一种驱动信号的调整方法与流程

文档序号:14293874阅读:260来源:国知局

本发明涉及显示领域,特别涉及一种驱动信号的调整方法。



背景技术:

现在的液晶显示面板技术发展中,大尺寸、高分辨率已经成为重要的趋势。但在面板设计时,尺寸越大,液晶显示面板内部不同位置信号衰减的差异增大,相对常规的液晶显示面板均一性更差。同时,高分辨率的面板工作时像素充电时间短,充电率较低,而且不同位置的充电率也会有较大的差异,这样都会对液晶显示面板的显示品质造成不利的影响。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题在于,提供一种驱动信号的调整方法,可以改善大尺寸液晶显示面板的的充电的均一性,提升显示品质。

为了解决上述技术问题,本发明的实施例的一方面提供了一种驱动信号的调整方法,用于大尺寸液晶显示面板中,其包括如下步骤:步骤1,根据数据驱动芯片或/及扫描驱动芯片的扇出结构中各走线的阻抗信息,获得所述液晶显示面板中各像素的充电率;

步骤2,根据所述每一像素的充电率,对输入液晶显示面板的各像素的数据信号的电位值进行调整,以使所述液晶显示面板的所有像素的充电达到均一性。

其中,所述步骤1具体为:

获得数据驱动芯片与液晶面板数据线之间的每一组扇出结构中每一走线的阻抗值;

根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的所述数据线所连接的各像素的充电率。

其中,根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线连接所述列的各像素的充电率的步骤具体为:

获得与所述走线对应的数据线所连接的位于预定行上的像素的充电率,将所述充电率作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率;或者,

获得与所述走线对应的数据线所连接的位于多个预定行上的像素的充电率,获得对应的多个充电率的平均值,将所述平均值作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率。

其中,所述步骤2具体包括:

根据所述每一数据线所连接的各像素的统一充电率,以下述公式计算获得调整后的输入所述数据线的数据信号的电位值;

vdata=vtar/x

其中,vdata为调整后输入所述数据线的数据信号的电位值;vtar为输入所述数据线的数据信号的目标电位值,x为与所述数据线上各像素的统一充电率。

其中,所述步骤1包括:

获得数据驱动芯片与液晶面板数据线之间的每一组扇出结构中每一走线的阻抗值;

根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的数据所连接的各像素的充电率。

其中,所述步骤2具体为:

根据每一数据线所连接的各像素的充电率,以下述方式调整输入每一像素的电位值:

vdata=(vtar-vcom)/x+vcom

其中,vdata为调整后输入某一像素的数据信号的电位值;vtar为输入所述像素的数据信号的目标电位值,x为所述像素的充电率,vcom为公共电极电位。

其中,所述步骤1具体为:

获得扫描驱动芯片与液晶面板扫描线之间的每一组扇出结构中每一走线的阻抗值;

根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的扫描线所连接的各像素的充电率。

其中,所述步骤2具体为:

根据每一扫描线所连接的各像素的充电率,以下述方式调整输入各像素的数据信号的电位值:

vdata=vtar/x

其中,vdata为调整后的输入各像素的数据信号的电位值;vtar为输入各像素的数据信号的目标电位值,x为所述各像素对应的充电率。实施本发明实施例,具有如下有益效果:

在本发明的实施例中,通过根据数据驱动芯片或/及扫描驱动芯片的扇出结构中各走线的阻抗信息,获得所述液晶显示面板中各像素的充电率,然后根据所述各像素的充电率,对输入液晶显示面板的各像素的数据信号的电位值进行调整,提升了液晶显示面板工作时各处像素的充电均一性,从而改善液晶显示面板的显示品质;

本发明所采用的方法,克服了由于扇出结构的各走线的长度不同、连接至各像素的数据线、扫描线的长度不同,所产生的阻抗延迟而引起的各像素的充电率不同的不足,能提升液晶显示面板工作时各处像素的充电均一性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本发明提供的一种驱动信号的调整方法的一个实施例的主流程示意图;

图2是本发明涉及的液晶显示面板中各扇出结构的连接示意图;

图3是图2中一组中扇出结构的走线示意图;

图4是图3中一组扇出结构的阻抗分布示意图;

图5示出了图3中三条具有不同阻抗的走线所连接的象素单元的数据信号的波形示意图;

图6示出了图4中一组扇出结构的各走线所连接的像素的充电率示意图;

图7示出了本发明一个例子中经调整后的各走线的电位的示意图;

图8示出了同一条数据线上不同位置所连接的像素的充电率示意图;

图9示出了本发明另一个例子中对输入同一条数据线上不同位置所连接的像素的数据电位进行调节后的效果示意图;

图10是图11中数据信号的时序图;

图11、图12分别为面液晶显示面板中像素处于两种刷新频率时的充电波形示意图;

图13为本发明再一个例子中对面板中像素的输入信号进行修正后的充电波形示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

在此,还需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本发明,在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本发明关系不大的其他细节。

请参照图1所示,示出了本发明提供的本发明的实施例的一方面提供了一种驱动信号的调整方法,用于大尺寸液晶显示面板中,其包括如下步骤:

步骤s10,根据数据驱动芯片或/及扫描驱动芯片的扇出结构中各走线的阻抗信息,获得所述液晶显示面板中各像素的充电率;

步骤s11,根据所述至少部分像素中每一像素的充电率,对输入液晶显示面板的各像素的数据信号的电位值进行调整,以使所述液晶显示面板的所有像素的充电达到均一性。

为了说明本发明的内容,下述将从不同应用场景的三个实施例来说明本发明的原理以及更详细的实现过程。

第一实施例:

在该第一实施例中,所述步骤s10具体为:

步骤s100,获得数据驱动芯片与液晶面板数据线之间的每一组扇出结构(fanout)中每一走线的阻抗值;

步骤s101,根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的所述数据线所连接的各像素的充电率;

具体地,在一个例子中,所述步骤s101包括:获得与所述走线对应的数据线所连接的位于预定行上的像素的充电率,将所述充电率作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率;

或者,在另一个例子中,所述步骤s101包括:

获得与所述走线对应的数据线所连接的位于多个预定行上的像素的充电率,获得对应的多个充电率的平均值,将所述平均值作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率。

所述s11具体为:

根据所述每一数据线所连接的各像素的统一充电率,以下述公式计算获得调整后的输入所述数据线的数据信号的电位值;

vdata=vtar/x

其中,vdata为调整后输入所述数据线的数据信号的电位值;vtar为输入所述数据线的数据信号的目标电位值,x为与所述数据线上各像素的统一充电率。

在一些实施例中,可以将扇出结构最中间走线上的电位值作为输入所述数据线的数据信号的目标电位值。

具体地,下面以一个具体的应用实例,来说明本发明的第一实施例的应用场景及实现原理。

在大尺寸的液晶显示面板中,高分辨率已经成为显示面板的主流发展趋势。其中,扇出结构(fanout)是连接驱动ic和面板内部栅线/数据线(gate/data)线的重要连接线路,当面板尺寸变大时,fanout走线的宽度也会随之增加。如图2所示,即示出了一种大尺寸的液晶显示面板中各扇出结构的连接示意图,其中至少一个数据驱动芯片10通过扇出结构11(图2中虚线部分)与液晶显示面板12中的各数据线进行连接;可以理解的是,同理,扫描驱动芯片(未示出)也是通过扇出结构与液晶显示面板的各扫描线进行连接。

如图3中示出了一组扇出结构的具体走线示意图;其中,在每一组扇出结构11中,最外侧的走线110长度最大,相应的其所占面积也是最大的,故其电阻和寄生电容在该组走线中最大(rmax,cmax)。相应的,中间的走线112由于长度短,其占用面积小,故其电阻和寄生电容在该组走线中最小(rmin,cmin)。

可以理解的是,每一条走线的阻抗可以通过公式τ=rc算出,一组扇出结构的阻抗分布情况如图4所示,中间位置的走线阻抗最小,两侧的走线阻抗最大,大致呈一个抛物线形。

而每一扇出结构的各走线均会与液晶显示面板中的一条数据线相连接,可以理解的是,当数据信号经过扇出结构中间位置阻抗小的走线时,其阻容延迟(rcdelay)小,而经过扇出结构两侧的阻抗大的走线时,其阻容延迟罗大,这样会对像素的充电产生不利的影响,如图5所示,示出了三条具有不同阻容延迟的走线所连接的象素单元的数据信号的波形示意图。从中可以看出,随着阻容延迟的增大,其充电效果会变差。

具体地,在一个例子中,对应扇出结构中间位置的像素,充电率往往可以达到100%左右,而对应扇出结构两侧走线的像素充电率则可能降低到90%附近,如图6所示,示出了一组扇出结构的各走线所连接的像素的充电率示意图。

可以理解的是,上述扇出结构不同的走线的阻抗会对面板显示的均一性造成很不利的影响。当一个面板的扇出结构两侧走线阻抗差异较大,即扇出结构两侧走线中间位置对应的像素和边缘位置对应的像素充电率差异较大时,如果对输入该数据线的电位不进行调整,则会造成不同位置亮度不均或者不同位置的色偏等问题。

本发明的实施例中,对每一个扇出结构输入到液晶显示面板中不同数据线的数据信号进行了修正,以图6中的例子进行说明。假设以以需要向像素中写入14v(目标电位)的电压信号为例,根据图6中的结果,扇出结构中间位置的像素充电率为接近100%,因此这些区域对应的数据信号就设置为14v,从扇出结构的中间位置到两侧,像素的充电率逐渐降低,假设一条走线所对应的数据线所连接的各像素的充电率为x,则数据信号电压就相应的调整为14/x,例如对应于图6中扇出结构最外侧的走线对应的像素充电率为88%,则相应的数据信号就调整为14/0.88=15.9v,其他走线以此类似处理;通过这种方式就可以使得整个扇出结构走线所对应的数据线所连接的像素都能写入正确的数据信号,避免出现亮度不均mura和不同位置色偏等问题。图7示出了一个例子中调整后的各走线所输出的电位的示意图。

可以理解的是,在上述例子中,将每一数据线所连接的各像素的充电率以一个统一的充电率来进行计算。在实际过程中,在一些例子中,可以预先获得与每一走线对应的数据线所连接的位于预定行上的像素的充电率,将所述充电率作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率;例如,将每一数据线所连接的最上侧的一个像素的充电率作为该数据线所连接的所有像素的统一充电率,然后通过公式vdata=vtar/x来获得经调整后的输入所述数据线的数据信号的电位值。

而在另一些例子中,也可以预先获得每一走线对应的数据线所连接的位于多个预定行上的像素的充电率(例如,选择取五行),获得对应的多个充电率的平均值,将所述平均值作为所述数据线所连接的各像素的统一充电率。然后通过公式计算获得经调整后的输入所述数据线的数据信号的电位值。

第二实施例:

在该第二实施例中,所述步骤s10具体为:

获得数据驱动芯片与液晶面板数据线之间的每一组扇出结构中每一走线的阻抗值;

根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的数据所连接的各像素的充电率。

所述步骤s11具体为:

根据每一数据线所连接的各像素的充电率,以下述方式调整输入每一像素的电位值:

vdata=(vtar-vcom)/x+vcom

其中,vdata为调整后输入某一像素的数据信号的电位值;vtar为输入所述像素的数据信号的目标电位值,x为所述像素的充电率,vcom为公共电极电位。

具体地,下面以一个具体的应用实例,来说明本发明的第二实施例的应用场景及实现原理。

可以理解的是,除了扇出结构走线会造成面板显示不均之外,扫描线,数据线本身也会产生信号的衰减,从而导致面板不同位置的充电率差异较大,特别是在面板尺寸比较大,走线比较长的时候,这个问题更加明显。

如图8所示,示出了同一条数据线上不同位置所连接的像素的充电率示意图;数据信号是由数据驱动芯片(sourceic)给出,在面板中靠近数据驱动芯片侧,数据信号和数据驱动芯片所给出的数据信号的电位基本相同,这个区域的像素可以达到比较高的充电率,接近100%左右(如图中a点位置);在远离数据驱动芯片的位置,由于阻容延迟(rcdelay)的缘故,数据信号在数据线上传递会发生衰减,其所连接的像素充电率会逐渐下降,例如在图中c点位置的像素的充电率会降低到90%左右。

图9示出了本发明的第二个实施例,针对数据线造成的像素充电率的差异,也同样可以对数据驱动芯片输出的数据信号进行修正,修正方法和第一个实施例类似,例如,像素需要写入的目标数据信号为v时,当某处像素的充电率为x,则该处的数据信号修正为v/x。

图9是根据图8中的像素充电率进行修正之后的结果。假设不同的位置需要写入的数据信号vdata与公共电极电位vcom的电压差为7v(目标电位差)时,靠近数据驱动芯片一侧,由于像素的充电率接近100%,因此不需要对数据信号进行修正,当像素的位置远离数据驱动芯片后,充电率开始下降,例如在像素充电率为90%位置,将数据驱动芯片输出的数据信号调整为vdata’-vcom=7v/90%=7.78v;从而通过对输入不同位置像素的数据信号的电位进行调整,可以使在经过数据线的信号衰减之后,实际写入每一像素的信号基本保持一致,从而避免由于数据线的rcdelay过大带来的面板显示不均的问题。

图10是图9中数据信号的时序图,包括了正负两种极性的情况。可以理解的是,除了数据线之外,扫描线的rcdelay带来的显示不均问题也可以通过类似的方法来解决。

第三实施例:

在该第三实施例中,所述步骤s10具体为:

获得扫描驱动芯片与液晶面板扫描线之间的每一组扇出结构中每一走线的阻抗值;

根据所述每一走线的阻抗值,确定液晶显示面板中与所述走线对应的扫描线所连接的各像素的充电率。

所述步骤s11具体为:

根据每一扫描线所连接的各像素的充电率,以下述方式调整输入各像素的数据信号的电位值:

vdata=vtar/x

其中,vdata为调整后的输入各像素的数据信号的电位值;vtar为输入各像素的数据信号的目标电位值,x为所述各像素对应的充电率。

具体地,下面以一个具体的应用实例,来说明本发明的第三实施例的应用场景及实现原理。

除了面板尺寸增大,rcdelay严重造成像素充电率不足的问题之外,面板的刷新频率提高也会造成像素的充电率下降。

以图11和图12为例,其为显示面板中像素处于两种刷新频率时的充电波形示意图。当刷新频率为60hz的面板每一行像素的充电时间是7.5us,其中一条实线表示了像素电极电位随着时间的变化情况,从图中可以看到,当栅极线打开的时候,像素电极电位是随着时间的推移缓慢升高,最后接近数据线的电位。

当面板的刷新频率提升至120hz之后,每一行像素的充电时间就会减少1/2,即3.75us,这里以写入14v的电压信号为例,充电时间减半之后,该像素的充电率就降低至85%,实际写入像素的电压为11.9v。

如图13所示,其为对面板中像素的输入信号进行修正后的充电波形示意图。在像素充电不足的情况下,对数据驱动芯片所输出的数据信号根据充电率进行调整。例如需要写入的电压信号是14v(目标电位值),当充电率是85%的情况下,输出的数据信号修正为14/0.85=16.5v,这样就可以在像素中写入需要的14v电压信号了,避免了刷新频率提高带来的充电不足问题。

实施本发明,具有如下的有益效果:

在本发明的实施例中,通过预先获得所述液晶显示面板的至少部分像素的充电率;然后根据所述至少部分像素中每一像素的充电率,对输入液晶显示面板的各像素的数据信号的电位值进行调整,提升了液晶显示面板工作时各处像素的充电均一性,从而改善液晶显示面板的显示品质。

需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

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