下耦合器、料理机主机及料理机的制作方法

1.本技术涉及小家电技术领域，尤其涉及下耦合器、料理机主机及料理机。


背景技术：

2.料理机包括料理机主机及料理杯组件。所述料理机主机包括下耦合器。料理杯组件包括上耦合器。在所述料理杯组件放置于所述料理机主机的情况下，所述上耦合器和所述下耦合器与插接。
3.通常情况下，为了便于下耦合器和上耦合器插接，下耦合器的插口裸露在外。在消费者擦拭所述料理机主机(如果抹布水量较大)或者清洗料理机主机的情况下，水容易进入导致耐压不良或者相关部件过压受损，比如，ntc的损坏。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种下耦合器、料理机主机及料理机。所述下耦合器耐压好，相关部件(比如ntc)不容易被过压损坏。
5.本技术提供一种下耦合器。所述下耦合器包括耦合器壳体、多个导电片和耦合器上盖。多个导电片组装于所述耦合器壳体内。耦合器上盖与所述耦合器壳体组装，设置有与所述导电片一一对应的通孔，相邻所述通孔之间构成上盖连接部。耦合器密封件组装于所述耦合器壳体，包括位于所述通孔内且一一对应的位于所述导电片上方的插接部，相邻的插接部之间构成密封件连接部，所述密封件连接部与所述上盖连接部通过间隔的凹凸结构实现密封。
6.如上述设置，即使抹布水量较大，或者用水冲洗使得水积在所述耦合器密封件的插接部与通孔的侧壁之间，料理杯组件放置于料理机主机，上耦合器插接的力使得耦合器密封件与耦合器上盖之间的间隙增大，因为上盖连接部与密封件连接部之间通过间隔的凹凸结构实现密封，凹凸结构是间隔设置而具有阻挡作用，通电瞬间的高压不会导致间隔的凹凸结构两侧的积水导通，耐压效果好，也不容易导致相关部件过压损坏，尤其是ntc不容易损坏(或者在某些情况下，ntc不会因为过压损坏)。在一些情况下，间隔设置的凹凸结构能够提供足够的爬电距离而能够阻挡间隔的凹凸结构两侧的积水导通而能使得耐压效果好，不会因为高压导致相关部件过压损坏(尤其是ntc损坏)。
7.在一些实施方式中，所述上盖连接部设置间隔的防水筋，且所述防水筋压入所述耦合器密封件以构成所述凹凸结构；或者，所述耦合器密封件的顶面设置有凹槽，所述防水筋位于所述凹槽内实现所述凹凸结构；或者，所述上盖连接部设置有间隔的凹槽，所述耦合器密封件设置有间隔的防水筋，所述防水筋与所述凹槽一一对应构成凹凸结构。
8.如上述设置，虽然上述三种方式均能达到耐压效果好，不会因为高压导致相关部件过压损坏的问题，但是，相邻所述通孔的相邻边缘之间设置间隔的防水筋，且所述防水筋压入所述耦合器密封件以构成所述凹凸结构这种方式与其他方式相比，耦合器上盖的结构更为简单，实现所述密封的方式也更简单，因为，耦合器上盖与耦合器壳体组装完成即可实
现所述凹凸结构，不涉及防水筋与凹槽对准的问题，进而，耐压效果好，或者，高压不会导致部件过压损坏。
9.在一些实施方式中，所述防水筋有两条，且所述防水筋之间的间隔为d，1mm≤d≤5mm。
10.如上述设置，由于1mm≤d≤5mm，所述间隔设置的凹凸结构不仅起到隔开作用，而且距离d提供了足够的爬电距离，在上耦合器和下耦合器之间通电的情况下，瞬间高压不会导致积水导通，耐压效果好，更不容易导致部件过压损坏(比如ntc过压损坏)。
11.在一些实施方式中，所述耦合器壳体包括对应所述凹凸结构的多个支撑部；所述支撑部与所述耦合器上盖抵紧，以使得所述凹凸结构紧密配合；和/或，所述凹凸结构位于所述通孔的边缘。
12.如上述设置，所述支撑部与所述耦合器上盖抵紧，以使得所述凹凸结构紧密配合，进而，密封更可靠，瞬间高压更不容易使得积水导通，所述下耦合器耐压效果好，不容易导致相关部件过压损坏，尤其是ntc的损坏。由于所述凹凸结构位于所述通孔的边缘，这样，距离更远，瞬间高压更不容易使得技术导通，耐压效果更好，更不容易导致相关部件过压损坏。
13.在一些实施方式中，所述插接部包括贯穿所述耦合器密封件的插口，所述下耦合器包括供所述导电片组装的导电片支架，所述耦合器壳体包括隔开所述导电片支架的隔板和挡筋，所述隔板与所述导电片支架之间具有缝隙。所述导电片支架呈阵列设置，所述导电片包括与上耦合器插接的插接表面，所述挡筋连接于所述隔板且竖直向下延伸，并平行于所述插接表面，所述挡筋的端面低于所述导电片支架。
14.如上述设置，由于所述挡筋连接于所述隔板且竖直向下延伸，并平行于所述插接表面，所述挡筋的端面低于所述导电片支架，即使水迹积在隔板与导电片支架构成的缝隙的开口处，因为挡筋的阻挡作用，再加之挡筋两侧的水迹为少量，因此，当在料理机主机上放置所述料理杯组件，即上耦合器和下耦合器通电后，不容易有将该位置击穿的风险，也不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
15.在一些实施方式中，所述挡筋还满足如下条件至少之一：
16.(a)所述挡筋的端面低于所述导电片支架的距离为h，1.5mm≤h≤5mm；如上述设置，所述1.5mm≤h≤5mm，不仅更不容易有将该位置击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生，而且耦合器壳体的出模性以及下耦合器在整机更容易装配。
17.(b)所述插口包括插缝，所述插缝与所述挡筋平行；如上述设置，由于所述插缝与所述挡筋平行，这样，导电片和所述导电片支架所占空间小，有利于减小所述下耦合器的空间。
18.(c)所述挡筋的每个端部在水平方向超出对应的所述导电片支架。如上述设置，由于挡筋的每个端部在水平方向超出对应的所述导电片支架，因此，位于挡筋的端部附近的水也不会被导通，进而，更不容易有将该位置击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
19.在一些实施方式中，所述挡筋的每个端部在水平方向超出所述导电片支架的距离为l，1.2mm≤l≤4mm。
20.如上述设置，位于挡筋的端部附近的水更不会被导通，进而，更不容易有将该位置
击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
21.在一些实施方式中，相邻所述导电片之间沿平行于所述挡筋方向的间距为w，3mm≤w≤8mm。
22.如上述设置，在平行于挡筋的方向上，导电片不会因为水等而导通，从而，只需要设置所述挡筋即可改善所述耐压情况，使得下耦合器耐压好，相关部件(比如ntc)不容易损坏。
23.在一些实施方式中，所述隔板和所述挡筋的厚度均为t，1mm≤t≤2mm。
24.如上述设置，1mm≤t≤2mm能确保从插口进入的水在所述隔板12表面形成少量水迹，进而，确保所述挡筋到所述作用。
25.另一方面，本技术的实施方式公开一种料理机主机。所述料理机主机包括主机外壳和前述任何一种下耦合器，所述下耦合器组装于所述主机外壳。如上述设置，所述料理机主机至少具有所述下耦合器的有益效果，不再赘述。
26.再一方面，本技术的实施方式公开一种料理机。所述料理机包括料理杯组件和前述料理机主机，所述料理杯组件包括上耦合器，所述上耦合器包括插接端子，所述插接端子与相应的所述导电片插接。如上述设置，所述料理机至少具有所述下耦合器的有益效果，不再赘述。
附图说明
27.图1是一种料理机的剖视图；
28.图2是图1所示的料理机的下耦合器的分解图；
29.图3是图2所示的耦合器上盖的立体图；
30.图4是图2所示的耦合器壳体的立体图；
31.图5是图2所示的下耦合器于组装状态下的剖视图；
32.图6是根据本技术的实施方式示出的一种料理机的立体图；
33.图7是图6所示的料理机主机的剖视图；
34.图8是根据本技术的实施方式示出的下耦合器的分解图；
35.图9是根据本技术的实施方式示出的耦合器上盖的示意图；
36.图10是根据本技术的实施方式示出的耦合器壳体的示意图；
37.图11是根据本技术的实施方式示出的下耦合器的俯视图；
38.图12是沿图11的a-a向的剖视图；
39.图13是图12中a部分的放大图；
40.图14是图12中b部分的放大图；
41.图15是沿图11的b-b线的剖视图；
42.图16是图15中d部分的放大图。
具体实施方式
43.这里将详细地对示例性实施方式进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施方式中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如
所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置的例子。
44.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施方式的目的，而非旨在限制本技术。除非另作定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
45.图1公开一种料理机。所述料理机包括料理机主机100和料理杯组件200。所述料理杯组件200包括上耦合器201。所述料理机主机100包括主机外壳20和下耦合器10。下耦合器10组装于所述主机外壳20。料理机主机100还包括电机40，相应的，料理杯组件200还包括料理杯202和与料理杯202组装的搅拌刀组件203。电机40驱动搅拌刀组件203转动以搅打料理杯202内的食材。在一些实施方式中，料理机也可以包括加热组件，加热组件用于加热料理杯202内的食材。
46.请参阅图2和图5并结合图3和图4，所述下耦合器10包括耦合器壳体1、多个导电片2(图5中示意出6片导电片2)、耦合器上盖3、耦合器密封件4和导电片支架5。如图4所示，耦合器壳体1在本技术的实施方式中包括多个贯穿耦合器壳体1的安装孔11和隔板12。所述隔板12由安装孔11的侧壁和所述侧壁之间的部分构成。导电片2和导电片支架5一一对应组装，如何组装可以采用任意结构，不再赘述。导电片2组装于导电片支架5后，导电片支架5组装于所述耦合器壳体1。当然，在一些实施方式中，导电片支架5也可以与耦合器壳体1一体设置，这样，可以认为导电片2组装于耦合器壳体1内。
47.请参阅图3并结合图2和图5，耦合器上盖3与所述耦合器壳体1组装，设置有与所述导电片2一一对应的通孔31以及纵横交错的密封筋30(密封筋30的作用如后叙述)。耦合器密封件4组装于耦合器壳体1，包括伸出所述通孔31的插接部41，图5示意出插接部41伸出通孔31的状态。
48.上述料理机存在耐压不好或者相关部件(比如ntc)过压受损的问题，为此，技术人员分析对上述料理机进行如下分析而发现产生问题的原因。
49.在消费者擦拭下耦合器10时，擦拭下耦合器10的力将使得插接部41与通孔31之间的间隙变大，如果抹布吸水较多，挤出的水会沿图5箭头a所示方向流入插接部41与通孔31的侧壁之间的间隙内，从而，积在插接部41与通孔31的侧壁之间。如果消费者用水冲洗料理机主机100，冲击力也会使得插接部41与通孔31的侧壁之间的间隙变大，进而，水会积在插接部41与通孔31的侧壁之间。在料理杯组件200放置于料理机主机100的情况下，上耦合器201与下耦合器10插接，此时，上耦合器201的插入施加作用力于插接部41使得插接部41发
生变形，变形使得密封筋30与耦合器密封件4之间的缝隙增大，进而，密封筋30两侧的积水汇集，在通电瞬间的高压会导致密封筋30两侧的积水导通，产生耐压不良的后果，或者导致相关部件过压损坏，尤其是ntc的损坏。特别的，密封筋30用于防水，宽度通常为1mm左右，更加容易导致前述耐压不良的后果，以及导致部件过压损坏。
50.在另一方面，插接部41的插口411为开口式，如图2所述，插口411呈工字型，当然，在一些情况下，插口411也可以呈一字形。上耦合器201的插针插入下耦合器10的情况下，插针使得插口411张开。在料理杯组件200取走后，插口411利用硅胶自身的张力闭合而实现密封。当擦拭或者用水清洗时，擦拭的力或者水的冲力也很容易使得所述插口411张开，从而，水容易进入下耦合器10内，一部分水从排水孔排出，少量的水会沿着如图5的虚线箭头b(为了不因线条影响图的其他部分，图中仅用虚线箭头b示意出一侧)所示路径流经导电片支架5与耦合器壳体1的隔板12之间的缝隙到达隔板12的端部与导电片支架5之间(可以认为是开口a处)。由于结构的限制，隔板12较薄，一般为1.5mm左右，微量的水会在隔板12表面形成少量的水迹。当装上料理杯组件200时，即上耦合器201和下耦合器10通电后，该位置有被击穿的风险，导致部件受损(比如，ntc受损)或其它部件短路问题发生。
51.为解决耦合器密封件4与耦合器上盖3之间的密封筋30导致耐压不良的后果，以及导致部件过压损坏的问题，本技术的实施方式公开一种下耦合器10。这种下耦合器10与图1和图2所示下耦合器10相比，主要改进耦合器上盖3。如下，结合相应附图分别说明。
52.请参阅图12并结合图13、图11以及图15并结合图16，一种下耦合器10包括耦合器壳体1、多个导电片2、耦合器上盖3和耦合器密封件4。多个导电片2组装于耦合器壳体1内。从图8和图11可以看出，导电片2有六个呈两排。根据下耦合器10传输信号所需，导电片2也可以为其他数量。耦合器上盖3与所述耦合器壳体1组装，如何组装可以采用任意结构。
53.请参阅图9、图13并结合图12以及图16并结合图15并将它们与图3比较，所述耦合器上盖3设置有与所述导电片2的一一对应的通孔31，相邻所述通孔31之间构成上盖连接部311。上盖连接部311设置间隔的防水筋32。防水筋32在上盖连接部311上的位置不限，能间隔设置即可。参阅图13并结合图12以及图15并结合图14，耦合器密封件4组装于所述耦合器壳体1，包括位于所述通孔31内且一一对应的位于所述导电片2上方的插接部41。相邻的插接部41之间构成密封件连接部401。所述密封件连接部401与所述上盖连接部311通过间隔的凹凸结构3a实现密封。在一些实施方式中，所述插接部41包括贯穿所述耦合器密封件4的插口411，当然，技术人员可以理解，在其他实施方式中，上耦合器201和下耦合器10之间可以不通过插口411插接，不再赘述。参阅图13并结合图12以及图16并结合图15，一种凹凸结构3a的构成如下：所述防水筋32与所述耦合器密封件4抵压，并压入所述耦合器密封件4内，将图13和图16与图8比较可知，在图8中，插接部41从所述耦合器密封件4的上表面凸伸，上表面位于相邻的插接部41之间的部分为平面，但是，在图13和图16中，耦合器上盖3和耦合器壳体1组装后，防水筋32压入耦合器密封件4后，在所述上表面位于相邻的插接部41之间的部分相应形成凹槽42。
54.前述防水筋32抵压所述上表面形成所述凹槽42构成一种凹凸结构3a，基于这种技术启示，技术人员可以理解，构成凹凸结构3a的方式不限，比如，所述耦合器密封件4的顶面设置有凹槽42，所述防水筋32位于所述凹槽42内实现所述凹凸结构3a，又比如，所述防水筋32的位置和所述凹槽42的位置对调，也就是，相邻所述通孔31的边缘之间设置有间隔的凹
槽，所述耦合器密封件4设置有间隔的防水筋，所述防水筋32与所述凹槽一一对应构成凹凸结构3a。
55.如上述设置，即使抹布水量较大，或者用水冲洗的情况下，水积所述耦合器密封件4的插接部41与通孔31的侧壁之间(如图12、图15和图16所示)，在料理杯组件200放置于料理机主机100，上耦合器201插接的力使得耦合器密封件4与耦合器上盖3之间的间隙增大(或者说与通孔31的侧壁之间的间隙)，因为上盖连接部311与密封件连接部401之间通过间隔的凹凸结构3a实现密封，凹凸结构3a是间隔设置而具有阻挡作用，通电瞬间的高压不会导致间隔的凹凸结构3a两侧的积水导通，耐压效果好，也不容易导致相关部件过压损坏，尤其是ntc不容易损坏(或者在某些情况下，ntc不会因为过压损坏)。特别的，在一些情况下，间隔设置的凹凸结构3a能够提供足够的爬电距离而能够阻挡间隔的凹凸结构3a两侧的积水导通而能使得耐压效果好，不会因为高压导致相关部件过压损坏(尤其是ntc损坏)。
56.上述构成凹凸结构3a的实施方式中，上盖连接部311设置间隔的防水筋32，且所述防水筋32压入所述耦合器密封件4以构成所述凹凸结构这种方式与其他方式相比，耦合器上盖3的结构更为简单，实现所述密封的方式也更简单，因为，耦合器上盖3与耦合器壳体1组装完成即可实现所述凹凸结构3a，不涉及防水筋32与凹槽对准的问题，进而，耐压效果好，或者，高压不会导致部件过压损坏。
57.请参阅图9、图12、图13和图16，在一些实施方式中，所述防水筋32有两条，且所述防水筋32之间的间隔为d，1mm≤d≤5mm，比如，1mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm、2mm、2.3mm、2.5mm、2.8mm、3mm、3.3mm、3.8mm、4mm、4.2mm、4.5mm、4.8mm或5mm等等。
58.如上述设置，由于1mm≤d≤5mm，所述间隔设置的凹凸结构3a不仅起到隔开作用，而且距离d提供了足够的爬电距离，在上耦合器201和下耦合器10之间通电的情况下，瞬间高压不会导致积水导通，耐压效果好，更不容易导致部件过压损坏(比如ntc过压损坏)。
59.请参阅图13并结合图12以及图16并结合图15，在一些实施方式中，所述耦合器壳体1包括对应凹凸结构(本技术的实施方式中对应所述防水筋32)的多个支撑部13。所述支撑部13与所述耦合器上盖3抵紧，以使得所述凹凸结构紧密配合。
60.如上述设置，由于所述支撑部13与所述耦合器上盖3抵紧，以使得所述凹凸结构紧密配合，比如，防水筋32更加抵紧所述耦合器密封件4，或者，防水筋32与所述凹槽更紧密配合，进而，密封更可靠，瞬间高压更不容易使得积水导通，所述下耦合器10耐压效果好，不容易导致相关部件过压损坏，尤其是ntc的损坏。
61.请参阅图12，在一些实施方式中，所述凹凸结构3a位于所述通孔31的边缘。由于所述凹凸结构3a位于所述通孔31的边缘，这样，距离更远，瞬间高压更不容易使得技术导通，耐压效果更好，更不容易导致相关部件过压损坏。比如三条。以图9为例解释通孔31的边缘，图9中，六个导电片2排成两行三列，相应的，通孔31也排成两行三列。如图9所示，第一行第一列的通孔31和第二行第一列的通孔31为相邻的通孔31，相应的，第一行第一列的通孔31和第二行第一列各通孔31的边缘设置有两条防水筋32。在本技术的实施方式中，沿行的方向，各防水筋32连接成一条直线，当然，在图9中，有两条防水筋32是连续的，技术人员可以理解，防水筋32也可以是断开的。同样的道理，第一行第二列的通孔31和第一行第二列的通孔31为相邻的通孔31，第一行第一列的通孔31和第一行第二列的通孔31之间设置有两条防水筋32。
62.进一步的，为了解决耦合器密封件4的插口411而引起导电片支架5与隔板12之间的缝隙有少量水迹，导致或其它部件短路问题发生的问题，本技术的实施方式提供一种下耦合器10。这种下耦合器10与图1和图2所示的下耦合器10相比，主要改进耦合器壳体1。如下结合附图说明。
63.请参阅图10、图14和图15并将它们与图4比较，所述插接部41包括贯穿所述耦合器密封件4的插口411。插口411的结构如前所述。所述下耦合器10包括供所述导电片2组装的导电片支架5。所述耦合器壳体1包括隔开所述导电片支架5的隔板12和挡筋14。所述隔板12与所述导电片支架5之间具有缝隙。所述导电片支架5呈阵列设置。如图8所示，所述导电片2包括与上耦合器插接的插接表面21。所述挡筋14连接于所述隔板12且竖直向下延伸，并平行于所述插接表面21(可以参考图8的虚线a为参考，挡筋14平行于虚线a，插接表面21也平行于虚线a)，参考图10和图11，在本技术的实施方式中，挡筋14位于相邻行的导电片支架5之间。所述挡筋14的端面低于所述导电片支架5。
64.如上述设置，由于所述挡筋14连接于所述隔板12且竖直向下延伸，并平行于所述插接表面21，所述挡筋14的端面低于所述导电片支架5，即使水迹积在隔板12与导电片支架5构成的缝隙的开口处(如图12和图14中a处，为了不因线条影响图的其他部分，图中仅用虚线箭头b示意出一条路径)，因为挡筋14的阻挡作用，再加之挡筋14两侧的水迹为少量，因此，当在料理机主机100上放置所述料理杯组件200，即上耦合器201和下耦合器10通电后，不容易有将该位置击穿的风险，也不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
65.在一些实施方式中，所述挡筋14还满足如下条件至少之一：
66.(a)参阅图10、图12、图14和图15，所述挡筋14的端面低于所述导电片支架5的距离为h，1.5mm≤h≤5mm；比如，1.5mm、1.8mm、2mm、2.3mm、2.5mm、2.8mm、3mm、3.3mm、3.5mm、3.8mm、4mm、4.3mm、4.5mm、4.8mm或者5mm。如上述设置，所述1.5mm≤h≤5mm，不仅更不容易有将该位置击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生，而且耦合器壳体1的出模性以及下耦合器10在整机更容易装配。
67.(b)参阅图8和图12，所述插口411包括插缝4111，所述插缝4111与所述挡筋14平行。如上述设置，由于所述插缝4111与所述挡筋14平行，这样，导电片2和所述导电片支架5所占空间小，有利于减小所述下耦合器10的空间。
68.(c)请参阅图11并结合图10和图15，所述挡筋14的每个端部141在水平方向超出对应的所述导电片支架5。如上述设置，由于挡筋14的每个端部141在水平方向超出对应的所述导电片支架5，因此，位于挡筋14的端部141附近的水也不会被导通，进而，更不容易有将该位置击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
69.参阅图11，在一些实施方式中，所述挡筋14的每个端部141在水平方向超出所述导电片支架5的距离为l，1.2mm≤l≤4mm，比如，1.2mm、1.5mm、1.8mm、2mm、2.3mm、2.5mm、2.8mm、3mm、3.3mm、3.5mm、3.8mm或4mm。如上述设置，位于挡筋14的端部141附近的水更不会被导通，进而，更不容易有将该位置击穿的风险，也更不容易导致ntc受损或其它短路问题发生。
70.参阅图11并结合图8，在通常的下耦合器10中，所述导电片2之间沿平行于挡筋14方向的距离较大，不会出现所述击穿的风险，也不会导致部件受损或者其他部件短路问题的发生，但是，为了更加确保不会出现所述击穿的风险，以及不会导致部件受损或者其他部
件短路问题的发生，在本技术的实施方式中，所述导电片2之间沿平行于所述挡筋14方向的间距为w，3mm≤w≤8mm，比如，3mm、3.5mm、4mm、4.3mm、4.8mm、5mm、5.5mm、5.8mm、6mm、6.3mm、7mm、7.5mm或者8mm。
71.参阅图11和图14，所述隔板12和所述挡筋14的厚度均为t，1mm≤t≤2mm。如上述设置，1mm≤t≤2mm能确保从插口411进入的水在所述隔板12表面形成少量水迹，进而，确保所述挡筋14起到所述作用。
72.参阅图7和图6，本技术的实施方式公开一种料理机主机100。所述料理机主机100包括权利要求主机外壳20和前述任何一种下耦合器10，所述下耦合器10组装于所述主机外壳20。
73.另一方面，本技术的实施方式公开一种料理机。所述料理机包括料理杯组件200和前述料理机主机100，所述料理杯组件200包括上耦合器201，所述上耦合器201包括插接端子，所述插接端子与相应的所述导电片2插接。在本技术的实施方式中插接端子通过所述插口411与导电片2插接，也可以通过其他结构实现插接。
74.以上所述仅为本技术的较佳实施方式而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术保护的范围之内。