专利名称：高透触摸屏玻璃及投射式电容触摸屏的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及触摸屏领域，尤其涉及一种高透触摸屏玻璃及投射式电容触摸屏。
背景技术：
传统的电容感应触摸屏采用单面镀ITO膜的玻璃基板，使用图形化制程工艺将 ITO膜蚀刻出电极图形，在该图形化后的ITO膜上覆盖上起电介质作用的透明绝缘膜层，然后在该绝缘膜层上再次以镀膜方式形成第二层ITO膜，对该层ITO膜再次使用图形化制程工艺蚀刻出电极图形，在该第二层ITO膜上覆盖起保护作用的透明绝缘膜，此层即为触摸面板再贴合保护面板，即形成完整的触摸屏。传统电容触摸屏制造工艺复杂，其中进行线路图形的制作步骤繁琐，且需要在玻璃基板表面多次镀膜任何一层镀膜不良都将导致整个多层镀膜的玻璃成为废品，透光率偏低、成本较高。
实用新型内容本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供了一种高透触摸屏玻璃及投射式电容触摸屏，其具有较高的成品率和透光率，生产成本较低。为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提出了一种高透触摸屏玻璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一个表面上依次涂镀有AR膜层和ITO膜层。进一步地，所述AR膜层的厚度为10 250nm。进一步地，所述ITO膜层的厚度为10 30nm。进一步地，所述AR膜层和ITO膜层采用磁控溅射镀膜方式镀膜。进一步地，所述玻璃基片采用透明的钢化玻璃或半钢化玻璃，厚度为0.33 0. 55mm0本实用新型实施例还提供了一种投射式电容触摸屏，包括具有单面涂层的玻璃面板以及依次涂镀于所述玻璃面板的涂层表面的OC胶绝缘层和MoAIMO导电膜层，所述玻璃面板为上述的高透触摸屏玻璃。进一步地，所述ITO膜层通过线路图形蚀刻加工形成电极图形。进一步地，所述AR膜层的厚度为10 250nm。进一步地，所述ITO膜层的厚度为10 30nm。进一步地，所述AR膜层和ITO膜层采用磁控溅射镀膜方式镀膜。本实用新型实施例的高透触摸屏玻璃通过在玻璃基片的单侧表面依次涂镀AR膜层和ITO膜层，从而提高了触摸屏玻璃的透光率，采用该触摸屏玻璃制造的投射式电容触摸屏具有较高的成品率和透光率，生产成本较低。
[0016]图1是本实用新型的高透触摸屏玻璃的结构示意图。图2是本实用新型的投射式电容触摸屏的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示的本实用新型的高透触摸屏玻璃包括玻璃基片1和涂镀在玻璃基片1 一侧表面的功能层。功能层包括依次涂镀于玻璃基片1表面的具有减反射功能的AR膜层2和高方阻的ITO膜层3。其中，AR膜层2的厚度为IOnm 250nm，优选为230nm ；ITO膜层3的厚度为IOnm 30nm，优选为20nm，AR膜层2和ITO膜层3的具体厚度可以根据实际需要进行制备。玻璃基片1可采用透明的钢化玻璃或半钢化玻璃，厚度为0. 33 0. 55mm。如图2所示的本实用新型的投射式电容触摸屏包括玻璃基片1、依次涂镀在玻璃基片ι 一侧表面的功能层、OC胶绝缘层4以及MoAIMO导电膜层5。功能层包括依次涂镀于玻璃基片1表面的具有减反射功能的AR膜层2和高方阻的ITO膜层3。其中，AR膜层2的厚度为10 250nm，IT0膜层3的厚度为10 30nm。AR 膜层2和ITO膜层3的具体厚度可以根据实际需要进行制备。玻璃基片1可采用透明的钢化玻璃或半钢化玻璃。ITO膜层3通过线路图形蚀刻加工形成电极图形。投射式电容触摸屏的制作过程为在进行镀膜之前对玻璃基片1进行平板清洗和热烘干燥，采用全自动连续磁控溅射镀膜机进行AR膜层2和ITO膜层3的连续镀膜。玻璃基片1加热温度为280°C，镀膜室传动速度频率为0. 5m/min,使用13个AR靶进行镀AR膜层2，AR溅射功率170kW、O2流量为120sccm、Ar流量为100 220sccm、AR镀膜室真空度为2. 6 X KT1Pa 5. 5 X KT1Pa之间，总气压为0. 260 0. 55Pa ；使用2个ITO靶进行镀ITO 膜，ITO镀膜室真空度3. OX KT1Pa 4. 5 X KT1Pa之间。涂镀好AR膜层2和ITO膜层3后，在ITO膜层3上通过线路图形蚀刻加工形成电极图形，然后进行平板清洗和热烘干燥，再印刷OC胶绝缘层4。采用连续磁控溅射镀膜机镀MoAIMo导电膜层5，基片加热温度为100°C，镀膜室传动速度频率为0. 5m/min，在4号室等离子体离子预轰击，离子源功率lkW、Ar流量180 220sccm、真空度2. 6X KTTa 5. 5 X KT1I^a之间，总气压为0. 26 0. 55Pa，使用1个离子源进行等离子体离子预轰击，使用6个Mo靶和6个Al靶进行镀MoAlMo膜，镀膜室真空度3. OX KT1Pa 4. 5 X KT1Pa之间。该膜层制备工艺稳定，溅射速度快，日产量高。通过以上流程的镀制，可以一次性镀成透过率达到93%以上的高透触摸屏玻璃， 提高了屏幕显示分辨率。通过在ITO膜层3上通过线路图形蚀刻加工形成电极图形，进一步涂镀OC胶绝缘层4和MoAIMO导电膜层5，实现投射式电容式触摸屏所有功能，实现投射式电容屏的自主研发及产业化。以上所述是本实用新型的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种高透触摸屏玻璃，包括玻璃基片，其特征在于，在所述玻璃基片的一个表面上依次涂镀有AR膜层和ITO膜层。
2.如权利要求1所述的高透触摸屏玻璃，其特征在于，所述AR膜层的厚度为10 250nmo
3.如权利要求1所述的高透触摸屏玻璃，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为10 30nmo
4.如权利要求1所述的高透触摸屏玻璃，其特征在于，所述AR膜层和ITO膜层采用磁控溅射镀膜方式镀膜。
5.如权利要求1所述的高透触摸屏玻璃，其特征在于，所述玻璃基片采用透明的钢化玻璃或半钢化玻璃，厚度为0. 33 0. 55mm。
6.一种投射式电容触摸屏，其特征在于，包括具有单面涂层的玻璃面板以及依次涂镀于所述玻璃面板的涂层表面的OC胶绝缘层和MOAIMO导电膜层，所述玻璃面板为权利要求 1 5所述的高透触摸屏玻璃。
7.如权利要求6所述的投射式电容触摸屏，其特征在于，所述ITO膜层通过线路图形蚀刻加工形成电极图形。
8.如权利要求6所述的投射式电容触摸屏，其特征在于，所述AR膜层的厚度为10 250nmo
9.如权利要求6所述的投射式电容触摸屏，其特征在于，所述ITO膜层的厚度为10 30nmo
10.如权利要求6所述的投射式电容触摸屏，其特征在于，所述AR膜层和ITO膜层采用磁控溅射镀膜方式镀膜。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种高透触摸屏玻璃，该触摸屏玻璃包括玻璃基片以及在所述玻璃基片的一个表面上依次涂镀的AR膜层和ITO膜层。本实用新型还公开了一种投射式电容触摸屏，该电容触摸屏采用上述触摸屏玻璃并在触摸屏玻璃的涂层表面进一步印刷OC胶绝缘层并涂镀MoAlMo导电膜层。本实用新型的高透触摸屏玻璃和投射式电容触摸屏具有较高的成品率和透光率，生产成本较低。
文档编号C03C17/34GK202145304SQ201120253390
公开日2012年2月15日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者徐日宏, 李 东, 罗高军, 詹达勇, 郭永飞 申请人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司