显示装置及其像素电路和驱动方法与流程

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置及其像素电路和驱动方法。

背景技术

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示因具有高亮度、高发光效率、宽视角和低功耗等优点，近年来被人们广泛研究，并迅速应用到新一代的显示器件当中。

oled显示的驱动方式可以为无源矩阵驱动(passivematrixoled，pmoled)和有源矩阵驱动(activematrixoled，amoled)两种。无源矩阵驱动虽然成本低廉，但是存在交叉串扰现象不能实现高分辨率的显示，且无源矩阵驱动电流大，降低了oled的使用寿命。相比之下，有源矩阵驱动方式在每个像素上设置数目不同的晶体管作为电流源，避免了交叉串扰，所需的驱动电流较小，功耗较低，使oled的寿命增加，可以实现高分辨的显示，同时，有源矩阵驱动更容易满足大面积和高灰度级显示的需要。amoled显示阵列是由简单的两薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)及有机发光元件的像素构成，这种电路虽然结构简单，但是不能补偿驱动晶体管t1和oled阈值电压漂移或因tft器件采用多晶材料制成而导致面板各处tft器件的阈值电压不均匀性。当驱动晶体管t1阈值电压、oled阈值电压发生漂移或在面板上各处的值不一致时，驱动电流ids就会改变，并且面板上不同的像素因偏置电压的不同漂移情况也不一样，这样就会造成面板显示的不均匀性。低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon,ltps)tft是迄今为止使得amoled实现大规模商业化应用的唯一技术。这主要是因为ltpstft具有较高的迁移率、良好的器件稳定性。但是，ltpstft仍然存在阈值电压和迁移率分布不均匀的问题。

技术实现要素：

本申请提供一种显示装置及其像素电路和驱动方法，解决现有技术中阈值电压和迁移率分布不均匀的问题。

根据第一方面，一种实施例中提供一种像素电路，包括驱动晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第二电容和发光器件；其中：

所述驱动晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接，用于驱动发光器件发光；所述驱动晶体管的控制极与第五晶体管的第二极连接；

所述第二晶体管的第一极与第四晶体管的第一极连接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极连接；所述第二晶体管的控制极连接到所述像素电路的下一行的扫描线，或者连接到所述像素电路所在行的控制线；

所述第三晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的发光控制信号线，所述第三晶体管的第二电极与所述发光器件的阳极连接，所述发光器件的阴极接地；

所述第四晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线；

所述第五晶体管的控制极连接到所述像素电路所在行的扫描线；

所述第二电容连接在驱动晶体管的控制极与第二晶体管的第一极之间，用于当所述第二晶体管导通时提取所述驱动晶体管的老化信息；

其中：

所述驱动晶体管的第一极连接到电源线，所述第四晶体管的第二极连接到所述像素电路所在列的数据线，所述第五晶体管的第一极连接到参考电压线；

或，所述驱动晶体管的第一极连接到电源线，所述第四晶体管的第二极接地，所述第五晶体管的第一极连接到所述像素电路所在列的数据线；

或，所述驱动晶体管的第一极连接到所述像素电路所在行的扫描线，所述第四晶体管的第二极连接到所述像素电路所在列的数据线，所述第五晶体管的第一极连接到参考电压线。

根据第二方面，一种实施例中提供一种第一方面所述像素电路的驱动方法，

所述驱动方法包括编程阶段、补偿阶段和发光阶段；对于任意一行的像素电路：

在编程阶段，将该行像素电路的扫描线置为低电位，使得所述第四晶体管和所述第五晶体管导通，以使得该行像素电路的参考电压线和数据线为第二电容和第一电容充电，进行数据的写入；

在补偿阶段，将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为低电位，使得所述第二晶体管和所述驱动晶体管导通，以使得该行像素电路的电源线为第一电容和第二电容充电，进行电压的补偿；

在发光阶段，将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为高电位，使得所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管关断，以及将该行像素电路的发光控制信号线置为低电位，使得所述第六晶体管和所述第三晶体管导通，从而使得第二电容两端短接放电，保持第一电容两端的电压不变一段时间。

根据第三方面，一种实施例中提供一种显示装置，包括：

像素矩阵，包括排列成矩阵的若干如权利要求3至7中任一项所述的像素电路；所述像素电路与各自的扫描线、数据线、发光控制信号线分别连接；

栅极驱动电路，用于通过扫描线向像素矩阵发送扫描信号以选通各行像素电路；

数据驱动电路，用于通过数据线向像素矩阵发送数据信号，其中同一列的像素电路连接于同一根数据线；

发光控制信号驱动电路，用于通过发光控制信号线向像素矩阵发送发光控制信号，其中同一行的像素电路连接于同一根发光控制信号线。

根据第四方面，一种实施例中提供一种如第三方面所述的显示装置的驱动方法，所述驱动方法包括编程阶段、补偿阶段和发光阶段；

栅级驱动电路依次对像素矩阵中每一行的像素电路进行以下操作：

在编程阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线置为低电位，使得所述第四晶体管和所述第五晶体管导通，以使得该行像素电路的参考电压线和数据线为第二电容和第一电容充电，进行数据的写入；

在补偿阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为低电位，使得所述第二晶体管和所述驱动晶体管导通，以使得该行像素电路的电源线为第一电容和第二电容充电，进行电压的补偿；

在发光阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线和下一行扫描线置为高电位，使得所述第二晶体管、所述第四晶体管和所述第五晶体管关断；发光控制信号驱动电路将该行像素电路的发光控制信号线置为低电位，使得所述第六晶体管和所述第三晶体管导通，从而使得第二电容两端短接放电，保持第一电容两端的电压不变一段时间。

依据上述实施例的显示装置及其像素电路和驱动方法，由于初始化电流不流经发光器件，使该像素电路有很好的显示对比度。该像素电路所需要的控制信号简单，使像素电路共用上下级行扫描线，并且该像素电路的数据输入电压没有经过电容耦合进行分压，使得所需要的数据输入电压范围小。

附图说明

图1为实施例一公开的一种像素电路结构图；

图2为实施例一公开的一种像素电路工作时序图；

图3为实施例一公开的另一种像素电路工作时序图；

图4为实施例一公开的另一种像素电路工作时序图；

图5为实施例二公开的一种像素电路结构图；

图6为实施例三公开的一种像素电路结构图；

图7为实施例四公开的一种像素电路结构图；

图8为实施例五公开的一种像素电路的驱动方法的流程图；

图9为实施例六公开的一种显示装置结构原理图；

图10为实施例六公开的一种显示装置工作时序图；

图11为实施例七公开的一种显示装置的驱动方法的流程图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。

在高分辨率和大尺寸amoled面板显示中，需要补偿ltpstft电学特性不均匀对amoled光学特性的影响，补偿电路的基本原理是在行扫描线的控制下提取驱动晶体管的阈值电压，进而将阈值电压的值叠加在数据线的数据电压上以形成驱动电压，再由驱动晶体管将其转换为与发光亮度对应的驱动电流。但是，现有的ltpstft构成的amoled像素电路结构一般较为复杂，基于上述原理进行补偿可能会大幅度增加电路的复杂度，而且上述原理仅能够对晶体管的阈值电压漂移进行补偿。实际上，对于amoled像素电路来说，除ltpstft晶体管的阈值电压不均匀可能引发性能问题以外，还有ltpstft的迁移率不均匀、ir-drop、初始化电流流过oled降低对比度等其他问题需要解决，这些都是现有的amoled像素电路没有能够很好解决的。

ltpstft器件的有源层是多晶结构，由于晶粒大小不一、晶界存在和晶向不同，ltpstft器件的迁移率在大尺寸面板上存在很大的不均匀性。驱动晶体管将与发光电流对应的驱动电压转换为驱动电流，由于不同像素中驱动晶体管的迁移率存在差别，对于特定的驱动电压，不同像素产生的发光电流存在不一致现象。现在很多像素电路补偿迁移率的原理都是在数据写入阶段让驱动晶体管处于导通状态，写入的数据电压与驱动晶体管的迁移率存在一定关系。但是这样做会导致输入数据电压范围很大，以及输入的数据电压值与发光亮度的关系不是很明确。其中，ir-drop问题指的是在amoled面板的电源线上寄生电阻产生的电压降低问题(current-resistancevoltagedrop)。当电流流经电源线上的寄生电阻时，像素电路矩阵中电源输入端口上的电位与设定值存在一定的差别,这会导致显示面板上不同位置像素的显示亮度的不均匀。另外，现在的像素电路在初始化阶段有电流流过发光器件，这样会使得在编程阶段发光器件发光，降低显示对比度，同时编程阶段有大电流流过发光器件也会增加功耗。为了解决这个问题，现在的像素电路往往设计的很复杂，需要的控制信号也会增多。

在实际应用方式中对更大显示尺寸，更高分辨率及3d显示等要求日益高涨。高帧频显示技术具有显示画面清晰，色彩饱和度好等优势，将其广泛应用于大屏显示是显示行业的研究热点。但是高分辨和高帧频显示需要像素电路具有较快的数据写入速度，同时也要求输入数据电压范围较小。

下面先对本申请所涉及到的一些术语作一个说明。

本申请中的晶体管可以是任何结构的晶体管，比如双极型晶体管(bjt)或者场效应晶体管(fet)。当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的栅极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“发射极”和“集电极”可以依据信号流向而互换；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极，在实际应用过程中，“源极”和“漏极”可以依据信号流向而互换。

发光元件可以是有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)、无极发光二极管和量子点发光二极管等，在其它实施例中，也可以是其它发光元件。发光元件的第一端可以是阴极或阳极，相应地，则发光元件的第二端为阳极或阴极。本领域技术人员应当理解：电流应从发光元件的阳极流向阴极，因此，基于电流的流向，可以确定发光元件的阳极和阴极。

有效电平可以是高电平，也可以是低电平，可根据具体元器件的功能实现作适应性地置换。

第一电平端和第二电平端是为像素电路工作所提供的电源两端。在一种实施例中，第一电平端可以为高电平端vdd，第二电平端为低电平端vss或地线，在其它实施例中，也可以作适应性地置换。需要说明的是：对于像素电路而言，第一电平端(例如高电平端vdd)和第二电平端(例如低电平端vss或地线)并非本申请像素电路的一部分，为了使本领域技术人员更好地理解本申请的技术方案，而特别引入第一电平端和第二电平端予以描述。

需要说明的是，为了描述方便，也为了使本领域技术人员更清楚地理解本申请的技术方案，本申请文件中引入第一节点a、第二节点b和第三节点c对电路结构相关部分进行标识，不能认定为电路中额外引入的端子。

为描述方便，高电平采用vh表征，低电平采用vl表征。

在本发明实施例中，公开的一种像素电路对驱动晶体管的阈值电压不均匀现象有很好的补偿作用，同时能够减小驱动晶体管迁移率不均匀对显示效果的影响。该像素电路流过发光器件的电流与电源vdd没有关系，能够补偿电源线上ir-drop对显示效果的影响。

实施例一

请参考图1，为实施例一公开的一种像素电路结构图，包括：用于串联在电源线vdd和发光元件oled之间的驱动晶体管t1和第三晶体管t3，以及第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和电容c1、电容c2。还包括电源线vdd、数据线vdata、参考电压线vref、扫描线scan[n]、扫描线scan[n+1]和发光控制信号线em[n]，其中n表示像素电路所在的行的序号，例如扫描线scan[n]、扫描线scan[n+1]分别表示第n行像素电路的扫描线和第n+1行像素电路的扫描线，类似地，发光控制信号线em[n]表示第n行像素电路的发光控制信号线。其中，本实施例公开的像素电路所在行的扫描线，称为本行扫描线scan[n]。像素电路所在行的下一行扫描线，称为下一行扫描线scan[n+1]。像素电路的电源线vdd用于为像素电路提供电源。像素电路的参考电压线vref用于为像素电路提供参考电压。驱动晶体管t1用于驱动发光器件oled发光。

驱动晶体管t1的第二极连接至第三晶体管t3的第一极形成第三节点c，用于驱动发光器件发光。第三晶体管t3的第二极连接至发光元件oled的第一端，即发光器件oled的阳极。发光元件oled的第二端接到参考地线上，即发光器件oled的阴极接到参考地线上。第二晶体管t2的第一极连接至第四晶体管t4的第一极形成第二节点b。第二晶体管t2的第二极连接至节点c。第二晶体管t2的栅极连接至扫描线scan[n+1]，用于将驱动晶体管与电容元件连接起来，提取驱动晶体管的老化信息，其中老化信息指阈值电压信息和迁移率信息。第四晶体管t4的第二极连接至数据线vdata。驱动晶体管t1的第一极连接至电源线vdd。第五晶体管t5的第二极连接至第六晶体管t6的第一极形成节点a。第五晶体管t5的第一极连接至参考电压线vref。第六晶体管t6的第二极连接至节点b，用于编程阶段存储从数据线上采样的数据电压信号。驱动晶体管t1的栅极连接至节点a，用于向驱动晶体管t1栅极提供发光亮度对应的驱动电压。第三晶体管t3的栅极和第六晶体管t6的栅极连接至发光控制信号线em[n]，用于控制驱动电流是否流过发光器件，控制发光器件的发光状态。同时用于发光阶段将第一电容c1连接至驱动晶体管t1的栅极，同时将第二电容c2短接。第四晶体管t4的栅极和第五晶体管t5的栅极连接至扫描线scan[n]，用于将数据线上的数据电压采样到第二电容c2和第一电容c1上，还用于将参考电压输入到第二电容c2的上极板。第一电容c1连接至电源线vdd和节点b之间。第二电容c2节点a和节点b之间。

如图2所示，为实施例一公开的一种像素电路工作时序图，下面将结合图2说明图1中像素电路的工作流程。在具体的实施例中，对图1所示的像素电路的驱动方法为逐行进行数据输入和阈值电压提取，发光模式为逐行发光。行扫描一帧时间分为编程阶段(1)、补偿阶段(2)和发光阶段(3)，不需要进行初始化阶段。当该像素电路处于编程阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为低电位，将该像素电路的下一行扫描线和该像素电路所在行的发光控制信号线置为高电位。当该像素电路工作在补偿阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为高电位，将该像素电路的下一行扫描线置为低电位，将该像素电路所在行的发光控制信号线置为高电位；当该像素电路工作在发光阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为高电位，将该像素电路的下一行扫描线置为高电位，将该像素电路所在行的发光控制信号线置为低电位；或者，当该像素电路处于编程阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为低电位，将该像素电路所在行的控制线置为高电位，将该像素电路所在行的发光控制信号线置为高电位。当该像素电路工作在补偿阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为高电位，将该像素电路所在行的控制线置为低电位，将该像素电路所在行的发光控制信号线置为高电位。当该像素电路工作在发光阶段时，将该像素电路所在行的扫描线置为高电位，将该像素电路所在行的控制线置为高电位，将该像素电路所在行的发光控制信号线置为低电位。具体为：

在编程阶段(1)，将该行像素电路的扫描线scan[n]置为低电位，使得第四晶体管t4和第五晶体管t5导通，以使得该行像素电路的参考电压线vref和数据线vdata为第二电容c2和第一电容c1充电，进行数据的写入。即当这一行扫描信号scan[n]跳变至低电位，第四晶体管t4和第五晶体管t5导通，第二电容c2的上极板连接到参考电压vref，第二电容c2的下极板和第一电容c1的下极板接收到数据信号vdata，并对电容c1和c2充电，完成数据写入的任务。

在补偿阶段(2)，将该行像素电路的扫描线scan[n]置为高电位和下一行扫描线scan[n+1]置为低电位，使得第二晶体管t2和驱动晶体管t1导通，以使得该行像素电路的电源线vdd为第一电容c1和第二电容c2充电，进行电压的补偿。即这一行扫描信号scan[n]跳变至高电位，下一行扫描信号scan[n+1]跳变至低电位，第二晶体管t2导通，驱动晶体管t1工作在饱和状态，电源线vdd通过驱动晶体管t1对第一电容c1和第二电容c2充电，使得第二电容c2的上极板电位向vdd-|vth1|靠近(vth1为驱动晶体管t1的阀值电压)。由于补偿时间δt有限，在补偿阶段结束时，第二电容c2的上极板电位为：

其中，μ、cox、w、l分别为驱动晶体管t1的有效迁移率、单位面积栅电容、沟道宽度和沟道长度，vth1为驱动晶体管t1的阀值电压，va为第二电容c2的上极板电压，vdd为电源线电压，vref为参考电压线电压,c1为第一电容c1的电容值，δt为补偿时间。第二电容c2的上极板电位近似为：

其中，μ、cox、w、l分别为驱动晶体管t1的有效迁移率、单位面积栅电容、沟道宽度和沟道长度，vth1为驱动晶体管t1的阀值电压，va为第二电容c2的上极板电压，vdd为电源线电压，c1为第一电容c1的电容值，δt为补偿时间。此时第二电容c2和第一电容c1下极板电位为：

vbva-(vref-vdata)

......(1-3)。

其中，vb为第一电容c1下极板电压，va为第二电容c2的上极板电压，vdata为数据线电压，vref为参考电压线电压,这样与驱动晶体管t1的阈值电压和迁移率信息有关的电压就存储到电容c1和c2上。

在发光阶段(3)，将该行像素电路的扫描线scan[n]和下一行扫描线scan[n+1]置为高电位，使得第二晶体管t2、第四晶体管t5和第五晶体管t5关断。将该行像素电路的发光控制信号线em[n]置为低电位，使得第六晶体管t6和第三晶体管t3导通，以使得第二电容c2两端短接放电，保持第一电容c1两端的电压不变一段时间，用于减少所述驱动晶体管t1迁移率增大的不利影响以及对驱动晶体管t1的阈值进行补偿。即这一行扫描线scan[n]和下一行扫描线scan[n+1]都变为高电位，第二晶体管t2、第四晶体管t4和第五晶体管t5都处于关断状态。这时,这一行发光控制信号em[n]跳变为低电位，第六晶体管t6和第三晶体管t3开始导通，第六晶体管t6导通会使得第一电容元件c1的下极板连接到驱动晶体管t1的栅极，同时t6将第二电容c2的上下极板连接在一起。此时节点a与节点b进行电荷共享，由于第二电容c2的上下极板连接在一起，极板上的正负电荷抵消，第一电容c1极板上电荷保持上一阶段不变，此时节点a与节点b电位相等，该电位为：

其中，μ、cox、w、l分别为驱动晶体管t1的有效迁移率、单位面积栅电容、沟道宽度和沟道长度，vb为第一电容c1下极板电压，va为第二电容c2的上极板电压，vth1为驱动晶体管t1的阀值电压，vdd为电源线电压、vdata为数据线电压、vref为参考电压线电压，c1为第一电容c1的电容值，δt为补偿时间。在发光阶段，流经oled的发光电流如下图公式所示：

其中，μ、cox、w、l分别为驱动晶体管t1的有效迁移率、单位面积栅电容、沟道宽度和沟道长度，vdata为数据线电压，vref为参考电压线电压，c1为第一电容c1的电容值，δt为补偿时间，ioled为流经oled的发光电流。从该表达式中可知，在发光阶段，可以保证流过驱动晶体管t1的电流与第一驱动晶体管t1阈值电压不再相关，因此驱动晶体管t1阈值电压的变化基本不会影响到流经驱动晶体管t1的电流大小。并且，流经驱动晶体管t1的电流大小与驱动晶体管t1的迁移率存在一定关系，驱动晶体管t1的迁移率较大，驱动晶体管t1栅源电压就相应减小一部分，这样流经oled电流就不会因驱动晶体管迁移率增大而变得较大。对在本实施例中，晶体管t5的源极与栅极间电位差其不仅与vth1无关，也与电源电压vdd无关。因此，在电源线上的ir-drop对流过晶体管t5的电流没有影响，即能够补偿电源线上的ir-drop的影响。

图3为实施例一公开的另一种像素电路工作时序图，图3与图2的区别在于将第二晶体管t2的控制极连接到象素电路所在行的控制线scan_b[n]。控制线scan_b[n]的低电平脉冲宽度(即补偿时间)大于行扫描时间，这样做会使补偿时间增大，在补偿阶段，电源线vdd通过驱动晶体管t1对第一电容c1和第二电容c2充电，补偿结束时，第二电容c2的上极板电位近似等于vdd-|vth1|。这样做会使得驱动晶体管t1阈值电压变化的补偿效果更好，缺点是驱动晶体管t1的迁移率变化的补偿效果减弱。

图4为实施例一公开的又一种像素电路工作时序图，图4与图2、图3的区别在于发光控制信号在整个面板进行数据输入时为高电位，当所有像素数据输入完成之后发光控制信号才跳变为低电位。在该时序控制下，像素电路在编程完成后集中发光，其发光模式为同时发光。具体为，在本行扫描线scan[n]为低电位时，本行像素电路进行数据输入操作，当本行扫描线scan[n]跳变为高电位,下一行扫描线scan[n+1]变为低电位时，本行像素电路进行补偿操作，下一行像素电路进行数据输入操作。当所有像素电路都完成数据输入和补偿操作后，发光控制信号线em跳变为低电位，整个面板所有发光器件同时发光，像素电路在时序控制下可应用于3d显示。

基于上述实施例，本申请公开了一种像素电路,由于该像素电路对驱动晶体管的阈值电压不均匀现象有很好的补偿作用，同时能够减小驱动晶体管迁移率不均匀对显示效果的影响。该像素电路流过发光器件的电流与电源vdd没有关系，能够补偿电源线上ir-drop对显示效果的影响。该像素电路有很好的显示对比度，是因为初始化电流不流经发光器件。该像素电路所需要的控制信号比较简单，其中像素电路共用上下级行扫描线。该像素电路的数据输入电压没有经过电容耦合进行分压，所需要的数据输入电压范围较小。综上所述，该像素电路能够很好地应用于高分辨率和高帧频的显示装置中。

实施例二

图5为实施例二公开的一种像素电路结构图。图5的电路结构与图1的电路结构类似，包括：用于串联在电源线vdd和发光元件oled之间的驱动晶体管t1和晶体管t3，以及第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和电容c1、电容c2。还包括电源线vdd、数据线vdata、参考电压线vref、扫描线scan[n]、扫描线scan[n+1]和发光控制信号线em[n]。其中，本实施例公开的像素电路所在行的扫描线，称为本行扫描线scan[n]。像素电路所在行的下一行扫描线，称为下一行扫描线scan[n+1]。像素电路的电源线vdd用于为像素电路提供电源。像素电路的参考电压线vref用于为像素电路提供参考电压。具体的连接关系为：

第六晶体管t6的第一电极连接到第二电容c2的上极板。驱动晶体管t1的栅极连接到第五晶体管t5的第二电极，第六晶体管t6的第二电极连接到第二电容c2的下极板。第一电容c1的下极板连接到第四晶体管t4的第一电极和第二晶体管t2的第一电极。第六晶体管t6的栅极连接到发光控制信号线em[n],用于发光阶段将第一电容c1的下极板连接到驱动晶体管t1的栅极，同时将第二电容c2的上下极板连接在一起。

第二电容c2的上极板连接到驱动晶体管t1的栅极、第五晶体管t5的第二电极和第六晶体管t6的第一电极，第二电容c2的下极板连接到第一电容c1的下极板、第六晶体管t6的第二电极、第二晶体管t2的第一电极和第四晶体管t4的第一电极,用于编程阶段存储从数据线上采样的数据电压信号。

第一电容c1的上极板连接到电源线vdd上，第一电容c1的下极板连接到第二电容c2的下极板、第六晶体管t6的第二电极、第二晶体管t2的第一电极和第四晶体管t4的第一电极,用于向驱动晶体管t1栅极提供发光亮度对应的驱动电压。

第二晶体管t2的第一电极连接到第一电容c1的下极板、第二电容c2的下极板、第六晶体管t6的第二电极和第四晶体管t4的第一电极，第二晶体管t2的第二电极连接到驱动晶体管t1的第二电极和第三晶体管t3的第一电极,第二晶体管t2的栅极连接到下一行扫描线scan[n+1]，用于将驱动晶体管t1与电容元件连接起来，提取驱动晶体管t1的老化信息，其中老化信息指阈值电压信息和迁移率信息。

驱动晶体管t1的第一电极连接到电源线vdd，驱动晶体管t1的第二电极连接到第二晶体管t2的第二电极和第三晶体管t3的第一电极，驱动晶体管t1的栅极连接到第二电容c2的上极板、第六晶体管t6的第一电极和第五晶体管t5的第二电极,驱动晶体管t1用于驱动发光器件oled发光。

第三晶体管t3的第一电极连接到驱动晶体管t1的第二电极和第二晶体管t2的第二电极，第三晶体管t3的第二电极连接到发光器件oled的阳极，第三晶体管t3的栅极连接到发光控制信号线em[n]，用于控制驱动电流是否流过发光器件，控制发光器件的发光状态。

第四晶体管t4的第一电极连接到第一电容c1和第二电容c2的下极板，以及连接到第六晶体管t6的第二电极和第二晶体管t2的第一电极，第四晶体管t4的第二电极连接到oled阴极(也可以接在其他的参考电位上)，如果连接到oled的阴极上，外围驱动电路就可以较少提供一组电源。如果连接到单独的参考电位上，要求此时vref小于vdata。第四晶体管t4的栅极连接到这一行扫描线scan[n]，用于将数据线上的数据电压采样到第二电容c2和第一电容c1的下极板上。

第五晶体管t5的第一电极连接到数据线vdata上，用于编程阶段第二电容c2的上极板通过第五晶体管t5连接到数据线，对数据电压进行采样。第五晶体管t5的第二电极连接到驱动晶体管t1的栅极、第二电容c2的上极板和第六晶体管t6的第一电极，第五晶体管的栅极连接到这一行扫描线scan[n]，用于将参考电压输入到第二电容c2的上极板。发光器件oled的阳极连接到驱动晶体管t1的第二电极和第二晶体管t2的第二电极，发光器件oled的阴极连接到参考地线上。图5所示的像素电路的驱动时序图与实施例一的驱动时序图相同。

实施例三

图6为实施例三公开的一种像素电路结构图，图6的电路结构与图1的电路结构类似，不同处在于图6所示的像素电路中的第一电容c1的上极板连接到参考电位线vref，而不是如图1所示的像素电路中的第一电容c1的上极板连接到电源线vdd。在本实施例中，第一电容c1连接到参考电位vref能够减小电源线vdd的电容负载，降低显示的动态功耗。另外，由于相对于vdd来说，参考电位线vref上电压更稳定，将第二电容c2连接到参考电位线vref上能保证电容模块的上下极板输出电压更稳定。图6所示的像素电路的驱动时序图与实施例一的驱动时序图相同。

实施例四

图7为实施例四公开的一种像素电路结构图，图7的电路结构与图1的电路结构类似，不同处在于图7所示的像素电路中的第一电容c1的上极板连接到参考电位线vref，而不是如图1所示的像素电路中的第一电容c1的上极板连接到电源线vdd。在本实施例中，参考电位vref能够减小电源线vdd的电容负载，降低显示的动态功耗。另外，由于相对于vdd来说，参考电位线vref上电压更稳定，将第二电容c2连接到参考电位线vref上能保证电容模块的上下极板输出电压更稳定。其次，图7所示的像素电路减少了电源线vdd，由本行的扫描线scan[n]向像素电路中的发光器件提供电流。减小电源线vdd，能够减小像素电路的面积，增加发光器件的透过率。图7所示的像素电路的驱动时序图与实施例一的驱动时序图相同。

实施例五

如图8所示，为本实施例五公开的一种像素电路的驱动方法的流程图。该像素电路可以为实施例一至五中任意一个实施例中所述的像素电路，不妨以实施例一所述的像素电路，即根据如图1所示的像素电路为例，该驱动方法可以包括：

步骤501，编程阶段，将该行像素电路的扫描线置为低电位，使得第四晶体管和第五晶体管导通，以使得该行像素电路的参考电压线和数据线为第二电容和第一电容充电，进行数据的写入。

步骤502，补偿阶段，将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为低电位，使得第二晶体管和驱动晶体管导通，以使得该行像素电路的电源线为第一电容和第二电容充电，进行电压的补偿。

步骤503，发光阶段，将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为高电位，使得第二晶体管、第四晶体管和第五晶体管关断，以及将该行像素电路的发光控制信号线置为低电位，使得第六晶体管和第三晶体管导通，从而使得第二电容两端短接放电，保持第一电容两端的电压不变一段时间，用于减少驱动晶体管迁移率增大的不利影响以及对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。

实施例六

本实施例还公开了一种显示装置，请参考图9为实施例六公开的一种显示装置结构原理图。该显示装置包括：栅极驱动电路200、数据驱动电路300、发光控制信号驱动电路400和显示面板100。显示面板100包括像素矩阵，其包括由排列成矩阵的若干如实施例一、实施例二、实施例三或实施例四所述的像素电路。像素电路与各自的扫描线、数据线、发光控制信号线分别连接。栅极驱动电路200，用于通过扫描线向像素矩阵发送扫描信号以选通各行像素电路，例如在一帧内依次选通各行像素电路，或者同时选通各行像素电路等，栅极驱动电路200可以按照用户预定的时序来在预定的时间内选通任意一行像素电路。数据驱动电路300，用于通过数据线向像素矩阵发送数据信号，其中同一列的像素电路连接于同一根数据线。发光控制信号驱动电路400，用于通过发光控制信号线向像素矩阵发送发光控制信号，其中同一行的像素电路连接于同一根发光控制信号线。显示面板100显示面板100包括排列成n行n列矩阵的上述实施例提供的像素电路pixel_[1][1]……pixel_[n][n]，其中，n为大于0的整数，pixel_[n][n]表征第n行n列的像素电路；与每个像素相连的第一方向(例如横向)的多条扫描线scan[1]……scan[n]，其中，scan[n]表示第n行像素电路对应的扫描线，用于向提供向本行像素电路提供扫描控制信号。和第二方向(例如纵向)的多条数据线data[1]……data[n]，其中，data[n]表示第n列像素电路对应的数据线，用于提供各像素电路的数据电压vdata。显示面板可以是液晶显示面板、有机发光显示面板、电子纸显示面板等，而对应的显示装置可以是液晶显示器、有机发光显示器、电子纸显示器等。栅极驱动电路200，用于产生扫描脉冲信号，并通过扫描线向像素电路提供扫描信号。数据驱动电路300，用于产生代表灰度信息的数据电压信号，并通过数据线向像素电路提供数据电压信号。发光控制信号驱动电路400，用于产生发光控制信号，并通过发光控制信号线控制发光元件发光；显示装置包括由上述各实施例中介绍的像素电路组成的像素阵列。

如图10所示，为实施例六公开的一种显示装置工作时序图。当第n-1行扫描信号scan[n-1]跳变为有效电平时，pixel_11和pixel_12完成数据输入，当下一行扫描信号scan[n]跳变为有效电平时，pixel_21和pixel_22完成数据输入，同时pixel_11和pixel_12完成补偿阶段。补偿阶段过后，发光控制信号em[n]开始变为有效，pixel_11和pixel_12开始发光；再等待一行时间，发光控制信号em[n+1]开始变为有效，pixel_21和pixel_22发光。

实施例七

如图11所示，为本实施例中公开的一种显示装置的驱动方法的流程图。该显示装置可以是实施例六中所公开的显示装置。例如根据如图9所示的显示装置，显示装置的驱动方法可以包括，栅级驱动电路依次对像素矩阵中每一行的像素电路进行以下操作：

步骤601，编程阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线置为低电位，使得该行像素电路的第四晶体管和第五晶体管导通，以使得该行像素电路的参考电压线和数据线为第二电容和第一电容充电，进行数据的写入。

步骤602，补偿阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线置为高电位和下一行扫描线置为低电位，使得该行像素电路的第二晶体管和驱动晶体管导通，以使得该行像素电路的电源线为第一电容和第二电容充电，进行电压的补偿。

步骤603，发光阶段，栅极驱动电路将该行像素电路的扫描线和下一行扫描线置为高电位，使得该行像素电路的第二晶体管、第四晶体管和第五晶体管关断。发光控制信号驱动电路将该行像素电路的发光控制信号线置为低电位，使得该行像素电路的第六晶体管和第三晶体管导通，从而使得第二电容两端短接放电，保持第一电容两端的电压不变一段时间，用于减少驱动晶体管迁移率增大的不利影响以及对驱动晶体管的阈值电压进行补偿。

以上应用了具体个例对本发明进行阐述，只是用于帮助理解本发明，并不用以限制本发明。对于本发明所属技术领域的技术人员，依据本发明的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。