专利名称：凸凹表面痕迹吸迹器的制作方法
技术领域：
本实用新型提供一种凸凹表面痕迹吸迹器，包括吸迹滚，滚轴夹，手持柄，静电发生器。属于痕迹取样设备。
提取现场遗留痕迹，是刑事侦破过程中的重要工作。目前所用的静电痕迹提取器，普遍存在着在不光滑客体上的痕迹提取效果差的不足，不能适应准确、全面、快速提取痕迹的要求。
针对已有静电痕迹提取器技术的上述不足，本实用新型的目的是提供一种可提取遗留在凸凹表面上痕迹的吸迹器。
本实用新型的目的，是通过如下技术措施实现的。
凸凹表面痕迹吸迹器，由吸迹滚、滚轴承，手持柄，装在手持柄壳体内的静电发生器构成。
静电发生器电路包括如下几部分由一端接于三极管集电极，另一端通过电阻接于三极管基极的变压器初级线圈T2，一端接于三极管发射极，另一端经电容接于三极管基极的变压器初级线圈T3，三极管基一射极间外接电容，变压器次级线圈T1构成的变换器；以接于变压器次级线圈T1两端的由串接电容为始端，以串接的电容，阻断二极管和串接的阻断二极管、电容并联后，再接输出电阻为输出端的倍压电路；由依次相接的直流电源、开关、阻断二极管、并接的电容、电阻、双掷开关接于交流电路的，其直流电源负端接于三极管基极，阻断二极管正极接于三极管射极的电源电路。
倍压电路的输出电阻和经硝酸银溶液浸渍处理的吸迹滚相接。
本实用新型所提供的凸凹表面痕迹吸迹器，为了适于在凸凹表面上提取痕迹，采用经硝酸银溶液浸渍处理过的泡沫塑料质吸迹滚，浸渍银盐的浓度及时间，可根据凸凹表面客体物的质地，形状经简单实验得出。
凸凹表面痕迹吸迹器，吸迹滚静电压可达1.9万伏，电流150毫安，可不间断的连续工作四小时。三秒钟工作面可达320mm×320mm，痕迹分辨率大于330dpi。
附
图1是凸凹表面痕迹吸迹器的静电发生器电路原理图，附图2是凸凹表面痕迹吸迹器的结构示意图，附图3是凸凹表面痕迹吸迹器的左视图。
以下结合附图，通过最佳实施例进一步叙述其技术特征。
凸凹表面痕迹吸迹器，由吸迹滚(4)、滚轴夹(3)、手持柄(1)，静电发生器箱体(2)构成。吸迹滚(4)具有一个浸渍过硝酸银溶液的泡沫塑料滚体。浸渍时间3－5分钟，银盐溶液浓度1－3％。静电发生器的输出电阻和吸迹滚(4)轴相接。可按如下步骤进行提取凸凹表面痕迹，接通电源后，用干净塑料布盖在待提取痕迹上，使其光面向下，手握手持柄(1)使其吸迹滚(4)在塑料布上缓慢滚动，待痕迹处全部被吸迹滚(4)滚压过后，切断凸凹表面痕迹吸迹器电源，揭开塑料布，可见其上呈现所提取的痕迹。
本实施例，静电发生器电路中，直流电源负极和三极管基极间接有发光二极管、电源电路的端线间连接有降压电阻及氖管。倍压电路输出端C9＝C10＝0.25微法、30KV，R4＝R5＝300Ω，1W，K1为三掷开关一个切刀。C3＝C4＝C5＝0.1微法，C15＝C14＝C13＝C12＝0.05微法，C6＝0.025微法，C7＝0.03微法。C11＝0.1微法，C8＝0.05微法。
权利要求1.一种凸凹表面痕迹吸迹器，其特征在于静电发生器电路包括如下几部分由一端接于三极管集电极，另一端通过电阻接于三极管基极的变压器初级线圈T2，一端接于三极管发射极，另一端经电容接于三极管基极的变压器初级线圈T3，三极管基一射极间外接电容，变压器次级线圈T1构成的变换器；以接于变压器次级线圈T1两端的由串接电容为始端，以串接的电容，阻断二极管和串接的阻断二极管、电容并联后，再接输出电阻为输出端的倍压电路；由依次相接的直流电源、开关、阻断二极管、并接的电容、电阻、双掷开关接于交流电路的，其直流电源负端接于三极管基极，阻断二极管正极接于三极管射极的电源电路；倍压电路的输出电阻和经硝酸银溶液浸渍处理的吸迹滚相接。
2.根据权利要求1所述的凸凹表面痕迹吸迹器，其特征为倍压电路输出端C9＝C10＝0.25微法、30KV，R4＝R5＝300Ω，1W，K1为三掷开关一个切刀；C3＝C4＝C5＝0.1微法，C15＝C14＝C13＝C12＝0.05微法，C6＝0.025微法，C7＝0.03微法；C11＝0.1微法，C8＝0.05微法。
专利摘要一种由吸迹滚、滚轴承，手持柄，装在手持柄壳体内的静电发生器构成的凸凹表面痕迹吸迹器。其吸迹滚静电压可达1.9万伏，电流150毫安，可不间断的连续工作四小时。三秒钟工作面可达320mm×320mm，痕迹分辨率大于330dpi。
文档编号A61B5/117GK2160343SQ93227499
公开日1994年4月6日 申请日期1993年3月6日 优先权日1993年3月6日
发明者丁东 申请人:丁东