专利名称：电容触摸屏的镀膜结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电容触摸屏领域，尤其涉及一种电容触摸屏的镀膜结构。
背景技术：
触摸屏作为一种新型的人机交互界面，广泛地应用于各种数字信息系统上，从小型产品如手机、PDA、数码产品及e-Book，到中型产品如车载导航仪、游戏机、家用电器及工控仪器，再到大型产品如POS系统、公共查询系统、便携电脑、医疗仪器以及电视新闻节目中常用的触摸式PDP上都可以看到触摸屏产品。特别是iPhone的推出，极大地刺激了触摸屏在手机上应用的力度，在手机上应用触摸屏已成为一种流行风尚，加之触摸屏在车载导航仪GPS上的应用，对触摸屏的需求越来越大，其市场前景十分可观。根据美国Display karch最新出版的2010年触摸屏市场分析报告，触摸屏在如手机、媒体播放器与导航仪等手持式装置渗透率增长相当快速，在接下来几年，我们可以看到触摸屏在较大尺寸应用如一体电脑、上网本/平板电脑、教育与培训、公共信息广告牌与自主登机等方面也会有很好的成长。触摸屏已成为数十亿美元的产业，而且仍处于高度成长中，这也是大家关注触摸产业的主要因素。2009年全球触摸屏产值达43亿美元，估计2016年将成长到140亿美元，年复合成长率达18%。而电容触摸屏以其使用寿命长，可达10年以上，产品一致性好、成品率高的优点将会逐步取代电阻式触摸屏， 成为未来触摸屏的主流。现有的电容式触摸屏容易出现掉膜、针孔及开路等不良，严重影响产品的功能及产品合格率。
实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种电容触摸屏的镀膜结构， 不会出现掉膜、针孔及开路等不良，产品的合格率高，生产成本低，适合量产。为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提出了电容触摸屏的镀膜结构，包括 玻璃基片；采用真空磁控溅射方式镀膜于所述玻璃基片的一面并进行线路图形蚀刻加工形成的ITO膜层；印于所述ITO膜层并进行真空等离子轰击的OC绝缘层；及镀膜于所述OC绝缘层上的MoAIMO膜层。进一步地，所述玻璃基片与所述ITO膜层之间还形成有AR层。进一步地，所述AR层厚度为200nm 250nm。进一步地，所述OC绝缘层厚度为1800nm 2200nm。进一步地，所述玻璃基片厚度为0. 33mm 0. 55mm。进一步地，所述ITO膜层厚度为15nm 25nm。进一步地，所述MoAlMo膜层厚度为320nm 380nm。进一步地，所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。本实用新型实施例的有益效果是采用印于ITO膜层并进行真空等离子轰击的OC绝缘层及镀膜于所述OC绝缘层上的MoAIMO膜层，避免出现掉膜、针孔及开路等不良，提升了产品的合格率，降低了生产成本低。
图1是本实用新型实施例电容触摸屏的镀膜结构的示意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型实施例进行详细说明。请参考图1，本实用新型实施例电容触摸屏的镀膜结构包括玻璃基片10、ΙΤ0(掺锡氧化铟，Indium Tin Oxide，简称 IT0)膜层 30、0C (光学透明胶带，Optical scotch tape, 简称OCA或0C)绝缘层40及MoAlMo (钼铝钼)膜层50。玻璃基片10为清洗、烘干后的玻璃基片10，厚度为0.33mm 0.55mm，为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片10。ITO膜层30采用真空磁控溅射方式镀膜于所述玻璃基片10的一面并进行线路图形蚀刻加工形成，厚度为15nm 25nm，优选为20nm。OC绝缘层40印于所述ITO膜层30，厚度为1800nm 2200nm，优选为2000nm，印完后并对设有所述ITO膜层30及OC绝缘层40的玻璃基片10进行真空等离子轰击。 MoAlMo膜层50镀膜于所述OC绝缘层40上，厚度为320nm 380nm，优选为350nm。本实用新型的另一实施方式中，所述玻璃基片10与所述ITO膜层30之间还形成有 AR(高透光率防反射，high light transmittance and reflection，简称 AR)层 20，所述AR层20厚度为200nm 250nm，优选为230nm。本实用新型实施例电容触摸屏的镀膜结构的制作工艺流程为图形玻璃制作步骤清洗、烘干玻璃基片10，采用真空磁控溅射方式镀膜于所述玻璃基片10的一面并进行线路图形蚀刻加工形成ITO膜层30。镀MoAIMO膜层50步骤1.准备靶材。在真空镀膜室的阴极座后装上钼铝靶材，其顺序为钼靶一招靴一销靶，采用中频和直流磁控溅射电源控制。2.镀膜。对己蚀刻好ITO 图形的玻璃基片10进行平板清洗、热烘干燥后，上架装片镀MoAIMO膜，采用连续磁控溅射镀膜机，基片加热温度为100°C，镀膜室传动速度频率为0. 5m/min，进行真空等离子体离子预轰击，离子源功率IkW、Ar流量180sccm 220sccm、真空度2. 6 X IO^1Pa 5. 5 X IO^1Pa 之间，总气压为0. 260Pa 0. 55Pa,使用1个离子源进行等离子体离子预轰击，使用6个Mo 靶和6个Al靶进行镀MoAlMo膜，镀膜室真空度在3. 0*10^Pa 4. 5*10^Pa之间。按照上述工艺制作的电容触摸屏的镀膜结构测试结果为=MoAIMO层膜厚为 !350nm，颜色均勻，无针孔等不良，MoAlMo电阻为0. 28siements/sq 0. ^siements/sq，产品最终检验合格。MoAlMo膜层50的主要性能如下膜层结构及膜厚钼500A，铝2500A，钼500A ； 电阻测试小于等于0. 3siements/sq,由于通过增加Al膜厚度可降低膜层电阻，使电容屏能够实现反应速度快，降低能耗，增强电池的续航时间；附着力使用百格刀在基板上划1 平方毫米的方格，用3M 610#胶带粘上后撕扯，无掉膜现象；热稳定性在220°C的环境下， 烘烤60min，无变色情况。[0028]本实用新型实施例电容触摸屏的镀膜结构在真空环境下进行，采用全分子泵无油真空系统，使用中频磁控溅射和直流磁控溅射方式，实现了钼铝钼三层膜的连镀，产品性能得到保证，通过等离子体预轰击，清洁图形玻璃基板表面，活化ITO表面从而增加了 ITO表面与MoAIMO导电膜的结合力，等离子体在对玻璃表面的轰击同时清洁玻璃表面，解决了掉膜、针孔及开路等不良，提高了产品的性能及产品合格率。本实用新型实施例将AR+IT0两种技术合二为一，电容触摸屏的镀膜结构具有高透性，透过率Tr ^ 93%，通过图形设计，OC胶绝缘用MoAIMO塔桥，实现高端投射式电容式触摸屏所有功能，实现了投射式电容屏的量化生产。以上所述是本实用新型的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，包括玻璃基片；采用真空磁控溅射方式镀膜于所述玻璃基片的一面并进行线路图形蚀刻加工形成的 ITO膜层；印于所述ITO膜层并进行真空等离子轰击的OC绝缘层；及镀膜于所述OC绝缘层上的MOAIMO膜层。
2.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述玻璃基片与所述ITO 膜层之间还形成有AR层。
3.如权利要求2所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述AR层厚度为 200nm 250nmo
4.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述OC绝缘层厚度为 1800nm 2200nm。
5.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述玻璃基片厚度为 0. 33mm 0. 55mm0
6.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述ITO膜层厚度为 15nm 25nm。
7.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述MoAIMO膜层厚度为 320nm 380nm。
8.如权利要求1所述的电容触摸屏的镀膜结构，其特征在于，所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种电容触摸屏的镀膜结构，包括玻璃基片；采用真空磁控溅射方式镀膜于所述玻璃基片的一面并进行线路图形蚀刻加工形成的ITO膜层；印于所述ITO膜层并进行真空等离子轰击的OC绝缘层；及镀膜于所述OC绝缘层上的MoAlMo膜层。本实用新型实施例采用印于ITO膜层并进行真空等离子轰击的OC绝缘层及镀膜于所述OC绝缘层上的MoAlMo膜层，避免出现掉膜、针孔及开路等不良，提升了产品的合格率，降低了生产成本低。
文档编号C03C17/36GK202107635SQ20112025337
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者徐天辅, 徐日宏, 李小军, 郭永飞 申请人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司