技术特征：
技术总结
本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备方法通过所述单晶硅棒生长装置生长单晶硅棒；通过所述切割装置对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；通过所述裁切装置对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；通过所述清洗装置对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；通过所述硅片烘干装置将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备方法能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
技术研发人员：孟静;王书杰
受保护的技术使用者：孟静
技术研发日：2018.07.27
技术公布日：2018.11.30