一种美登纹理全息版的制作方法

本实用新型涉及防伪包装印刷技术领域，具体公开了一种美登纹理全息版。

背景技术：

激光全息防伪是利用激光全息制版技术和模压复制技术将图文信息制成防伪图像。目前，可实现的制版技术有：点阵动态光芒、一次性专用激光膜、3D光学微缩背景、多彩光学随机干涉等。激光防伪图案一般是用户通过肉眼进行观察，或者通过显微设备查看内部刻版特征，从而鉴别真伪。由于全息图中的色块编码是特定设计的,即使同一设备也很难制出完全相同的全息母版,故激光全息制版技术已广泛用于防伪包装印刷行业，广泛使用的应用工艺是将全息图直接转印到纸品上,现已广泛应用于票证、商标及信用卡。同一模版压制出来的标签是一样的，但模版在光刻过程中受各种参数和环境条件的影响，不太可能做出完全相同的两块模版，从而起到防伪功能。随着计算机技术及激光制版技术的迅猛发展，造假者也具备某些复制防伪印刷的技术；同时，随着现代产品包装的发展，防伪印刷行业对全息图的幅面尺寸提出了更高的要求，想继续提升激光防伪图像的防伪效果及印刷适应性，在技术、设备、成本等多个方面都存在相当大的困难。

技术实现要素：

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种美登纹理全息版，该全息版具有可靠的防伪功能和较强的印刷适应性。

为解决现有技术问题，本实用新型公开一种美登纹理全息版，全息版上设有用于模压复制的浮雕再现像，浮雕再现像包括具有美登纹理的像素点，像素点按规则排列形成具有确定方向的衍射块区域，若干具有不同衍射角度的衍射块区域构成全息单元，若干个全息单元在横向及纵向作周期无缝排布。

进一步的，像素点呈方形。

进一步的，单个像素点的面积为0.0025mm²。

进一步的，每英寸浮雕再现像上分布508个像素点。

进一步的，全息单元的尺寸为24.2mm×24.2mm。

进一步的，全息版为采用镍材料电铸制成的镍版。

进一步的，浮雕再现像通过数码全息光刻机雕刻而成。

本实用新型的有益效果为：本实用新型的一种美登纹理全息版，将若干具有不同衍射角度的全息单元作周期无缝排布，全息版呈现连贯的周期性美登纹理效果，浮雕再现像美观、版面无缝、印刷适应性强，能够以低成本获得防伪效果好、防伪特征性高的全息版。

附图说明

图1为本实用新型的全息单元示意图；

图2为本实用新型的制作工序示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

请参阅图1至图2：

一种美登纹理全息版，全息版上设有用于模压复制的浮雕再现像，通过数码全息光刻机雕刻而成，浮雕再现像包括具有美登纹理的像素点，美登纹理呈空间菱形交错效果。数码全息光刻机包含激光器11、光束整形器件12、第一成像透镜13、小孔光阑14、第二成像透镜15、全息感光版16和数码全息光刻机控制系统17；激光器11产生的细激光束21通过安装于旋转电机上的光束整形器12，形成第一发散激光束22，第一发散激光束22经过第一成像透镜13形成第一会聚激光束23，第一会聚激光束23经过方形小孔光阑14整形滤波，形成第二发散激光束24，第二发散激光束24经过第二成像透镜15形成高质量的第二会聚激光束25，第二会聚激光束25在全息感光板16的乳胶平面上形成一个小孔实像26，曝光后即形成具有美登纹理的像素点。优选的，像素点设为方形，单个像素点的面积为0.0025mm²，垂直和水平方向上每英寸浮雕再现像上分布着508个像素点。

像素点具有不同的衍射角度，通过数码全息光刻机设置RGB灰度值，数码全息光刻机控制系统17根据预设好的RGB灰度值向光束整形器件12的旋转电机和固定全息感光版16的二维精密位移平台步进电机发出三个确定的角度指令，最终使第二会聚激光束25的旋转角与像素点的衍射角度一一对应，形成若干具有不同衍射角度的像素点。

具有美登纹理的像素点按规则排列形成具有确定方向的衍射块区域，若干具有不同衍射角度的衍射块区域以各自的形状和位置构成全息单元。预设全息单元27的像素几何序列，数码全息光刻机控制系统17根据预设好的全息单元27的像素几何序列，向固定全息感光版16的二维精密位移平台步进电机发出位移指令，控制激光器11实现逐个像素点无缝分时曝光，在全息感光版16上记录具有无版缝美登纹理的全息单元27，美登纹理的菱形图案相互交错作动态变化，分布具有空间深度，在一观察方向上，美登纹理的景深效果显著。全息单元27的尺寸一般设为24.2mm×24.2mm。

若干个全息单元27在横向及纵向作周期无缝排布，通过对全息单元27进行电铸复制，一般采用镍金属电铸复制，全息版呈现连贯的周期性美登纹理浮雕再现像，最终得到大幅面无版缝美登全息版。优选的，全息版幅面尺寸不小于650mm×820mm。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。