复合槽口的制作方法

复合槽口的制作方法
【专利摘要】本公开内容描述了一种复合槽口、以及形成复合槽口的系统及方法。复合槽口的实例包括晶片，其中复合槽口包括沿复合槽口的纵轴线且在晶片的上表面上的沟，其中沟穿过晶片的总深度的初始部分。多个开口穿过晶片的总深度的其余部分，其中沟的底部的至少固持部分围绕多个开口中的各个的外周存在。
【专利说明】复合槽口

【背景技术】
[0001]打印装置是被广泛使用的。这些打印装置可使用打印头，打印头包括用以在打印过程中输送墨水的槽口。这种打印装置可以以合理的价格提供多个期望的特征。

【专利附图】

【附图说明】
[0002]图1示出了根据本公开内容的复合槽口的一部分的示意性俯视图的实例。
[0003]图2A-2B示出了根据本公开内容形成的复合槽口的一部分的示意性侧视图的实例。
[0004]图3示出了包括根据本公开内容的复合槽口的系统的一部分的示意性俯视图的实例。
[0005]图4为根据本公开内容形成的复合槽口的一部分的实例的框图。

【具体实施方式】
[0006]本公开内容的实例包括复合槽口、用于形成所述复合槽口的系统及方法。复合槽口的实例包括晶片，其中复合槽口包括沿复合槽口的纵轴线且在晶片的上表面上的沟，其中沟穿过晶片的总深度的初始部分。多个开口穿过晶片的总深度的其余部分，其中沟的底部的至少固持部分围绕所述多个开口中的各个的外周存在。
[0007]如本文所述的，复合槽口、用于形成所述复合槽口的系统及方法可在多种打印装置中使用。即，打印装置可使用打印头(例如，槽口给送的打印头)，其包括复合槽口以在打印过程中输送墨水。随着打印技术的提高，提供改善的特征和较高的分辨率的能力变得日益有可能。消费者可能尤其需要较高的图像分辨率、逼真色彩和提高的打印速率(例如，每分钟页数)等。然而，改善的特征和较低的价格继续迫使制造提高效率。
[0008]随着分辨率水平和打印速率的提高，对墨水的需求也可能增加。这种增加的需求可导致至打印头的墨水流率的增大。即，打印机的提高的分辨率和/或操作速度可取决于可靠地且/或有效地提高至打印头的墨水流率的能力。增大流过的墨水的体积(例如，槽口的容积)可实现至打印头的墨水流率的增大。然而，增大的体积可导致打印头的结构强度的下降，这可增加易受在打印头中形成的裂纹影响(例如，裂纹模具失效)。因此，有用的是利用一个或多个结构部件来增强打印头(例如，槽口)，以提高打印头的结构强度。
[0009]为了实现此目标，可使用复合槽口。即，复合槽口可包括多个沟，所述沟用于将流体(例如，墨水)输送至打印盒、和/或因此经由打印头(例如，槽口给送的打印头)输送至打印介质。此外，复合槽口可包括一个或多个结构部件，以提高打印头的结构强度。然而，潜在的困难在于，增强复合槽口可导致形成复合槽口的成本、劳力和/或时间的增加。此夕卜，存在于复合槽口中的增强部件可导致形成气泡，所述气泡降低了打印质量(例如，分辨率)、速率和/或引起打印的意外终止。因此，形成用于结构支承和/或有助于避免复合槽口中的气泡形成的形状的增强部件可提高可靠的打印质量(例如，分辨率)和/或打印机的操作速度。
[0010]如本文所述，连同流体(例如，墨水)输送使用的复合槽口可有助于打印装置的高分辨率和/或操作速度。此外，复合槽口可直接地并入多种打印装置(例如，打印头)中，因为如本文所述，复合槽口尤其可以是很小且/或容易制造的。
[0011]图1示出了根据本公开内容的复合槽口的一部分的示意性俯视图的实例。在以下详细描述和附图中，一些特征在单个实例中组合在一起以用于使本公开内容合理化的目的。此呈现方式不会被解释为反映如下目的:所公开的实例需要比在本公开内容的权利要求中明确叙述的更多的特征(例如，元件和/或限制)。相反，如以下权利要求书所反映的那样，本主题可需要比单个公开实例的所有特征要少。因此，以下权利要求因此并入详细描述中，其中各个权利要求代表其自身的优点而作为单独的实例。
[0012]如图1中所示，复合槽口 100的部分的实例包括晶片101，其例如包括沿复合槽口100的长轴线103且在晶片101的上表面102上的多个沟104-1、104-2 (例如，由长度105和宽度106部分地限定)，其中如本文所述，沟104-1、104-2穿过晶片101的总深度的初始部分。在各种实例中，如本文所述，复合槽口 10可包括穿过晶片的总深度的其余部分的多个开口 108-1至108-N。此外，在各种实例中，复合槽口 100可包括如本文所述的沟104-1、104-2的底部107处围绕多个开口 108-1至108-N中的各个的外周109-1至109-N存在的固持部分。如本文限定的那样，复合槽口 100中的沟104-1、104-2的数量可为一个或多个，且各个沟的底部中的开口的数量可为两个或更多个。
[0013]在本公开内容的详细描述中，参照了附图，附图形成本公开内容的一部分，且通过图示的方式示出了可如何实施本公开内容的实例。足够详细地描述了这些实例，以使本领域的普通技术人员能够实施本公开内容的实例。将理解的是，可使用其它实例，且可在不脱离本公开内容的范围的情况下作出材料变型和/或结构变化。此外，在适当的情况下，如本文使用的，"例如"或"举例来说"都应当被理解为"举例来说而不是施加限制"的缩写。
[0014]这里的附图沿袭了编号惯例，其中第一数字或多个数字对应于附图编号，且其余数字标识附图中的元件或构件。不同附图之间的类似的元件或构件可通过使用类似数字来标识。例如，104可是指图1中的元件"104"，且类似元件可在图2中称为"204"。本文的各种附图中所示的元件可被添加、交换和/或消除，以便提供本公开内容的多个附加实例。此夕卜，附图中提供的元件的比例和相对大小旨在示出本公开内容的实例，且不应当看成限制意义的。
[0015]除非另外指出，否则在说明书和权利要求中使用的表示范围和尺寸等的所有数字都将被理解为在所有情况下由术语〃大致〃或〃大约〃修饰。因此，除非相反地指出，否则以下说明书和所附附图中阐明的数字参数为近似值，其可取决于寻求的性质而变化。
[0016]如本文所述，多个开口 108-1至108-N可针对各个复合槽口在开口的形状、尺寸、定向和/或总数量上变化。如图1中所示，开口 108-1至108-N的数量可为五个开口，其大致与彼此等距。然而，本公开内容不限于此构造。即，多个开口 108-1至108-N、多个开口中的各个的外周109-1至109-N、沟104的底部107和其固持部分，和/或总深度的其余部分的各种构造都是可能的。在各种实例中，这些构造可有助于向多个沟104-1、104-1和/或复合槽口 100提供结构支承。在一些实例中，如本文所述，沟104-1、104-1和/或复合槽口100可构造成减少气泡形成。
[0017]如图1中所示，在一些实例中，多个开口 108-1至108-N可包括大致圆形和/或椭圆形的开口。附加的形状(如正方形、矩形、三角形、菱形和/或梯形等等)可用于多个开口108-1至108-N中的一个或多个。在一些实例中，在其它结构特征之中，多个开口的壁的形状和/或角度可以以尤其有助于向复合槽口 100提供结构支承和/或减少沟104中的气泡形成等等的方式变化。即，在各种实例中，如本文所述，多个开口 108-1至108-N的形状、尺寸和/或定向可减少气泡形成、提供结构支承，且/或可有助于固持沟104的底部107的其余部分。
[0018]如图1中所示，沟104可至少部分地由长度105和/或宽度106限定。在一些实例中，如图1中所示，沟可大致为矩形。然而，本公开内容不限于此构造。即，在其它结构特征之中，沟104的形状和/或沟壁的角度可以以尤其有助于向复合槽口 100提供结构支承和/或减少沟104中的气泡形成等等的方式变化。
[0019]在某些实例中，如本文参照图2详述那样，沟可在晶片的总深度的大约50%到大约90%的范围穿过晶片。在一些实例中，如本文参照图2详述那样，晶片的总深度的其余部分可具有在晶片的总深度的从大约10%到大约50%的范围的厚度。
[0020]在一些实例中，如本文所述，复合槽口可包括沟的表面、多个开口和/或晶片的上表面上的聚合物(例如，IJ5000和/或SU-8)。在一些实例中，复合槽口 100可包括如本文所述的晶片101的上表面102上的多个沟104-1、104-2。
[0021]图2A-2B示出了根据本公开内容形成的复合槽口的一部分的示意性侧视图的实例。图2A示出了根据本公开内容形成的复合槽口 215的沟204的示意性侧视图的实例。如图2A中所示，在各种实例中，形成复合槽口 215可包括在晶片201中形成复合槽口 215。形成复合槽口 215包括:沿复合槽口 215的长轴线(例如，如图1中所示的103)且在晶片201的上表面202上形成沟204，其中沟204穿过晶片201的总深度218的初始部分216。
[0022]图2B示出了根据本公开内容形成的复合槽口中的多个开口的示意性侧视图的实例。如图2B中所示，在各种实例中，形成复合槽口 215可包括通过穿过晶片201的总深度218的其余部分217形成多个开口 208-1至208-N而提供用于复合槽口 215的结构支承，其中形成多个开口 208-1至208-N包括围绕多个开口 208-1至208-N中的各个的整个外周209-1至209-N固持沟204的底部207的至少一部分220。
[0023]如本文所述，晶片201可由选自包括如下的组的材料形成:单晶硅、多晶硅、砷化镓、陶瓷、任何适合的半导体材料和/或它们的组合。材料和/或材料的总厚度可选择成实现形成沟204的充分的结构支承。在各种实例中，晶片201可包括形成晶片201的总深度218 (例如，总厚度)的晶片的总深度218的初始部分216和其余部分217。在一些实例中，晶片201的总厚度可在大约50微米到大约2000微米的范围内(例如，650微米)。
[0024]在一些实例中，晶片201的总深度218的其余部分217可在晶片201的总深度218的大约50%到大约10%的范围内。因此，在该构造中，初始部分216可在晶片201的总深度218的大约50%到大约90%的范围内。在一些实例中，沟204的底部207的固持部分220在沟204的底部207的大约20%到大约80%的范围内。
[0025]如本文所述，沟204的底部207的区域可部分地由长度(例如，如图1中所示的105)和/或宽度206限定。此外，沟204的底部207的区域可部分地由晶片201的总深度的其余部分217限定。即，分别如图1和2B所示，沟204的底部207的区域可由沟104的长度105、宽度106和固持部分220限定。因此，复合槽口 215可伸缩，以形成任何实际长度105和/或宽度106的复合槽口 215。
[0026]如本文所述，复合槽口 215可使用任何适合的技术形成。例如，复合槽口 216可使用诸如砂钻、机械钻、蚀刻、激光、空气辅助激光、水辅助激光和/或它们的组合的技术来形成。在一些实例中，如本文所述，形成沟204可包括利用激光形成沟。此外，在一些实例中，如本文所述，形成多个开口 208-1至208-N可利用激光来形成所述多个开口。
[0027]如本文所述，激光可为脉冲或连续激光。激光(例如,脉冲激光)的脉冲操作是指并未归类为连续波(例如，连续激光)的任何激光，以便光子可以以限定的重现速率在限定的持续时间的脉冲中被施加。作为备选，连续激光可使用光束，其输出可在一定时间内恒定。在一些实例中，激光可以以有助于减少裂纹开始和/或气泡形成部位的方式控制沟104、204和/或多个开口 108、208的形状、定向、表面粗糙度(例如，通过从晶片的上表面、从外周109、209和/或从多个开口 108、208的壁除去尖锐边缘和/或原材料)、和/或尺寸。以脉冲和/或连续模式的操作可满足如本文所述的应用。
[0028]作为备选或此外，在一些实例中，激光器可为多模式的(例如，具有基于多种可选择的输出参数的多个输出)。如本文使用的那样，使用多模式激光器可解决各种因素(例如，沟104、204的尺寸和/或形状、晶片101、201的特定材料和/或构造等等)。基于此考虑，激光器可被调整以发出具有特定频率和/或直径的波长。
[0029]在各种实例中，激光器可具有在从大约5微米到大约100微米的范围内的直径的激光束。激光器可将激光束施加到晶片101、201上一次或多次。即，例如，激光束可在晶片101、201的第一部分上进行多次穿过，且/或在晶片101、201的第二部分上单次穿过。激光束可在晶片101、201上移动的速度和/或光束的焦点也可取决于应用而变化，以实现不同的结果。在一些实例中，激光器可具有碎屑获取系统(例如，水辅助激光器)，其可除去由激光加工引起的碎屑。
[0030]如本文所述，砂钻为机械切削过程，其可包括通过以从高压空气流系统输送的多个颗粒(例如，氧化铝等等)来冲击材料而除去一部分材料。砂钻可称为喷砂，磨砂加工和/或砂蚀。如本文所述，机械钻为可使用各种锯和/或钻头等等以用于除去晶片101、201材料的一部分的机械过程。
[0031]如本文所述，蚀刻是使用适合的蚀刻剂(例如，氢氧化四甲铵(TMAH)等等)除去表面的一个或多个部分(例如，未受保护的部分)的化学过程。在一些实例中，晶片的上表面102、202可充分地暴露于蚀刻剂以除去晶片101、201材料的至少一部分来形成沟104、204。在一些实例中，蚀刻可控制沟104、204和/或多个开口 108、208的形状、定向、表面粗糙度和/或尺寸。此外，在一些实例中，蚀刻剂可从晶片的上表面、从外周109、209和/或多个开口 108、208的壁除去尖锐边缘和/或原材料。这可有助于减少裂纹开始和/或气泡形成部位。
[0032]在一些实例中，聚合物可施加(例如，涂布)在感兴趣表面(例如，晶片102的上表面102)的一个或多个部分上，其可大致抑制涂布有聚合物的感兴趣表面的部分的蚀刻，如本文所述的那些。即，在一些实例中，复合槽口可包括沟204的表面、多个开口 208-1至208-N、和/或晶片201的上表面202上的聚合物(例如，IJ5000和/或SU-8)。在一些实例中，如本文所述，聚合物可以是光致成像的聚合物，例如，IJ5000系列阻隔材料(例如，商品名IJ5000)和/或光致抗蚀剂聚合体(例如，商品名SU-8)等等，其适于大致抑制晶片201的蚀刻。作为备选或此外，孔板可置于各种表面上(例如，晶片201的上表面202)。在一些实例中，孔口包括镍基材。在各种实例中，孔板和聚合物可为一体的。
[0033]图3示出了包括根据本公开内容的复合槽口的系统的一部分的示意性俯视图的实例。如图3中所示，包括复合槽口 330的系统可使流体334(例如，墨水)能够从流体供应源或储槽(未示出)供应至沟304。多个通道(例如，331-1至331-N)可将流体334供应至具有多个流体喷射元件(例如，333-1至333-N)的流体喷射装置332。在各种实例中，流体喷射装置332可为装置的一部分，以有选择地将流体334施加至介质(例如，根据对应于打印作业的打印数据，是纸、塑料、织物等等)。在各种实例中，晶片301可包括沿位于晶片301的上表面302上的复合槽口 330的整个长度(例如，305)的沟304 (例如，如部分地由长度305和宽度306限定)，其中如本文所述，沟304穿过晶片301的总深度的初始部分。
[0034]如图3中所示，流体喷射装置332、多个通道331-1至331-N和/或复合槽口 330通过举例而非通过限制示出。即，流体喷射装置332、多个通道331-1至331-N和/或复合槽口 330的尺寸、形状、数量和/或构造等等可以以有助于使用流体喷射装置、多个通道和/或复合槽口的打印装置的高分辨率和/或操作速度等等的方式变化。
[0035]在各种实例中，如图3中所示的复合槽口 330可包括穿过晶片301的总深度的其余部分的多个开口 308-1至308-N，其中如本文所述，沟304的底部307的至少固持部分保持围绕多个开口 308-1至308-N中的各个的整个外周309-1至309-N。在一些实例中，流体334可固持在沟304中。在各种实例中，流体喷射装置332可经由通道331-1至331-N联接到沟304 (例如，以接收流体334)上。
[0036]在一些实例中，复合槽口(例如，215、330)可包括如本文所述的各个沟中的至少三个开口。在一些实例中，多个开口(例如，208、308)可包括如本文所述的大致圆形和/或椭圆形开口。在一些实例中，如本文所述，沟(例如，204、304)的底部(例如，207、307)的固持部分(例如，220)处于沟的底部的面积的大约20%至大约80%的范围。
[0037]在一些实例中，流体喷射元件333-1至333-N可包括热促动(例如，经由薄膜电阻器)和/或压力促动元件。在一些实例中，流体喷射装置332可为打印头和/或可包括在打印头中。在一些实例中，如本文所述，流体喷射装置332和/或包括流体喷射装置332的打印装置可包括处理器(未示出)。
[0038]一个或多个流体源(例如，墨水供应源或储槽)可将流体提供至复合槽口 330、流体喷射装置332，且/或因此经由流体喷射元件331-1至333-N提供至介质。在各种实例中，自包含的流体源可再填充有流体(例如，墨水)。作为备选和/或此外，复合槽口可流体地联接(例如，经由柔性导管)到用作流体(例如，墨水)源的一个或多个固定或可除去的流体容器上。
[0039]复合槽口的小尺寸使得包括多个沟的晶片成为现实。因此，在一些实例中，复合槽口可包括晶片的上表面上的多个沟。在一些实例中，如本文所述，多个沟可联接到单个流体供应源上。作为备选，多个沟可分开流体供应源，以便多个沟中的各个均接收单独的流体供应源。如图1中所示，在一些实例中，多个沟可为两个沟。然而，本公开内容不限于此构造。
[0040]在一些实例中，复合槽口的小尺寸可有助于具有并入复合槽口内、沉积在复合槽口上和/或由复合槽口支承的微电子装置(例如，由半导体形成)。在各种实例中，半导体可定位在位于与晶片101的上表面102相对的晶片101的底面221上。
[0041]因此，如本文所述，用于形成复合槽口的系统的实例可包括晶片(例如，201、301)、沿位于晶片(例如，201、301)的上表面(例如，302)上的复合槽口 (例如，215、330)的整个长度(例如，305)形成的沟(例如，204、304)的激光器222，其中沟穿过晶片(例如，201,301)的总深度(例如，218)的初始部分(例如，216)。在各种实例中，用于形成复合槽口(例如，215、330)的系统可包括激光器223 (例如，其可在各种实例中与激光器222相同或不同)，所述激光器形成穿过晶片(例如，201、301)的总深度(例如，218)的其余部分(例如，217)的多个开口(例如，208、308)。在各种实例中，沟(例如，204、304)的底部(例如，207,307)的至少固持部分(例如，220)保持围绕多个开口(例如，208、308)中的各个的整个外周(例如，209、309)。
[0042]图4为根据本公开内容形成的复合槽口的一部分的实例的框图。根据本文所述的复合槽口，存在如框441中所示的晶片。如框442中所示，复合槽口包括沿复合槽口的纵轴线且在晶片的上表面上的沟，其中沟穿过晶片的总深度的初始部分。如框443中所示，复合槽口包括穿过晶片的总深度的其余部分的多个开口，其中沟的底部的至少固持部分围绕多个开口中的各个的外周存在。如本文所述，可通过围绕多个开口中的各个的整个外周固持沟的底部的至少一部分来提高复合槽口的结构整体性。
[0043]在一些实例中，如本文所述，复合槽口(例如，100)可包括晶片(例如，101)的上表面(例如，102)上的多个沟(例如，104-1、104-2)。在一些实例中，复合槽口 (例如，100)可包括如图1中所示的大致为圆形和/或椭圆形开口的多个开口(例如，108-1至108-N)。在一些实例中，如图2中所示，复合槽口(例如，215)可包括在沟(例如，204)的底部(例如，207)的面积的大约20%到大约80%的范围内的沟(例如，204)的底部(例如，207)的固持部分(例如，220)。此外，在一些实例中，复合槽口(例如，215)可包括晶片(例如，201)的总深度(例如，218)的其余部分(例如，217)，如图2中所示，所述其余部分具有在晶片(例如，201)的总深度(例如，218)的大约10%到大约50%的范围内的厚度。在一些实例中，复合槽口(例如，215)可包括沟(例如，204)的表面、多个开口(例如，208-1至208-N)，和/或晶片(例如，201)的上表面(例如，202)上的聚合物。
[0044]如本文所述，复合槽口可连同可使用复合槽口的打印装置被使用。在一些实例中，打印装置可为喷墨打印机。在各种实例中，打印机可能够打印黑和白和/或黑和白及其它颜色。术语"打印装置"是指可使用复合槽口来实现其功能的至少一部分的任何类型的打印装置和/或图像形成装置。此打印装置的实例可包括但不限于打印机、传真机和/或复印机。
[0045]打印装置可包括一个或多个处理器。处理器可控制各种打印机操作，如，用于流体喷射装置(例如，332)在打印介质(例如，纸、透明物等)上的线性定位的介质处理和/或滑架移动。在一些实例中，处理器可与其它电子和/或计算装置通信。在一些实例中，打印装置可具有电可擦除可编程只读存储器(EPROM)、只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)。存储器构件(例如，EPROM、ROM和/或RAM)可存储各种信息和/或数据，如，构造信息、字体、模板、打印的数据和/或目录结构信息。在一些实例中，代替存储器构件(例如，PER0M)或除存储器构件之外，打印装置还可包括闪速存储器装置。在一些实例中，系统总线可连接在打印装置内的各种构件(例如，EPR0M)。
[0046]作为备选或此外，在一些实例中，打印装置可为固件构件，其实施为存储在存储器(例如，ROM)中的永久存储器模块。固件可类似软件那样被编程和/或测试。在一些实例中，固件可与打印装置一起被配送，以实施和/或协调打印装置内的硬件的操作、和/或包含用于执行此操作的编程构造。
[0047]本公开内容包括用于实施复合槽口的设备、方法和系统。复合槽口可用于本公开内容中描述的应用，但复合槽口不限于此类应用。将理解的是，以上描述已经以示范性方式而非限制性方式被作出。尽管本文已经示出和描述了设备、系统和方法的特定实例，但有助于复合槽口的结构支承和/或高效打印的其它等同构件布置和/或结构可替代本文所示的特定实例，而不会脱离本公开内容的精神。
【权利要求】
1.一种复合槽口，包括: 晶片，其中所述复合槽口包括: 沿所述复合槽口的长轴线且位于所述晶片的上表面上的沟，其中所述沟穿过所述晶片的总深度的初始部分；以及 穿过所述晶片的总深度的其余部分的多个开口，其中所述沟的底部的至少固持部分围绕所述多个开口中的各个的外周存在。
2.根据权利要求1所述的复合槽口，其特征在于，所述复合槽口包括所述晶片的上表面上的多个沟。
3.根据权利要求1所述的复合槽口，其特征在于，所述多个开口包括大致圆形和椭圆形的开口。
4.根据权利要求1所述的复合槽口，其特征在于，所述沟的底部的固持部分处于所述沟的底部的面积的大约20%到大约80%的范围内。
5.根据权利要求1所述的复合槽口，其特征在于，所述复合槽口包括在所述沟的表面、所述多个开口、以及所述晶片的上表面上的聚合物。
6.根据权利要求1所述的复合槽口，其特征在于，所述晶片的总深度的其余部分具有在所述晶片的总深度的大约10%到大约50%的范围内的厚度。
7.一种形成复合槽口的方法，包括: 在晶片中形成所述复合槽口 ；其中形成所述复合槽口包括: 沿所述复合槽口的长轴线且在所述晶片的上表面上形成沟，其中所述沟穿过所述晶片的总深度的初始部分；以及 通过形成穿过所述晶片的总深度的其余部分的多个开口而向所述复合槽口提供结构支承，其中形成所述多个开口包括围绕所述多个开口中的各个的整个外周固持所述沟的底部的至少一部分。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述沟包括:利用激光器形成所述沟。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述多个开口包括:利用激光器形成所述多个开口。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述复合槽口包括:将聚合物施加到所述沟的表面、所述多个开口和所述晶片的上表面上。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，固持所述沟的底部的至少一部分包括:固持所述沟的底部的大约20%到大约80%的范围。
12.—种包括复合槽口的系统，包括:
曰曰/T ； 沿位于所述晶片的上表面上的所述复合槽口的整个长度的沟，其中所述沟穿过所述晶片的总深度的初始部分； 穿过所述晶片的总深度的其余部分的多个开口，其中所述沟的底部的至少固持部分保持围绕所述多个开口中的各个的整个外周；以及 联接到所述沟上的流体喷射装置。
13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述沟包括至少三个开口。
14.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述多个开口包括大致圆形和椭圆形的开口。
15.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，所述沟的底部的固持部分在所述沟的底部的面积的大约20 %到大约80%的范围内。
【文档编号】B41J2/14GK104080612SQ201280068725
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2012年4月27日 优先权日:2012年4月27日
【发明者】N.葛, B.L.佩, T.本杰明, K.K.吳, J.古 申请人:惠普发展公司，有限责任合伙企业