专利名称：打扁引线二极管清洗盘的制作方法
技术领域：
打扁引线二极管清洗盘，属于半导体器件制作用具领域。
背景技术：
打扁引线二极管主要作用是整流，调整电流方向。凡需要电压进行整流的领域都可以使用打扁引线二极管如电镀电解需要直流，因而需要把交流整流为直流；直流电机也需要把交流整流为直流；高压直流静电需要把交流整流为直流；变频电机的逆变电源是直流也需要把交流整流为直流；蓄电池充电也需要把交流整流为直流。现有技术的打扁引线二极管酸洗使用的酸洗盘为圆形孔，主要存在如下问题1.酸洗盘沉孔过深，在酸洗过程中，各种酸的消耗量就大，制作成本高；2.打扁引线的方向不一，清洗效果不好，影响产品电性良品率。所以，打扁引线二极管在竞争激烈的半导体市场中，一直缺少竞争力，酸洗盘的改良是一个急需解决的问题。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术存在的问题，提供一种使焊接后的打扁引线二极管转换到酸洗盘里以后其打扁引线方向一致，能够减少酸的消耗量，并且非常利于冲洗残酸的打扁引线二极管清洗盘。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是该打扁引线二极管清洗盘，包括酸洗盘和在酸洗盘上成排均布的沉孔，其特征在于沉孔上部直径大于下部直径，每排沉孔中间设置排向槽，排向槽将沉孔一分为二，两排沉孔之间设置隔酸条。沉孔上部直径为2. 5士0. 02mm,高度为0. 825mm,下部直径为0. 75士0. 02mm,高度为 5. 2 士 0. 02mm。隔酸条的高度为1. 8士0. 02mm。与现有的打扁引线二极管酸洗盘相比，本实用新型的有益效果是1.使产品的电性品质更加稳定，良品率提高5%左右，直接产生的经济效益3万元
/月；2.降低了制作成本，混合酸、磷酸、双氧水和氨水的消耗量减少了 50%，每月可以节约原材料成本约1万元/月，大大提高了产品的竞争优势。
图1是打扁引线二极管酸洗盘主视结构示意图；图2是沉孔结构示意图。图1-2是本实用新型的最佳实施例。其中1、沉孔2、隔酸条3、排向槽4、酸洗盘。
具体实施方式
以下结合附图1-2对本实用新型的打扁引线二极管酸洗盘做进一步说明参照附图1-2 该打扁引线二极管清洗盘为长方形，由沉孔1、隔酸条2、排向槽3和酸洗盘4组成，沉孔1自上而下排成一排，每排沉孔1中间设置排向槽3，排向槽3也是自上而下排列，排向槽3将沉孔1 一分为二，两排沉孔1之间设置隔酸条2。布满整个清洗盘。沉孔1上部直径大于下部直径，沉孔上部直径为2. 5士0. 02mm,高度为0. 825mm,下部直径为 0. 75 士0. 02mm,高度为 5. 2 士0. 02mm。酸洗过程如下1、把焊接后材料转接到酸洗盘4的沉孔1中。2、利用排向槽3把二极管的打扁引线按同一方向排列整齐，便于酸洗后的清洗。3、酸放入酸洗盘4后，由于隔酸条2的作用，可以减少50%酸的用量。4、通过冲水的方式对材料进行清洗，由于有隔酸条2的作用，保证在冲水时更加利于清洗，且能达到用水很少的效果。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
权利要求1.打扁引线二极管清洗盘，包括酸洗盘和在酸洗盘上成排均布的沉孔，其特征在于 沉孔(1)上部直径大于下部直径，每排沉孔(1)中间设置排向槽(3)，排向槽C3)将沉孔(1) 一分为二，两排沉孔(1)之间设置隔酸条O)。
2.根据权利要求1所述的打扁引线二极管清洗盘，其特征在于沉孔(1)上部直径为 2. 5 士 0. 02mm，高度为 0. 825mm，下部直径为 0. 75 士 0. 02mm，高度为 5. 2 士 0. 02mm。
3.根据权利要求1所述的打扁引线二极管清洗盘，其特征在于隔酸条O)的高度为 1. 8 士 0. 02mm。
专利摘要一种打扁引线二极管清洗盘，属于半导体器件制作用具领域。包括酸洗盘和在酸洗盘上成排均布的沉孔，其特征在于沉孔(1)上部直径大于下部直径，每排沉孔(1)中间设置排向槽(3)，排向槽(3)将沉孔(1)一分为二，两排沉孔(1)之间设置隔酸条(2)。与现有技术相比，具有使产品的电性品质更加稳定，良率提高5％左右，直接产生的经济效益3万元/月；降低了制作成本，混合酸、磷酸、双氧水和氨水的消耗量减少了50％，每月可以节约原材料成本约1万元/月，很大的提高了产品的竞争优势等优点。
文档编号B08B3/08GK202042465SQ201120152410
公开日2011年11月16日 申请日期2011年5月13日 优先权日2011年5月13日
发明者李安 申请人:淄博美林电子有限公司