1.一种治疗装置，其特征在于，所述治疗装置包括：驱动模块、超声输出部、低频输出部、控制模块和电源模块；
所述控制模块，用于根据预设参数同时产生第一控制信号与第二控制信号；
所述驱动模块，其包含低频驱动单元和超声驱动单元，所述超声驱动单元用于根据第一控制信号产生超声驱动信号；所述低频驱动单元用于根据第二控制信号产生低频驱动信号；
所述超声输出部，用于根据接收到超声驱动信号将电信号转化为聚焦超声波；
所述低频输出部，用于根据接收到低频驱动信号产生具有非对称指数波的低频脉冲电流；
所述电源模块，用于为驱动模块、超声输出部、低频输出部和控制模块供电。
2.根据权利要求1所述的治疗装置，其特征在于，所述低频驱动单元包括：
数模子单元，用于控制输出的模拟信号的幅度；
跟随子单元，用于根据模拟信号产生具有低输出阻抗和隔离作用的电压信号；
低频驱动子单元，用于根据电压信号控制电路导通产生具有周期频率的非对称指数波；
第一变压器子单元，用于放大并输出所述非对称指数波。
3.根据权利要求2所述的治疗装置，其特征在于，所述数模子单元包括数模转换器和可变电阻，所述数模转换器的输出端串联可变电阻的一端，所述可变电阻的另一端和其控制端连接所述跟随单元的输入端；
所述跟随子单元包括跟随器、第一电容、第一电阻和第二电阻，所述跟随器的正向输入端分别连接第一电容和第一电阻的一端，所述跟随器的负向输入端连接第二电阻的一端，所述第一电容、第一电阻与第二电阻的另一端均接地，所述跟随器的正向控制端连接第一电源电压，所述跟随器的负向控制端接地，所述跟随器的输出端连接低频驱动子单元。
4.根据权利要求2所述的治疗装置，其特征在于，所述低频驱动子单元包括N沟道MOS管Q1、第三电阻、第四电阻和第二电容，所述N沟道MOS管Q1的栅极分别连接跟随器的输出端和第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端接地；所述N沟道MOS管Q1的源极连接跟随器的负向输入端，所述N沟道MOS管Q1的漏极分别连接第四电阻和第二电容的一端，所述第四电阻和第二电容的另一端均连接第二电源电压，其中，所述第四电阻阻值为51欧姆，所述第二电容容值为5100皮法。
5.根据权利要求2所述的治疗装置，其特征在于，所述第一变压器子单元包括第一变压器、第一二极管和第五电阻，所述第一变压器的第一输入端连接第一二极管的正极，所述第一二极管的负极连接第五电阻一端，所述第五电阻的另一端连接第一变压器的第二输入端，所述第一变压器的第一输出端和第二输出端输出放大的非对称指数波，其中，所述第一变压器的原级与副级线圈匝数比为40：450。
6.根据权利要求1所述的治疗装置，其特征在于，所述超声驱动单元包括：
控制子单元，用于根据PWM信号控制控制电路导通或截止；
升压子单元，用于当电路导通时，对PWM信号进行升压；
第二变压器子单元，用于对升压的PWM信号进行放大；
滤波子单元，用于滤波处理放大的PWM信号，使得PWM信号按预设频率加载于超声输出部。
7.根据权利要求6所述的治疗装置，其特征在于，所述控制子单元为N沟道MOS管Q2，所述N沟道MOS管Q2的栅极连接PWM脉冲信号，所述N沟道MOS管Q2的源极接地，所述N沟道MOS管Q2的漏极连接升压子单和第二变压器子单元。
8.根据权利要求6所述的治疗装置，其特征在于，所述升压子单元包括扼流电感、第二二极管、第三电容、第六电阻和第七电阻，所述N沟道MOS管Q2的漏极分别连接第二二极管的正极、第三电容的一端、第七电阻的一端；所述第二二极管的负极连接第六电阻的一端；所述第二变压器的第二输入端分别连接第六电阻的另一端、第三电容的另一端、第七电阻的另一端及扼流电感的一端；所述扼流电感的另一端连接第三电源电压；所述第二变压器子单元为第二变压器，所述第二变压器的原级输入端连接第三电容的两端，所述第二变压器的副级输出端连接滤波子单元。
9.根据权利要求6所述的治疗装置，其特征在于，所述滤波子单元包括第四电容、第五电容、第八电阻和第九电阻；所述第二变压器的第三、四输出端之间分别并联第四电容、第五电容，所述第五电容两端各连接第八电阻和第九电阻的一端，所述第八电阻和第九电阻的另一端均接地；所述第五电容分别与第八电阻、第九电阻之间的连接处输出超声驱动信号。
10.一种采用权利要求1～9任一所述治疗装置的控制方法，其特征在于，包括：
获取所述预设参数，根据所述预设参数同时生成第一控制信号与第二控制信号；
分别根据所述第一控制信号与第二控制信号对应产生超声驱动信号和低频驱动信号；
所述超声驱动信号驱使超声输出部发射聚焦超声波；所述低频驱动信号驱使低频输出部发射低频脉冲电流。