累积状态。然而，由于TFT开关74被短路，所以甚至在电荷累积时段(TFT开关74的断开状态)内，放射线检测像素100B将电荷输出到信号检测电路105。在特定定时将S/H开关SW切换为接通/断开，并且经由信号检测电路105的放大电路120和ADC124，将从放射线检测像素100B输出的电荷的数据作为电信号(电荷数据)输入到控制器106。
[0133]在下一个步骤S204，作出关于是否结束电荷累积的确定。不存在对确定是否结束电荷累积的方法的特殊限制，并且例如，可以根据自从累积开始是否经过了特定持续时间作出确定。当未完成时，作出否定确定，并且继续电荷累积。然而，当完成时，作出肯定确定，并且处理进行至步骤S206。在步骤S206，作出到读取时段的过渡，从像素100读取电荷，基于读取的电荷生成和输出放射线照相图像。注意，在读取时段期间，特别是，通过经由栅极线101将接通信号顺次地施加至TFT开关74的栅电极72，来顺次地将像素100A的TFT开关74切换为接通。通过将与累积在每个像素100A中的电荷量相对应的电信号输出到信号线73，读取电荷。
[0134]在下一个步骤S208，作出 关于是否结束图像捕获的确定。在诸如视频图像捕获中执行连续图像捕获的情况下，作出否定确定，并且处理返回到步骤S200，其中重复当前处理。然而，当图像捕获要结束并且当前处理结束时，作出肯定确定。因此，本示例性实施例的电子暗盒20使用等待检测放射线X照射开始的待机时段、每个像素100A累积根据所照射的放射线X生成的电荷的累积时段、以及读取累积电荷的读取时段，执行放射线照相图像的一帧(一个图像)的图像捕获。
[0135]然而，在步骤S116处的确定是检测不可能的情况下，作出否定确定，并且处理进行至步骤S120。在步骤S120，向用户作出检测不可能的通知。注意，类似于检测限度的通知(参见步骤S112)，可以执行检测不可能的通知。在下一个步骤S122，作出关于改变检测敏感度或照射条件的确定。注意，类似于步骤S114的确定，可以执行关于是否作出这样的改变的确定。在不作出改变的情况下，由于存在电子暗盒20在当前条件下将不作出放射线X照射开始的合适检测，导致研究被摄体30的不必要放射线曝光的问题，所以当前处理结束，而不捕获放射线照相图像。然而，在接收到步骤S120的通知时用户指令改变的情况下，并且在预置以执行改变的情况下，作出肯定确定，并且处理进行至步骤S124。在步骤S124，在指令改变检测敏感度和/或改变照射条件之后，处理返回到步骤S108，并且重复当前处理。
[0136]如上所解释的，在本示例性实施例的放射线照相图像捕获系统10中，在放射线照相图像捕获期间，通过电子暗盒20本身检测放射线X照射开始，并且开始在传感器部103中生成的电荷的累积。而且，放射线照相图像处理装置14基于成像被摄体数据或照射数据或两者，计算用于电子暗盒20中的照射开始的检测限度，并且执行其通知。而且，基于所计算的检测限度，作出关于电子暗盒20中的放射线X照射开始的检测是否可能的确定，并且通知确定结果。在确定检测不可能的情况下，根据由用户作出的设定或者预先指令的设定，改变检测敏感度以给出较高敏感度，或者增加要由放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量。
[0137]因此，可以抑制即使放射线X被照射到研究被摄体30上，但是由于放射线X到达电子暗盒2的放射线量，仍然导致检测不可能的情况，以及不执行放射线照相图像捕获的情况。还可以抑制将会增加研究被摄体30的放射线曝光量的用于检测放射线X照射开始的持续时间。因此，可以抑制研究被摄体30的不必要放射线曝光。
[0138]注意，如上所述，在放射线开始检测不可能(步骤Siie=S)的情况下，在通知该事实(步骤S120)之后，基于来自用户的指令来改变检测敏感度和/或照射条件，然而对此没有限制，并且可以进行配置，使得自动地改变检测敏感度和/或照射条件。图11中图示了在这样的情况下的放射线照相图像捕获系统10中的检测限度计算处理的流程的实例的流程图。注意，省略类似于以上描述用于检测限度计算处理(参见图8)和放射线照相图像捕获处理(参见图10)的处理的详细说明。如图11中所示，在检测限度计算处理的步骤S116，在已经确定了检测不可能的情况下，处理进行至步骤S130。在步骤S130，作出关于是否设置高敏感度模式用于电子暗盒20的检测敏感度(模式)的确定。在不设置高敏感度模式的情况下，即，在本实施例中设置正常敏感度模式的情况下，作出否定确定，并且处理进行至步骤S132，然后在指令以使电子暗盒20的敏感度为高敏感度之后，处理返回到步骤S116，并且再次执行关于照射开始检测是否可能的确定。注意，类似于如上所述的方法，改变检测敏感度的方法可以例如是改变偏置电压、放大电路120的增益(放大比率)或采样频率。即，当将高敏感度设置为电子暗盒20的检测敏感度时，作出肯定确定，处理进行至步骤S134，并且然后作出关于是否可以改变照射条件的确定。例如，在根据所计算的检测限度改变由放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量，以便使照射开始检测可能的情况下，由于通常存在可以照射的放射线X的放射线量的预定限度值(放射线量范围)，所以放射线量不能被改变为超过该限度值。在放射线量的期望改变在照射可能放射线量的范围内的情况下，由于可以改变照射条件，所以在步骤S134处作出肯定确定，并且处理进行至步骤S136。在步骤S136，在照射条件改变指令已被输出到放射线生成设备12之后，处理进行至步骤S118，然后在如上所述已经执行了放射线照相图像捕获处理之后，当前处理结束。作为特定实例，给出增加由放射线生成设备12照射的放射线X的放射线量的指令，以便使得照射开始的检测可能。从而，由于到达电子暗盒20的放射线X的放射线量达到能够检测的放射线量，所以在步骤SI 18，可以执行合适放射线照相图像捕获处理。然而，例如，在放射线量的期望改变达到限度值的情况下，在步骤S134作出不可以改变照射条件的确定，作出否定确定并且处理进行至步骤S138。在步骤S138，向用户通知即使改变检测敏感度或照射条件，也不能检测放射线X照射开始的事实，并且然后当前处理结束。由于具有这样的配置，所以可以自动地改变检测敏感度和照射条件，使得放射线X照射开始的检测可能。注意，在本示例性实施例中，虽然已经给出检测敏感度的改变优先于照射条件的改变的情况的解释，但是对此没有限制。虽然从抑制研究被摄体30的放射线曝光的角度看，优选优先考虑检测敏感度的改变，但是可以优先考虑照射条件的改变。
[0139]而且，在上述实例中，在放射线X照射开始的检测不可能(步骤Siie=S)的情况下，在通知该事实(步骤S120)之后，在不存在检测敏感度或照射条件的改变(步骤S122=否)的情况下，当前处理 结束。然而，在强调放射线照相图像捕获的情况下，可以进行配置，以不结束当前处理，并且强制捕获放射线照相图像。图12图示了在这样的情况下，在利用放射线照相图像捕获系统10的放射线照相图像捕获中的处理的流程的实例的流程图。注意，省略了类似于以上描述用于检测限度计算处理(参见图8)和放射线照相图像捕获处理(参见图10)的处理的详细解释。如图12中所示，在检测限度计算处理的步骤S122中，在既不改变检测敏感度也不改变照射条件的情况下，处理进行至步骤S126，并且作出关于开始在电子暗盒20中进行电荷累积的确定。在不管在电子暗盒20中是否已经检测到放射线X照射开始，都强制开始图像捕获的情况下，放射线照相图像处理装置14指令电子暗盒20过渡到上述放射线照相图像捕获处理的累积时段。然后，在从例如控制台16或者放射线照相图像读取装置18经由I/F部68作出执行图像捕获的指令的情况下，作出肯定确定，并且处理进行至步骤S128，然后在向电子暗盒20指令电荷累积开始之后，当前处理结束。而且，在不给出执行图像捕获的指令的情况下，在步骤S126，作出否定确定，并且当前处理结束。然而，指令在电子暗盒20中开始电荷累积时，执行上述射线照射图像捕获处理的步骤S202至步骤S206，并且执行放射线照相图像捕获。特别是，当已经接收到用于累积开始的指令时，作出到累积时段的过渡，开始根据所照射的放射线X在传感器部103中生成的电荷的累积(步骤S202)，并且累积继续，直到累积结束为止(步骤S204=否)。当累积结束(步骤S204=是)时，过渡到读取时段，并且驱动TFT开关74以读取电荷。然后，在根据所读取的电荷生成并且输出放射线照相图像(步骤S206)之后，当前处理结束。注意，可以进行配置，使得在自动地改变检测敏感度或照射条件(参见图11)的情况下，向用户通知甚至当改变检测敏感度和照射条件时，也不能进行照射开始的检测的事实(步骤S138)，并且然后以类似方式强制执行放射线照相图像捕获。
[0140]而且，在本示例性实施例中，虽然已经给出了放射线照相图像处理装置14充当计算电子暗盒20的检测限度的检测限度计算设备的情况的解释，但是对此没有限制。例如，可以进行配置，使得电子暗盒20计算检测限度本身，或者可以进行配置，使得例如控制台16充当检测限度计算设备。
[0141]而且，在本示例性实施例中，虽然已经给出了从在电子暗盒20处照射(到达)的放射线X的放射线量获得的检测限度太小的情况的解释，但是对此没有限制。例如，可以进行配置，以便计算从在电子暗盒20照射(到达)的放射线X的放射线量获得的检测限度太大。`
[0142]而且，在本示例性实施例中，给出了在检测到放射线X照射开始的情况下计算检测限度的情况的解释，然而，可以类似地作出配置，使得在检测到放射线X照射停止的情况下，电子暗盒20本身计算用于照射停止的检测限度。
[0143]而且，在本示例性实施例中，给出了基于成像被摄体数据或照射数据或者两者来计算检测限度的情况的解释，然而对此没有限制，并且可以进行配置，使得基于更多其他数据来计算检测限度。例如，可以进行配置，使得根据诸如用于捕获的放射线照相图像是视频图像还是静止图像的放射线照相图像的类型，来计算检测限度。
[0144]而且，用于使用电子暗盒20本身检测放射线X照射开始的配置和方法不限于本示例性实施例的那些。例如，虽然以上给出了安装有具有短路的源极和漏极的TFT开关74的像素被用作放射线检测像素100B的解释，但是对此没有限制。例如，可以从沿着漏电极83的途中形成连接线，以便连接到信号线73。还在这样的情况下，有效地短路TFT开关74的源极和漏极。而且，在TFT开关74的源极和漏极被短路的情况下，可以与相应栅极线101分离地形成栅电极72。而且，例如，可以进行配置，使得通过经由连接线82和接触孔87将传感器部103和信号线73连接在一起，在放射线检测像素100B中的漏电极83和接触孔87之间存在电断开。
[0145]而且，在本示例性实施例中，虽然已经给出了具有短路的TFT开关74的像素被用作放射线检测像素100B的情况的解释，但是不存在对放射线检测像素100B的特殊限制。例如，不具有短路的TFT开关74的像素可以用作放射线检测像素100B。在这样的情况下，独立于像素100A的TFT开关74的控制，执行放射线检测像素100B的TFT开关74的控制。而且，在这样的情况下的像素100B可以用作放射线检测设备26的特定像素100，或者可以提供为与放射线检测设备26中的像素不同的像素。
[0146]而且，在本示例性实施例的电子暗盒20的放射线检测设备26 (参见图3)中，放射线检测像素100B连接到一些信号线73，然而对此没有限制。可以进行配置，使得在连接到所有信号线73的位置处存在放射线检测像素100B，并且不存在对提供放射线检测像素100B的位置的特殊限制。
[0147]而且，在本示例性实施例中已经给出了在基于由放射线检测像素100B生成的电荷检测放射线照射开始的情况下，用于使用电子暗盒20本身检测放射线X照射开始的方法的解释，然而对此没有限制。例如，可以基于例如在公共电极线95中流动的电荷，通过电子暗盒20检测放射线照射开始。图13是图示在基于在公共电极线95中流动的电荷来检测放射线照射开始的情况下，电子暗盒20的总体配置的实例的配置图。如图13中所示，在这样的情况下，电子暗盒20未安装有放射线检测像素100，并且所有像素都具有类似配置。而且，在电子暗盒20中，公共电极线95经由电流检测器130连接到偏置电源110。在图13中所示的电子暗盒20中，为了将偏置电压施加至每个像素100，将偏置电压直接施加至每个像素100，并且不经由电流检测器130。
[0148]电流检测器130包括检测从每个像素100流过公共电极线95的电流的功能。控制器106比较由电流检测器130检测的在公用电极线95中流动的电流的电流值与被用于检测的预定阈值，并且通过是否为阈值或以上来检测放射线照射开始。当将放射线照射到放射线检测设备26上并且在像素100的传感器部103中生成电荷时，电流根据所生成电荷(电荷量)在每条公共电极线95中流动。因此，在本示例性实施例中，预先获得在公用电极线95中流动的电流的电流值和照射到放射线检测设备26上的放射线量之间的关系，并且将用于检测照射开始的电流值预定为阈值。注意，由于在公共电极线95中流动的电流的电流值随着由传感器部103生成的电荷(电荷量)增加而增加，在公共电极线95中流动的电流的电流值也随着所照射的放射线X的放射线量的增加而增加。诸如通过实验预先获得检测阈值(电流值)，并且然后在由伪随机电流检测器122检测的公共电极线95中流动的电流的电流值是阈值或以上的情况下，控制器106检测放射线X照射开始。注意，为了检测在公共电极线95中流动的这样的电流，可以在相应像素100的相应TFT开关74被断开的状态下，检测在公共电极线95中流动的电流。而且，可以使TFT开关74暂时处于接通状态，以便检测在公共电极线95中流动的电流。
[0149]注意，虽然已经给出了通过电流检测器130检测在公共电极线95中流动的电流的电流值的情况的解释，但是对此没有限制。例如，如图14中所示，可以进行配置，使得在电荷累积部132中累积在公共电极线95中流动的电荷，并且基于所累积的电荷量来检测放射线X照射开始。而且，可以进行配置，使得如图15中所示，通过电压检测器134检测在公共电极线95中流动的电流的电压，并且基于所检测的电压值来检测放射线照射开始。而且，虽然以上已经给出了基于在所有公共电极线95中流动的电流来检测放射线X照射开始的情况的解释，但是对此没有限制，并且可以进行配置，使得基于仅在一些公共电极线95中流动的电流来检测放射线X照射开始。
[0150]作为用于利用电子暗盒20本身检测放射线X照射开始的另一种方法，可以进行配置，使得例如在扫描信号控制电路104中提供电流检测器130，并且基于在栅极线101中流动的电流的改变来检测放射线X照射开始。还可以进行配置，使得例如在信号检测电路105中提供电流检测器130等，并且基于在信号线73中流动的电流的改变来检测放射线X照射开始。而且，可以进行配置，使得例如提供单独传感器用于放射线检测，并且基于传感器的检测结果，由电子暗盒20本身检测放射线照射开始。
[0151]而且，在本示例性实施例中，捕获合适放射线照相图像的敏感度被当做用于检测放射线X照射开始的检测敏感度，然而对此没有限制。可以进行配置，使得相互分离地设置用于捕获放射线照相图像的敏感度和用于检测放射线X照射开始的检测敏感度。在这样的情况下，可以基于检测放射线X照射开始的检测敏感度来计算检测限度。而且，可以使得当检测放射线X照射开始时的检测敏感度不同于当执行放射线照相图像捕获时的敏感度。例如，可以进行配置，使得在高敏感度模式下检测放射线X照射开始之后，切换到正常敏感度模式，并且然后执行放射线照相图像捕获(用于图像捕获的电荷的累积)。
[0152]而且，在本示例性实施例中，给出了将本发明应用至将转换后的光转换为电荷的间接转换方法放射线检测设备26的情况的解释，然而对此没有限制。例如，可以将本发明应用至采用将放射线X直接转换为电荷的材料(诸如，非晶硒)作为吸收放射线并且将放射线转换为电荷的光电转换层的直接转换方法放射线检测设备。
[0153]而且，在本示例性实施例中，已经给出了将本发明应用至捕获作为成像被摄体的成像台32上的研究被摄体3 0的成像目标部位的放射线照相图像的放射线照相成像装置(放射线照相图像捕获系统10)的解释，然而不特别限制放射线照相成像装置。例如，在被称为乳房造影法的应用中，可以通过研究被摄体30的乳房作为成像被摄体，捕获放射线照相图像。而且，虽然在本示例性实施例中已经给出了人类作为研究被摄体30的说明，但是可以作出对于另一种动物的应用。
[0154]而且，在本示例性实施例中解释的放射线照相图像捕获系统10、放射线生成设备
12、放射线照相图像处理装置14、控制台16、电子暗盒20和放射线检测设备26等的配置和操作仅是其实例，并且明显地，在不脱离本发明的范围之内，可以根据情况进行修改。
[0155]而且，不存在对本示例性实施例中的放射线X的特别限制，并且可以作出例如X-射线和伽玛射线的应用。
【权利要求】
1.一种检测限度计算设备，包括: 计算组件，为了使用图像捕获组件来对成像被摄体的放射线照相图像进行图像捕获，所述计算组件基于关于所述成像被摄体的成像被摄体数据、或者关于放射线照射的照射数据、或者基于这两者，来计算检测组件的检测限度，所述检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过所述成像被摄体的放射线。
2.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，其中，所述计算组件基于所述成像被摄体数据和所述照射数据这两者，来计算由所述检测组件的检测是否可能。
3.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，其中，所述成像被摄体数据包括选自以下组中的至少一个因素，该组包含:所述成像被摄体的厚度、所述成像被摄体的高度和重量、所述成像被摄体的图像捕获部位、所述成像被摄体的所述图像捕获部位的尺寸、以及所述成像被摄体的所述图像捕获部位的形状。
4.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，进一步包括:改变组件，所述改变组件基于所述计算组件的计算结果来改变所述检测组件的检测敏感度。
5.根据权利要求4所述的检测限度计算设备，其中: 所述计算组件的计算结果是作为检测限度的检测敏感度限度， 比较组件，所述比较组件被提供用于比较所述检测组件的所述检测敏感度限度和当前检测敏感度，以及 所述改变组件基于所述比较组件的所述比较结果来改变所述检测组件的所述检测敏感度。
6.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，进一步包括:计算结果通知组件，所述计算结果通知组件通知所述计算组件的计算结果。
7.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，进一步包括:成像被摄体数据接收组件，所述成像被摄体数据接收组件接收所述成像被摄体数据。
8.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，进一步包括:照射数据接收组件，所述照射数据接收组件接收所述照射数据。
9.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，其中，在所照射的放射线的放射线量随着时间的改变满足特定照射检测条件的情况下，所述检测组件检测到放射线照射开始。
10.根据权利要求9所述的检测限度计算设备，其中，所述特定照射检测条件包括:每单位时间的放射线量的改变量超过阈值的情况、或者每单位时间的放射线量的改变量是阈值或更大的次数是预定次数或更大的情况、或者这两种情况。
11.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，进一步包括:控制组件，所述控制组件通过控制使得不管所述检测组件的检测结果如何都执行电荷累积，来控制所述图像捕获组件，所述图像捕获组件根据所照射的放射线累积电荷并且基于所累积的电荷生成放射线照相图像。
12.根据权利要求11所述的检测限度计算设备，进一步包括:通知组件，所述通知组件通知所述控制组件正在控制使得在所述图像捕获组件中执行电荷累积。
13.根据权利要求1所述的检测限度计算设备，其中: 所述图像捕获组件包括:包含多个像素的放射线检测设备，每个像素包括相应传感器部以及相应开关元件，所述相应传感器部根据所照射的放射线的放射线量来生成电荷，所述相应开关元件从所述传感器部读取电荷并且将符合所述电荷的电信号输出到信号线；以及，公共电极线，所述公共电极线将偏置电压提供给所述传感器部；以及 在从所述传感器部中生成的电荷产生并且在所述公共电极线中流动的电信号满足特定照射检测条件的情况下，所述检测组件检测出放射线的照射已经开始。
14.一种放射线检测设备，包括: 检测组件，为了利用图像捕获组件来对成像被摄体的放射线照相图像进行图像捕获，所述检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过所述成像被摄体的放射线；以及 根据权利要求1至权利要求13中任一项所述的检测限度计算设备，所述检测限度计算设备计算所述检测组件的所述检测限度。
15.一种放射线照相图像捕获系统，包括: 检测组件，为了利用图像捕获组件来对成像被摄体的放射线照相图像进行图像捕获，所述检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过所述成像被摄体的放射线； 根据权利要求1至权利要求13中任一项所述的检测限度计算设备，所述检测限度计算设备计算所述检测组件的检测限度；以及 控制设备，所述控制设备控制所述图像捕获组件。
16.一种放射线照相图像捕获系统，包括: 放射线照相图像捕获装置，所述放射线照相图像捕获装置包括:检测组件，所述检测组件检测放射线的照射是否已经开始；以及，图像捕获组件，所述图像捕获组件基于所述检测组件的检测结果，根据所照射的放射线来捕获成像被摄体的放射线照相图像；以及 根据权利要求1至权利要求13中任一项所述的检测限度计算设备，所述检测限度计算设备计算所述检测组件的检测限度。
17.一种放射线照相图像捕获系统，包括: 照射设备，所述照射设备照射放射线； 放射线照相图像捕获装置，所述放射线照相图像捕获装置包括:检测组件，所述检测组件检测由所述照射设备的放射线的照射是否已经开始；以及，图像捕获组件，所述图像捕获组件基于检测组件的检测结果，根据所照射的放射线来捕获成像被摄体的放射线照相图像；以及 根据权利要求1至权利要求13中任一项所述的检测限度计算设备，所述检测限度计算设备计算所述检测组件的所述检测限度。
18.—种检测限度计算方法，包括: 为了利用图像捕获组件来对成像被摄体的放射线照相图像进行图像捕获，基于关于所述成像被摄体的成像被摄体数据、或者关于放射线的照射的照射数据、或者基于这两者，计算检测组件的检测限度，所述检测组件基于放射线的放射线量来检测放射线的照射是否已经开始，所述放射线包括已被照射并且透过所述成像被摄体的放射线。
【文档编号】A61B6/00GK103565451SQ201310308509
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月22日 优先权日:2012年7月23日
【发明者】小田泰史 申请人:富士胶片株式会社