1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接参考电压(Vref)，漏极电性连接第一节点(G)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第二节点(S)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(EM)，源极接入电源正电压(OVDD)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入发光信号(EM)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；
所述电容(C1)的一端电性连接第一节点(G)，另一端接地；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的漏极，阴极接入电源负电压(OVSS)。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、及发光信号(EM)均通过外部时序控制器提供。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、发光信号(EM)、以及数据信号(Data)相组合先后对应一初始化阶段(1)、一阈值电压感测阶段(2)、及一驱动发光阶段(3)。
5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为N型薄膜晶体管；
在所述初始化阶段(1)，所述第一扫描信号(Scan1)提供高电位，所述第二扫描信号(Scan2)提供高电位，所述第三扫描信号(Scan3)提供低电位，所述发光信号(EM)提供低电位，所述数据信号(Data)提供初始化电位(Vini)；
在所述阈值电压感测阶段(2)，所述第一扫描信号(Scan1)提供低电位，所述第二扫描信号(Scan2)提供高电位，所述第三扫描信号(Scan3)提供高电位，所述发光信号(EM)提供低电位，所述数据信号(Data)提供显示数据电位(Vdata)；
在所述驱动发光阶段(3)，所述第一、第二、及第三扫描信号(Scan1、Scan2、Scan3)均提供低电位，所述发光信号(EM)提供高电位。
6.一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路；
所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1)，源极电性连接参考电压(Vref)，漏极电性连接第一节点(G)；
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2)，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接第二节点(S)；
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光信号(EM)，源极接入电源正电压(OVDD)，漏极电性连接第三节点(D)；
所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入发光信号(EM)，源极电性连接第二节点(S)，漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极；
所述电容(C1)的一端电性连接第一节点(G)，另一端接地；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第六薄膜晶体管(T6)的漏极，阴极接入电源负电压(OVSS)；
步骤2、进入初始化阶段(1)；
所述第一扫描信号(Scan1)控制第二薄膜晶体管(T2)打开，所述第二扫描信号(Scan2)控制第三薄膜晶体管(T3)打开，所述第三扫描信号(Scan3)控制第四薄膜晶体管(T4)关闭，所述发光信号(EM)控制第五、及第六薄膜晶体管(T5、T6)关闭，所述数据信号(Data)提供初始化电位(Vini)，第一节点(G)写入参考电压(Vref)，第二节点(S)写入初始化电位(Vini)；
步骤3、进入阈值电压感测阶段(2)；
所述第一扫描信号(Scan1)控制第二薄膜晶体管(T2)关闭，所述第二扫描信号(Scan2)控制第三薄膜晶体管(T3)打开，所述第三扫描信号(Scan3)控制第四薄膜晶体管(T4)打开，所述发光信号(EM)控制第五、及第六薄膜晶体管(T5、T6)关闭，所述数据信号(Data)提供显示数据电位(Vdata)，打开的第四薄膜晶体管(T4)短接第一薄膜晶体管(T1)的栅极和漏极，第一节点(G)的电压达到显示数据电位(Vdata)与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压之和，第一节点(G)的电压存储在电容(C1)中；
步骤4、进入驱动发光阶段(3)；
所述第一、第二、及第三扫描信号(Scan1、Scan2、Scan3)分别控制第二、第三、及第四薄膜晶体管(T2、T3、T4)关闭，所述发光信号(EM)控制第五、及第六薄膜晶体管(T5、T6)打开，利用电容(C1)的存储作用，使得第一节点(G)的电压保持在显示数据电位(Vdata)与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压之和，第三节点(D)写入电源正电压(OVDD)，第一薄膜晶体管(T1)打开，有机发光二极管(D1)发光，且流经所述有机发光二极管(D1)的电流与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压无关。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、及发光信号(EM)均通过外部时序控制器提供。
9.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为N型薄膜晶体管；
在所述初始化阶段(1)，所述第一扫描信号(Scan1)提供高电位，所述第二扫描信号(Scan2)提供高电位，所述第三扫描信号(Scan3)提供低电位，所述发光信号(EM)提供低电位，所述数据信号(Data)提供初始化电位(Vini)；
在所述阈值电压感测阶段(2)，所述第一扫描信号(Scan1)提供低电位，所述第二扫描信号(Scan2)提供高电位，所述第三扫描信号(Scan3)提供高电位，所述发光信号(EM)提供低电位，所述数据信号(Data)提供显示数据电位(Vdata)；
在所述驱动发光阶段(3)，所述第一、第二、及第三扫描信号(Scan1、Scan2、Scan3)均提供低电位，所述发光信号(EM)提供高电位。