一种新型微发泡碳晶石墙板及其加工工艺的制作方法

1.本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种新型微发泡碳晶石墙板及其加工工艺。


背景技术：

2.现代社会高速发展，各种类型建筑如雨后春笋拔地而起，用于建筑表面的装饰板需求不断增强；建筑装饰板是铺设或涂装在建筑物表面起装饰和美化环境作用的材料，它是集材料、工艺、造型设计、美学于一身的材料，是建筑装饰工程的重要物质基础。
3.目前传统墙面装饰采用墙纸、集成墙板以及木纤维墙板；墙纸要求墙面平整度较高，且需采用胶水将其粘贴在墙面上，长时间使用易出现脱落且防水防潮性能差，防火性能差，影响正常使用；集成墙板采用中空结构，厚度较高，占用较多的装饰空间，产品受到外力冲击时，易出现损坏及变形；木纤维墙板其主要基材就是密度板，外覆膜装饰材料，遇水或潮湿环境易出现分层及变形，高压生产密度板过程中添加了较多的胶水起粘合作用，生产成墙面装饰材料后，往往在使用空间中出现甲醛超标问题。
4.因此，需要一种新型微发泡碳晶石墙板及其加工工艺，用以解决在对墙面采用墙纸、集成墙板以及木纤维墙板进行装饰时其综合性能较差的问题。


技术实现要素：

5.本发明提出的一种新型微发泡碳晶石墙板及其加工工艺，解决了在对墙面采用墙纸、集成墙板以及木纤维墙板进行装饰时其综合性能较差的问题。
6.为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种新型微发泡碳晶石墙板，包括基材层，所述基材层用于墙板的基础底层；
7.无纺布层，所述无纺布层设置于所述基材层的顶面；
8.pvc彩膜层，所述pvc彩膜层设置于无纺布层的顶面，所述基材层的表面涂布设置有pur热熔胶，所述无纺布层与所述pvc彩膜层依次压合于所述基材层的表面；
9.pvc耐磨层，所述pvc耐磨层设置于所述pvc彩膜层的顶面。
10.优选的，所述基材层包括pvc树脂、轻质碳酸钙、碳晶石、钙锌稳定剂、黄发泡剂、白发泡剂、发泡调整剂、硬脂酸、pe蜡、cpe、高温氧化蜡。
11.一种新型微发泡碳晶石墙板加工工艺，包括以下步骤：
12.s1、混料：通过自动计量系统，将pvc树脂、轻质碳酸钙、碳晶石、钙锌稳定剂、黄发泡剂、白发泡剂、发泡调整剂、硬脂酸、pe 蜡、cpe、高温氧化蜡按照比例加工助剂按照先后顺序送至100-120℃的高温混料机中，先低速搅拌1-3min，转高速搅拌至料温达到 100-120℃；
13.s2、挤出发泡：将步骤s1中的物料经过渡仓送至储料罐中，通过下料斗在170-200℃时将物料通过双螺杆挤出机将粉状物料先微发泡后挤成块状，再经过150-170℃合流芯将块状物料挤压成10-15cm 直径的连续性圆柱状，最后通过180-200℃的t型模具将圆柱型
物料延展成连续性片状材料，接着通过电光棍控制料片厚度4-8mm，通过牵引装置对其进行牵引、冷却定型后，按照需要的尺寸进行裁片，得到所需的碳晶石基材层板；
14.s3、贴膜：将步骤s2中进行裁片所得的碳晶石基材层板放置于涂布工作台上，通过涂布装置上的机械手上料涂布50-80g/
㎡
的pur 热熔胶，将pvc彩膜层表面进行uv耐磨处理，并对其进行表面涂层，使得pvc彩膜层表面铺设pvc耐磨层，控制pvc彩膜层的放卷张力，将pvc彩膜层覆合在碳晶石基材层板上，再通过橡胶压制辊将pvc彩膜层与基材层贴合更紧密，得到碳晶石墙板；
15.s4、淋膜：将步骤s3中贴膜处理的碳晶石墙板通过淋膜处理装置对其表面进行淋膜处理。
16.优选的，所述步骤s1中的比例为pvc树脂100-150份、轻质碳酸钙50-120份、碳晶石5-15份、钙锌稳定剂2-8份、黄发泡剂0.5-2 份、白发泡剂0.5-2份、发泡调整剂5-15份、硬脂酸1-3份、pe蜡 0.5-2份、cpe2-8份、高温氧化蜡0.5-2份。
17.优选的，所述步骤s3中pur热熔胶表面进行加温流平处理，加温流平处理完成后对其进行加湿处理。
18.优选的，所述步骤s3中铺设的pvc耐磨层含有厚度为100-800nm 的片状无机填料。
19.优选的，所述步骤s4中的碳晶石墙板淋膜处理工序为两道。
20.优选的，所述步骤s4中经两道淋膜表面处理后的碳晶石墙板进行顶针法测试处理。
21.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
22.1、本发明中碳晶石墙板引入碳晶石原料，提高产品耐候性能，并且在对其进行贴膜处理时pur热熔胶涂布后通过加湿处理，提高覆膜后胶水固化速度；pvc彩膜层底衬无纺布层，提高pvc彩膜层与基材层之间附着力；pvc耐磨层添加纳米级厚度的片状无机填料，提高耐磨性和对彩膜层油墨迁移的阻隔性；此外通过无纺布层缓冲，可避免胶水分散不均凸显在墙板外观，碳晶石墙板在使用过程中其产品热稳定性，抗变形性能、耐刮性能、耐磨性能更佳。
23.2、本发明中经两道淋膜表面处理后的碳晶石墙板进行顶针法测试处理，大大提高墙板表面耐刮强度，并且有效提高板材的尺寸稳定性及刚性。
附图说明
24.图1为本发明提出的一种新型微发泡碳晶石墙板的结构示意图；
25.图2为本发明提出的一种新型微发泡碳晶石墙板加工工艺的系统框图。
26.图中：1、基材层；2、pvc彩膜层；3、无纺布层；4、pvc耐磨层。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
28.参照图1-2，一种新型微发泡碳晶石墙板，包括基材层1，基材层1用于墙板的基础底层；无纺布层2设置于基材层1的顶面；pvc 彩膜层3，pvc彩膜层3设置于无纺布层2的顶面，基材层1的表面涂布设置有pur热熔胶，无纺布层2与pvc彩膜层3依次压合于基材层1的
表面；pvc耐磨层4，pvc耐磨层4设置于pvc彩膜层3的顶面，pvc耐磨层4含有纳米级厚度的片状无机填料。
29.其中基材层1包括pvc树脂、轻质碳酸钙、碳晶石、钙锌稳定剂、黄发泡剂、白发泡剂、发泡调整剂、硬脂酸、pe蜡、cpe、高温氧化蜡。
30.一种新型微发泡碳晶石墙板加工工艺，包括以下步骤：
31.s1、混料：通过自动计量系统，将pvc树脂、800目轻质碳酸钙、碳晶石、钙锌稳定剂、黄发泡剂、白发泡剂、发泡调整剂、硬脂酸、 pe蜡、cpe、高温氧化蜡按照比例加工助剂按照先后顺序送至 100-120℃的高温混料机中，先低速搅拌1-3min，转高速搅拌至料温达到100-120℃；
32.具体的，步骤s1中材料配比可参照下表：
[0033][0034]
在步骤s1中引入碳晶石材料，控制发泡倍率，提高抗弯曲性能。
[0035]
s2、挤出发泡：将步骤s1中的物料经过渡仓送至储料罐中，通过下料斗在170-200℃时将物料通过双螺杆挤出机将粉状物料先微发泡后挤成块状，再经过150-170℃合流芯将块状物料挤压成10-15cm 直径的连续性圆柱状，最后通过180-200℃的t型模具将圆柱型物料延展成连续性片状材料，接着通过电光棍控制料片厚度4-8mm，通过牵引装置对其进行牵引、冷却定型后，按照需要的尺寸进行裁片，得到所需的碳晶石基材层1；
[0036]
具体的，双螺杆挤出机各段温度设定参数可参照下表：
[0037][0038]
牵引装置工艺参数设定可参照下表：
[0039]
类型主机转速喂料转速主机电流喂料电流牵引速度参数25-30rpm15-20rpm100-130a1.0-5.0a10m/min
[0040]
s3、贴膜：将步骤s2中进行裁片所得的碳晶石基材层1放置于涂布工作台上，通过涂布装置上的机械手上料涂布50-80g/
㎡
的pur 热熔胶，pur热熔胶表面通过加湿处理，将pvc彩膜层3表面进行耐磨处理，并对其进行表面涂层，使得pvc彩膜层3表面铺设pvc耐磨层4，铺设的pvc耐磨层4含有添加量为0-5％的厚度为100-800nm的云母或片状氧化铝填料，提高耐磨性和对彩膜层油墨迁移的阻隔性；控制pvc彩膜层3的放卷张力，将pvc彩膜层3覆合
在碳晶石基材层 1上，再通过橡胶压制辊将pvc彩膜层3与基材层1贴合更紧密，得到碳晶石墙板；
[0041]
具体的，通过pur热熔胶将pvc彩膜层3贴合在基材层1上，调整pvc彩膜层3卷取张力，可有效避免气泡及鼓包异常，并通过加温流平处理，促进pur胶固化速度以及均匀分布效果。
[0042]
贴膜工序的涂布装置工艺参数可参照下表：
[0043][0044]
s4、淋膜：将步骤s3中贴膜处理的碳晶石墙板通过淋膜处理装置对其表面进行淋膜处理；
[0045]
具体的，碳晶石墙板淋膜处理工序为两道，经两道淋膜表面处理后的碳晶石墙板进行顶针法测试处理，顶针法测试可达到2500g，大大提高墙板表面耐刮强度，并且有效提高板材的尺寸稳定性及刚性；高温时不易出现板材变形，低温时不发脆具有较强的刚性。
[0046]
具体的，淋膜装置的工艺参数可参照如下：
[0047][0048]
综上，碳晶石墙板引入碳晶石原料，提高产品耐候性能，并且在对其进行贴膜处理时pur热熔胶涂布后通过加湿处理，提高覆膜后胶水固化速度，并且pvc彩膜层3底衬无纺布层2，提高pvc彩膜层3 与基材层1之间附着力，另一方面通过无纺布层2缓冲，可避免胶水分散不均凸显在墙板外观。
[0049]
在实际应用中发现，微发泡碳晶石墙板对比传统pvc发泡墙板的技术指标差异如下：
[0050][0051]
从以上对比技术指标可看出，微发泡碳晶石墙板较传统pvc发泡墙板在关键数据具有明显的优势，在产品热稳定性，抗变形性能、耐刮性能、耐磨性能更佳。
[0052]
此外基材层1的底部一侧侧壁可通过开槽装置开设有榫槽，基材层1的另一侧侧壁设置与榫槽相适配的榫头，碳晶石墙板可通过榫头及榫槽进行安装，提高其在安装使用时的便捷性。
[0053]
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。