图像显示设备和用于修复短路故障的方法

专利名称：图像显示设备和用于修复短路故障的方法
技术领域：
本发明涉及图像显示设备和用于修复短路故障的方法，并且能够应用到例如使用有机EL (场致发光)器件的有源矩阵型图像显示设备。根据本发明，通过设置具有用于绕过 (bypass)信号线和扫描线相互交叉(intersect)的区域的绕过布线图案(bypass wiring pattern)的扫描线，能够修复布线图案之间的短路之处。
背景技术：
近年来，已经在积极开发使用有机EL器件的有源矩阵型图像显示设备。使用有机 EL器件的图像显示设备是使用通过被施加电场而发光的有机薄膜的发光现象的图像显示设备。能够以10[V]以下的施加电压驱动有机EL器件。从而，在这种图像显示设备中，能够减小电力消耗。另外，有机EL器件是自发光器件。从而，这种图像显示设备不需要背光单元，并且相应地能够实现重量节省和厚度节省。另外，有机EL器件具有响应速度高、大约为数μ秒的特性。从而，这种图像显示设备具有在显示视频时几乎不会产生残留图像的特性。具体而言，在使用有机EL器件的有源矩阵型图像显示设备中，由有机EL器件和用于驱动有机EL器件的驱动电路构成的像素电路被布置成矩阵状态，从而形成显示部。这种图像显示设备通过布置在显示部周围的信号线驱动电路和扫描线驱动电路分别经由设在显示部中的信号线和扫描线驱动各个像素电路来显示期望的图像。对于使用有机EL器件的图像显示设备，在专利文献1中公开了通过使用两个晶体管来构成像素电路的方法。根据该方法，能够简化图像显示设备的构造。另外，在专利文献 1中，公开了防止用于驱动有机EL器件的驱动晶体管的阈值电压变化和迁移率变化以及随着有机EL器件的特性的老化而发生的图像质量劣化的结构。引文列表专利文献专利文献1 日本未实审专利申请公布No. 2007-310311

发明内容
同时，在这种图像显示设备中，有这样的可能，即由于制造工艺中的缺陷，在显示部中设置的布线图案之间发生短路故障。这种缺陷的示例包括光刻步骤中的缺陷、蚀刻步骤中的缺陷和粘着的导电性异物。如果在图像显示设备的制造工艺中能够修复这种短路故障，则能够进一步提高产量。鉴于上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够修复布线图案之间的短路之处的图像显示设备以及用于修复图像显示设备中的短路故障的方法。本发明的图像显示设备利用显示部显示期望的图像，在显示部中像素电路被布置成矩阵状态。关于显示部的扫描线或信号线，在除了布线图案与信号线或扫描线交叉的区域以外的区域中在与信号线或扫描线的布线图案相同的层中形成布线图案。在交叉区域中，在与信号线或扫描线的布线图案不同的层中形成布线图案。扫描线设有绕过布线图案， 绕过布线图案在与交叉区域不同的区域中在上层或下层穿过信号线的布线图案并且绕过交叉区域。本发明的用于修复短路故障的方法应用于本发明的图像显示设备。通过切断扫描线而使交叉区域与绕过布线图案隔离开，从而修复信号线与扫描线之间的短路之处。当在除了布线图案与信号线或扫描线交叉的区域以外的区域中在与信号线或扫描线的布线图案相同的层中从布线形成扫描线或信号线的布线图案，并且在交叉区域中在与信号线或扫描线的布线图案不同的层中从布线形成扫描线或信号线的布线图案时，可以通过优先使用同一层侧的布线来布置信号线和扫描线，并且仅在同一层的布线不能应用于信号线和扫描线两者的区域中才在不同层中布置信号线或扫描线。从而，具有小的薄层电阻的布线图案层被应用到同一层侧，从而扫描线和信号线的阻抗能够被减小。然而，在此情况下，由于信号线和扫描线是在同一层中形成的，因此在信号线与扫描线之间易于发生短路故障。特别地，由于信号线和扫描线在信号线和扫描线相互交叉的区域中是分层的，所以难以仅去除信号线和扫描线短路的区域，结果，不能修复短路故障。从而，在本发明的图像显示设备中，扫描线设有绕过布线图案，该绕过布线图案在与交叉区域不同的区域中在信号线的上层或下层穿过信号线的布线图案并且绕过交叉区域。绕过布线图案绕过交叉区域。从而，在通过修整使交叉区域与扫描线隔离开的情况下， 绕过布线图案取代扫描区域传输扫描线的信号。从而，能够修复在交叉区域中产生的扫描线与信号线之间的短路之处。根据本发明，能够修复布线图案之间的短路之处。


图1是示出应用到根据本发明第一实施例的图像显示设备的像素电路的布局 (layout)的平面图。图2是示出图像显示设备的构造的框图。图3是详细示出像素电路的构造的连接图。图4是与图3相对比示出图2的显示部的连接图。图5是用于说明图3的像素电路的操作的时序图。图6也是连接图。图7是用于接着图6说明的连接图。图8是用于接着图7说明的连接图。图9是用于接着图8说明的连接图。图10是用于接着图9说明的连接图。图11是用于接着图10说明的连接图。图12是用于接着图11说明的连接图。图13是用于接着图12说明的连接图。图14是示出短路之处的平面图。图15是用于说明通过使用狭缝(slit)进行的修复处理的平面图。
图16是用于利用与图15不同的示例说明通过使用狭缝进行的修复处理的平面图。图17是以等效方式示出短路之处的连接图。图18是用于说明信号线与用于写入信号的扫描线之间的短路之处的平面图。图19是用于说明图18的短路之处的修复的平面图。图20是用于利用与图19不同的示例说明短路之处的修复的平面图。图21是以等效方式示出短路故障的连接图。图22是示出在不对短路故障施展巧思的情况下像素电路的布局的平面图。图23是用于利用与图19和图20不同的示例说明短路之处的修复的平面图。图M是用于利用与图19、图20和图23不同的示例说明短路之处的修复的平面图。图25是示出应用到根据本发明第二实施例的图像显示设备的像素电路的布局的平面图。图沈是用于说明图25的像素电路中的修复处理的平面图。图27是用于说明与图沈不同的示例中的修复处理的平面图。图28是用于说明接触故障的平面图。图四是示出应用到根据本发明第三实施例的图像显示设备的像素电路的布局的平面图。图30是示出应用到根据本发明第四实施例的图像显示设备的像素电路的布局的平面图。图31是示出作为本发明第五实施例的比较例的像素电路的图案布局的示图。图32是比较例中的像素电路的若干阶段的时序图。图33是用于说明根据本发明第六实施例的像素电路的图案布局的示图。图34是第六实施例的图案布局中的时序图。
具体实施例方式下面将参考附图对本发明的实施例进行描述。此外，将按以下顺序进行描述。1.第一实施例(包括绕过布线图案的示例)2.第二实施例(相邻像素电路的信号线相互对置的示例)3.第三实施例(在信号线下方布置写入晶体管的示例)4.第四实施例(在第二实施例中在信号线下方布置写入晶体管的示例)5.第五实施例(在信号线下方的层中布置扫描线侧的示例)6.第六实施例(包括假拟布线图案(pseudo wiring pattern)的示例)<第一实施例>(1)构造(1-1)整体构造(图2至图13)图2是示出此实施例的图像显示设备的框图。图像显示设备1具有在由玻璃等等制成的绝缘基板上的显示部2，并且包括显示部2周围的信号线驱动电路3和扫描线驱动电路4。
显示部2是通过将像素电路(P)(CL) 5布置成矩阵状态来形成的。信号线驱动电路 3向设在显示部2中的信号线DTL输出用于信号线的驱动信号kig。具体而言，利用水平选择器(HSEL) 3A，信号线驱动电路3顺次锁存按逐线扫描顺序输入的图像数据D1，将图像数据Dl分选到每条信号线DTL中，并且分别执行数模转换处理。信号线驱动电路3处理数模转换结果并产生驱动信号Ssig。从而，图像显示设备1按照例如所谓的行序来设定各个像素电路5的灰阶(tone)。扫描线驱动电路4分别向设在显示部2中的用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL输出写入信号WS和驱动信号DS。写入信号WS是用于对设在各个像素电路 5中的写入晶体管进行导通/截止控制的信号。驱动信号DS是用于控制设在各个像素电路 5中的驱动晶体管的漏极电压的信号。扫描线驱动电路4分别在写入扫描电路(WSCN) 4A和驱动扫描电路(DSCN) 4B中利用时钟CK处理给定的采样脉冲SP并且产生写入信号WS和驱动信号DS。图3示出了像素电路5的详细构造。如与图3对比的图4中所示，显示部2是通过将图3中所示的像素电路5布置成矩阵状态来形成的。在像素电路5中，有机EL器件8 的阴极连接到给定的阳极侧电源Vss，并且有机EL器件8的阳极连接到驱动晶体管Tr2的源极。驱动晶体管Tr2是由例如TFT构成的N沟道型晶体管。驱动晶体管Tr2的漏极连接到用于电源的扫描线DSL，并且用于电源的驱动信号DS被从扫描线驱动电路4提供到扫描线DSL。基于上述结构，在像素电路5中，利用具有源极跟随器电路构造的驱动晶体管Tr2 来对有机EL器件8进行电流驱动。在驱动晶体管Tr2的栅极与源极之间设有保持电容Cs。保持电容Cs的栅极侧端电压被写入信号WS设定到驱动信号kig的电压。结果，在像素电路5中，根据驱动信号 Ssig,通过栅极到源极电压Vgs，驱动晶体管Tr2对有机EL器件8进行电流驱动。电容Cel 是有机EL器件8的浮动电容。在以下描述中，电容Cel充分大于保持电容Cs，并且驱动晶体管Tr2的栅极节点的寄生电容充分小于保持电容Cs。在像素电路5中，驱动晶体管Tr2的栅极经由根据写入信号WS进行导通/截止动作的写入晶体管Trl连接到信号线DTL。写入晶体管Trl是由例如TFT构成的N沟道型晶体管。信号线驱动电路3在给定的时刻切换灰阶设定电压Vsig和用于阈值电压的校正电压Vo，并且输出驱动信号kig。校正固定电压Vo是用于驱动晶体管Tr2的阈值电压的变化校正的固定电压。灰阶设定电压Vsig是指示有机EL器件8的亮度的电压，并且具有通过将用于校正阈值电压的固定电压Vo与灰阶电压Vin相加而获得的值。灰阶电压Vin是与有机EL器件8的亮度相对应的电压。在水平选择器(HSEL) 3A中，按逐线扫描的顺序输入的图像数据Dl被顺次锁存并分选到每条信号线DTL中，然后被分别加以数模转换处理。 从而，为每条信号线DTL产生了灰阶电压Vin。在像素电路5中，如图5中所示，在有机EL器件8发光的时段期间，写入晶体管Trl 被写入信号WS设定到截止状态(图5(A))。另外，在像素电路5中，在发光时段期间，电源电压VccH被用于电源的驱动信号DS提供到驱动晶体管Tr2 (图5 (B))。从而，如图6中所示，像素电路5在发光时段期间，利用与作为保持电容Cs的端子间电压的驱动晶体管Tr2 的栅极到源极电压Vgs(图5(D)和图5(E))相应的驱动电流Ids使有机EL器件8发光。在发光时段终止的时刻tO，用于电源的驱动信号DS下降到给定的固定电压VccL(图5(B))。固定电压VccL是足够低到使得驱动晶体管Tr2的漏极充当源极的电压， 并且是低于有机EL器件8的阴极电压Vss的电压。从而，如图7中所示，保持电容Cs的有机EL器件8侧端累积的电荷经由驱动晶体管Tr2流向扫描线DSL。结果，驱动晶体管Tr2的源极电压Vs下降到电压VccL(图5(E))， 并且有机EL器件8的发光停止。另外，与源极电压Vs的下降相关联地，驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg降低(图5(D))。在随后的给定时刻tl，写入晶体管Trl被写入信号WS切换到导通状态(图5(A))， 并且驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg被设定到为信号线DTL设定的用于校正阈值电压的固定电压Vo(图5(C)和图5(D))。从而，如图8中所示，驱动晶体管Tr2的栅极到源极电压 Vgs被设定到电压Vo-VccL。通过设定电压Vo和VccL，电压Vo-VccL被设定到大于驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth的电压。此后，在时刻t2，驱动信号DS使驱动晶体管Tr2的漏极电压上升到电源电压 VccH(图5(B))。从而，充电电流Ids经由驱动晶体管Tr2流向保持电容Cs的有机EL器件 8侧端。结果，保持电容Cs的有机EL器件8侧的电压Vs逐渐增大。在此情况下，充电电流Ids仅用于对有机EL器件8的电容Cel和保持电容Cs充电。结果，只是使得驱动晶体管Tr2的源极电压Vs增大，而不会使有机EL器件8发光。在保持电容Cs的端子间电压变成驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth的情况下，充电电流Ids经由驱动晶体管Tr2的流动停止，并且驱动晶体管Tr2的源极电压Vs的增大停止。 从而，保持电容Cs的端子间电压经由驱动晶体管Tr2放电。如图9中所示，保持电容Cs的端子间电压被设定到驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth。在经过了足以将保持电容Cs的端子间电压设定到驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth 的时间之后的时刻t3，如图10中所示，写入晶体管Trl被写入信号WS切换到截止状态(图 5(A))。随后，如图11中所示，信号线DTL的电压被设定到灰阶设定电压Vsig( = Vin+Vo)。在随后的给定时刻t4，写入晶体管Trl被设定到导通状态(图5(A))。从而，如图12中所示，驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg被设定到灰阶设定电压Vsig，并且驱动晶体管Tr2的栅极到源极电压Vgs被设定到通过将驱动晶体管Tr2的阈值电压与灰阶电压Vin 相加而获得的电压。从而，在像素电路5中，能够在有效地避免驱动晶体管Tr2的阈值电压 Vth的变化的同时驱动有机EL器件8，并且能够防止由于有机EL器件8的亮度变化而引起的图像质量劣化。在像素电路5中，在将驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg设定到灰阶设定电压Vsig 时，在驱动晶体管Tr2的漏极电压被保持在电源电压VccH的状态中，驱动晶体管Tr2的栅极在一定的时段期间连接到信号线DTL。从而，校正了驱动晶体管Tr2的迁移率μ的变化。S卩，在保持电容Cs的端子间电压被设定到驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth的状态中写入晶体管Trl被设定到导通状态并且驱动晶体管Tr2的栅极连接到信号线DTL的情况下，驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg从固定电压Vo逐渐增大，并且被设定到灰阶设定电压 Vsig0这里，在像素电路5中，使驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg提升所必需的写入时间常数与驱动晶体管Tr2使源极电压Vs提升所必需的时间常数相比被设定得较低。在此情况下，在写入晶体管Trl执行导通动作之后，驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg立即提升到灰阶设定电压Vsig( = Vo+Vin)。在栅极电压Vg的这种提升时，如果有机EL器件8的电容Cel充分大于保持电容Cs，则驱动晶体管Tr2的源极电压Vs不改变。然而，在驱动晶体管Tr2的栅极到源极电压Vgs被增大到大于阈值电压Vth的情况下，电流Ids从电源电压VccH流经驱动晶体管Tr2，并且驱动晶体管Tr2的源极电压Vs 逐渐增大。结果，保持电容Cs的端子间电压从驱动晶体管Tr2放电，并且栅极到源极电压 Vgs的增大速率降低。端子间电压的这种放电速率根据驱动晶体管Tr2的电容而变化。更具体而言，当驱动晶体管Tr2的迁移率μ更大时，放电速率更增大。结果，在像素电路5中，进行设定以使得，当驱动晶体管Tr2的迁移率μ更大时， 保持电容Cs的端子间电压更低，从而校正由迁移率变化引起的亮度变化。此外，与迁移率 μ的校正相应的端子间电压的降低部分在图5、图12和图13中由Δν指示。在像素电路5中，当迁移率的校正时段逝去时，写入信号WS在时刻t5下降。结果， 发光时段开始，并且如图13中所示，有机EL器件8根据与保持电容Cs的端子间电压相应的驱动电流Ids而发光。当发光时段开始时，驱动晶体管Tr2的栅极电压Vg和源极电压Vs 根据所谓的自举电路而增大。图13中的Vel表示增大部分的电压。从而，在像素电路5中，在驱动晶体管Tr2的栅极电压从时刻t0到时刻tl下降到电压VccL的时段期间，准备用于对驱动晶体管Tr2的阈值电压进行校正的处理。另外，在从时刻t2到时刻t3的随后时段期间，保持电容Cs的端子间电压被设定到驱动晶体管Tr2 的阈值电压Vth，并且驱动晶体管Tr2的阈值电压被校正。另外，在从时刻t4到时刻t5的时段期间，驱动晶体管Tr2的迁移率被校正，并且灰阶设定电压Vsig被采样。(1-2)像素电路的布局(图1)图1示出了像素电路5中的布线图案的布局。在图像显示设备1中，显示部2是通过根据图1所示的布局反复布置像素电路5来形成的。要注意，图1示出了通过从有机 EL器件8的阳极电极去除上层构件来观察基板侧的状态。在该图中，每层的每个布线图案由每种不同的阴影来图示。另外，圆圈指示层间接触11，并且矩形指示阳极用接触12。另外，在圆圈(接触11)内侧设有分配给连接目的地的布线图案的阴影，其示出了层间连接关系。在像素电路5中，通过在由例如玻璃制成的绝缘基板上形成布线图案材料层并随后对布线图案材料层提供蚀刻处理来形成第一布线10A。随后，在形成栅极氧化膜之后，形成由多晶硅膜制成的中间布线10C。第一布线IOA和中间布线IOC被形成为在大约中央的区域中局部相互对置，并且保持电容Cs是从这种对置区域形成的。随后，在形成沟道保护层等等之后，通过杂质搀杂来形成写入晶体管Trl和驱动晶体管Tr2。随后，在形成布线图案材料层之后，对布线图案材料层提供蚀刻处理，从而形成第二布线10B。接下来，执行下文中描述的缺陷检测处理，并且修复缺陷之处。随后，在形成具有给定膜厚度的平坦化膜之后，形成有机EL器件8的阳极电极。此后，有机EL器件8的材料膜、阴极电极和保护膜被顺次成层。此后，布置密封透明基板。在此实施例中，在像素电路5中，在垂直方向上延伸的信号线DTL被形成在像素电
9路5的左端侧。另外，在水平方向上延伸的用于电源的扫描线DSL和用于写入信号的扫描线WSL分别被形成在像素电路5的上方和下方。这种图像显示设备1具有如下特性，即第二布线IOB的电阻值远小于第一布线IOA 的。具体而言，第一布线IOA的薄层电阻值大约是第二布线IOB的50倍。另外，在图像显示设备1中，信号线DTL以及扫描线DSL和WSL的阻抗应当较小。因此，在此实施例中，从第二布线IOB形成用于电源的扫描线DSL和用于写入信号的扫描线WSL。另外，用于电源的扫描线DSL的宽度被形成得宽于用于写入信号的扫描线 WSL的宽度。此外，尽可能地从第二布线IOB形成信号线DTL。具体而言，仅在信号线DTL与扫描线DSL和WSL交叉的区域中从第一布线IOA形成信号线DTL，并且从第二布线IOB形成信号线DTL的其余部分。另外，结果，信号线DTL分别设有将第一布线IOA与第二布线IOB 相连接的接触，使得信号线DTL与扫描线DSL和WSL交叉的区域被夹在这些接触之间。在信号线DTL与用于电源的扫描线DSL交叉的区域中用于电源的扫描线DSL设有穿过信号线DTL的、具有切断信号线DTL的形状的狭缝SL。在用于电源的扫描线DSL在宽度方向上大约三等分的两个位置处，在信号线DTL的延伸方向上并列设置了上述狭缝SL。 为了利用激光束执行良好的修整，狭缝SL的两端从信号线DTL的两侧端部突出，并且在上述两端中形成开口。在位于离信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL交叉的区域的距离足够进行激光修整的扫描驱动电路4侧和扫描驱动电路4侧的相反侧的扫描线WSL中，分别设有用于确保与第一布线IOA的连接的第一接触和第二接触。从开始于第一接触和第二接触的第一布线IOA的布线图案形成用于绕过信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL交叉的区域的布线图案BP。具体而言，布线图案BP在如下区域中从第一布线IOA形成以穿过信号线DTL 并将第一接触与第二接触相连接该区域不同于信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL 交叉的区域并且在该区域中从第二布线IOB形成信号线DTL。另外，布线图案BP连接到驱动晶体管Tr2的栅极，并且被分配到写入信号WS的传输路径。在此实施例中，第一布线IOA 的布线图案被形成为在写入晶体管Trl位于其间的情况下使写入晶体管Trl的栅极分别与相应的第一接触和第二接触相接触。(1-3)修复处理(图14至图21)在此实施例中，在图像显示设备1的制造步骤中，通过缺陷检测处理来检测布线图案之间的短路之处，并且在随后的修复处理中修复检测到的短路之处。在制造步骤中，根据检测到的短路故障区域来执行修复处理。即，如果在其上没有层叠其他布线图案之处检测到短路故障，则通过利用激光束照射短路区域来修整短路区域，从而修复短路之处。具体而言，例如，如图14中的参考符号 A所指示，如果在除用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL与信号线DTL交叉的区域以外的区域中用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL短路，则通过用激光束照射来修整扫描线WSL和DSL之间的部分，从而修复短路之处。同时，如图14中的参考符号B所指示，如果在用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL与信号线DTL交叉的区域中绕过布线图案BP的相反侧的区域中用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL短路，则如图15中所示，利用狭缝SL，使信号线DTL和扫描线WSL短路的区域与用于电源的扫描线DSL隔离开，从而修复短路之处。即，在发生短路故障那侧的狭缝SL中，分别从两端的开口到发生短路故障那侧通过激光修整切断扫描线DSL的布线图案，从而修复短路之处。在图15和以下提到的图中，激光修整的每条中心线在适当时由虚线指示。另外，如图14中的参考符号C所指示，如果在信号线DTL和用于电源的扫描线DSL 相互交叉的区域中的某个区域中信号线DTL和用于电源的扫描线DSL短路，则如图16中所示，以与针对图15描述的相同的方式，利用狭缝SL，通过激光修整来修复短路之处。图17的连接图以等效方式示出了上述参考符号A至C所指示的短路故障。在存在如参考符号A和B所指示的用于写入信号的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL之间的短路之处的情况下，在与扫描线DSL和WSL有关的每条线中难以正常显示图像，并且观察到水平线缺陷。另外，在存在如参考符号C所指示的扫描线DSL与用于电源的扫描线DSL之间的短路之处的情况下，观察到垂直方向上的亮线或暗线形式的缺陷。同时，如图18中的参考符号D所指示，在由于第二布线IOB的缺陷而导致在绕过布线图案BP侧信号线DTL和用于写入信号的扫描线WSL短路的情况下，如图19中所示，在位于发生短路故障之处两侧并且在第一和第二接触的内侧的区域中通过激光修整来切断扫描线WSL的布线图案，从而修复短路之处。另外，如图18中的参考符号E所指示，在由于第一布线IOA的缺陷而导致信号线 DTL和用于写入信号的扫描线WSL短路的情况下，如与图19对比的图20中所示，在位于发生短路故障之处两侧并且在第一和第二接触的内侧的区域以及短路区域中通过激光修整来切断扫描线WSL的布线图案，从而修复短路之处。图21中所示的连接图以等效方式示出了前述参考符号D和E所指示的短路故障。 在此情况下，在发生短路故障的像素电路5中，扫描线WSL和信号线DSL在给定阻抗下稳定地连接，并且有关像素被观察为缺陷。(2)此实施例的操作(图1至图22)在此实施例的图像显示设备1中，在信号线驱动电路3中，顺次输入的图像数据Dl 被分选到显示部2的每条信号线DTL中(图2和图3)，并且随后被加以数模转换处理。从而，对于每一条信号线DTL形成了指示出连接到信号线DTL的每个像素的灰阶的灰阶电压 Vin0另外，通过由扫描线驱动电路4驱动显示部，在构成显示部2的各个像素电路5中，例如按行序设定灰阶电压Vin。通过根据灰阶电压Vin由驱动晶体管Tr2进行驱动，有机EL 器件8分别发光(图4)。从而在图像显示设备1中，能够在显示部2中显示与图像数据Dl 相应的图像。更具体而言，在像素电路5中，有机EL器件8被具有源极跟随器电路构造的驱动晶体管Tr2电流驱动。另外，设在驱动晶体管Tr2的栅极与源极之间的保持电容Cs的栅极侧端的电压被设定到与灰阶电压Vin相应的电压Vsig。从而，有机EL器件8以与图像数据 Dl相应的亮度发光，并且期望的图像被显示。然而，应用到像素电路5的驱动晶体管Tr2具有阈值电压Vth的变化较大的缺点。从而，如果保持电容Cs的栅极侧端的电压被简单地设定到与灰阶电压Vin相应的电压 Vsig,则有机EL器件8的亮度根据驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth的变化而变化，并且图像质量劣化。从而，在此实施例的图像显示设备1中，例如，由于预先利用驱动信号DS和写入信号WS对驱动晶体管Tr2的控制，保持电容Cs的端子间电压被设定到驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth(图4至图7)。此后，在图像显示设备1中，保持电容Cs的端子电压被设定到灰阶设定电压Vsig(Vin+Vo)(图11)。从而，能够防止由于驱动晶体管Tr2的阈值电压Vth 的变化而引起的图像质量劣化。另外，通过在一定时段期间在电源被提供给驱动晶体管Tr2 的状态中将驱动晶体管Tr2的栅极电压保持在灰阶设定电压Vsig，能够防止由于驱动晶体管Tr2的迁移率变化而引起的图像质量劣化。从而，在图像显示设备1中，例如，在按线序设定各个像素电路5的灰阶时，应当用写入信号WS对写入晶体管Trl进行精确的导通/截止控制。另外，由于有机EL器件8的驱动电流是经由用于电源的扫描线DSL提供的，所以扫描线DSL中的电压降应当充分小。从而，在图像显示设备1中，扫描线DSL和WSL的阻抗应当充分小。另外，信号线DTL的阻抗应当充分小。在此实施例中，像素电路5是从由第一布线10A、中间布线IOC和第二布线IOB构成的叠层结构(其间有层间绝缘膜等等)形成的(图1)。另外，由于在第一布线10A、中间布线IOC和第二布线IOB之中第二布线IOB具有最低的电阻值，所以用于写入信号WS的扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL是从第二布线IOB形成的。另外，用于电源的扫描线 DSL的宽度被形成得宽于用于写入信号WS的扫描线WSL的宽度。从而，能够充分减小扫描线WSL和用于电源的扫描线DSL的阻抗。另外，信号线DTL仅在信号线DTL与扫描线DSL和WSL交叉的区域中是从第一布线IOA形成的，并且信号线DTL在信号线DTL不与扫描线DSL和WSL交叉的区域中是从第二布线IOB形成的。另外，信号线DTL设有将第一布线IOA与第二布线IOB相连接的接触， 其间是信号线DTL与扫描线WSL交叉的区域。从而，也能够充分减小信号线DTL的阻抗。在图像显示设备1中，为了获得高分辨率，应当密集布置像素电路5。结果，在为了高分辨率而设在同一层中的布线图案之间容易发生短路故障。即，在扫描线WSL与DSL之间(图14，参考符号A和B)、扫描线WSL与信号线DTL的第二布线IOB之间(图14，参考符号C)以及扫描线DSL与信号线DTL的第二布线IOB之间(图17，参考符号D)，可能发生短路故障。另外，在信号线DTL的第一布线IOA与写入晶体管Trl的栅极线之间(图17，参考符号E)也可能发生短路故障。具体地，在像此实施例中那样从第一布线IOA和第二布线IOB形成信号线DTL的情况下，当尽可能地缩短第一布线IOA的长度时，能够降低信号线DTL的阻抗。从而，在出于降低信号线DTL的阻抗的目的而缩短第一布线IOA的长度的情况下，在第二布线IOB中信号线DTL与扫描线DSL/扫描线WSL之间的距离被缩短，短路故障易于发生。在图像显示设备1中，通过利用激光束进行修整来修复短路之处。如图14中的参考符号A所指示，对于没有层叠布线图案之处的短路故障，只要简单地利用激光修整切断短路之处就能够修复短路之处。然而，对于层叠了布线图案的区域，其他布线图案也被激光修整切断。在此情况下，难以修复短路之处。图22示出了在对于短路之处的修复处理不施展巧思的情况下的像素电路15的构造。在像素电路15中，在未设有狭缝SL的情况下形成用于电源的扫描线 DSL0另外，驱动晶体管Tr2的栅极线被设置成简单地从用于写入信号的扫描线WSL延伸。在图22的情况下，如与图14和图15中的参考符号相对应的参考符号b至e所指
12示，对于扫描线WSL和DSL与信号线DTL交叉的区域中的扫描线WSL和DSL之间的短路之处 (参考符号b)、扫描线DSL与信号线DTL的第二布线IOB之间的短路之处(参考符号c)、扫描线WSL与信号线DTL的第二布线IOB之间的短路之处(参考符号d)以及信号线DTL的第一布线IOA与写入晶体管Trl的栅极线之间的短路之处(参考符号e)，难以通过激光修整修复短路之处。同时，在此实施例的图像显示设备1中，至于用于电源的扫描线DSL，在用于电源的扫描线DSL与信号线DTL交叉的区域中设置了具有穿过信号线DTL的形状的狭缝SL(图 1)。通过利用狭缝SL进行的激光修整，使发生短路故障的区域与扫描线DSL隔离开来，从而修复短路之处(图15和图16)。从而，在信号线DTL与扫描线DSL交叉的情况下，即使在信号线DTL与扫描线DSL交叉的区域中发生短路故障，也可以修复短路之处并且提高产量。然而，设置狭缝的方法不适用于信号线DTL的第一布线IOA与写入晶体管Trl的栅极线之间的短路之处(图18，参考符号E)。另外，虽然设置狭缝的方法可应用到扫描线 WSL与信号线DTL的第二布线IOB之间的短路之处(图18，参考符号D)，但扫描线WSL的图案宽度应当较宽。结果，难以向用于电源的扫描线DSL分配足够的图案宽度，并且变得难以充分降低用于电源的扫描线DSL的阻抗。在不能充分降低用于电源的扫描线DSL的阻抗的情况下，随着与扫描线驱动电路4的距离更大，驱动晶体管Tr2的漏极电压降低，并且发生阴影(shading)。另外，在用于写入信号的扫描线WSL的图案宽度增大的情况下，串扰增大，这可能导致图像质量劣化。在此实施例中，在位于离信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL交叉的区域的距离足以进行激光修整的扫描驱动电路4侧和扫描驱动电路4侧的相反侧的扫描线WSL的区域中，分别设置第一接触和第二接触。从第一布线IOA形成用于将第一接触与第二接触相连接的绕过布线图案BP。另外，至于扫描线WSL与信号线DTL的第二布线IOB之间的短路之处(图19)和信号线DTL的第一布线IOA与写入晶体管Trl的栅极线之间的短路之处(图20)，第一接触和信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL交叉的区域之间的部分以及第二接触和信号线DTL与用于写入信号的扫描线WSL交叉的区域之间的部分被激光修整所切断，从而写入信号WS仅经由绕过布线图案BP传输。从而，在图像显示设备1中，在信号线DTL与扫描线 WSL交叉的情况下，即使在信号线DTL与扫描线WSL交叉的区域中发生短路故障，也可以修复短路之处并且提高产量。如与图19和图20对比的图23中所示，根据此实施例，即使发生包括信号线DTL 的第一布线IOA在内的第一和第二接触短路的大规模短路故障，也能够修复短路之处。另外，如图M中所示，在短路没有发生在扫描线WSL的正下方的情况下，可以通过绕过布线图案侧的激光修整来修复短路之处。另外，在此实施例中，由于绕过布线图案BP被设定成也充当写入晶体管Trl的栅极线，所以能够简化像素电路5的布局。另外，写入晶体管Trl的栅极经由通过两个接触与扫描线WSL相连接的绕过布线图案与扫描线WSL相连接。从而，即使接触之一由于接触形成步骤中的缺陷而失去导电性， 也能够经由另一接触将写入信号WS提供给写入晶体管Trl。从而，与过去相比能够进一步提高图像显示设备1的可靠性。
(3)实施例的效果如上所述，在此实施例中，在仅在信号线与扫描线交叉的区域中从与扫描线不同的布线图案层形成信号线、而除了信号线与扫描线交叉的区域以外则从与扫描线相同的布线图案层形成信号线的情况下，设置绕过交叉区域的布线图案。从而，能够修复在交叉区域中产生的布线图案之间的短路之处。另外，通过将写入晶体管的栅极经由绕过布线图案与扫描线相连接，能够简化像素电路的布局，并且还能够提高图像显示设备的可靠性。<2.第二实施例〉图25与图1相对比示出了应用到本发明第二实施例的图像显示设备的显示部的布局。此实施例的图像显示设备具有与第一实施例的图像显示设备1相同的构造，只不过图25中所示的布局与第一实施例的布局不同。以下在适当时将利用第一实施例中的图像显示设备中的各个元件的参考符号来进行描述。在此实施例中的图像显示设备中，进行布置以使得从扫描线驱动电路4来看奇数序号的像素电路50的信号DTL和从扫描线驱动电路4来看偶数序号的相邻像素电路5E的信号DTL相互对置。S卩，在显示部22中，沿着奇数序号的像素电路50的左端布置信号线 DTL，并且沿着偶数序号的像素电路5E的右端布置信号线DTL。从而，在显示部22中，在相邻的像素电路5E和50中，信号线DTL相互接近地对置。在此实施例中，奇数序号的像素电路50和偶数序号的像素电路5E是以信号线DTL 为中心相互对称的，从而进行布置以使得信号线DTL在相邻的像素电路5E和50中相互接近地对置。在显示部22中，在接近布置的信号线DTL中，共同地布置了绕过布线图案。S卩，在显示部22中，在位于离接近布置的信号线DTL分别与扫描线WSL交叉的区域的距离足够进行激光修整的扫描驱动电路4侧和扫描驱动电路4侧的相反侧，设置了第一接触和第二接触。在显示部22中，从第一布线IOA形成用于将第一接触部与第二接触部相连接的绕过布线图案，以同时穿过两个对置的信号线DTL下方的层。写入信号WS通过绕过布线图案被提供给相邻像素电路的各个写入晶体管Trl。如与图19和图20相对比的图沈和图27中所示，根据此实施例的图像显示设备， 即使在第一布线IOA和第二布线IOB中分别在扫描线与信号线之间发生短路故障，也能够确实地修复短路之处。另外，如图观中所示，即使第一接触和第二接触之一失去导电性，也能够经由另一接触将写入信号WS提供给写入晶体管Trl。从而，与过去相比能够进一步提高图像显示设备1的可靠性。根据此实施例，进行布置以使得在相邻的像素电路中扫描线相互接近地对置，并且绕过布线图案被共用。从而，与第一实施例的构造相比能够进一步简化构造，并且能够获得与第一实施例类似的效果。另外，奇数序号的像素电路和偶数序号的像素电路以扫描线为中心相互对称，从而进行布置以使得扫描线在相邻的像素电路中相互接近地对置。从而，只要通过掩膜镜像就能够布置各个像素电路。因此，易于构成图像显示器。从而，利用比第一实施例的构造进一步简化的构造，能够获得与第一实施例类似的效果。<3.第三实施例〉
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图四与图1相对比示出了应用到本发明第三实施例的图像显示设备的显示部的布局。此实施例的图像显示设备具有与第一实施例的图像显示设备1相同的构造，只不过图四中所示的布局与第一实施例的不同。在应用到此实施例的像素电路25中，写入晶体管Trl被布置在信号线DTL的第二布线IOB的下方。更具体而言，图1的像素电路5中的写入晶体管Trl被逆时针旋转90度， 并且被布置在信号线DTL的第二布线IOB的下方。由于改变了驱动晶体管Tr2的布局，因此在像素电路25中修正了保持电容Cs等等的形状。在此实施例的图像显示设备中，有效地使用了信号线DTL的一部分从第二布线 IOB形成的构造，从而到写入晶体管Trl的入射光能够被第二布线IOB的信号线DTL所阻挡。被信号线DTL阻挡的光是设在有关像素电路中的有机EL器件8的光、设在相邻像素电路中的有机EL器件8的光等等。从而，在此实施例中，能够防止由于外部光的进入而引起的写入晶体管Trl的特性改变，并且能够防止由于特性改变而引起的各种异常。另外，写入晶体管Trl能够被信号线DTL所遮蔽，并且反向沟道的泄漏电流能够被减小。根据此实施例，驱动晶体管被布置在信号线的下方。从而，防止了由于外部光的进入而引起的驱动晶体管的特性改变，并且能够获得与前述第一实施例类似的效果。<4.第四实施例〉图30与图25相对比示出了应用到本发明第四实施例的图像显示设备的显示部的布局。此实施例的图像显示设备具有与第二实施例的图像显示设备1相同的构造，只不过与对比图1针对图四描述的一样，写入晶体管Trl被布置在信号线DTL的第二布线IOB的下方。根据此实施例，即使在像素电路相互对称并且绕过布线图案被共用的构造中驱动晶体管被布置在信号线下方以防止由于外部光的进入而引起的驱动晶体管的特性改变等等的情况下，也能够获得与前述的第二和第三实施例类似的效果。<5.第五实施例>在前述实施例中，已经描述了在信号线与用于电源/用于写入信号的扫描线交叉的区域中信号线被布置在下层侧的情况。然而，本发明并不限于此，而是扫描线侧可被布置在信号线下方的层中。另外，在前述实施例中，已经描述了这样的情况，即由于第二布线IOB的电阻值比第一布线IOA的电阻值低，所以第二布线IOB被优先用来布置信号线和扫描线。然而，本发明并不限于此。例如，在第一布线IOA的电阻值比第二布线IOB的电阻值低的情况下，第一布线IOA可被优先用来布置信号线和扫描线。在此情况下，本发明也广泛适用。另外，在第二实施例和第四实施例中，已经描述了奇数序号的像素电路和偶数序号的像素电路相互对称的情况。然而，本发明并不限于此。可以将构成彩色图像的一个像素的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素用作一个单位，并且选择性地对称形成这种子像素。在此情况下，例如，在分别构成红色、绿色和蓝色子像素的像素电路之中，红色像素电路与绿色和蓝色像素电路相互对称，绿色像素电路与红色和蓝色像素电路相互对称，或者红色和绿色像素电路与蓝色像素电路相互对称。<6.第六实施例>第六实施例是这样一个示例，其中，如上所述，将构成彩色图像的一个像素的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素用作一个单位，并且选择性地对称形成这种子像素。此外，在此情况下，将描述一个单位(集合)，其中G(绿色)像素电路被视为第一像素电路， B (蓝色)像素电路被视为第二像素电路，R (红色)像素电路被视为第三像素电路，并且这些像素电路被按此顺序并列布置。另外，将描述一个示例，其中在此单位中，作为第二像素电路的B像素电路和作为第三像素电路的R像素电路相互对称。图31是示出作为此实施例中的比较例的像素电路的图案布局的示图。考虑到布局效率和缺陷修复特性，在TFT层中，每个像素间距在R、G和B之间不是对称的。在图31所示的布局中，示出了 G像素的图案面积小于R像素的图案面积，并且B 像素的图案面积大于R像素的图案面积的情况。另外，在R、G和B像素电路之中，B像素电路的布局相对于R和G像素电路是左右反转的，从而R、G和B的每个图案密度是大致相等的。对于各个B和R像素，从第一金属布线形成用于修复信号线DTL与扫描线WSL之间的短路的绕过布线图案BP(参考图25至图28)。S卩，设置了穿过B和R像素电路中的信号线DTL-R和DTL-B的布线图案并且同时绕过B和R像素电路中的信号线DTL与扫描线WSL交叉的区域的绕过布线图案BP。另外，在G像素电路中，没有设置为B和R像素电路设置的绕过布线图案BP。图32示出了比较例中的像素电路中的若干阶段的时序图。在此情况下，用于WS 正偏置和阈值校正准备的三个脉冲和用于阈值校正的两个脉冲，即扫描线WSL的切换，被总共执行五次。此时，在某条信号线DTL中，由于同时的五个扫描线切换而产生电容耦合。这个数字依赖于保证的图像质量、驱动频率等等。根据条件，总共执行40次切换。另外，图32示出了 R、G和B的各个信号线DTL-R、DTL-G和DTL-B的时序。在信号线DTL-R和DTL-B中，信号线DTL-R和DTL-B以及扫描线WSL的寄生电容由于以下原因而比DTL-G的大。S卩，像图31中所示的图案布局那样，为B和R像素电路中的扫描线WSL设置了绕过布线图案BP，从而在信号线DTL-B和DTL-R与绕过布线图案BP交叉的部分中产生了寄生电容。从而，由扫描线WSL的电势改变引起的电容耦合在DTL-R和DTL-B中比在 DTL-G中大，并且在阈值校正准备时段和阈值校正时段期间在偏置电势中产生噪声。前述现象随着电势切换的次数变大而变大。特别地，如果在阈值校正时段期间没有表现出收敛在视频信号基准电势Vo上，则即使输入相同的视频信号，在R像素、B像素和 G像素之间也可能导致亮度不均一。图33示出了此实施例中的像素电路的图案布局。考虑到布局效率和缺陷修复特性，在TFT层中，每个像素间距在R、G和B之间不是对称的。在图33所示的布局中，示出了 G像素的图案面积小于R像素的图案面积，并且B 像素的图案面积大于R像素的图案面积的情况。另外，在R、G和B像素电路之中，B像素电路的布局相对于R和G像素电路是左右反转的，从而R、G和B的每个图案密度是大致相等的。对于各个B和R像素，从第一金属布线形成用于修复信号线DTL与扫描线WSL之间的短路的绕过布线图案BP(参考图25至图28)。S卩，设置了穿过B和R像素电路中的信号线DTL-R和DTL-B的布线图案并且同时绕过B和R像素电路中的信号线DTL与扫描线WSL交叉的区域的绕过布线图案BP。在G像素电路中，取代为为B和R像素电路设置的绕过布线图案BP，设置了假拟布线图案FP。假拟布线图案FP是这样的布线图案其导通到扫描线WSL，并且在与扫描线WSL 与信号线DTL-G交叉的区域不同的区域中在上层或下层中穿过信号线DTL-G的布线图案。由于设有前述假拟图案FP，因此在G像素电路中在假拟图案FP与信号线DTL-G之间产生寄生电容。同时，在B和R像素电路中，在绕过布线图案BP与信号线DTL-B和DTL-R 之间产生寄生电容。即，在所有的R、G和B像素电路中都产生相同的寄生电容。图34示出了此实施例的图案布局的时序图。在此实施例中，由于扫描线WSL的电势改变而引起的电容耦合量是相等的，并且在各个视频信号基准电势Vo中产生相同的噪声，从而能够防止亮度不均一。在此实施例中，在2TrlC像素电路中，为B和R像素电路设置了绕过布线图案BP， 并且在G像素电路中设置了假拟布线图案FP。从而，在扫描线WSL与信号线DTL之间形成的寄生电容变得对于各个信号线是相等的。因此，能够减小各个像素之间由于扫描线WSL 的电势改变而引起的电容耦合量的变化，并且能够防止亮度不均一。在图33中所示的此实施例的图案布局中，取代在G像素电路中设置的假拟布线图案FP，可以设置绕过扫描线WSL与信号线DTL-G之间的交叉处的绕过布线图案。在上述实施例中，已经描述了图像显示设备由针对图3描述的像素电路构成的情况。然而，本发明并不限于此。本发明可广泛适用于图像显示设备由各种像素电路构成的情况。具体而言，例如，在前述实施例中，已经描述了这样的情况，即通过使驱动晶体管的漏极电压下降来使保持电容的有机EL器件侧端电压下降，从而将保持电容的端子间电压设定到等于或大于驱动晶体管的阈值电压的电压。然而，本发明并不限于此。例如，本发明可广泛适用于这样的情况，其中保持电容的有机EL器件侧端另外经由开关晶体管连接到给定的固定电压，从而保持电容的端子间电压被设定到等于或大于驱动晶体管的阈值电压的电压。另外，在前述实施例中，已经描述了这样的情况，即驱动晶体管的栅极电压经由信号线被设定到用于校正阈值电压的固定电压，从而保持电容的端子间电压被设定到等于或大于驱动晶体管的阈值电压的电压。然而，本发明并不限于此。例如，本发明可广泛适用于这样的情况，其中驱动晶体管的栅极电压经由开关晶体管被设定到固定电压，从而保持电容的端子间电压被设定到等于或大于驱动晶体管的阈值电压的电压。另外，在前述实施例中，已经描述了本发明应用到利用由有机EL器件构成的自发光器件的图像显示设备的情况。然而，本发明并不限于此。本发明可广泛适用于利用各种自发光器件的图像显示设备并且还可广泛适用于利用液晶等等的图像显示设备。工业应用性本发明例如适用于利用有机EL器件的有源矩阵型图像显示设备。
权利要求
1.一种图像显示设备，用于利用显示部显示图像，在所述显示部中像素电路被布置成矩阵状态，其中关于所述显示部的扫描线或信号线，在除了布线图案与所述信号线或扫描线交叉的区域以外的区域中在与所述信号线或扫描线的布线图案相同的层中形成布线图案，在所述交叉区域中，在与所述信号线或扫描线的布线图案不同的层中形成布线图案，并且所述扫描线设有绕过布线图案，所述绕过布线图案在与所述交叉区域不同的区域中在上层或下层穿过所述信号线的布线图案并且绕过所述交叉区域。
2.根据权利要求1所述的图像显示设备，其中，所述像素电路设有用于根据所述信号线的电压设定灰阶的写入晶体管，并且所述写入晶体管的栅极通过所述绕过布线图案连接到所述扫描线。
3.根据权利要求2所述的图像显示设备，其中，在相邻的一对所述像素电路中，所述信号线的布线图案是相互接近地对置的，并且所述绕过布线图案是穿过所述一对像素电路中的所述信号线的布线图案并且同时绕过所述一对像素电路中的所述交叉区域的布线图案。
4.根据权利要求3所述的图像显示设备，其中，所述一对像素电路关于所述信号线的布线图案是相互对称的。
5.根据权利要求2所述的图像显示设备，其中，所述写入晶体管被布置在所述信号线的布线图案的下方。
6.根据权利要求3所述的图像显示设备，其中，所述像素电路具有自发光器件、用于根据由用于电源的扫描线提供的电源来驱动所述自发光器件的驱动晶体管、以及用于保持所述驱动晶体管的栅极到源极电压的保持电容，所述写入晶体管是用于根据所述信号线的电压来设定所述保持电容的端子电压的晶体管，并且在所述保持电容的端子间电压通过所述扫描线和所述信号线的控制而被设定到所述驱动晶体管的阈值电压之后，所述保持电容的端子电压通过所述写入晶体管被设定到所述信号线的电压，从而所述自发光器件的亮度被设定。
7.根据权利要求5所述的图像显示设备，其中，所述像素电路具有自发光器件、用于根据由用于电源的扫描线提供的电源来驱动所述自发光器件的驱动晶体管、以及用于保持所述驱动晶体管的栅极到源极电压的保持电容，所述写入晶体管是用于根据所述信号线的电压来设定所述保持电容的端子电压的晶体管，并且在所述保持电容的端子间电压通过所述扫描线和所述信号线的控制而被设定到所述驱动晶体管的阈值电压之后，所述保持电容的端子电压通过所述写入晶体管被设定到所述信号线的电压，从而所述自发光器件的亮度被设定。
8.根据权利要求2所述的图像显示设备，其中，关于在多个所述像素电路中顺次布置第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路的集合，在相邻的所述第二像素电路和所述第三像素电路中，所述信号线的布线图案相互接近地对置，所述绕过布线图案是穿过所述第二像素电路和所述第三像素电路中的所述信号线的布线图案并且同时绕过所述第二像素电路和所述第三像素电路中的所述交叉区域的布线图案，并且在所述第一像素电路中，取代所述绕过布线图案，设有假拟布线图案，所述假拟布线图案是导通到所述扫描线的布线图案，并且在与所述扫描线与所述信号线交叉的区域不同的区域中在上层或下层穿过所述信号线的布线图案。
9. 一种用于修复图像显示设备中的短路故障的方法，所述图像显示设备用于利用显示部显示图像，在所述显示部中像素电路被布置成矩阵状态，其中关于所述显示部的扫描线或信号线，在除了与所述信号线或扫描线交叉的区域以外的区域中通过在与所述信号线或扫描线的布线图案相同的层中的布线形成布线图案，在所述交叉区域中，通过在与所述信号线或扫描线的布线图案不同的层中的布线形成布线图案，所述扫描线设有绕过布线图案，所述绕过布线图案在与所述交叉区域不同的区域中穿过所述信号线的上层或下层并且绕过所述交叉区域，并且通过切断所述扫描线而使所述交叉区域与所述绕过布线图案隔离开，从而修复所述信号线与所述扫描线之间的短路之处。
全文摘要
提供了图像显示设备和用于修复短路故障的方法，并且该方法应用于例如使用有机EL元件的有源矩阵型图像显示设备并且使得可以修复布线图案之间的短路区域。在扫描线(WSL)或信号线(DTL)上设有绕过信号线(DTL)和扫描线(WSL)相互交叉的部分的布线图案(BP)，并且通过使用用于绕过的布线图案(BP)来修复布线图案之间的短路区域。
文档编号G09F9/00GK102301407SQ200980155670
公开日2011年12月28日 申请日期2009年9月25日 优先权日2009年2月4日
发明者内野胜秀, 种田贵之, 饭田幸人 申请人:索尼公司