1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；
第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接发光信号(Emit)，源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的源极，漏极电性连接第一节点(A)；
第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接扫描信号(Scan)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接第二节点(B)；
第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第二节点(B)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极，漏极电性连接第三节点(C)；
第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(Emit)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第三节点(C)；
第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接，均接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的源极；
第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(A)，另一端电性连接第二节点(B)；
有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的源极，阴极接入电源负电压(VSS)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述扫描信号(Scan)、及发光信号(Emit)均通过外部时序控制器提供。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：编程阶段(1)、及驱动发光阶段(2)；
在所述编程阶段(1)，所述扫描信号(Scan)提供高电位，所述发光信号(Emit)提供低电位；
在所述驱动发光阶段(2)，所述扫描信号(Scan)提供低电位，所述发光信号(Emit)提供高电位，所述第六薄膜晶体管(T6)向第一节点(A)提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管(T6)的阈值电压。
5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，第六薄膜晶体管(T6)的沟道宽长比越小，其阈值电压越大。
6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
第一薄膜晶体管(T1)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第一节点(A)；
第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入发光信号(Emit)，源极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的源极，漏极电性连接第一节点(A)；
第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描信号(Scan)，源极电性连接第三节点(C)，漏极电性连接第二节点(B)；
第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第二节点(B)，源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极，漏极电性连接第三节点(C)；
第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(Emit)，源极接入电源正电压(VDD)，漏极电性连接第三节点(C)；
第六薄膜晶体管(T6)的栅极与漏极短接，均接入电源正电压(VDD)，源极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的源极；
第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(A)，另一端电性连接第二节点(B)；
有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的源极，阴极接入电源负电压(VSS)；
步骤2、进入编程阶段(1)；
所述扫描信号(Scan)提供高电位，第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)打开，所述发光信号(Emit)提供低电位，第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)关闭，第一节点(A)写入数据信号(Data)提供的电压，导通的第三薄膜晶体管(T3)短接第四薄膜晶体管(T4)的栅极与漏极，第二节点(B)即第四薄膜晶体管(T4)的栅极的电压达到Vth4+VOLED+VSS，其中Vth4为第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压，VOLED为有机发光二极管(D1)的阈值电压，VSS为电源负电压，第四薄膜晶体管(T4)的源极电压达到VOLED+VSS；
步骤3、进入驱动发光阶段(2)；
所述扫描信号(Scan)提供低电位，第一、及第三薄膜晶体管(T1、T3)关闭，所述发光信号(Emit)提供高电位，第二、及第五薄膜晶体管(T2、T5)打开，第六薄膜晶体管(T6)向第一节点(A)提供参考信号电压VDD-Vth6，其中VDD为电源正电压，Vth6为第六薄膜晶体管(T6)的阈值电压；为保证第一电容(C1)两端电压差不变，第二节点(B)的电压变为Vth4+VOLED+VSS-Vdata+VDD-Vth6，其中Vdata为数据信号(Data)提供的电压，第四薄膜晶体管(T4)的源极电压变为VOLED+VSS+ΔV，ΔV为数据信号(Data)提供的电压对第四薄膜晶体管(T4)的源极电压产生的影响，第四薄膜晶体管(T4)导通，有机发光二极管(D1)发光，且流经有机发光二极管(D1)的电流与所述第四薄膜晶体管(T4)的阈值电压、有机发光二极管(D1)的阈值电压、及电源负电压(VSS)均无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述扫描信号(Scan)、及发光信号(Emit)均通过外部时序控制器提供。