本实用新型涉及到洁净厂房的防微振建筑结构的技术领域，尤其涉及到一种防微振平台。
背景技术：
在集成电路生产过程中，由于线宽尺寸越来越小，受制于环境的因素也越来越多，从一块硅片开始到一块芯片产出，中间要经过几百道物理、化学的加工工序，期间如果遭受任何污染，就会产生大量问题产品，如光刻工序，很小的微振动会引起对焦不准，曝光后的线路模糊，降低产品的成品率。除了对防微振动的要求，集成电路在生产过程中对空气的质量要求也比较高，空气在生产厂房内的滞留会携带较多的尘埃、颗粒、水汽、细菌等，不利于集成电路的生产。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种防微振平台，用以防微振平台的防振效果。
本实用新型提供了一种防微振平台，该防微振平台包括：平台本体以及环绕设置在所述平台本体上的围护墙，还包括设置在所述围护墙顶部且与所述平台本体相对的过滤器；其中，所述平台本体包括，
沿竖直方向层叠的第一平台层以及第二平台层，且所述第一平台层位于所述第二平台层上方；其中，所述第一平台层包括楼板，以及支撑所述楼板的多个交叉设置的梁，所述楼板上介于交叉设置的梁之间的间隙位置设置有多个通孔；
所述第一平台层与第二平台层之间设置有多个支撑柱，且每个支撑柱包括第一支撑柱以及第二支撑柱，且所述第二支撑柱的端面面积小于所述第一支撑柱的端面面积，所述第一支撑柱的横截面为倒置的梯形；其中，所述第一支撑柱与所述第一平台层连接，所述第二支撑柱穿过所述第二平台层并与所述第二平台层固定连接
所述过滤器吹出的气体穿过所述第一平台层上的通孔后在所述第一平台层及第二平台层之间的空隙吹出。
在上述实施例中，通过采用第一平台层支撑硅片，并且通过改善支撑第一平台层的支撑柱的结构、支撑柱之间的间隙与第一平台层的厚度的配合，使得防微振平台能够满足工艺生产区洁净度要求空气从上而下垂直层流的条件下，完成气流循环，其中防微振平台垂直方向振动满足微振动控制标准VC-D(即6.25微米/秒)的要求，或者垂直方向振动满足微振动控制标准VC-D+(即4.6微米/秒)的要求，提高了防微振效果。
在一个具体的实施方案中，所述梁的高度不低于1100mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为6000mm；所述支撑柱的截面积不低于600x600mm2或，
所述梁的高度不低于1000mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为4800mm；所述支撑柱的截面积不低于600x600mm2或，
所述梁的高度不低于1350mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为7200mm，所述支撑柱的截面积不低于700x700mm2。
在一个具体的实施方案中，所述梁的横截面为倒置的等腰梯形结构。通过采用梯形结构提高了梁的支撑效果，在满足气流顺畅向下流动的情况下，进而提高了第一平台层的防振效果。
在一个具体的实施方案中，所述梁顶侧的宽度为350mm，底侧的宽度为200mm。在满足气流顺畅向下流动的情况下，提高了第一平台层的防振效果。
在一个具体的实施方案中，所述第二平台层的高度为5300mm～6500mm；所述第一平台层的高度为6500mm～7000mm；或，
所述第二平台层的高度为5300mm～7300mm；所述第一平台层的高度为6500mm～8500mm。
在一个具体的实施方案中，所述第一平台层的开孔率不低于25.04％。在保证第一平台层的支撑效果的同时，保证第一平台层的通风效果。
在一个具体的实施方案中，所述楼板的厚度不小于200mm。提高第一平台层的支撑效果。
在一个具体的实施方案中，所述梁宽为200～300mm。
在一个具体的实施方案中，相邻的孔之间的中心距为600mm。提高空气流通的均匀性。
在一个具体的实施方案中，还包括厂房，所述第一平台层、第二平台层及所述过滤器位于所述厂房内，且所述第二平台层与所述厂房固定连接。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的防微振平台的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的防微振平台的第一平台层的结构示意图；
图3为图2中A-A处的剖视图；
图4为图2中B-B处的剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1、图2、图3及图4所示，其中，图1为本实用新型实施例提供的防微振平台的结构示意图；图2为本实用新型实施例提供的防微振平台的第一平台层21的结构示意图。图3为图2中A-A处的剖视图；图4为图2中B-B处的剖视图。
如图1所示，本实用新型提供了一种防微振平台，该防微振平台包括一个平台本体2以及环绕设置在平台本体2上的围护墙4，还包括设置在围护墙4顶部且与平台本体2相对的过滤器1；并且在具体设置时，如图1所示，平台本体2、围护墙4以及过滤器1位于厂房3内，从而通过厂房3保护提供一个较安全的空间。
一并参考图1及图2，该平台本体2为一个层叠的结构，其包括沿竖直方向层叠的第一平台层21以及第二平台层22，并且第一平台层21位于第二平台层22上方；还包括支撑第一平台层21及第二平台层22的多个支撑柱23；其中，第一平台层21包括楼板212，以及支撑楼板212的多个交叉设置的梁211，如图2及图3所示，首先参考图2，该第一平台层21包括多个梁211，分为沿第一方向排列的第一梁211，以及沿第二方向排列的第二梁211，且第一方向与第二方向垂直，因此，多个第一梁211与多个第二梁211交叉形成一个棋盘状的网格以支撑楼板212；其中，该梁211采用钢筋混凝土华夫板现浇的方式形成，如图3及图4所示，梁211的横截面为倒置的等腰梯形结构。即顶部宽，底部窄的结构，在具体设置时，梁211顶侧的宽度为350mm，底侧的宽度为200mm。以良好的支撑楼板212。
在本实施例中，楼板212的厚度不小于200mm，如300mm、400mm等厚度，以提高防振效果。此外，楼板212上设置了多个通孔213，如图1所示，过滤器1吹出的气体穿过第一平台层21上的通孔213后在第一平台层21及第二平台层22之间的空隙吹出。并在围护墙4外上升到过滤器1的位置，从而形成一个气流的循环，如图1中带箭头的线条所示，该带箭头的线条示出了空气流动的方向。在具体设置时，如图2所示，通孔213设置在楼板212上介于交叉设置的梁211之间的间隙位置；并且在具体设置通孔213时，第一平台层21的开孔率不低于25.04％，如25.04％、25.1％、25.4％、25.6％、25.8％、25.9％等，以在保证支撑强度的前提下，便于空气的流通。在图2中，每个梁211之间交叉形成的间隙的位置上设置了四个通孔213。并且每个通孔213的直径为350mm，并且通孔213之间的间距为600mm。以保证风能够有良好的通过性。
其中的第二平台层22也为楼板，且在具体设置时，该楼板上没有通孔，在第一平台层21穿过的风吹到第二平台层22后变向，从而第一平台层21及第二平台层22之间的间隙吹出。并且在具体设置时，第二平台层22与厂房3固定连接。从而提高第二平台层22的稳定性，并且将厂房3分割成两层，使得空气可以在第二平台层22的上方形成循环。在具体设置时，该第二平台层21的厚度不小于500mm。
在本实施例中，如图1及图3所示，第一平台层21与第二平台层22之间设置有多个支撑柱23，在具体设置时，通过梁与支撑柱之间的配合实现不同等级的防微振动的效果，以实现不同要求的防微振平台。如：防微振平台2：所述梁的高度不低于1100mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为6000mm；所述支撑柱的截面积不低于600x600mm2，或者防微振平台1：所述梁的高度不低于1000mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为4800mm；所述支撑柱的截面积不低于600x600mm2；或，防微振平台3：所述梁的高度不低于1350mm，任意相邻的支撑柱之间的间距为7200mm，所述支撑柱的截面积不低于700x700mm2。此外，在具体支撑时，对于防微振平台3第二平台层22的高度为5300mm～7300mm；第一平台层21的高度为6500mm～7300mm；对于防微振平台1、所述第二平台层的高度为5300mm～6500mm；对于防微振平台2所述第一平台层的高度为6500mm～7000mm。
在采用上述结构形成的防微振平台1、防微振平台2及防微振平台3中，其中，防微振平台1及防微振平台3的垂直方向振动在1～80Hz范围内，三分之一倍频带(one-third Octave band)的振动幅值(RMS值)不高于微振动控制标准VC-D+(即4.6微米/秒)；防微振平台2的垂直方向振动在1～80Hz范围内，三分之一倍频带(one-third Octave band)的振动幅值(RMS值)不高于微振动控制标准VC-D(即6.25微米/秒)。
在上述实施例中，通过采用第一平台层21支撑硅片，并且通过改善支撑第一平台层21的支撑柱23的结构、支撑柱23之间的间隙与第一平台层21的厚度的配合，使得防微振平台2(柱间距6米)能够满足垂直方向振动满足微振动控制标准VC-D(即6.25微米/秒)的要求，防微振平台1(柱间距4.8米)、防微振平台3(柱间距7.2米)垂直方向振动满足微振动控制标准VC-D+(即4.6微米/秒)的要求，提高了防振效果。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。